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SK海力士首推DDR5內(nèi)存,容量可達(dá)256GB

荷葉塘 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:網(wǎng)絡(luò) ? 2020-10-08 00:54 ? 次閱讀
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SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM,頻率、容量、能效和功能技術(shù)都達(dá)到了全新的高度。DDR5是新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn),此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產(chǎn)品,尤其適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域。

SK海力士于2018年11月成功開發(fā)全球首款16Gb DDR5 DRAM之后,向英特爾等核心客戶提供樣品,并完成了一系列測試與性能、兼容性驗(yàn)證等程序。此番成果意味著SK海力士在即將到來的DDR5市場隨時(shí)能夠銷售相關(guān)產(chǎn)品。

期間,SK海力士與SoC(System On Chip)開發(fā)公司等不同企業(yè)共同運(yùn)營現(xiàn)場分析研究室,并通過共同執(zhí)行系統(tǒng)級別測試(System Level Test)及各種模擬測試完成了新產(chǎn)品的性能驗(yàn)證。與此同時(shí),SK海力士還與諸多公司緊密合作,進(jìn)行了包括RCD(Register Clock Driver)、PMIC(Power Management IC)等構(gòu)成模組的主要部件的兼容性驗(yàn)證。

據(jù)報(bào)道,SK海力士首發(fā)的DDR5內(nèi)存條為面向服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心的RDIMM形態(tài),基于1Ynm工藝制造的16Gb顆粒,單條容量64GB,而借助TSV硅穿孔技術(shù),最高可以達(dá)到256GB。

SK海力士推出的DDR5 DRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)4,800 ~ 5,600Mbps,其速率相較前一代DDR4最多提升了1.8倍。5,600Mbps的傳輸速率意味著能夠在1秒內(nèi)傳輸九部全高清(Full-HD, FHD)電影。不僅如此,該產(chǎn)品的動作電壓由前一代的1.2V降到了1.1V,成功減少了20%的功耗。

SK海力士DDR5 DRAM的另一個(gè)顯著特征是其芯片內(nèi)置型錯(cuò)誤糾正代碼(Error Correction Code, ECC);內(nèi)置ECC能夠依靠自身功能修復(fù)DRAM單元(cell)單字節(jié)單位的錯(cuò)誤。有助于該特性,采用SK海力士DDR5 DRAM的系統(tǒng)的可信賴度有望提升二十倍。

時(shí)序方面沒有公布,JEDEC規(guī)范中的DDR5-4800對應(yīng)三種時(shí)序規(guī)格,分別是34-34-34、40-40-40、42-42-42。

SK海力士期待這種低功耗、高信賴度且綠色環(huán)保的DDR5 DRAM將幫助數(shù)據(jù)中心降低其功耗及運(yùn)營成本。

有趣的是,Intel也同時(shí)為SK海力士的DDR5內(nèi)存背書,強(qiáng)調(diào)雙方有著密切合作。

根據(jù)路線圖,Intel下下代服務(wù)器平臺Sapphire Rapids將會第一個(gè)支持DDR5內(nèi)存,同時(shí)支持PCIe 5.0總線、CXL 1.1異構(gòu)互聯(lián)協(xié)議等等,并延續(xù)Intel的內(nèi)置人工智能加速策略,支持最新的“先進(jìn)的矩陣擴(kuò)展”(AMX)加速,2021年下半年開始發(fā)貨。

至于消費(fèi)平臺,明年年底或后年上半年的Alder Lake 12代酷睿有望首發(fā)支持DDR5,最高頻率4400MHz,最大系統(tǒng)容量128GB,同時(shí)繼續(xù)支持DDR4。

市調(diào)機(jī)構(gòu)Omdia的數(shù)據(jù)顯示,DDR5內(nèi)存的市場需求將在2021年開始出現(xiàn),2022年全球份額將突破10%,2024年即可達(dá)43%。

固態(tài)技術(shù)協(xié)會(Joint Electron Device Engineering Council,JEDEC)于2020年7月正式發(fā)布了DDR5 DRAM的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。根據(jù)規(guī)范,DDR5內(nèi)存的頻率(數(shù)據(jù)傳輸率)起步就是DDR4標(biāo)準(zhǔn)極限的3200MHz,而最高可以達(dá)到6400MHz,按照慣例實(shí)際產(chǎn)品還會大大超過這一水準(zhǔn),同時(shí)電壓從1.2V進(jìn)一步降低至1.1V,而單個(gè)Die的容量為8-32Gb(1-4GB)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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