9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開(kāi)始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開(kāi)始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價(jià)促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 Kioxia（原東芝存儲(chǔ)），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開(kāi)發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲(chǔ)就在國(guó)際會(huì)議VLSI研討會(huì)上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 7月24日國(guó)外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:231561 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢(shì)。
2013-08-29 10:46:512858 
256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營(yíng)，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下
2016-08-11 13:58:0644661 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 各大原廠已經(jīng)在2016年研發(fā)了基于48層或32層的3D NADN閃存顆粒，由于技術(shù)不成熟以及2D NAND生產(chǎn)線替換問(wèn)題，如今3D NAND的良品率并不高，總產(chǎn)量也不夠高，因而才引發(fā)了當(dāng)下固態(tài)硬盤市場(chǎng)價(jià)格的瘋漲。
2016-11-09 17:37:383369 據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來(lái)NAND Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場(chǎng)出現(xiàn)貨源不足問(wèn)題，價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371739 
蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:293528 PCB面積總是不夠用？試試這個(gè)方案唄~
2023-10-17 15:14:021571 
3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢(shì)，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
2025-04-08 14:38:392049 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來(lái)到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長(zhǎng)？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D圖像的主流技術(shù)有哪幾種？Bora傳感器的功能亮點(diǎn)是什么？
2021-05-28 06:37:34
nand有壞塊，系統(tǒng)會(huì)跳過(guò)不用，系統(tǒng)跳過(guò)不用的話，那會(huì)不會(huì)不夠用，如果我MTD給uboot只分配了256K，編譯出來(lái)的uboot有200K，剛好在uboot的范圍里有壞塊占了100K，只剩156，裝不下200K的uboot啊
2019-07-23 04:58:59
用328P做溫控，需要適用多種熱電偶，現(xiàn)在寫入多種分度表后（已經(jīng)喲哦那個(gè)const寫入Flash）內(nèi)存提示不夠用，怎么解決因?yàn)橐缶纫?.1，所以說(shuō)采用查表法，但是現(xiàn)在分度表太大了，求大神怎么解決
2014-03-04 13:26:08
如題，DSP的PWM口不夠用，也不合適用定時(shí)器做。有沒(méi)有那種PWM發(fā)生芯片，由DSP通過(guò)并行口之類的把占空比信號(hào)給到PWM發(fā)生芯片，芯片產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的PWM波形？
2015-06-04 14:41:22
E幣不夠用，{:1:}{:16:}
2013-04-29 18:12:36
1.項(xiàng)目背景項(xiàng)目是基于Nxp Mcu+FreeRtos，成品是車機(jī)（車載導(dǎo)航系統(tǒng)），在消息通信過(guò)程中會(huì)進(jìn)入內(nèi)存分配失敗鉤子函數(shù)里面2.問(wèn)題原因FreeRtos系統(tǒng)的Heap堆不夠用，就是在最開(kāi)始給
2022-03-01 06:10:38
單片機(jī)的特點(diǎn)是體積小，功能全，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、對(duì)于小型的需求可以滿足要求。那么稍大一點(diǎn)嵌入式系統(tǒng)呢？那么有可能你的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、程序存儲(chǔ)器還有IO口都可能不夠用！那怎么辦呢？我們就需...
