最高的64層3D NAND芯片。據(jù)techweb的消息顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年年底預(yù)計(jì)正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，明年開(kāi)始逐步提升產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2020年底有望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬(wàn)片晶圓的規(guī)模。
2019-08-27 09:32:51
2672 9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151919 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:293528 對(duì)相關(guān)業(yè)務(wù)進(jìn)行了重新聚焦：壓縮了NAND部分產(chǎn)品線。 紫光存儲(chǔ)方面表示，未來(lái)隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND穩(wěn)步量產(chǎn)，相關(guān)業(yè)務(wù)將逐步轉(zhuǎn)移到長(zhǎng)江存儲(chǔ)；同時(shí)，還將增強(qiáng)DRAM部分產(chǎn)品線。 去年9月2日，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)中國(guó)首款
2020-03-19 09:18:226283 作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-04-13 14:30:551874 2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)的64層閃存開(kāi)始量產(chǎn)之后，2020年他們又帶來(lái)了128層閃存，2021年則會(huì)帶來(lái)192層閃存。
2021-01-13 09:32:014265 軌跡產(chǎn)生的容量斜坡仍然比需求線平坦。面對(duì)此挑戰(zhàn)，3GPP 標(biāo)準(zhǔn)實(shí)體近來(lái)提出了數(shù)據(jù)容量“到2020 年增長(zhǎng)1000 倍”的目標(biāo)，以滿足演進(jìn)性或革命性創(chuàng)意的需要。這種概念要求基站部署極大規(guī)模的天線陣
2019-07-17 07:54:10
倒裝芯片底部與高溫膠膜接觸，封裝后如何將芯片底部與高溫膜分離，然后轉(zhuǎn)移到UV膜上？
2024-10-29 23:23:20
的IntelliFlash業(yè)務(wù)對(duì)自身發(fā)展卻有很大的幫助。西部數(shù)據(jù)表示，該交易有望在2019年底完成，單位透露交易相關(guān)的財(cái)務(wù)條款，從2020財(cái)年第三季度（截至2020年4月3日）開(kāi)始，Western Digital計(jì)劃
2022-01-29 12:48:59
STM32開(kāi)發(fā)項(xiàng)目：如何從TRUEStudio轉(zhuǎn)移到STM32CubeIDE以 Ubuntu 18.04 的TRUEStudio（版本號(hào)：9.1）轉(zhuǎn)移至macOS STM32CubeIDE（版本號(hào)
2022-02-17 06:28:09
579例程里使用的是Keil編譯的，我將工程轉(zhuǎn)移到MounRiver來(lái)編譯，編譯成功了，下載程序跑起來(lái)會(huì)，串口會(huì)有幾率亂碼，在轉(zhuǎn)移到MounRiver是有什么要配置的嗎J？還是說(shuō)兼容不MounRiver編譯？
2022-09-02 06:47:45
Altera的cyclone3的EP3C10E144C8的工程文件用到了rom以及mif文件，那這個(gè)工程文件轉(zhuǎn)移到cyclone4 的EP4CE115F29C7中，還需要保留rom模塊和mif文件嗎？
2019-04-11 11:20:13
嗨 - 有關(guān)將某人從vDGA轉(zhuǎn)移到vGPU需要做些什么的想法？我們是否刪除了PCI HOLE條目？“2.調(diào)整pciHole.start。注意：僅當(dāng)虛擬機(jī)的配置內(nèi)存超過(guò)2GB時(shí)才需要此選項(xiàng)。對(duì)于配置
2018-09-07 16:47:48
器芯片自主發(fā)展成為當(dāng)務(wù)之急。2019年NAND市場(chǎng)上還有一個(gè)變數(shù)，雖然它還是初生牛犢，但它是最有可能重塑存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)格局的，那就是中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司2019年會(huì)大規(guī)模量產(chǎn)3DNAND閃存，跟三星、東芝
2021-07-13 06:38:27
大家好，我最近將我的項(xiàng)目從 Arduino 轉(zhuǎn)移到 ESP32，我在 arduino 上使用引腳 10,9 從我的設(shè)備和庫(kù) SoftwareSerial 傳輸 RX/TX。我想知道我可以在 ESP 中使用哪個(gè)引腳，如果我要使用 ESPSoftwareSerial。
2023-04-12 06:14:40
你好我有一個(gè)新的vc707板。我可以將舊的ISE設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)移到Vivado 2014.1。使用Vivado，我可以通過(guò)USB電纜將我的比特流下載到電路板上，沒(méi)有任何問(wèn)題。但是當(dāng)我嘗試使用Vivado將我
2020-05-29 10:43:03
我們有一個(gè)問(wèn)題，一個(gè)更大的（4096字節(jié)）轉(zhuǎn)移到EP0。在Windows 8和超高速，這種轉(zhuǎn)移是失速控制轉(zhuǎn)移。較?。?4字節(jié)）傳送功。和4096字節(jié)傳輸似乎是工作在高速模式的USB2.0端口。捕捉
2019-04-29 10:22:37
想把dsp c6727代碼轉(zhuǎn)移到dsp c6745上，請(qǐng)問(wèn)需要改動(dòng)大嗎，之前用的是ccs3.3，現(xiàn)在用ccs5.5
2018-08-01 07:01:24
輪胎壓力監(jiān)測(cè)（TPM）系統(tǒng)有望獲得大規(guī)模應(yīng)用。
2021-05-12 06:02:56
APD 14.2 wirebond的檔案轉(zhuǎn)移到15版 1. 前言 若原始APD設(shè)計(jì)檔案是在14.2設(shè)計(jì)，后來存成15版，這時(shí)你會(huì)發(fā)現(xiàn)原本在14.2版對(duì)wirebonding可以執(zhí)行的編輯動(dòng)作，例如 rea
2009-09-06 11:03:10
0 特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備和通訊設(shè)備等領(lǐng)域。目前庫(kù)存中有 16,495 個(gè) W25Q128JWPIMT 芯片，能夠滿足大規(guī)模生產(chǎn)的需求。產(chǎn)品技術(shù)資料存儲(chǔ)容
