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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>西部數(shù)據(jù)推出新款3D NAND UFS嵌入式閃存盤 支持先進(jìn)汽車系統(tǒng)

西部數(shù)據(jù)推出新款3D NAND UFS嵌入式閃存盤 支持先進(jìn)汽車系統(tǒng)

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S29AL016J70TFN010閃存芯片S29AL016J70TFI020

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2018-10-04 07:24:02544

半導(dǎo)體行業(yè)3D NAND Flash

Q4推出的則是第三代3D NAND閃存,只不過前面三代產(chǎn)品主要面向eMCC 5.0/5.1、UFS 2.0等移動(dòng)市場,今年推出的第四代3D NAND閃存則會(huì)針對(duì)UFS 2.1、SATA及PCI-E產(chǎn)品
2018-10-08 15:52:39780

東芝開始交付業(yè)界首款嵌入式NAND閃存模塊的樣品

(GB)嵌入式NAND閃存模塊已經(jīng)開始交付樣品。該模塊完全符合JEDEC UFS 1.1版本標(biāo)準(zhǔn),專為包括智能手機(jī)和平板電腦在內(nèi)的各種數(shù)碼消費(fèi)品打造。 樣品主要用于由操作系統(tǒng)廠商對(duì)UFS I/F及其主芯片組中的協(xié)議進(jìn)行評(píng)估。 由于主芯片組數(shù)據(jù)處理速度的提高以及無線連接帶寬的擴(kuò)大,市場上對(duì)可支持高分辨
2018-11-09 17:36:01579

聯(lián)蕓科技對(duì)外發(fā)布支持96層鎂光B27A的 3D TLC NAND閃存顆粒

11月15日, 國產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技(MAXIO)再下一城,正式對(duì)外宣布MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒,并對(duì)外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:318411

西部數(shù)據(jù)發(fā)布智能終端的數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 視頻監(jiān)控領(lǐng)域的端到端智能方案形成

近日,西部數(shù)據(jù)公司發(fā)布了全新的三個(gè)監(jiān)控存儲(chǔ)解決方案,包括應(yīng)用于監(jiān)控的工業(yè)級(jí)3D NAND UFS嵌入式閃存盤(EFD)、拓展至256GB大容量的WD Purple microSD監(jiān)控專用存儲(chǔ)卡,以及智能分析軟件Western Digital Device Analytics(WDDA)。
2018-11-22 14:55:401487

CES 2019金士頓展示固態(tài)硬盤和加密USB閃存盤等多款新產(chǎn)品

金士頓是全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)產(chǎn)品和解決方案供應(yīng)商,不斷為個(gè)人消費(fèi)者和企業(yè)客戶提供卓越的產(chǎn)品及技術(shù)解決方案。在CES 2019上金士頓展示了即將推出的多款新產(chǎn)品,包括固態(tài)硬盤、加密USB閃存盤以及嵌入式解決方案等。
2019-01-12 09:01:001331

西部數(shù)據(jù)正開發(fā)低延遲閃存 旨在與英特爾傲騰產(chǎn)品展開競爭

外媒報(bào)道稱,存儲(chǔ)大廠西部數(shù)據(jù)(WD)正在開發(fā)自家的低延遲閃存,與傳統(tǒng) 3D NAND 相比,其能夠帶來更高的性能和耐用性,旨在與英特爾傲騰產(chǎn)品展開競爭。在本周的 Storage Field Day
2019-03-14 16:08:573266

西部數(shù)據(jù)iNAND AT EM132嵌入式閃存盤專為自動(dòng)駕駛高級(jí)應(yīng)用設(shè)計(jì)

西部數(shù)據(jù)iNAND AT EM132嵌入式閃存盤是專為汽車制造商(OEM)和一級(jí)系統(tǒng)供應(yīng)商設(shè)計(jì)的汽車級(jí)解決方案,旨在擴(kuò)展存儲(chǔ)以實(shí)現(xiàn)先進(jìn)功能。
2019-05-10 08:52:391622

西部數(shù)據(jù)ITB藍(lán)盤實(shí)測 多項(xiàng)優(yōu)越性能將帶來整機(jī)性能的大幅提升

存儲(chǔ)解決方案提供商西部數(shù)據(jù)日前宣布推出了64層3D NAND打造的固態(tài)硬盤。該技術(shù)使西部數(shù)據(jù)能夠提供更低功耗,更高性能,耐用度更高且容量更大的新型固態(tài)硬盤。
2019-05-13 11:18:195315