2021-07-19 07:21:36
各位大蝦：小弟初次接觸STM32，不明白該款存儲(chǔ)器的啟動(dòng)問(wèn)題，哪位給簡(jiǎn)單說(shuō)說(shuō)。另外我們的程序下載了STM內(nèi)部的Flash里面，假如內(nèi)部flash不夠用干怎么辦啊？擴(kuò)展還是換型號(hào)？
2020-06-11 09:00:16
的DDR3，這個(gè)內(nèi)存可以外擴(kuò)嗎？我看板子上已經(jīng)外接了4塊DDR3，但是512M這個(gè)參數(shù)真的不夠用啊。請(qǐng)問(wèn)用這塊板子能完成我的任務(wù)嗎？能想辦法擴(kuò)到8G嗎？
2018-06-21 18:30:19
辦法把reserved的那部分也用起來(lái),我現(xiàn)在因?yàn)橛玫酱罅康膌ong double數(shù)據(jù),malloc申請(qǐng)的內(nèi)存不夠用.問(wèn)題2:想請(qǐng)教下,關(guān)于long double的數(shù)據(jù)類型的計(jì)算,有沒(méi)有什么辦法可以提高
2020-07-22 10:05:37
主芯片用的stm32f103rbt6
加上exfuns_init（）函數(shù)就空間不夠用了，有什么好的建議？
板子已實(shí)現(xiàn)u盤功能。我想通過(guò)串口使用mf_scan_files(\"0:\")之類的命令。但主函數(shù)中加入初始化語(yǔ)句就已經(jīng)容量不夠了。
2024-05-17 07:23:59
stm32出現(xiàn)ram、rom不夠用怎么解決？
2022-02-16 06:00:01
我要用好我個(gè)串口，但是單片機(jī)上就必個(gè)，串口不夠用，怎么辦？
2020-08-04 00:56:08
來(lái)自一位用戶的咨詢，麻煩幫忙解答。越詳細(xì)越好，有圖有真相。如有相關(guān)的視頻、文檔也可以輔助說(shuō)明，謝謝。
單片機(jī)RAM不夠用怎么辦？
單片機(jī)都有RAM，如果我們一下子定義了一大堆的變量，使得變量占的空間大于RAM，這樣單片機(jī)還能運(yùn)行嗎？電腦出現(xiàn)這種問(wèn)題是怎么解決的
2024-02-02 07:35:01
最近在做一個(gè)小東西，外圍的傳感器有點(diǎn)多，P0口作數(shù)據(jù)口，其它口又有輸入也有輸出，結(jié)果最后端口不夠用了，哀傷、、、、、、、、、、、在此向各位前輩，師兄師姐們請(qǐng)教下，有什么好的方法，來(lái)擴(kuò)展端口
2014-06-29 23:16:50
如果UART串口不夠用還要用printf該怎么辦呢？基于STM32的printf函數(shù)有幾種用法呢？
2021-11-30 07:03:25
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
我最近在做一個(gè)東西，需要用到3.2英寸的tft屏，但I(xiàn)O口不夠用了，只剩下兩個(gè)8位IO，但手上的TFT屏都是30針的，請(qǐng)教各位高手該選用什么型號(hào)的屏，謝謝啦
2013-01-07 09:43:47
優(yōu)勢(shì)，或許，未來(lái)將有更多的玩家參與其中。存儲(chǔ)產(chǎn)品的3D時(shí)代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開(kāi)始投入到3D NAND的生產(chǎn)和研發(fā)中來(lái)，存儲(chǔ)產(chǎn)品也開(kāi)始走向了3D時(shí)代。在這些廠商發(fā)展3D閃存的過(guò)程當(dāng)中，也
2020-03-19 14:04:57
stm8s003f3裝6050的dmp是不是內(nèi)存會(huì)不夠用?。?？
2024-05-08 07:35:17
請(qǐng)問(wèn)單片機(jī)定時(shí)器不夠用怎么辦？
2021-09-29 07:14:32
諾基亞投訴率居榜首 電池不夠用成突出問(wèn)題
2010-04-09 08:48:53431 本文為您講述ROM存儲(chǔ)介質(zhì)3D NAND技術(shù)工藝的發(fā)展，現(xiàn)階段主流的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，包括傳統(tǒng)eMMC，三星和蘋果提出的UFC標(biāo)準(zhǔn)和NVMe標(biāo)準(zhǔn)。
2016-10-12 15:54:243880 據(jù)報(bào)道，蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級(jí)單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過(guò)堆疊，這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元，單個(gè)
2017-04-12 01:07:111359 運(yùn)算密度跟不上因特網(wǎng)流量增加速度，數(shù)據(jù)中心分析之數(shù)據(jù)量的成長(zhǎng)速度前所未有;要解決這個(gè)問(wèn)題，需要更大的內(nèi)存帶寬，而這是3D芯片堆棧技術(shù)展現(xiàn)其承諾的一個(gè)領(lǐng)域。
2017-04-20 01:06:111888 
3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。在一個(gè)新的研究報(bào)告中指出，這項(xiàng)技術(shù)將會(huì)在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。
2017-05-03 01:02:501621 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開(kāi)始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會(huì)支持QLC，這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 6月29日消息 據(jù)外媒NEOWIN報(bào)道，英特爾今天宣布推出SSD 545s固態(tài)硬盤，它是主流的SATA驅(qū)動(dòng)器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產(chǎn)品，且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179 的廠商競(jìng)爭(zhēng)，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問(wèn)題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:26
