3D NAND閃存高密度技術正變得越來越激進。3D NAND閃存密度和容量的提高主要通過增加垂直方向上堆疊的存儲器單元的數(shù)量來實現(xiàn)。通過這種三維堆疊技術和多值存儲技術（用于在一個存儲單元中存儲多個
2019-08-10 00:01:00
8135 SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開始基于其128層3D NAND閃存采樣產品，該產品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價促使他們削減了產量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 Kioxia（原東芝存儲），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術進行批量生產。 東芝開發(fā)的3D NAND技術 BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 平面技術，自19世紀以來一直在使用。 旺宏并未透露其3D NAND的系統(tǒng)結構，但由于該公司通常為除顫器，無人機，
2019-12-14 09:51:295966 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術的內存產品。僅僅一個禮拜的時間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術的SSD固態(tài)硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 句點，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢，主要的生產廠商，以及三星、東芝和Intel在這個領域的實力產品。
2016-08-11 13:58:0644661 
3D NAND Flash。中國已吹響進軍3D NAND Flash沖鋒號，若能整合好跨領域人才和技術，中國3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:129182 
據(jù)海外媒體報道，去年下半年以來NAND Flash市場供不應求，主要關鍵在于上游原廠全力調撥2D NAND Flash產能轉進3D NAND，但3D NAND生產良率不如預期，2D NAND供給量又因產能排擠縮小，NAND Flash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371739 
通過3D堆疊技術將存儲層層堆疊起來，促成了NAND 技術進一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248 
盡管2018年下半閃存企業(yè)過得并不經(jīng)如意。但我們有理由相信，不止三星、東芝/西部數(shù)據(jù)（WD），美光、SK海力士等閃存企業(yè)在技術上的競爭將越向趨于激烈。通過上述對三星和東芝/西部數(shù)據(jù)(WD）3D
2019-03-21 01:55:008407 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速
2020-09-11 10:03:293528 BiCS5采用了廣泛的新技術和創(chuàng)新的制造工藝，是西部數(shù)據(jù)迄今為止最高密度、最先進的3D NAND。
2020-02-10 19:46:291244 Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會上，除了鎧俠、SK海力士、長江存儲、三星等大廠所做的技術分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內存開發(fā)創(chuàng)新架構的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:002956 
3D NAND技術資料：器件結構及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
、再制造及延壽的增材制造技術等6大領域的31個正在實施的重點項目進行了分析。??3D打印應用范圍進一步擴展，由零部件擴大到整機??3D打印技術已成為提高航天器設計和制造能力的一項關鍵技術，其在航空航天
2019-07-18 04:10:28
的傳輸速率，更因簡化了糾錯算法，進而降低了功耗，一舉數(shù)得。進一步凸顯了成本效益。3D NAND FLASH是現(xiàn)在和未來，19nm 的2D NAND FLASH是過去和現(xiàn)在。目前，在車規(guī)的應用中，旺宏有
2020-11-19 09:09:58
X4代V850 MCU D70f3506的部份數(shù)據(jù)讀取，有人有這個的手冊或資料。有償提供。
2017-11-20 15:30:17
:16264558TEL:*** 該工程包含了電機的幾何模型、運動和機械參數(shù)設置、材料屬性、鐵心損耗、以及電源與驅動電路設置。在Maxwell中，通過電磁分析可以對RMxprt計算得到的參數(shù)進一步細化，并提高其精度。
2014-06-13 17:09:22
CW32F003x3/x4 是基于 eFlash 的單芯片微控制器，集成了主頻高達 48MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內核、高速嵌入式存儲器（多至 20K 字節(jié) FLASH 和多至
