3D NAND閃存高密度技術(shù)正變得越來越激進(jìn)。3D NAND閃存密度和容量的提高主要通過增加垂直方向上堆疊的存儲器單元的數(shù)量來實(shí)現(xiàn)。通過這種三維堆疊技術(shù)和多值存儲技術(shù)（用于在一個存儲單元中存儲多個
2019-08-10 00:01:00
8135 9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151919 Kioxia（原東芝存儲），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 臺灣專用存儲器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產(chǎn)3D NAND存儲器。該公司將成為臺灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計(jì)的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295966 IM Flash 技術(shù)有限責(zé)任公司是英特爾與美光科技的合資公司，日前，該公司表示目前正在策劃如何及何時將3D技術(shù)用于NAND閃存ICs制造中。
2013-05-29 16:44:451729 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個區(qū)域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:231561 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個禮拜的時間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢。
2013-08-29 10:46:512858 
256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 句點(diǎn)，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細(xì)介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢，主要的生產(chǎn)廠商，以及三星、東芝和Intel在這個領(lǐng)域的實(shí)力產(chǎn)品。
2016-08-11 13:58:0644661 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 各大原廠已經(jīng)在2016年研發(fā)了基于48層或32層的3D NADN閃存顆粒，由于技術(shù)不成熟以及2D NAND生產(chǎn)線替換問題，如今3D NAND的良品率并不高，總產(chǎn)量也不夠高，因而才引發(fā)了當(dāng)下固態(tài)硬盤市場價格的瘋漲。
2016-11-09 17:37:383369 3D NAND Flash。中國已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號，若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，中國3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:129182 
蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 集微網(wǎng)消息，9月19日，2018年中國閃存市場峰會（CFMS2018）在深圳舉行，長江存儲總經(jīng)理?xiàng)钍繉幉┦恳浴皠?chuàng)新Xtacking?架構(gòu)：釋放3D NAND潛能”為主題，介紹長江存儲Xtacking?架構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢和長江存儲3D NAND新進(jìn)展。
2018-09-20 10:22:075992 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:293528 3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
2025-04-08 14:38:392049 
11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176層NAND產(chǎn)品采用美光第五代3D NAND技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。
2020-11-13 09:40:163599 3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D顯示技術(shù)的原理是什么？3D顯示技術(shù)有哪些應(yīng)用？3D拍好了到底怎么樣傳輸？
2021-05-31 06:53:03
成功攻克了GRACE衛(wèi)星重力測量數(shù)據(jù)處理與分析關(guān)鍵核心技術(shù)，通過反演獲得高精度時變重力場產(chǎn)品(IGG)，使我國在重力衛(wèi)星數(shù)據(jù)處理與應(yīng)用方面實(shí)現(xiàn)獨(dú)立自主。據(jù)介紹，該系列高精度時變重力場產(chǎn)品與美國德克薩斯
2018-09-26 15:10:06
衍生了一些新的技術(shù)，來助力其閃存產(chǎn)品向3D方向發(fā)展。其中，就包括了三星的V-NAND、東芝的BiCS技術(shù)3D NAND、英特爾的3D XPoint等。三星在3D NAND閃存上首先選擇了CTF電荷擷取
2020-03-19 14:04:57
我國即將建立3D標(biāo)準(zhǔn)體系
3D電影《阿凡達(dá)》帶動的3D熱尚未退去，今日英超聯(lián)賽即將用3D直播的消息又令3D再度升溫。我國3D產(chǎn)業(yè)有何最新進(jìn)展？今日，中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)
2010-02-03 10:07:44750 據(jù)報(bào)道，蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:111359 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個新的研究報(bào)告中指出，這項(xiàng)技術(shù)將會在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。
2017-05-03 01:02:501621 市場調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange周五發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。
2017-05-06 01:03:11860 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 東芝日前宣布，他們成功研發(fā)出了世界首款4比特3D QLC閃存。對于閃存技術(shù)的未來發(fā)展而言，這可謂是相當(dāng)重大的消息。
2017-06-30 16:43:40832 2017年7月27日，北京—西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ： WDC）今天宣布，該公司已成功開發(fā)用于64層3D NAND （BiCS3）的X4閃存。在西部數(shù)據(jù)過去成功開發(fā)創(chuàng)新和商品化X4 2D NAND
2017-07-26 16:07:111246 的廠商競爭，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:26
6 上周，隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨(dú)立開發(fā)3D NAND，其維持多年的長期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時，有外媒報(bào)道，英特爾將于紫光合作，在中國生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來幾年，英特爾將會
2018-01-16 14:37:555172 
ROBO3D是美國市場上最流行的3D打印機(jī)之一。它的起源可以追溯到2月，2013年，當(dāng)它的創(chuàng)作者收到了近65萬$從Kickstarter的運(yùn)動。該項(xiàng)目最終獲得成功，所有的3D打印機(jī)讓他們的支持者，和ROBO3D的職業(yè)生涯發(fā)生爆炸，使他們較知名的品牌，在低預(yù)算3D打印機(jī)的國家之一。