西部數(shù)據(jù)推出新款嵌入式閃存盤 采用64層3D NAND TLC閃存技術(shù)

(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng))、先進(jìn)信息娛樂系統(tǒng)以及自動(dòng)駕駛的計(jì)算機(jī)。新款256GB西部數(shù)據(jù)TM iNANDTM AT EM132 嵌入式閃存盤采用64層3D NAND TLC閃存技術(shù),產(chǎn)品生命周期超越了2D NAND,以滿足不斷變化的應(yīng)用需求和不斷增長的容量需求。
2019-05-14 13:45:114201

閃迪至尊超極速USB3.1固態(tài)閃存盤評(píng)測 值不值得買

西部數(shù)據(jù)公司品牌閃迪科技每年都會(huì)在CES上給用戶帶來驚喜,2017年的CES展會(huì)上依舊沒有讓用戶們失望,閃迪推出固態(tài)閃存盤概念,并推出全新的閃迪至尊超極速USB3.1固態(tài)閃存盤CZ880。
2019-05-15 15:15:078174

基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

現(xiàn)在,長江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069

iNAND和R-Car提供高性能和寬工作溫度范圍的存儲(chǔ)解決方案

西部數(shù)據(jù)iNAND汽車級(jí)e.MMC 5.1嵌入式閃存盤可與瑞薩電子R-Car汽車SoC配合使用提供高性能和寬工作溫度范圍的存儲(chǔ)解決方案。
2019-07-10 16:48:091247

東芝推出第二代工藝技術(shù) 采用新型嵌入式NAND閃存模塊

東京日前宣布推出新嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC),該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:581073

閃迪iXpand閃存盤體驗(yàn) 好不好用

蘋果手機(jī)不支持擴(kuò)展卡,一直都困擾了不少用戶,尤其是隨著系統(tǒng)版本的不斷更新,存儲(chǔ)空間更加顯得不夠用。但隨著蘋果的進(jìn)一步開放以及周邊配件的完善,有很多廠商都推出了擴(kuò)容周邊配件,這其中閃迪iXpand欣享
2019-07-10 14:30:5511737

西部數(shù)據(jù)公司推出汽車級(jí)嵌入式閃存盤存儲(chǔ)方案

西部數(shù)據(jù)公司致力于滿足汽車行業(yè)日益增長的存儲(chǔ)需求,為汽車制造商和系統(tǒng)供應(yīng)商提供先進(jìn)技術(shù)和更高容量,以支持更廣泛的汽車應(yīng)用產(chǎn)品,包括電子駕駛艙(e-cockpit)、人工智能(AI)數(shù)據(jù)庫、ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng))、先進(jìn)信息娛樂系統(tǒng)以及自動(dòng)駕駛的計(jì)算機(jī)。
2019-07-29 17:03:111025

西部數(shù)據(jù)發(fā)布最新款嵌入式閃存盤

存儲(chǔ)廠商西部數(shù)據(jù)在上海召開新品發(fā)布會(huì),推出新款256GB西部數(shù)據(jù)iNAND AT EM132嵌入式閃存盤,將為汽車嵌入式存儲(chǔ)提供新方案,擴(kuò)展汽車存儲(chǔ)來實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)功能。
2019-08-09 16:45:49985

美光推出新UFS 2.1托管型NAND產(chǎn)品,提供超快速啟動(dòng)和汽車級(jí)可靠性

UFS2.1 兼容的托管型 NAND 存儲(chǔ)解決方案采用高性價(jià)比的 64 層 3D TLC NAND 架構(gòu),可提供超快速啟動(dòng)和汽車級(jí)可靠性。
2019-08-19 01:10:003580

AMD將推出新款銳龍嵌入式處理器

在臺(tái)灣嵌入式論壇上,AMD(納斯達(dá)克:AMD))宣布進(jìn)一步壯大其銳龍嵌入式產(chǎn)品家族,推出新款AMD銳龍嵌入式R1000 片上系統(tǒng)(SoC)。
2019-08-30 11:42:26760