2023-09-14 08:05:00
CW32F003x3/x4是一款基于eFlash的單芯片微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+內核
具有高達48 MHz的主頻率、高速嵌入式存儲器（高達20 KB的FLASH和
至3K字節(jié)
2023-09-14 08:16:19
恩智浦半導體（NXP Semiconductors），近日推出業(yè)界領先的QUBIC4 BiCMOS硅技術，鞏固了其在射頻領域的領導地位，實現(xiàn)在高頻率上提供更優(yōu)的性能和更高集成度的同時，為客戶帶來成本
2019-07-12 08:03:23
，西部數(shù)據(jù)的存儲器類型還沒完全從2D NAND轉換成3D NAND，現(xiàn)在3D NAND只占總產量的65%，換言之西部數(shù)據(jù)生產的所有存儲器還有三分之一是2D NAND。?另外，在本月12號，西部數(shù)據(jù)宣布
2022-02-03 11:41:35
SSD產品。西部數(shù)據(jù)表示，成功研發(fā)出X4架構的BiCS3代表著西部數(shù)據(jù)的一個重大進展，也顯示我們在NAND Flash技術的持續(xù)領導地位，同時也使我們能夠為客戶提供更多選擇的存儲解決方案。由于NAND
2022-02-04 10:27:01
的3D身體運動跟蹤技術有助于客戶為體育健身器材和醫(yī)療保健儀器以及游戲企業(yè)提供創(chuàng)新的解決方案。MEMS運動傳感時代即將來臨，我們將進一步強化我們在市場的領導地位?！笨纱┐魇綗o線3D運動跟蹤技術將會在采用云
2012-12-13 10:38:42
密度，制造商開發(fā)了3D NAND或V-NAND(垂直NAND)技術，該技術將Z平面中的存儲單元堆疊在同一晶圓上。
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3D NAND, 即立體堆疊技術，如果把2D NAND看成平房，那么3D
2024-12-17 17:34:06
2.5V NAND，有效降低功耗，未來EDSFF將在散熱方面會有更杰出的表現(xiàn)，同時也希望對NAND進行進一步優(yōu)化。長江存儲：2019年量產64層3D NAND長江存儲作為NAND Flash產業(yè)新晉者
2018-09-20 17:57:05
半導體模型并將其投入生產實踐，尤其是3D器件結構，使摩爾定律又持續(xù)了數(shù)十年?！?015年曾有報道稱，F(xiàn)inFET未來預期可以進一步縮小至9nm。發(fā)展至今，我們也看到，F(xiàn)inFET技術仍然還被用于7nm中
2020-03-19 14:04:57
1024 X4位RAM（2114）的結構框圖
2009-12-04 15:29:047166 
卓然為全球2D和3D電視市場進一步提升突破性幀速率轉換器技術
第二代SupraFRC® 301處理器顯著提升視頻顯示質量美國卓然公司（納
2010-11-17 15:04:04765 美國A4Vision（簡稱A4）全球第一個推出了突破性的3D（三維）人臉生物識別技術和產品,在業(yè)界創(chuàng)造了領導地位。人的臉部并不是平坦的，因此3D人臉識別技術的算法比2D(二維)的算法有更高
2011-03-24 15:04:36
201 在設計和推廣固態(tài)存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司（Silicon Motion Technology Corporation， 納斯達克交易代碼： SIMO）今日宣布推出全球首款支持多家供應商主流3D NAND產品的交鑰匙式企業(yè)版SATA SSD控制器解決方案。
2016-01-07 15:31:361712 據(jù)報道，蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:111359 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個新的研究報告中指出，這項技術將會在今年成為閃存領域的卓越性技術。
2017-05-03 01:02:501621 Motorola即將推出新款智能手機，根據(jù)報導最新消息指出Moto將在6月底發(fā)布共三款新手機，分別為Moto Z2 Force、Moto G5S以及Moto X4，其中Moto X4被認為是一款中階智能手機，可為瞄準中階手機的消費者提供一個新選擇。
2017-06-12 15:53:061255 總的來說，速龍X4 950對比上一代的速龍的“升級”主要體現(xiàn)在：架構上的微調，換了新AM4接口兼容新X370/B350主板，支持DDR4內存和NVMe協(xié)議 SSD（M.2）。但CPU頻率下降，支持
2017-06-30 08:51:372988 的廠商競爭，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:266 2018年是3D NAND產能快速增長的一年，主要是因為Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產比重，而且相較于2D NAND技術，64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應用，使得高容量的NAND Flash相關產品價格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 近日傳聞美光科技和英特爾的合作關系即將終止，主要是因為3D NAND技術還不適合目前的市場，后續(xù)有傳說英特爾要和紫光一起開發(fā)3D NAND芯片，具體情況如何還需要進一步的考證。
