9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個(gè)存儲單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。長江存儲一貫重視核心技術(shù)的自主研發(fā)和創(chuàng)新，Xtacking?技術(shù)的研發(fā)成功和64層3D NAND閃存的批量生產(chǎn)標(biāo)志著長江存儲已成功走出了一條高端芯片設(shè)計(jì)制造的創(chuàng)新之路。

據(jù)介紹，長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品（特指截止目前業(yè)界已上市的64/72層3D NAND 閃存）中最高的存儲密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking?可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

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作為集成器件制造商(IDM - Integrated Device Manufacturer)，長江存儲致力于為全球客戶提供完整的存儲解決方案及服務(wù)，并計(jì)劃推出集成64層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤、UFS等產(chǎn)品，以滿足數(shù)據(jù)中心，以及企業(yè)級服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備制造商的需求。

考慮到中國乃至全球的NAND Flash格局，長江存儲的這款新產(chǎn)品面世擁有極其重要的意義。

肩負(fù)中國NAND Flash破局的重任

過去幾年，因?yàn)榇鎯Ξa(chǎn)品的大幅漲價(jià)，讓大家正式認(rèn)識到存儲的重要性，但這是一個(gè)被幾家廠商高度壟斷，而中國幾近空白的市場。

據(jù)資料顯示，三星，鎂光、SK海力士和東芝等幾家廠商幾乎壟斷了全球的NAND Flash市場供應(yīng)，其中三星多年位居龍頭。

長江存儲就是為了打破這個(gè)局面而生的。

根據(jù)公司官網(wǎng)介紹，長江存儲科技有限責(zé)任公司（“長江存儲”）于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業(yè)客戶提供存儲器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。長江存儲在武漢、上海、北京等地設(shè)有研發(fā)中心，通過不懈努力和技術(shù)創(chuàng)新，致力于成為全球領(lǐng)先的NAND閃存解決方案提供商。

在成立之后，公司一直進(jìn)展順利，2017年，長江存儲在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎(chǔ)上，通過自主研發(fā)和國際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計(jì)并制造了中國首批3D NAND閃存芯片。

在芯片技術(shù)發(fā)展的同時(shí)，長江存儲在2018年八月還推出了他們的突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。

據(jù)介紹，傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片整體面積的50%以上。Xtacking?技術(shù)將外圍電路置于存儲單元之上，從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。

Xtacking?技術(shù)充分利用存儲單元和外圍電路的獨(dú)立加工優(yōu)勢，實(shí)現(xiàn)了并行的、模塊化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)及制造，產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間可縮短三個(gè)月，生產(chǎn)周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產(chǎn)品的上市時(shí)間。此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創(chuàng)新功能以實(shí)現(xiàn)NAND閃存的定制化提供了可能。

長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華表示：“通過將Xtacking?架構(gòu)引入批量生產(chǎn)，能夠顯著提升產(chǎn)品性能，縮短開發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期，從而推動(dòng)高速大容量存儲解決方案市場的快速發(fā)展?！?/p>

提到關(guān)于未來的產(chǎn)能和一些規(guī)劃發(fā)展的時(shí)候，之前市場傳聞，長江存儲到2020年底，可以達(dá)到六萬片每月，公司也將在2020年跳過96層，直接進(jìn)入128層，但這都是市場傳言，并沒有準(zhǔn)確的消息來源。

不過長江存儲表示，今后，公司將持續(xù)投入研發(fā)資源，以通過技術(shù)和產(chǎn)品的迭代，使每一代產(chǎn)品都具備強(qiáng)勁的市場競爭力，更好地滿足全球客戶的需求?！半S著5G，人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時(shí)代的到來，閃存市場的需求將持續(xù)增長。長江存儲64層3D NAND閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲器市場健康發(fā)展注入新動(dòng)力。”程衛(wèi)華強(qiáng)調(diào)。

日前，在紫光集團(tuán)宣布委任高啟全為DRAM事業(yè)群CEO后，紫光旗下武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡稱武漢新芯）宣布，聘請紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁孫世偉接任高啟全擔(dān)任武漢新芯總經(jīng)理兼首席執(zhí)行官（CEO）。

作為一個(gè)從1985年起就進(jìn)入半導(dǎo)體領(lǐng)域，并歷任美國摩托羅拉半導(dǎo)體公司擔(dān)任研發(fā)主管，曾任聯(lián)華電子股份有限公司（UMC）首席運(yùn)營官、首席執(zhí)行官、副董事長等重要職務(wù)的芯片業(yè)界知名的領(lǐng)軍人物，孫世偉的加入，必將能給長江存儲帶來巨大利好。

讓我們展望長江存儲的美好未來。

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