西部數(shù)據(jù)發(fā)布新款企業(yè)級(jí)SSD 最大容量15.36TB

西部數(shù)據(jù)今天發(fā)布了新款企業(yè)級(jí)SSD UltraStar DCSS540,雖然使用的是TLC NAND閃存,但是壽命和可靠性都是頂級(jí)的存在,被外媒贊為“坦克級(jí)”。
2019-11-06 09:00:514590

創(chuàng)見推出JetFlash 910系列USB閃存盤 理論最高讀取速420MB/s

閃存類產(chǎn)品的可靠性是不少用戶關(guān)注的指標(biāo),日前,創(chuàng)見(Transcend)推出一款主打性能和可靠性的USB閃存盤,名為JetFlash 910系列。
2019-12-30 14:49:292732

西部數(shù)據(jù)公司正式發(fā)布了全新的閃迪8TB移動(dòng)固態(tài)硬盤樣機(jī)

西部數(shù)據(jù)還將發(fā)布1TB版本的閃迪至尊TM高速Luxe USB Type-CTM 閃存盤,同時(shí)適用于智能手機(jī)和筆記本電腦。 ” 在2020年消費(fèi)電子展 (CES 2020) 上,西部數(shù)據(jù)公司 (NASDAQ: WDC) 將展示其創(chuàng)新產(chǎn)品。
2020-01-13 10:28:024335

西部數(shù)據(jù)和Kioxia研發(fā)第五代BiCS 3D NAND成功,今年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)消息報(bào)道,西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布,他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功,第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn),今年下半年可能會(huì)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:345210

iNAND MC EU521嵌入式通用閃存 增強(qiáng)了5G智能手機(jī)用戶體驗(yàn)

西部數(shù)據(jù)借助其嵌入式通用閃存UFS)設(shè)備iNAND MC EU521,為移動(dòng)開發(fā)人員提供了增強(qiáng)5G智能手機(jī)用戶體驗(yàn)的能力。
2020-03-03 16:06:381458

西部數(shù)據(jù)新款數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案助力企業(yè)實(shí)現(xiàn)到NVMe的過渡

西部數(shù)據(jù)公司擁有完整的企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案,6月29日,西部數(shù)據(jù)最新推出了基于Ultrastar NVMe SSD設(shè)計(jì)的新款數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案,并由NVMe-oF提供強(qiáng)化支持,為下一代數(shù)據(jù)基礎(chǔ)架構(gòu)奠定根基。
2020-07-07 16:33:503487

西部數(shù)據(jù)推出WD Red SA500系列SSD固態(tài)硬盤,3D TLC NAND閃存

西部數(shù)據(jù)(WD)在宣布RED SA500系列硬盤產(chǎn)品線更新中,就包括專為網(wǎng)絡(luò)附加存儲(chǔ)(NAS)數(shù)據(jù)緩存而生的專用固態(tài)硬盤。
2020-07-23 11:50:132557

解析西部數(shù)據(jù)開發(fā)的第五代3D NAND技術(shù)

西部數(shù)據(jù)公司 (NASDAQ: WDC)日前宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5,繼續(xù)為行業(yè)提供先進(jìn)閃存技術(shù)來鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術(shù)構(gòu)建而成,以有
2020-07-24 15:09:132151

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

,已成為閃存市場的主要供應(yīng)廠商之一,并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片,是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存。慧榮科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:162690

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696

未來的3D NAND將如何發(fā)展?

NAND 應(yīng)運(yùn)而生,可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量,在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來的 3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存
2020-11-20 16:07:133095

不要過于關(guān)注3D NAND閃存層數(shù)

NAND應(yīng)運(yùn)而生,可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量,在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 ? ? ? ?依托于先進(jìn)工藝的3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率? 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617

西部數(shù)據(jù)攜手鎧俠推出第六代3D閃存技術(shù)

雙方通過在架構(gòu)擴(kuò)展和CMOS布局方面的創(chuàng)新,聯(lián)合打造出新一代更高密度、更領(lǐng)先的3D閃存技術(shù)。2021年2月22日,北京?–?西部數(shù)據(jù)公司(NASDAQ: WDC)日前宣布,與合作伙伴鎧俠聯(lián)合研發(fā)
2021-02-22 18:28:362974

鎧俠和西部數(shù)據(jù)推出第六代162層3D閃存技術(shù)