2018-01-16 14:30:431661 關于四級單元閃存糾錯問題的潛在解決方法。 與此前的平面NAND相比， 3D NAND 技術的運用將使得錯誤檢查代碼更易于實現(xiàn)，這也進一步確定了容量提升的四級單元技術的可行性。 錯誤檢查代碼（ECC
2018-01-25 22:30:39596 
； （2）成本只有DRAM的一半； （3）使用壽命是NAND的1000倍； （4）密度是傳統(tǒng)存儲的10倍； 而得益于這些優(yōu)勢，3D Xpoint能被廣泛應用在游戲、媒體制作、基因組測序、金融服務交易和個體化治療等領域。以上只是3D Xpoint的一些應用示例。
2018-04-19 14:09:0052236 
三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計劃除了部分車用產品外，2018年將進一步提升3D NAND生產比重至90%以上，全面進入3D NAND時代。
2018-07-06 07:02:001447 NAND Flash(儲存型快閃存儲器)隨著2D轉3D制程良率改善，量產能力大為提升，盡管價格已經(jīng)松動，但包括存儲器、控制IC、封測等供應體系業(yè)者紛紛看好有助于量能提升。存儲器控制IC大廠群聯(lián)電子
2018-07-09 09:52:00800 3D NVM主要廠商產品路線圖近階段，3D非易失性存儲（NVM）領域動作頻頻，例如Western Digital（西部數(shù)據(jù)）收購了SanDisk，中國政府在存儲領域的大舉投資，以及Intel宣布Micron/Intel的合作將分道揚鑣，以進一步發(fā)展3D NAND。
2018-04-27 14:45:165236 
2018年5月22日—西部數(shù)據(jù)推出新款高性能NVMe SSD，Western Digital Black 3D NVMe SSD。這款固態(tài)硬盤采用西部數(shù)據(jù)自己研發(fā)的SSD控制器和NAND顆粒，可大大提升電腦應用程序的數(shù)據(jù)讀取速度，提升用戶的視頻、音頻及游戲體驗。
2018-05-24 18:12:002104 無論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說明了隨著3D NAND技術走向實用化，國際廠商正在加快推進技術進步。3D NAND相對2D NAND來說，是一次閃存技術上的變革。而且不同于基于微縮技術
2018-06-20 17:17:495087 在寶馬X6上市后，便不難猜測到寶馬會推出X4了，比X6更年輕的定位更易于吸引主流消費人群。借著國內SUV市場的雄起，X4以跨界+Coupe的造型，在相比X3沒有損失太多通過性和空間的情況下，在同級車中占據(jù)著很大的優(yōu)勢。賣相之外，更好的操控性絕不會讓你認為，這只是X3的換殼車。
2018-07-07 09:51:003600 近日，英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤，加強擴大3D NAND供應。
2018-08-01 17:44:541237 隨著原廠3D技術的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報道稱，東芝存儲器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴大出貨，代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161646 作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱：長江存儲）昨日公開發(fā)布其突破性技術——Xtacking?。該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達1Tb，備受市場高度關注
2018-08-22 16:25:462599 在價格和競爭壓力期間，3D NAND供應商正準備迎接新的戰(zhàn)斗，相互競爭下一代技術。
2018-08-27 16:27:189528 被三星超越，不過東芝在NAND及技術領域依然非常強大，很早就投入3D NAND研發(fā)了，2007年他們獨辟蹊徑推出了BiCS技術的3D NAND——之前我們也提到了，2D NAND閃存簡單堆棧是可以
2018-10-08 15:52:39780 西部數(shù)據(jù)公司推出了新款3D TLC NAND UFS汽車嵌入式閃存盤（EFD），豐富了其高質量、高耐用性的汽車儲存解決方案，
2018-10-18 16:52:411730 美國愛達荷州博伊西，2018 年 11 月 07 日——美光科技有限公司（納斯達克代碼：MU）今天宣布旗下 QLC（四級單元）NAND 技術提升市場領導地位的進一步舉措——其廣受歡迎的美光 5210
2018-11-12 17:48:301626 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 昨日，紫光集團旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司發(fā)布信息，宣布公司成功實現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產。他們表示，這次公告標志著內資封測產業(yè)在3D NAND先進封裝測試技術實現(xiàn)從無到有的重大突破，也為紫光集團完整存儲器產業(yè)鏈布局落下關鍵一步棋。