2024-11-11 15:17:31
NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤(pán)等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片，國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國(guó)產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在
2018-05-16 10:06:004167 在春節(jié)長(zhǎng)假期，國(guó)人歡慶佳節(jié)的時(shí)候，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的工廠依然在加緊建設(shè)，以確保今年三季度投產(chǎn)NAND flash，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)投產(chǎn)，中國(guó)可望打破當(dāng)前三星在NAND flash行業(yè)獨(dú)大的局面。
2018-07-02 12:49:005664 目前，全球存儲(chǔ)器芯片技術(shù)主要掌握在韓、日、美等國(guó)企業(yè)手中，屬于相對(duì)壟斷市場(chǎng)。去年6月，三星宣布64層NAND閃存開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)。這些技術(shù)和產(chǎn)品，將推動(dòng)以TB為單位的固態(tài)盤(pán)以及128GB以上的手機(jī)閃存迅速普及。
2018-04-17 10:51:003599 
當(dāng)然中國(guó)的存儲(chǔ)芯片企業(yè)在投產(chǎn)后還需要在技術(shù)方面追趕韓美日等存儲(chǔ)芯片企業(yè)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)當(dāng)下準(zhǔn)備投產(chǎn)的為32層NAND flash而韓國(guó)三星去年就開(kāi)始大規(guī)模投產(chǎn)64層NAND flash，長(zhǎng)江存儲(chǔ)希望在未來(lái)兩三年實(shí)現(xiàn)64層NAND flash的技術(shù)突破，將技術(shù)差距縮短到兩年內(nèi)。
2018-04-17 09:37:1944620 按照計(jì)劃，今年四季度，設(shè)備有望點(diǎn)亮投產(chǎn)。紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁、長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全透露，今年將量產(chǎn)的產(chǎn)品，是去年成功研發(fā)的中國(guó)首顆32層三維NAND閃存芯片，就在4月9日，這顆耗資10億美元
2018-04-23 11:20:003770 
在位于武漢東湖高新區(qū)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（國(guó)家存儲(chǔ)器基地），紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露，中國(guó)首批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-08-07 14:35:146351 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）報(bào)捷，已自主開(kāi)發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770 紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)近日在出席首屆中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)時(shí)透露，紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的1000人團(tuán)隊(duì)耗資10億美元，歷時(shí)2年研發(fā)成功了國(guó)內(nèi)第一顆32層3DNAND閃存芯片，將在2018年第四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-08-26 10:46:2710600 目前世界上存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)主要由美、日、韓主導(dǎo)，是高度壟斷的寡頭市場(chǎng)格局，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的成立就是希望打破這一行業(yè)壟斷。
2018-11-21 17:40:028042 
科技在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年會(huì)在技術(shù)趕超國(guó)際領(lǐng)先的閃存公司。
2018-11-23 08:45:2812700 SCiB可充電電池業(yè)務(wù)將由東芝基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)與解決方案公司（TISS）分拆直接轉(zhuǎn)移到東芝。
2019-01-04 08:42:414169 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無(wú)疑又將帶來(lái)一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 （CITE2019）上展示了企業(yè)級(jí)P8260硬盤(pán)，使用的就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層3D NAND閃存。長(zhǎng)江存儲(chǔ)并不打算大規(guī)模生產(chǎn)32層堆棧的3D NAND閃存，該公司CTO程衛(wèi)華在接受采訪時(shí)表示今年下半年量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，目前計(jì)劃進(jìn)展順利，沒(méi)有任何障礙。
2019-04-18 16:18:522545 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國(guó)內(nèi)主要有紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對(duì)市場(chǎng)影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143966 根據(jù)官網(wǎng)資料，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002725 完成“清潔”操作后 在整個(gè)任務(wù)期間–設(shè)計(jì)，繪制電路和跟蹤PCB，您需要將設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)移到真實(shí)的板上。從這里開(kāi)始，我稱之為“混亂”。設(shè)計(jì)的一部分。在家設(shè)計(jì)時(shí)，有幾種選擇–使用原型板或自己制作PCB。在第二種選擇中，您必須將PCB圖像轉(zhuǎn)移到帶有銅層的板上。