新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局,繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后,鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù),三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND,再加上英特爾大力推廣144層3D NAND,硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770

西部數(shù)據(jù)旗下閃迪品牌推出了閃迪歡欣i享(臻享版)手機(jī)閃存盤

閃迪歡欣i享(臻享版)手機(jī)閃存盤享受2年有限保修,現(xiàn)可通過西部數(shù)據(jù)授權(quán)的網(wǎng)絡(luò)零售商、經(jīng)銷商、代理商渠道購買。
2021-03-22 10:45:302742

西部數(shù)據(jù)重塑磁盤架構(gòu) 引領(lǐng)技術(shù)拓展

: WDC)在日前舉辦的HDD Reimagine大會(huì)上宣布,推出突破傳統(tǒng)存儲(chǔ)界限的全新閃存增強(qiáng)型磁盤架構(gòu)設(shè)計(jì)。這一基于OptiNAND?技術(shù)的全新磁盤架構(gòu)設(shè)計(jì),整合了西部數(shù)據(jù)在HDD和閃存領(lǐng)域的獨(dú)特創(chuàng)新能力,對(duì)HDD進(jìn)行了優(yōu)化,并將HDD與iNAND嵌入式閃存器件進(jìn)行了集成。全
2021-09-09 16:58:072045

朗科的兩款閃存盤:U327步步錦閃存盤和US2超疾速閃存盤

閃存盤是我們?nèi)粘I钪凶畛R姷囊苿?dòng)存儲(chǔ)設(shè)備,因其攜帶方便、傳輸便捷,我們習(xí)慣用閃存盤來儲(chǔ)存文件、照片、視頻等數(shù)據(jù)。選擇一款高品質(zhì)的閃存盤很重要,今天給大家推薦兩款朗科的閃存盤產(chǎn)品,中國風(fēng)U327步步
2022-04-28 17:39:212562

西部數(shù)據(jù)將獨(dú)立其閃存業(yè)務(wù),未來股價(jià)或許會(huì)超過100美元

NAND閃存業(yè)務(wù),這么久以來并沒有發(fā)揮出很好的效果,若將這兩個(gè)業(yè)務(wù)拆分開來,西部數(shù)據(jù)將能夠更好的獲取利潤,在2030年底,西部數(shù)據(jù)的股價(jià)有希望超過100美元/股。 西部數(shù)據(jù)方面也表示,其幾年前收購的SanDisk并沒有帶來很好的收益,反而在各方面都難以得到發(fā)揮
2022-05-05 14:59:042096

嵌入式NAND閃存S34ML16G2數(shù)據(jù)手冊(cè)

嵌入式NAND閃存S34ML16G2數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載。
2022-07-23 11:18:420

金士頓DataTraveler Max閃存盤評(píng)測

目前金士頓DataTraveler Max閃存盤由256GB、512GB、1TB三種容量組成,還有方便與手機(jī)連接的Type-C版本(長度要短一些,只有82.17mm)可供用戶選擇,并提供了5年有限保固的質(zhì)保政策。
2022-12-21 14:19:582739

西部數(shù)據(jù)首次宣布減產(chǎn) NAND閃存晶圓產(chǎn)量將減少30%

據(jù)TrendForce集邦咨詢2022年11月23日研究顯示,西部數(shù)據(jù)在全球NAND閃存市場占有12.6%的份額,僅次于三星電子、鎧俠和SK Group,位居全球第四。
2023-02-09 10:11:22669

什么是3D NAND閃存

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227

鎧俠和西部數(shù)據(jù)宣布推出新3D閃存

公司的持續(xù)性創(chuàng)新。通過應(yīng)用先進(jìn)的擴(kuò)展和晶圓鍵合技術(shù),3D閃存以極具吸引力的成本提供了出色的容量、性能和可靠性,非常適合滿足廣泛的細(xì)分市場中數(shù)據(jù)呈指數(shù)增長所帶來的需求。? 西部數(shù)據(jù)技術(shù)與戰(zhàn)略高級(jí)副總裁
2023-04-03 09:52:371028

西部數(shù)據(jù)攜手鎧俠推出第八代3D閃存技術(shù)