2019-02-04 16:41:005697 一說到2D或者3D，總是讓人想到視覺領域中的效果，然而在半導體領域，3D技術帶來的革命更嘆為觀止，早些年的FinFET和3D NAND只是個開始。
2019-01-25 14:29:555585 繼2015年Samsung推出32層堆層的3D V-NAND之后，2016年市場便很熱鬧，除了SK Hynix推出了36層的3D NAND V2、Micron/Intel也推出了32層的3D NAND，而Toshiba/ SanDisk甚至進一步推出了48層的產品。
2019-01-28 11:21:2712546 外媒報道稱，存儲大廠西部數(shù)據(jù)（WD）正在開發(fā)自家的低延遲閃存，與傳統(tǒng) 3D NAND 相比，其能夠帶來更高的性能和耐用性，旨在與英特爾傲騰產品展開競爭。在本周的 Storage Field Day
2019-03-14 16:08:573266 （高級駕駛輔助系統(tǒng)）、先進信息娛樂系統(tǒng)以及自動駕駛的計算機。新款256GB西部數(shù)據(jù)TM iNANDTM AT EM132 嵌入式閃存盤采用64層3D NAND TLC閃存技術，產品生命周期超越了2D NAND，以滿足不斷變化的應用需求和不斷增長的容量需求。
2019-05-14 13:45:114201 長江存儲在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后，進一步規(guī)劃在2019年8月開始生產新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局，對比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進入90層3D NAND芯片生產，長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進一步。
2019-05-17 14:13:281753 Xtacking是長江存儲在去年FMS（閃存技術峰會）首次公開的3D NAND架構，榮獲當年“Best of Show”獎項。其獨特之處在于，采用Xtacking，可在一片晶圓上獨立加工負責數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:373601 根據(jù)消息報道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 Gb顆粒形式生產，今年下半年可能會實現(xiàn)商業(yè)化量產。
2020-02-04 16:25:345210 本文檔的主要內容詳細介紹的是CorelDRAW X4的基本操作教程詳細說明包括了：， CorelDRAW X4的工作界面，文件的基本操作， 導入和導出文件， 頁面的基本設置， 調整CorelDRAW的顯示， 使用輔助設置
2020-03-13 08:00:000 據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發(fā)進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 2020年4月13日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:523480 長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:003612 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產階段。
2020-05-07 14:48:091627 西部數(shù)據(jù)公司 （NASDAQ： WDC）日前宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進的閃存技術來鞏固其業(yè)界領先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術構建而成，以有
2020-07-24 15:09:132151 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 NAND 應運而生，可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 依托于先進工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰
2020-11-20 16:07:133095 上，TechInsights 高級技術研究員 Joengdong Choe 發(fā)表了相關演講，詳細介紹了 3D NAND 和其他新興存儲器的未來。TechInsights 是一家對包括閃存在內的半導體產品分析公司
2020-11-20 17:15:444306 在2020年閃存峰會上，一家名為Neo Semiconductor的初創(chuàng)公司因其在閃存方面的創(chuàng)新而獲得了 最佳展示獎 。該公司表示它可以描述被稱為X-NAND的“ 3D NAND的未來架構”。Neo Semi聲稱其技術的應用“導致QLC NAND具有與SLC NAND相當?shù)淖x/寫性能”。