2019-10-03 13:12:002589 紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:452263 據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:005147 紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。
2019-10-02 14:38:001949 今年一季度，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）開(kāi)始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:331140 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片終于“抬起了頭”。
在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上，終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。據(jù)報(bào)道，今年一季度，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）開(kāi)始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:243767 紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2019年9月份正式量產(chǎn)了國(guó)內(nèi)首個(gè)64層堆棧的3D閃存，容量256Gb，TLC芯片，2020年長(zhǎng)江存儲(chǔ)還會(huì)進(jìn)一步提升產(chǎn)能，年底將達(dá)到每月6萬(wàn)片晶圓的水平，是初期產(chǎn)能的10倍。
2020-01-09 09:38:534673 2020年全球閃存將進(jìn)入牛市周期，價(jià)格預(yù)計(jì)會(huì)大幅上漲，這對(duì)國(guó)產(chǎn)閃存來(lái)說(shuō)也是一次機(jī)會(huì)。在日前的湖北兩會(huì)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司副董事長(zhǎng)楊道虹表示他們研發(fā)的64層閃存已經(jīng)在去年量產(chǎn)，正在擴(kuò)增產(chǎn)能。
2020-01-15 09:34:163227 楊道虹表示，目前及今后的一段時(shí)間內(nèi)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)核心任務(wù)是推動(dòng)產(chǎn)能爬坡提升，將盡早達(dá)成64層三維閃存產(chǎn)品月產(chǎn)能10萬(wàn)片并按期建成30萬(wàn)片/月產(chǎn)能，提升國(guó)家存儲(chǔ)器基地的規(guī)模效應(yīng)，帶動(dòng)全省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
2020-01-15 09:31:293090 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司副董事長(zhǎng)楊道虹表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目經(jīng)過(guò) 3 年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開(kāi)發(fā)的 64 層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 10:27:211908 1月16日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開(kāi)市場(chǎng)合作伙伴年會(huì)，并在會(huì)前披露了閃存技術(shù)方面的一些新情報(bào)。
2020-01-17 08:48:222693 今天，長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開(kāi)市場(chǎng)合作伙伴新春溝通會(huì)，紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來(lái)站臺(tái)，其中威剛還宣布將會(huì)率先推出搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品?，F(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報(bào)的消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存的存儲(chǔ)密度是全球第一，絕不是低端產(chǎn)品。
2020-01-17 10:26:083652 據(jù)介紹，長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)了自己的Xtacking堆棧架構(gòu)，已經(jīng)可以保證可靠性問(wèn)題。就在日前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)確認(rèn)采用Xtacking技術(shù)的64層3D閃存產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并正擴(kuò)充產(chǎn)能，將盡早達(dá)成10萬(wàn)片晶圓的月產(chǎn)能規(guī)模，并按期建成30萬(wàn)片月產(chǎn)能。
2020-01-17 11:29:175331 1月16號(hào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開(kāi)市場(chǎng)合作伙伴新春溝通會(huì)，紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來(lái)站臺(tái)，其中威剛還宣布將會(huì)率先推出搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品。現(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報(bào)的消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存的存儲(chǔ)密度是全球第一，絕不是低端產(chǎn)品。
2020-01-17 14:43:554287 長(zhǎng)江存儲(chǔ)確認(rèn)自主研發(fā)的64層已經(jīng)在去年投入量產(chǎn)(256Gb TLC)，并正擴(kuò)充產(chǎn)能，將盡早達(dá)成10萬(wàn)片晶圓的月產(chǎn)能規(guī)模。
