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3月25日消息，據(jù)報(bào)道，由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問(wèn)題，英偉達(dá)所需的12層HBM3E內(nèi)存，將由三星獨(dú)家供貨，SK海力士出局！

據(jù)了解，HBM需要在基礎(chǔ)晶圓上通過(guò)硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達(dá)發(fā)送了樣品。此前有消息稱(chēng)，英偉達(dá)已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預(yù)付款，供應(yīng)下一代HBM3E。

SK海力士和三星都在推進(jìn)12層堆疊HBM3E的開(kāi)發(fā)，容量也將提升到36GB，其中需要解決一些器件特性和可靠性驗(yàn)證問(wèn)題。上個(gè)月三星宣布，已開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款12層堆疊HBM3E，提供了高達(dá)1280GB/s的帶寬，預(yù)計(jì)今年下半年開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)。

不過(guò)市場(chǎng)消息，SK海力士因部分工程問(wèn)題，未能推出12層HBM3E產(chǎn)品，但計(jì)劃從本月末開(kāi)始批量生產(chǎn)8層HBM3E產(chǎn)品。

今年2月27日，三星電子官宣成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款36GB 12H（12層堆疊）HBM3E DRAM內(nèi)存。同時(shí)相比于8層堆疊，其AI訓(xùn)練速度平均提高34%，同時(shí)推理服務(wù)用戶數(shù)量也可增加超過(guò)11.5倍。

據(jù)報(bào)道，三星在技術(shù)上采用了最新的熱壓力傳導(dǎo)性膜（TC NCF）技術(shù)，成功維持了12層產(chǎn)品的高度與其前身8層HBM芯片保持一致，滿足了現(xiàn)有的HBM封裝要求。

三星電子存儲(chǔ)產(chǎn)品規(guī)劃執(zhí)行副總裁Yongcheol Bae表示，這種技術(shù)在未來(lái)會(huì)帶來(lái)更大的突破，尤其是在高層次堆疊方面，因?yàn)槿蚨荚跒榇祟^疼的薄晶圓翹曲問(wèn)題提供解決之道。他強(qiáng)調(diào)，三星正在努力減少NCF材料的厚度，并且已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了當(dāng)今市場(chǎng)上最小的芯片間隙（7微米），如此一來(lái)就可以消除分層空隙，且新技術(shù)的進(jìn)步提高了垂直密度超過(guò)20％。

審核編輯 黃宇