6 上周，隨著英特爾和美光宣布未來(lái)雙方將各自獨(dú)立開(kāi)發(fā)3D NAND，其維持多年的長(zhǎng)期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時(shí)，有外媒報(bào)道，英特爾將于紫光合作，在中國(guó)生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來(lái)幾年，英特爾將會(huì)
2018-01-16 14:37:555172 
層數(shù)的增加也就意味著對(duì)工藝、材料的要求會(huì)提高，要想達(dá)到140層堆疊就必須使用新的基礎(chǔ)材料。而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候，存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND
2018-05-28 16:25:4851340 無(wú)論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說(shuō)明了隨著3D NAND技術(shù)走向?qū)嵱没?，?guó)際廠商正在加快推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步。3D NAND相對(duì)2D NAND來(lái)說(shuō)，是一次閃存技術(shù)上的變革。而且不同于基于微縮技術(shù)
2018-06-20 17:17:495087 近日，英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤，加強(qiáng)擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)。
2018-08-01 17:44:541237 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò)2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031683 昨日長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式公開(kāi)了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。
2018-09-16 10:38:14759 宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下句點(diǎn)，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。什么是3D NAND閃存？從新聞到評(píng)測(cè)
2018-10-08 15:52:39780 就算3D NAND的每位元成本與平面NAND相比較還不夠低，NAND快閃存儲(chǔ)已經(jīng)成功地由平面轉(zhuǎn)為3D，而DRAM還是維持2D架構(gòu);在此同時(shí)，DRAM制程的微縮也變得越來(lái)越困難，主要是因?yàn)閮?chǔ)存電容的深寬比（aspect ratio）隨著元件制程微縮而呈倍數(shù)增加。
2018-10-28 10:17:135623 研發(fā)支持原廠3D TLC NAND高品質(zhì)固件的固態(tài)硬盤完整解決方案。據(jù)了解，MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片，已經(jīng)適配了全球全部量產(chǎn)的所有3D MLC/TLC NAND閃存顆粒，繼在今年9月國(guó)內(nèi)首發(fā)量產(chǎn)
2018-11-19 17:22:318411 現(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069 據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:005147 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 英特爾透露,2019年第四季度將會(huì)推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤的144層QLC(四級(jí)單元)NAND,預(yù)計(jì)將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180 有關(guān)國(guó)產(chǎn)閃存技術(shù)的發(fā)展與突破，相信很多人都在翹首期待，希望我們能夠擁有自己的先進(jìn)閃存產(chǎn)品，而當(dāng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功發(fā)展出來(lái)3D NAND存儲(chǔ)Xtacking架構(gòu)技術(shù)的時(shí)候，我們知道，真正的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)即將出現(xiàn)了！
2019-10-31 11:37:071248 根據(jù)國(guó)科微官方的消息，國(guó)科微搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測(cè)試。
2020-01-17 15:17:495929 SanDisk 3D NAND Flash:Gen3 X3 128Gb存儲(chǔ)設(shè)備包含一個(gè)128Gb的48針TSOP封裝。所有可能的配置可能不可用。有關(guān)當(dāng)前零件號(hào)的列表，請(qǐng)參見(jiàn)第0頁(yè)的“市場(chǎng)營(yíng)銷零件號(hào)
