9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個區(qū)域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:231561 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊總算等到了大好機(jī)會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 SK海力士發(fā)布了全球首款基于128層NAND閃存的消費(fèi)級SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB兩種存儲容量，產(chǎn)品已上架亞馬遜。
2020-08-19 13:59:423984 11月10日消息，美光宣布已開始批量生產(chǎn)全球首個176層3DNANDFlash。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3DNAND閃存。 美光、Intel合作時，走
2020-11-10 17:16:523977 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176層NAND產(chǎn)品采用美光第五代3D NAND技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。
2020-11-13 09:40:163599 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
AD620芯片具有哪些特點(diǎn)引腳功能及應(yīng)用？
2021-11-04 07:47:37
的優(yōu)點(diǎn)在于容量可以做得很大，超過 512MB 容量的 NAND 產(chǎn)品相當(dāng)普遍， NAND 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
特點(diǎn)
性能
flash閃存是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進(jìn)行擦寫
2025-07-03 14:33:09
卡有著本質(zhì)上的區(qū)別。
SD NAND 與 TF卡的區(qū)別：（看圖表）
SD和TF區(qū)別
LGA-8封裝
什么是LGA-8封裝？
LGA-8封裝是一種將芯片引腳通過電路板的層間連接
2024-01-05 17:54:39
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，可用于各種廣泛的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品【轉(zhuǎn)】東芝公司宣布推出全球最小級別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合
2018-09-13 14:36:33
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)離ML403板支持的CFI兼容性，您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項(xiàng)目僅限于Virtex 4平臺，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
CMOS集成電路的性能及特點(diǎn).
2010-06-05 10:14:35
98
CMOS集成電路的性能及特點(diǎn)
2006-06-30 19:29:562460 Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081491 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511566 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358955 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:231244 
據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報道，由于移動設(shè)備的需求持續(xù)增加，東芝(微博)最早計劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。
2012-04-04 18:32:05843 東芝(微博)公司計劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06968 文檔詳細(xì)介紹了CMOS集成電路的性能及特點(diǎn)。！資料來源網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)，敬請見諒
2015-12-28 11:12:441 蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%
2017-04-11 08:30:054377 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 的存儲，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-12 01:07:111359 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 本文設(shè)計了一種針對NAND型的閃存轉(zhuǎn)譯層，使NFTL完成地址映射和壞塊管理以及連續(xù)讀寫數(shù)據(jù)的操作。對NAND Flash的分區(qū)設(shè)計，使塊管理結(jié)構(gòu)清晰，有利于固件的開發(fā)。本文沒有對Flash的ECC
2017-12-01 17:35:012794 
NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲芯片，國內(nèi)的存儲芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團(tuán)旗下的長江存儲正在
2018-05-16 10:06:004167 位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺11日正式進(jìn)場安裝，這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國主流存儲器領(lǐng)域空白。
2018-06-20 10:26:002457 DVEVM可以啟動或（默認(rèn)），與非門，或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)（UART）。NOR 閃存提供了一個字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問；然而，由于它的價格低，速度快，壽命長，許多客戶想設(shè)計NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 據(jù)外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 由于NAND閃存價格上漲，SSD普及的道路走的異常艱難，同容量下SSD和HDD的價格始終相差懸殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存，把SSD的價格和性能控制在一個很好的平衡點(diǎn)，具有極高的性價比和極強(qiáng)的市場競爭力，或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:365391 在位于武漢東湖高新區(qū)的長江存儲科技有限責(zé)任公司（國家存儲器基地），紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露，中國首批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-08-07 14:35:146351 昨日長江存儲正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421 在SK Hynix的72層(72L) TLC NAND閃存中，所謂的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)單元，是利用管線式(pipe)閘極鏈接每一個NAND
2018-08-29 11:10:0010510 
11月15日， 國產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技（MAXIO）再下一城，正式對外宣布MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒，并對外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:318411 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:242506 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:346335 
國產(chǎn)存儲芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 SK海力士宣布，已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功，并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過去了八個月。
2019-06-27 15:23:283820 SK海力士宣布，該公司已經(jīng)在全世界率先成功研發(fā)出128層4D Nand閃存芯片，將從今年下半年(7月~12月)開始投入量產(chǎn)。
2019-06-28 14:35:206119 在2016年的舊金山閃存峰會上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間）、包含獨(dú)特的電路設(shè)計與優(yōu)化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 據(jù)悉，長江存儲是紫光集團(tuán)收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:005147 紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤的144層QLC(四級單元)NAND,預(yù)計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 2020年4月13日，長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:523480 長江儲存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功，型號為X2-6070，并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲存產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:063603 長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:003612 長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功，這標(biāo)志著國產(chǎn)存儲廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:225527 長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功。同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060），用以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421991 SanDisk（閃迪）宣布，已于去年底開始投產(chǎn)19nm新工藝的NAND閃存芯片，并對此工藝所能帶來的更好性能、更低成本寄予厚望。