2018-04-30 00:17:005319 層數(shù)的增加也就意味著對工藝、材料的要求會提高，要想達(dá)到140層堆疊就必須使用新的基礎(chǔ)材料。而且在堆疊層數(shù)增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND
2018-05-28 16:25:4851340 無論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說明了隨著3D NAND技術(shù)走向?qū)嵱没?，國際廠商正在加快推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步。3D NAND相對2D NAND來說，是一次閃存技術(shù)上的變革。而且不同于基于微縮技術(shù)
2018-06-20 17:17:495087 近日，英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤，加強(qiáng)擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)。
2018-08-01 17:44:541237 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031683 昨日長江存儲正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421 作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱：長江存儲）昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244 日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長江存儲CEO楊士寧博士在FMS會議上的演講，我們之前也做過簡單的報(bào)道，這次他們的介紹更加詳細(xì)，我們可以一窺長江存儲的3D NAND閃存現(xiàn)在到底進(jìn)行到那一步了。
2018-08-15 10:50:166345 ，同時恐激化各家原廠展開96層
3D NAND技術(shù)競爭，然而市場更多的是關(guān)心
NAND Flash價格走向?qū)⑷绾巍?/div>
2018-08-22 16:25:462599 在價格和競爭壓力期間，3D NAND供應(yīng)商正準(zhǔn)備迎接新的戰(zhàn)斗，相互競爭下一代技術(shù)。
2018-08-27 16:27:189528 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。
2018-09-16 10:38:14759 V-NAND技術(shù)，堆棧層數(shù)從之前的24層提高到了48層，TLC類型的3D NAND核心容量可達(dá)到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。?值得一提的是，三星在3D NAND閃存
2018-10-08 15:52:39780 就算3D NAND的每位元成本與平面NAND相比較還不夠低，NAND快閃存儲已經(jīng)成功地由平面轉(zhuǎn)為3D，而DRAM還是維持2D架構(gòu);在此同時，DRAM制程的微縮也變得越來越困難，主要是因?yàn)閮Υ骐娙莸纳顚挶龋╝spect ratio）隨著元件制程微縮而呈倍數(shù)增加。
2018-10-28 10:17:135623 11月15日， 國產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技（MAXIO）再下一城，正式對外宣布MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒，并對外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:318411 近日，華天科技（昆山）電子有限公司與江蘇微遠(yuǎn)芯微系統(tǒng)技術(shù)有限公司合作開發(fā)的毫米波雷達(dá)芯片硅基扇出型封裝獲得成功，產(chǎn)品封裝良率大于98%，目前已進(jìn)入小批量生產(chǎn)階段。
2018-12-02 11:56:002933 近日，貴州省首個隧道舒緩照明技術(shù)在六威高速黃家屋基隧道的應(yīng)用獲得成功，這一技術(shù)能有效緩解隧道內(nèi)視覺不適的現(xiàn)象，是貴州省高速公路應(yīng)急照明領(lǐng)域的又一大創(chuàng)新。
2018-12-16 10:35:461504 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:242506 國產(chǎn)存儲芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 現(xiàn)在，長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069 ，這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking?可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
2019-09-03 10:07:021788 據(jù)悉，長江存儲是紫光集團(tuán)收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:005147 紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 隨著數(shù)據(jù)量的迅速增大，主流存儲技術(shù)也在迅速向前推進(jìn)中。3D NAND閃存從2014年的24層，到2016年的48層，到2017年的64層，再到2018年的96層，以及明年的1XX層，技術(shù)更新速度越來越快。
2019-09-26 17:26:111141 英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤的144層QLC(四級單元)NAND,預(yù)計(jì)將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180 近年來，3D打印技術(shù)漸漸的步入大眾的視野，隨著科技的發(fā)展，我國的3D打印技術(shù)也越來越強(qiáng)，近日，我國的航天科工增材制造技術(shù)創(chuàng)新中心的3D打印機(jī)又有了新的進(jìn)展。
2019-12-30 15:57:283213 根據(jù)國科微官方的消息，國科微搭載長江存儲3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測試。
2020-01-17 15:17:495929 根據(jù)消息報(bào)道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn)，今年下半年可能會實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:345210 今日（4月13日），長江存儲重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商場SSD等終端產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-13 09:23:091347 2020年4月13日，長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:523480 追求存儲密度以降低存儲成本不斷推動著NAND閃存技術(shù)的發(fā)展。NAND閃存技術(shù)已經(jīng)從最初的SLC時代，跨越MLC、TLC向QLC時代快速演進(jìn)，并且從最初的2D平面技術(shù)全面切換到3D堆疊技術(shù)。而3D NAND閃存技術(shù)也從最初的32層堆疊，發(fā)展到了目前最新一代的高達(dá)128層堆疊。
2020-04-14 15:28:032795 
