2 月 13 日訊，SK 海力士宣布，已經(jīng)與 Xperi Corp 旗下子公司 Invensas 簽訂新的專利與技術(shù)授權(quán)協(xié)議，獲得了后者 DBI Ultra2.5D/3D 互連技術(shù)的授權(quán)。

據(jù)了解，DBI Ultra 是一種專利的裸片 -?晶圓(die-wafer)混合鍵合互連技術(shù)，使用化學(xué)鍵合來連接不同的互聯(lián)層，無需銅柱和底層填充，不會(huì)增加高度，從而大大降低整體堆疊高度，釋放空間，可將 8 層堆疊翻番到 16 層堆疊，獲得更大容量，每平方毫米的面積里可以容納 10 萬個(gè)到 100 萬個(gè)互連開孔，相比每平方毫米最多 625 個(gè)互連開孔的傳統(tǒng)銅柱互連技術(shù)，可大大提高傳輸帶寬。

DBIUltra 使用化學(xué)鍵合來連接不同的互聯(lián)層，也不需要銅柱和底層填充，因此不會(huì)增加高度，從而大大降低整體堆疊高度，釋放空間，可將 8 層堆疊翻番到 16 層堆疊，獲得更大容量。

雖然它要使用新的工藝流程，但是良品率更高，也不需要高溫，而高溫正是影響良品率的關(guān)鍵因素。

和其他下一代互連技術(shù)類似，DBI Ultra 也靈活支持 2.5D、3D 整合封裝，還能集成不同尺寸、不同工藝制程的 IP 模塊，因此不但可用來制造?DRAM、3DS、HBM 等內(nèi)存芯片，也可用于高集成度的 CPU、GPU、ASIC、FPGA、SoC。

比如 3D 堆棧內(nèi)存方案，可以是 4 層的 DRAM，可以是 4/8/12/16 層的 HBM2/HBM3 并在底部整合邏輯電路。

比如 3D 集成方案，可以上方是 4-16 層堆疊 HBM、下方是 CPU/GPU/FPGA/SoC 等邏輯單元。

比如 2.5D 集成方案，可以在基板上一邊是 4-16 層堆疊 HBM 并通過邏輯電路接入基板，另一邊則是 CPU/GPU/FPGA/SoC 等邏輯單元直接以 DBI Ultra 互連的方式接入基板。