據(jù)韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》6月27日?qǐng)?bào)道，SK海力士宣布，該公司已經(jīng)在全世界率先成功研發(fā)出128層4D Nand閃存芯片，將從今年下半年(7月~12月)開(kāi)始投入量產(chǎn)。新產(chǎn)品比以往96層4D Nand芯片的生產(chǎn)效率提高了40%。

據(jù)SK hynix透露，該產(chǎn)品是業(yè)界最尖端的128層堆棧4D NAND，適用超均一垂直植入技術(shù)、高信賴多層薄膜構(gòu)成技術(shù)、超高速低電力線路設(shè)計(jì)等技術(shù)。同時(shí)，該產(chǎn)品也是用TLC存儲(chǔ)方式打造的NAND中，首次達(dá)到1TB容量的產(chǎn)品。

NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。

6月26日，SK海力士宣布成功開(kāi)發(fā)出“128層1Tb的TLC（Triple Level Cell）4D Nand閃存”，即將投入量產(chǎn)。距離該公司在去年10月開(kāi)發(fā)出96層4D Nand閃存芯片過(guò)了8個(gè)月時(shí)間。據(jù)悉，最近DRAM和Nand閃存等存儲(chǔ)芯片的價(jià)格不斷下降，SK海力士今年第一季度已經(jīng)出現(xiàn)虧損，現(xiàn)在似乎打算在Nand閃存領(lǐng)域?qū)ふ倚碌耐黄瓶凇?/p>

據(jù)報(bào)道，相比傳統(tǒng)的3D Nand閃存工程，4D Nand閃存解決了芯片設(shè)計(jì)過(guò)程中最為困擾的面積問(wèn)題，大大提高了生產(chǎn)效率。SK海力士表示，“新產(chǎn)品使用同樣的4D平臺(tái)，通過(guò)對(duì)工程進(jìn)行最佳優(yōu)化，在比96層產(chǎn)品增加了32層儲(chǔ)存單元的情況下，還將全部的工程程序減少了5%”。

SK海力士副總經(jīng)理吳鐘勛（音）表示，128層4D NAND將確保NAND項(xiàng)目的根本競(jìng)爭(zhēng)力。該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)業(yè)界最多層堆棧、最高容量，將及時(shí)提供各種解決方案。

SK海力士計(jì)劃從今年下半年開(kāi)始正式開(kāi)售128層4D閃存芯片，并接連推出各種產(chǎn)品解決方案。SK海力士還計(jì)劃積極對(duì)云數(shù)據(jù)中心使用的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(SSD)、需要大容量存儲(chǔ)芯片的5G移動(dòng)通信智能手機(jī)市場(chǎng)展開(kāi)攻略