SK海力士跨向1ynm內(nèi)存時代 提高DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能
SK海力士近日宣布，將在提高第一代10nm級工藝（1xnm） DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能的同時，今年下半年開始銷售基于第二代10nm級工藝（1ynm）的內(nèi)存芯片，并為下代內(nèi)存做好準備。SK海力士首款1ynm工藝產(chǎn)品將是8Gb DDR4-3200芯片，號稱相比1xnm工藝可將尺寸縮小20％，并將功耗降低15％。
此外，這顆新的芯片還具備四相時鐘機制，有利于提高信號強度、維持高頻穩(wěn)定性，并支持感應(yīng)放大控制技術(shù)（SAC），有利于減少晶體管尺寸縮小時可能出現(xiàn)的數(shù)據(jù)錯誤。
有消息稱，SK海力士還會用1ynm工藝制造DDR5、LPDDR5、GDDR6內(nèi)存芯片，所以盡早部署并量產(chǎn)非常關(guān)鍵。
其實，SK海力士是內(nèi)存三巨頭中最后一家大規(guī)模上1ynm工藝的，三星、美光去年就用上了。
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