2020-07-01 08:00:006 根據(jù)消息報(bào)道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開(kāi)發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開(kāi)始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn)，今年下半年可能會(huì)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:345210 閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開(kāi)始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 如果是在一個(gè)小型的局域網(wǎng)里可能完全不必要考慮IP地址不夠的情況，但是在超過(guò)“255臺(tái)”電腦的大型局域網(wǎng)里，就必須要考慮電腦IP地址不夠用該如何解決了。
2020-06-29 11:51:114028 
Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 日前，TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會(huì)上作了兩次演講，詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲(chǔ)器的未來(lái)。
2020-11-19 16:11:183722 NAND 應(yīng)運(yùn)而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量，在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來(lái)越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰
2020-11-20 16:07:133095 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來(lái)越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰會(huì)
2020-11-20 17:15:444306 NAND應(yīng)運(yùn)而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量，在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 ? ? ? ?依托于先進(jìn)工藝的3D NAND，氧化層越來(lái)越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:153354 
長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286 全球存儲(chǔ)市場(chǎng)對(duì)NAND 閃存的需求不斷增長(zhǎng)。這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)通過(guò)許多發(fā)展得到滿足，不僅體現(xiàn)在當(dāng)今閃存控制器的功能上，尤其是通過(guò) 3D NAND 架構(gòu)。隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) （IIoT）、智能工廠、自動(dòng)駕駛汽車和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，這些苛刻應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)要求變得更具挑戰(zhàn)性。
2022-07-15 08:17:251510 全球存儲(chǔ)市場(chǎng)對(duì)高密度 NAND 閃存的需求不斷增長(zhǎng)。目前，這一需求已通過(guò)許多發(fā)展得到滿足，不僅體現(xiàn)在當(dāng)今閃存控制器的功能上，而且尤其是在過(guò)去十年中一直處于存儲(chǔ)討論和發(fā)展中心的 3D NAND 架構(gòu)
2022-07-28 10:12:492300 
據(jù)知名半導(dǎo)體和微電子情報(bào)提供商TechInsights報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士等廠商，這也是__中國(guó)品牌在半導(dǎo)體領(lǐng)域首次領(lǐng)先于國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)者。__
2022-12-05 17:07:381876 我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲(chǔ)容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開(kāi)發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142 如果是在一個(gè)小型的局域網(wǎng)里可能完全不必要考慮IP地址不夠的情況，但是在超過(guò)“255臺(tái)”電腦的大型局域網(wǎng)里，就必須要考慮電腦IP地址不夠用該如何解決了。
2023-10-23 10:16:374340 
如果是在一個(gè)小型的局域網(wǎng)里可能完全不必要考慮IP地址不夠的情況，但是在超過(guò)“255臺(tái)”電腦的大型局域網(wǎng)里，就必須要考慮電腦IP地址不夠用該如何解決了。
2023-12-05 10:13:512757 
內(nèi)存不夠用的處理方法 內(nèi)存不夠用是許多計(jì)算機(jī)用戶普遍面臨的問(wèn)題。當(dāng)我們的計(jì)算機(jī)內(nèi)存不足時(shí)，會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)運(yùn)行緩慢，應(yīng)用程序無(wú)法正常運(yùn)行，甚至直接導(dǎo)致計(jì)算機(jī)崩潰。然而，幸運(yùn)的是，我們有很多
2023-12-28 11:15:253573 之前使用沁恒公司的一款BLE芯片CH573，隨著代碼量的增多，開(kāi)發(fā)到后期時(shí)遇到了RAM空間不夠用的問(wèn)題，當(dāng)時(shí)嚇了我一跳，以為需要重新?lián)Q更大RAM的芯片。
2024-05-01 09:57:002718 
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