2020-11-23 10:37:491969 NAND應運而生，可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 ? ? ? ?依托于先進工藝的3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617 層3D NAND；長江存儲于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉眼來到2020年末，美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進入176層的存儲廠商。不得不說，存儲之戰(zhàn)沒有最烈，只有更烈。
2020-12-09 14:55:374583 雙方通過在架構擴展和CMOS布局方面的創(chuàng)新，聯(lián)合打造出新一代更高密度、更領先的3D閃存技術。2021年2月22日，北京?–?西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ: WDC）日前宣布，與合作伙伴鎧俠聯(lián)合研發(fā)
2021-02-22 18:28:362974 新一代3D NAND技術已迎來新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 全球存儲市場對NAND 閃存的需求不斷增長。這項技術已經(jīng)通過許多發(fā)展得到滿足，不僅體現(xiàn)在當今閃存控制器的功能上，尤其是通過 3D NAND 架構。隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) （IIoT）、智能工廠、自動駕駛汽車和其他數(shù)據(jù)密集型應用程序的不斷發(fā)展，這些苛刻應用程序的數(shù)據(jù)存儲要求變得更具挑戰(zhàn)性。
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2022-12-22 16:53:080 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 的3D閃存技術，展示了雙方持續(xù)攜手創(chuàng)新的成果。該技術采用先進的縮放和晶圓鍵合技術，能夠以更低的成本提供具備卓越容量、性能和可靠性的解決方案，以滿足各行業(yè)呈指數(shù)級增長的數(shù)據(jù)存儲需求。 西部數(shù)據(jù)公司技術與戰(zhàn)略高級副總裁Alper Ilkbahar表示：“全新的3D閃存
2023-04-03 17:56:411143 ，不僅成本上極具吸引力，同時還提供卓越的容量、性能和可靠性，因而成為滿足眾多市場中指數(shù)級數(shù)據(jù)增長需求的理想選擇。 “新的3D閃存展示了我們與鎧俠強大的合作關系以及我們在3D NAND領域的聯(lián)合創(chuàng)新領導地位?！?b class="flag-6" style="color: red">西部數(shù)據(jù)技術與戰(zhàn)略高級副總裁
2023-04-04 16:39:431318 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Z80Bus X4擴展板開源分享.zip》資料免費下載
2023-06-07 11:04:050 3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內，容納更高的存儲容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
據(jù)悉，東京電子新技術的目標是能夠長時間儲存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nand的存儲器容量可以通過將存儲器單元層垂直堆積來增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:491360 作為一個多年經(jīng)驗的機器視覺工程師，我將詳細介紹2D和3D視覺技術的不同特點、應用場景以及它們能夠解決的問題。在這個領域內，2D和3D視覺技術是實現(xiàn)自動化和智能制造的關鍵技術，它們在工業(yè)檢測、機器人導航、質量控制等眾多領域都有著廣泛的應用。
2023-12-21 09:19:062688 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
應用的嚴格要求。 最新的 FerriSSD ? BGA SSD 支持 PCIe Gen 4 x4,在 16 mm x 20 mm 的精簡 BGA 封裝芯片中采用高容量 3D NAND 技術。運用慧榮科技最新創(chuàng)新技術的高性能嵌入式 SSD,存儲容量
2024-03-27 14:10:401104 目前，鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同研發(fā)NAND閃存技術，他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存，這項產品能達到的傳輸速度高達3200MT/s。
2024-04-07 15:21:571351 在當今這個數(shù)據(jù)爆炸的時代，存儲技術的每一次革新都牽動著整個科技行業(yè)的神經(jīng)。近日，西部數(shù)據(jù)在投資者活動上揭開了一項令人矚目的技術突破——業(yè)界最高密度的2TB QLC NAND閃存芯片，這款名為BiCS8的芯片不僅代表了數(shù)據(jù)存儲領域的新高度，更是為未來的數(shù)據(jù)中心和AI應用描繪了一幅宏偉的藍圖。
2024-06-15 11:42:462094
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