2020-07-24 15:19:142321 無論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?；趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0316738 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:528552 據(jù)國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038 存儲芯片大廠SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，TLC顆粒，容量達(dá)512Gb（64GB）。 ? 據(jù)，SK海力士透露，該閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術(shù)
2020-12-14 15:55:321786 據(jù)美媒Anandtech報道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產(chǎn)品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲單元設(shè)計轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:593477 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-10 16:22:392315 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機(jī)存儲
2020-11-12 16:02:553696 芯片巨頭美光11月10日正式宣布，將向客戶交付176層TLC NAND閃存。 這使得美光成為全球第一家量產(chǎn)176層TLC NAND閃存的芯片商。 176層NAND支持的接口速度為 1600MT
2020-11-13 14:25:132185 北京時間11月13日消息，內(nèi)存和存儲解決方案供應(yīng)商Micron Technology（美光科技）宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，一舉刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的重大
2020-11-13 17:42:262565 在3D閃存技術(shù)上，作為全球閃存最大廠商的三星一直是領(lǐng)先的，堆棧層數(shù)也是最多的，不過美光日前率先推出了176層堆棧的 3D閃存，進(jìn)度比三星要快。 根據(jù)美光的說法，176層閃存其實(shí)是基于兩個88層
2020-11-14 10:01:202368 在3D閃存技術(shù)上，作為全球閃存最大廠商的三星一直是領(lǐng)先的，堆棧層數(shù)也是最多的，不過美光日前率先推出了176層堆棧的 3D閃存，進(jìn)度比三星要快。
2020-11-14 10:05:002077 日前，存儲器廠商美光宣布，其第五代3D?NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D?NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機(jī)存儲的應(yīng)用效能。
2020-11-20 17:10:122392 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:092510 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:233708 12月7日，韓國半導(dǎo)體公司SK海力士表示，近期已成功研發(fā)出基于三層存儲單元（TLC）的176層512Gb（千兆位）NAND閃存。
2020-12-08 11:01:412103 層3D NAND；長江存儲于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來到2020年末，美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進(jìn)入176層的存儲廠商。不得不說，存儲之戰(zhàn)沒有最烈，只有更烈。
2020-12-09 14:55:374583 近日，Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品，不過對于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392737 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。 各大廠商的3D閃存技術(shù)并不一樣，所以堆棧
2021-02-19 18:03:412917 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。
2021-02-20 10:40:582714 日本芯片制造商Kioxia開發(fā)了大約170層的NAND閃存，加入了與美國同行Micron Technology和韓國的SK Hynix的競賽。
2021-02-20 11:10:003266 前言：集成電路(芯片)是用光刻為特征的制造工藝，一層一層制造而成。所以,芯片技術(shù)中就有了“層”的概念。那么，芯片技術(shù)中有多少關(guān)于“層”的概念？媒體報道說美光公司推出了176層的3D NAND閃存芯片
2021-06-18 16:04:5411251 光 176 層 QLC NAND 采用最先進(jìn)的 NAND 架構(gòu)，具備業(yè)界領(lǐng)先的存儲密度與優(yōu)化性能，廣泛適用于各類數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。專為跨客戶端及數(shù)據(jù)中心用例而設(shè)計，美光該突破性的全新NAND技術(shù)現(xiàn)已通過
2022-01-27 19:04:242707 美光科技公司宣布，它已開始批量出貨全球首款176層QLC NAND SSD。美光的 176 層 QLC NAND 采用最先進(jìn)的 NAND 架構(gòu)構(gòu)建，可為各種數(shù)據(jù)豐富的應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的存儲密度和優(yōu)化的性能。
2022-03-29 17:23:182372 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:153354 
長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286 SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238層NAND閃存新產(chǎn)品。
2022-08-04 15:53:4915867 此外，三星和SK 海力士在今年下半年開始也逐漸生產(chǎn)176 層閃存的產(chǎn)品。不過與美光科技相比，這兩家廠商的176層閃存技術(shù)主要還是會應(yīng)用在消費(fèi)級產(chǎn)品中。鎧俠在今年的主要制程還是以112層。在國內(nèi)方面，目前已有國內(nèi)廠商的主力制程進(jìn)入128層閃存技術(shù)的產(chǎn)品生產(chǎn)階段。
2022-10-17 10:38:321100 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個塊的P/E周期達(dá)到最大值時，這些塊將變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:112256 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:003694 sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎(chǔ)，開發(fā)了智能手機(jī)和pc用客戶端ssd （client ssd）解決方案產(chǎn)品，并于5月開始批量生產(chǎn)。該公司通過176層、238層的產(chǎn)品，在成本、性能、品質(zhì)等方面確保了世界最高的競爭力。
2023-06-08 10:31:532449 238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產(chǎn)效率比上一代的176層提升了34%，成本競爭力得到了大幅改善。
2023-06-11 14:32:541442 
SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:471993 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新，據(jù)韓媒最新報道，該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，并預(yù)計于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著SK海力士在NAND閃存領(lǐng)域再次邁出堅實(shí)步伐，引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)前沿。
2024-08-02 16:56:111743 NAND閃存，又稱之為“NAND Flash”，是一種基于Flash存儲技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND閃存的定義、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展等幾個方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
2024-08-10 15:57:1913061 NAND閃存和NOR閃存是兩種常見的閃存存儲器技術(shù)，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從技術(shù)原理、結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場景以及發(fā)展趨勢等方面對兩者進(jìn)行詳細(xì)比較。
2024-08-10 16:14:277987 NAND閃存的發(fā)展歷程是一段充滿創(chuàng)新與突破的歷程，它自誕生以來就不斷推動著存儲技術(shù)的進(jìn)步。以下是對NAND閃存發(fā)展歷程的詳細(xì)梳理，將全面且深入地介紹其關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)和重要進(jìn)展。
2024-08-10 16:32:583368 NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲中，具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。
2025-03-12 10:21:145331 
在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822
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