據(jù)日經(jīng) xTECH報道，東京時間4月7日，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示，公司計劃于2030至2031年間推出1000層的3D NAND閃存芯片，與此同時，他們也對存儲級內(nèi)存（SCM）部門進行了重大調(diào)整。

目前，鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同研發(fā)NAND閃存技術，他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存，這項產(chǎn)品能達到的傳輸速度高達3200MT/s。

韓國三星作為另一大NAND廠商，早在去年就已經(jīng)在技術日上透露，預計在2030年推出超過1000層的3D NAND閃存。

然而，想要實現(xiàn)更高的堆疊層次并非易事，尤其是在進行垂直通道刻蝕時會遇到挑戰(zhàn)。隨著工藝要求一步步提高，蝕刻深寬比的難度也在增加，但這不僅需要極高的技術水平，更需要付出巨大的成本。

為了解決這些問題，鎧俠在BICS8中采用了獨特的雙堆棧工藝，這樣可以分別完成兩座NAND堆棧的垂直通道刻蝕，從而減輕了單項目前滿足1小時蝕刻需求所需的工作強度和成本壓力。雖然如此，未來千層堆疊的NAND閃存有可能包含多個NAND堆棧。

另外，宮島英史認為，盡管鎧俠在同時經(jīng)營NAND和DRAM方面具有多元化的優(yōu)勢，但相較于其他競爭對手他們?nèi)暂^為依賴NAND技術，因此他們擬發(fā)展包括SCM在內(nèi)的多種新型存儲產(chǎn)品以提升競爭力。他解釋說，在AI盛行的當下，DRAM和NAND之間的性能差異已經(jīng)越來越明顯，而SCM正好可以填補這個空缺。

今年4月1日，鎧俠將原有的“存儲器技術研究實驗室”重組成了專注于新型存儲研究的“先進技術研究實驗室”。新實驗室將重點研究MRAM、FeRAM、ReRAM等各種新型內(nèi)存方案。據(jù)了解，鎧俠已在XL-FLASH閃存方案上投入大量精力，最近更是推出了第二代XL-FLASH閃存，支持MLC模式。