3D閃存技術(shù),展示了雙方持續(xù)攜手創(chuàng)新的成果。該技術(shù)采用先進(jìn)的縮放和晶圓鍵合技術(shù),能夠以更低的成本提供具備卓越容量、性能和可靠性的解決方案,以滿足各行業(yè)呈指數(shù)級(jí)增長的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。 西部數(shù)據(jù)公司技術(shù)與戰(zhàn)略高級(jí)副總裁Alper Ilkbahar表示:“全新的3D閃存
2023-04-03 17:56:411143

鎧俠與西數(shù)218層3D NANDFlash出貨 年內(nèi)量產(chǎn)

來源:KIOXIA鎧俠中國 為展示先進(jìn)閃存技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新,鎧俠株式會(huì)社與西部數(shù)據(jù)公司今日(3月31日)發(fā)布了他們最新的3D閃存技術(shù)的細(xì)節(jié),該技術(shù)目前正在備產(chǎn)中。該3D閃存采用先進(jìn)的微縮和晶圓鍵合技術(shù)
2023-04-04 16:39:431318

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25%

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案,采用了232層3D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:211823

Kioxia推出業(yè)界首款面向汽車應(yīng)用的UFS 4.0版嵌入式閃存器件

全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案提供商Kioxia Corporation今天宣布推出[1]業(yè)界首款[2]面向汽車應(yīng)用的通用閃存[3](UFS) 4.0版嵌入式閃存器件樣品。這些性能更高的新型器件封裝小巧
2024-01-31 18:19:001451

鎧俠計(jì)劃2030-2031年推出千層級(jí)3D NAND閃存,并開發(fā)存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(SCM)

目前,鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同研發(fā)NAND閃存技術(shù),他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存,這項(xiàng)產(chǎn)品能達(dá)到的傳輸速度高達(dá)3200MT/s。
2024-04-07 15:21:571351

西部數(shù)據(jù)調(diào)整NAND閃存和硬盤價(jià)格,因需求旺盛供應(yīng)不足

已證實(shí),西部數(shù)據(jù)已向客戶發(fā)函,宣布將對(duì)NAND閃存及硬盤產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行調(diào)整。西部數(shù)據(jù)就產(chǎn)品供應(yīng)困難發(fā)表聲明,稱市場需求遠(yuǎn)超預(yù)期,導(dǎo)致供應(yīng)緊張,加劇了電子行業(yè)供應(yīng)鏈問題。
2024-04-09 16:33:111359

西部數(shù)據(jù)推出2TB QLC NAND閃存芯片,重塑數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新紀(jì)元

在當(dāng)今這個(gè)數(shù)據(jù)爆炸的時(shí)代,存儲(chǔ)技術(shù)的每一次革新都牽動(dòng)著整個(gè)科技行業(yè)的神經(jīng)。近日,西部數(shù)據(jù)在投資者活動(dòng)上揭開了一項(xiàng)令人矚目的技術(shù)突破——業(yè)界最高密度的2TB QLC NAND閃存芯片,這款名為BiCS8的芯片不僅代表了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的新高度,更是為未來的數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用描繪了一幅宏偉的藍(lán)圖。
2024-06-15 11:42:462094

MWC 2024速遞丨押寶AI,產(chǎn)業(yè)巨頭激戰(zhàn)未來

iNAND AT EU552 UFS 3.1嵌入式閃存盤尤為引人注目,成為業(yè)界首批通過ASPICE CL3認(rèn)證的存儲(chǔ)解決方案。這款產(chǎn)品采用先進(jìn)的112層3D NAND閃存技術(shù),具備出色的性能表現(xiàn)
2024-06-28 23:41:12692

西部數(shù)據(jù)推出全新閃迪手機(jī)閃存盤產(chǎn)品組合

西部數(shù)據(jù)公司旗下閃迪品牌手機(jī)閃存盤產(chǎn)品組合,于近日正式推出了適用于Lightning和USB Type-C?設(shè)備以及適用于USB Type-A和USB Type-C?設(shè)備的兩款閃迪?手機(jī)閃存盤產(chǎn)品
2024-10-14 12:59:191279

Kioxia推出UFS 4.1版本嵌入式閃存設(shè)備樣品

全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者Kioxia Corporation今日宣布,已開始提供全新的通用閃存存儲(chǔ)(2)?(UFS) 4.1版本嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備樣品,進(jìn)一步鞏固其在高性能存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。這些新設(shè)
2025-07-10 14:35:24697

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