2020-01-17 15:06:232412 據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長(zhǎng)期來(lái)看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 今年初，長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售資深副總裁龔翔曾公開(kāi)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)如今業(yè)界常見(jiàn)的96層堆疊閃存技術(shù)，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 16:38:211265 在今年，全球閃存廠商都在集體奔向100+層，例如SK海力士的128層已經(jīng)穩(wěn)定出貨，并計(jì)劃在年底推出196層內(nèi)存，三星、鎂光、西數(shù)、Intel也都已經(jīng)突破了百層。近期，國(guó)內(nèi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售資深副總裁龔翔表示，將跳過(guò)96層，直接投入128層閃存的技術(shù)研發(fā)和量產(chǎn)。
2020-04-11 16:47:514000 今日（4月13日），長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商場(chǎng)SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 09:23:091347 2020年4月13日，中國(guó)武漢，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款
2020-04-13 09:29:416830 4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC3DNAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格
2020-04-13 14:25:114118 2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:523480 4月13日，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491750 據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開(kāi)發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片，這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù)，意味著中國(guó)的存儲(chǔ)芯片技術(shù)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4514823 4月17日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，知情人士稱，華為正逐步將公司內(nèi)部設(shè)計(jì)芯片的生產(chǎn)工作，從臺(tái)積電逐步轉(zhuǎn)移到中芯國(guó)際來(lái)完成。知情人士稱，華為旗下芯片部門，即海思半導(dǎo)體在2019年底開(kāi)始指示部分工程師為中芯國(guó)際而非臺(tái)積電設(shè)計(jì)芯片。
2020-04-17 10:59:073326 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，知情人士稱，華為正將公司內(nèi)部設(shè)計(jì)芯片的生產(chǎn)工作，從臺(tái)積電逐步轉(zhuǎn)移到中芯國(guó)際來(lái)完成。
2020-04-17 14:50:093661 長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功，型號(hào)為X2-6070，并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:063603 對(duì)3D閃存來(lái)說(shuō)，堆棧層數(shù)越多，容量就越大，存儲(chǔ)密度就越高，這是3D閃存的核心競(jìng)爭(zhēng)力，2020年全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">大規(guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。
2020-04-20 09:25:073912 據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開(kāi)發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片，這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù)。
2020-05-04 09:22:002923 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:003612 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功，這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:225527 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-12 09:54:014518 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號(hào)：X2-9060），用以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-07-06 16:49:421991 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 在2019年，國(guó)內(nèi)的內(nèi)存以及閃存領(lǐng)域分別有一個(gè)重大的突破，長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)64層3D閃存，合肥長(zhǎng)鑫則量產(chǎn)了DDR4內(nèi)存，而后者在2020年有望成為全球第四大DRAM內(nèi)存芯片廠。
2020-09-18 14:18:463335 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038 芯片自研的趨勢(shì)正愈演愈烈。 云服務(wù)巨頭亞馬遜最近發(fā)表聲明稱，計(jì)劃將 Alexa 語(yǔ)音助手的部分計(jì)算任務(wù)轉(zhuǎn)移到自主設(shè)計(jì)的定制設(shè)計(jì)芯片 Inferentia 上，以便加速任務(wù)的執(zhí)行速度，同時(shí)降低成本
2020-11-19 14:55:342530 CEO楊士寧在參加活動(dòng)時(shí)表示，與國(guó)際存儲(chǔ)大廠相比，該公司用短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)從32層到64層再到128層的跨越，3年完成他們6年走過(guò)的路。 此外，楊士寧還證實(shí)了一件事，那就是他們的64層閃存已經(jīng)打入了華為Mate40供應(yīng)鏈，他還借用一句網(wǎng)絡(luò)用語(yǔ)，表示出道即