長江儲存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功，型號為X2-6070，并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲存產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:063603 長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:003612 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功，這標(biāo)志著國產(chǎn)存儲廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:225527 3D NAND的論文數(shù)量最多，因此，筆者就各家NAND型閃存（以下簡稱為：“NAND”）廠家的現(xiàn)狀、未來的技術(shù)藍(lán)圖（Roadmap）展開論述。
2020-07-30 11:14:457564 
Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:342586 據(jù)國外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038 華為鴻蒙OS系統(tǒng)手機(jī)不可能獲得成功，因?yàn)槿缃馎ndroid系統(tǒng)、iOS系統(tǒng)都已經(jīng)形成了很強(qiáng)的技術(shù)壁壘，但華為鴻蒙OS系統(tǒng)在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域可以獲得成功
2020-10-19 11:20:562260 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲
2020-11-12 16:02:553696 雖然與美國Stratasys公司、美國3D Systems公司、德國EOS等老牌3D打印巨頭相比，我國3D打印企業(yè)競爭實(shí)力仍有較大差距。但是隨著我國政府對于3D產(chǎn)業(yè)的政策支持力度不斷加大，以及企業(yè)對于3D打印技術(shù)的不斷研發(fā)，市場應(yīng)用程度不斷深化。3D打印已成為國內(nèi)各大企業(yè)爭相投資的熱點(diǎn)。
2020-11-13 16:23:032802 日前，TechInsights高級技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會上作了兩次演講，詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲器的未來。
2020-11-19 16:11:183722 NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:133095 上，TechInsights 高級技術(shù)研究員 Joengdong Choe 發(fā)表了相關(guān)演講，詳細(xì)介紹了 3D NAND 和其他新興存儲器的未來。TechInsights 是一家對包括閃存在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品分析公司
2020-11-20 17:15:444306 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:493617 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 人工智能如今對各種規(guī)模的企業(yè)開展業(yè)務(wù)產(chǎn)生重大影響。初創(chuàng)企業(yè)也參與了人工智能革命，人工智能在當(dāng)今商業(yè)世界中的重要性不可低估。那么人工智能技術(shù)如何幫助初創(chuàng)企業(yè)獲得成功？
2021-01-18 11:33:372783 該書分為辨別先進(jìn)企業(yè)、考慮取得成功至關(guān)重要的產(chǎn)品戰(zhàn)略、關(guān)注3D打印技術(shù)的財(cái)通、考慮3D打印技術(shù)所支持的應(yīng)用選項(xiàng)、選擇使用3D打印零件時要有戰(zhàn)略眼光等章節(jié)，顯示汽車行業(yè)的3D打印將在幫助企業(yè)獲得競爭優(yōu)勢方面發(fā)揮巨大的作用。
2021-03-22 17:52:391931 在本文中，我們將演示如何檢查相互競爭的模型（稱為 challenger models ），并使用 GPU 加速，通過簡單、經(jīng)濟(jì)高效且可理解的模型可解釋性應(yīng)用程序獲得成功。當(dāng) GPU 加速在模型開發(fā)過程中被多次使用時，建模者的時間將通過在數(shù)十次模型迭代中攤銷培訓(xùn)時間和降低成本而得到更有效的利用。
2022-04-06 17:33:411839 
在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:153354 
長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286 全球存儲市場對NAND 閃存的需求不斷增長。這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)通過許多發(fā)展得到滿足，不僅體現(xiàn)在當(dāng)今閃存控制器的功能上，尤其是通過 3D NAND 架構(gòu)。隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) （IIoT）、智能工廠、自動駕駛汽車和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，這些苛刻應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)存儲要求變得更具挑戰(zhàn)性。
2022-07-15 08:17:251510 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 全行業(yè)正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當(dāng)前成熟的 3D NAND 工藝，這與學(xué)術(shù)論文提出和內(nèi)存行業(yè)研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46993 
這一創(chuàng)新
技術(shù)可在短短33分鐘內(nèi)完成10微米深度的刻蝕，比以往的
技術(shù)大大縮短了時間。東京電子方面表示：“如果應(yīng)用該
技術(shù)，不僅有助于制造高容量
3d nand，還可以減少84%的地球變暖危險(xiǎn)?！?/div>
2023-06-12 10:52:201592 
3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
這種存儲技術(shù)的成功與其不斷擴(kuò)展密度和成本的能力有關(guān)——這是 NAND 閃存技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動力。大約每兩年，NAND 閃存行業(yè)就會顯著提高位存儲密度，以增加的 Gbit/mm2表示。
2023-06-27 10:38:343462 
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142 隨著密度和成本的飛速進(jìn)步，數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此，與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:353579 
增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因?yàn)橹С謧鹘y(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計(jì)將在不久的將來達(dá)到其極限。2025 年至 2030 年間，新的基礎(chǔ)技術(shù)的引入和轉(zhuǎn)化很可能會變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:261911 
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
目前，鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同研發(fā)NAND閃存技術(shù)，他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存，這項(xiàng)產(chǎn)品能達(dá)到的傳輸速度高達(dá)3200MT/s。
2024-04-07 15:21:571351 已全部加載完成
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