SK海力士完成業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC
繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。
SK海力士透露，閃存單元架構為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術。
4D閃存是SK海力士自己的說法，此番的176層更是被稱之為第三代，每片晶圓可以切割更多有效的閃存硅片。
除了容量增加35%，閃存單元的讀取速度也提升了20%，使用加速技術可使得傳輸速度加快33%到1.6Gbps。
SK海力士預計相關產(chǎn)品明年年中上市，目前主控廠商已經(jīng)在測試樣品，預計會在手機閃存領域首發(fā)，目標是70%的的讀速提升和35%的寫速提升，后續(xù)還會應用到消費級SSD和企業(yè)產(chǎn)品上。
另外，SK海力士已經(jīng)表示，正在開發(fā)1Tb（128GB）容量的176層4D閃存。
顯然，今后手機可以在更緊湊的空間內(nèi)做到大容量ROM空間了。
責任編輯：PSY
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