2020-11-20 18:15:273578 表示，很多人反映很少看到國(guó)產(chǎn)內(nèi)存， 實(shí)際上華為Mate 40系列手機(jī)現(xiàn)在也使用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存。 他強(qiáng)調(diào)，與國(guó)際存儲(chǔ)大廠6年的路程相比， 長(zhǎng)江存儲(chǔ)僅用了短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了3D NAND的32層、64層、128層的跨越。 會(huì)議上， 他還展示了長(zhǎng)江存儲(chǔ) 先進(jìn)的Xt
2020-11-23 11:59:265787 日前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在參加活動(dòng)時(shí)表示，與國(guó)際存儲(chǔ)大廠相比，該公司用短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)從32層到64層再到128層的跨越，3年完成他們6年走過(guò)的路。
2020-11-27 10:00:183257 NAND Flash作為全球最為重要的存儲(chǔ)芯片之一，目前被全球六大廠商進(jìn)行壟斷競(jìng)爭(zhēng)，中國(guó)NAND Flash廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲(chǔ)控制器廠商，目標(biāo)第三季進(jìn)入投片量產(chǎn)，未來(lái)中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打破國(guó)外在NAND FLASH的壟斷競(jìng)爭(zhēng)格局。
2021-01-11 14:18:334603 2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)的64層閃存開(kāi)始量產(chǎn)之后，2020年他們又帶來(lái)了128層閃存，2021年則會(huì)帶來(lái)192層閃存。
2021-01-12 14:29:501798 2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)的64層閃存開(kāi)始量產(chǎn)之后，2020年他們又帶來(lái)了128層閃存，2021年則會(huì)帶來(lái)192層閃存。 日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱，中國(guó)閃存廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在加速擴(kuò)張閃存產(chǎn)能，計(jì)劃在2021
2021-01-12 14:37:427344 昨天日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)2021年的產(chǎn)能將翻倍，達(dá)到10萬(wàn)片晶圓/月，年中還有192層閃存的試產(chǎn)，不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天否認(rèn)相關(guān)內(nèi)容。
2021-01-14 09:53:584285 昨天日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)2021年的產(chǎn)能將翻倍，達(dá)到10萬(wàn)片晶圓/月，年中還有192層閃存的試產(chǎn)，不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天否認(rèn)相關(guān)內(nèi)容。
2021-01-14 10:21:382726 2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團(tuán)展臺(tái)上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362729 從TMS320F281xDSP片上FLASH中運(yùn)行應(yīng)用程序_從FLASH轉(zhuǎn)移到RAM運(yùn)行_BIOS(單片機(jī)和嵌入式開(kāi)發(fā))-該文檔為從TMS320F281xDSP片上FLASH中運(yùn)行應(yīng)用程序_從
2021-07-30 11:54:403 2022年4月19日，中國(guó)武漢，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦
2022-04-19 11:08:462880 長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286 高工產(chǎn)研鋰電研究所（GGII）調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，2022年磷酸錳鐵鋰正極材料出貨量2000噸，目前主要在電動(dòng)二輪車領(lǐng)域小規(guī)模出貨，并有望于2023年在動(dòng)力領(lǐng)域大規(guī)模出貨。
2023-05-17 09:03:351285 
長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)將3D NAND閃存做到了232層堆疊，存儲(chǔ)密度15.47Gb每平方毫米，而且傳輸速度高達(dá)2400MT/s，妥妥的世界第一，結(jié)果被美國(guó)一直禁令給攔住了，死死限制在128層，但我們肯定不會(huì)坐以待斃。
2023-07-20 09:44:313337 
嵌入式開(kāi)發(fā)中，如何將Flash中的程序轉(zhuǎn)移到RAM中運(yùn)行？ Flash存儲(chǔ)器是嵌入式設(shè)備中常用的一種非易失性存儲(chǔ)器，它通常用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)。在某些情況下，我們可能需要將存儲(chǔ)在Flash中的程序
2023-10-29 16:23:585321 長(zhǎng)江存儲(chǔ)1Tb TLC芯片的存儲(chǔ)密度已達(dá)15.47Gb每平方毫米，1Tb QLC更是高達(dá)19.8Gb每平方毫米，在兩種閃存類型中都無(wú)出其右者。
2023-11-02 11:11:463853 
通過(guò)轉(zhuǎn)移到SiC技術(shù)來(lái)獲得暖通空調(diào)更佳的SEER等級(jí)
2023-11-28 16:56:411277 
存儲(chǔ)芯片在電子產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著非常重要的角色，主要分為閃存和內(nèi)存，閃存包括 NAND Flash 和 NOR Flash ，內(nèi)存主要為 DRAM 。 2019 年，由于市場(chǎng)低迷及產(chǎn)能過(guò)剩，存儲(chǔ)芯片
2020-01-06 08:30:0026712 在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品，其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822
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