目前，兩大韓系NAND Flash 廠商──三星及SK 海力士在之前就已經(jīng)公布了新NAND Flash 產(chǎn)品的發(fā)展規(guī)劃。其中，三星宣布推出136 層堆疊的第6 代V-NAND Flash 之外，SK 海力士則是宣布成功開發(fā)出128 層堆疊的4D NAND Flash，并已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段。不過，雖然兩家廠商競(jìng)相推出NAND Flash 的新產(chǎn)品，但是堆疊技術(shù)的發(fā)展至今仍未到達(dá)極限。所以，SK 海力士日前在一場(chǎng)會(huì)議上就公布了公司的規(guī)劃，預(yù)計(jì)在2030 年推出800+ 層的NAND Flash，屆時(shí)將可輕松打造出100 到200TB 容量的SSD。

在日前舉行的? Flash Memory Summit ? 大會(huì)上，SK 海力士公布旗下新產(chǎn)品的規(guī)劃以及公司的相關(guān)布局。根據(jù)內(nèi)容指出，目前SK 海力士正在開發(fā)128 層堆疊的4D NAND Flash，其量產(chǎn)時(shí)間將落在2019 年第4 季。另外， SK 海力士還展示了一款「PE8030」的全新SSD，采用PCIe 4.0×4 介面連接，提供了800GB、1600GB、3200GB、6400GB 容量，連續(xù)讀寫速度最高可達(dá)6200MB/s、3300MB/s ，而4KB 隨機(jī)讀寫最高可達(dá)950K IOPS、260K IOPS。

在研發(fā)發(fā)展方面，目前SK 海力士正在研發(fā)176 層NAND Flash，而其他產(chǎn)品的發(fā)展，包括72 層堆疊的4D NAND Flash 目前大規(guī)模量產(chǎn)中，96 層堆疊的4D NAND Flash 目前也在大規(guī)模量產(chǎn)中，而且未來產(chǎn)能即將超越72 層堆疊的4D NAND Flash。128 層堆疊的4D NAND Flash 將于2019 年第4 季量產(chǎn)，176 層堆疊產(chǎn)品2020 年問世、500 層堆疊產(chǎn)品則將于2025 年問世，其TB/wafer 容量比將可提升30%。而800+ 堆疊的4D NAND Flash 則是預(yù)計(jì)2030 年問世，TB/wafer 容量比提升到100 到200TB 的

據(jù)了解，目前SK 海力士生產(chǎn)的128 層堆疊NAND Flash 核心容量是1Tbit，176 層堆疊的核心容量則是來到1.38Tbit，預(yù)計(jì)500 層堆疊時(shí)核心容量可達(dá)3.9Tbit，到800 層堆疊時(shí)則會(huì)高達(dá)6.25Tbit，是現(xiàn)在的6 倍多。而若以當(dāng)前SSD 固態(tài)硬碟的容量計(jì)算，目前最大容量約在15 到16TB 左右。而依照6 倍核心容量的成長(zhǎng)幅度來計(jì)算，未來SSD 容量可達(dá)200TB 左右，這個(gè)容量要比當(dāng)前的HDD 還要更大。