SK 海力士最先進 72 層 3D NAND 內(nèi)存傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報導(dǎo)指出，海力士計劃于 2017 上半年完成芯片設(shè)計，位在利川（Icheon）的 M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 09:06:35
1594 討論購買存儲芯片的事宜。知情人士透露，SK海力士已經(jīng)完成了符合博世要求的規(guī)格的存儲芯片的開發(fā)。 ? 與消費類設(shè)備中使用的DRAM相比，汽車中使用的DRAM需要保證更高的可靠性和更寬的激活溫度范圍。SK海力士開發(fā)的新DRAM遵循2018年制定的第二版ISO
2021-04-06 10:25:017589 4月16日消息 據(jù)悉，SK海力士正在與德國汽車巨頭博世公司（Bosch）洽談為其提供汽車存儲芯片的事宜。 ? 據(jù)稱，SK海力士已完成了符合博世要求規(guī)格的內(nèi)存芯片的開發(fā)。與消費類設(shè)備中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:472906 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472155 
北京時間 12 月 18 日，Qualcomm 美國高通宣布推出下一代物聯(lián)網(wǎng)（IoT）專用調(diào)制解調(diào)器，面向資產(chǎn)追蹤器、健康監(jiān)測儀、安全系統(tǒng)、智慧城市傳感器、智能計量儀以及可穿戴追蹤器等物聯(lián)網(wǎng)
2021-07-23 08:16:37
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2021-04-27 16:10:09
據(jù)彭博社報道，有傳聞稱蘋果公司目前正致力于開發(fā)下一代無線充電技術(shù)，將可允許iPhone和iPad用戶遠距離充電。報道稱，有熟知內(nèi)情的消息人士透露：“蘋果公司正在與美國和亞洲伙伴展開合作以開發(fā)新的無線
2016-02-01 14:26:15
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大家好， 在Ultrascale FPGA中，使用單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)編寫。 “單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)”是什么意思？謝謝娜文G K.
2020-04-27 09:29:55
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2021-01-29 17:52:55
據(jù)外媒報道，韓國SK海力士周四宣布，將在韓國和中國投資3.16萬億韓元（約合27億美元）以提高存儲芯片產(chǎn)能，抓住行業(yè)內(nèi)需求增長的機遇。作為全球第二大存儲芯片制造商，SK海力士表示，將投資2.2萬億
2016-12-23 09:38:001056 SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動 DRAM，將應(yīng)用于未來智能手機上。 海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM，容量達 8GB。以 LPDDR4X 標準而言，SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高，功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12941
受益于DRMA和NAND市場需求，SK海力士在存儲領(lǐng)域的地位大幅提升。據(jù)報道，SK海力士將會考慮在中國涉足芯片代工業(yè)務(wù)，設(shè)立一家合資工廠，為沒有半導(dǎo)體制造工廠的公司制造芯片
2017-12-20 15:40:481711 近日，清華大學(xué)-SK海力士智能存儲計算芯片聯(lián)合研究中心揭牌儀式在工字廳舉行。SK海力士總裁鄭泰圣，北京市教委科研處副處長李善廷，清華大學(xué)副校長、未來芯片技術(shù)高精尖創(chuàng)新中心主任尤政出席揭牌儀式。清華大學(xué)科研院副院長、未來芯片技術(shù)高精尖創(chuàng)新中心副主任鄧寧主持儀式。
2018-11-02 17:07:193035 1月25日消息，本周四，韓國SK海力士（SK Hynix）表示，由于內(nèi)存芯片的需求旺盛，盡管韓元更加堅挺，2017年第四季度的營業(yè)利潤依然增長近兩倍，達到歷史最高水平，超過市場預(yù)期。
2018-06-25 09:58:001252 今年的閃存技術(shù)峰會，美光、SK海力士包括長江存儲都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案，SK海力士稱之為“4D NAND”，長江存儲稱之為Xtacking，美光則稱之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫
2018-08-12 09:19:287883 SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb（2GB）的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標準規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:495462 據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預(yù)期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:561098 內(nèi)存芯片價格低迷不振，SK海力士第一季營業(yè)利潤大減69%，并創(chuàng)下2016年第三季以來的單季獲利新低。
2019-04-29 15:26:453047 SK海力士近日宣布，將在提高第一代10nm級工藝(1xnm) DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能的同時，今年下半年開始銷售基于第二代10nm級工藝(1ynm)的內(nèi)存芯片，并為下代內(nèi)存做好準備。SK海力士首款
2019-05-14 10:40:003315 據(jù)外媒報道，由于DRAM內(nèi)存芯片價格不斷下跌，近期又有華為事件的影響，SK海力士正在計劃推遲位于中國無錫的全球最先進內(nèi)存芯片工廠的投產(chǎn)計劃。
2019-06-21 11:33:154426 據(jù)報道，由于中美貿(mào)易摩擦愈演愈烈，韓國內(nèi)存芯片大廠SK海力士有意放緩在中國工廠的投產(chǎn)計劃。
2019-06-24 17:21:583526 SK海力士已經(jīng)發(fā)現(xiàn)內(nèi)存和NAND芯片供過于求的跡象，但日韓貿(mào)易爭端正在威脅和影響到制造芯片所需的市場環(huán)境。
2019-07-27 09:32:153711 海力士則是宣布成功開發(fā)出128 層堆疊的4D NAND Flash，并已經(jīng)進入量產(chǎn)階段。不過，雖然兩家廠商競相推出NAND Flash 的新產(chǎn)品，但是堆疊技術(shù)的發(fā)展至今仍未到達極限。所以，SK
2019-08-15 09:05:123089 根據(jù)消息報道，SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條，速度達到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 15:17:134795 根據(jù)TPU的報道，SK 海力士展示了LPDDR5原型內(nèi)存解決方案，旨在為下一代5G智能手機和超便攜電腦提供更快的訪問速度。SK海力士表示，新款的LPDDR4X已經(jīng)將速度提高到4667MHz，LPDDR5將進一步提高，頻率從5500MHz起步。
2020-01-10 14:46:124525 據(jù)國外媒體報道，韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士今日發(fā)表聲明稱，部分媒體對公司存儲器規(guī)格和AMD下一代GPU報道不實。
2020-02-26 21:57:092868 據(jù)外媒最新消息稱，Intel可能出售內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)，而接盤者是SK海力士，價格是100億美元。
2020-10-20 09:23:001797 據(jù)路透社當(dāng)?shù)貢r間19日報道援引知情人士稱，英特爾正準備將NAND芯片業(yè)務(wù)，以近100億美元的價格，出售給SK海力士。若交易達成，將使得SK海力士超越日本Kioxia，成為NAND內(nèi)存市場的全球第二大廠商，并進一步縮小與行業(yè)領(lǐng)頭羊三星之間的差距。
2020-10-20 14:10:142309 以存儲業(yè)務(wù)起家的英特爾，現(xiàn)在要把內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)賣掉了。
買家和價格也已敲定：韓國SK海力士 （SK Hynix），90億美元。 這也是今年繼英偉達收購Arm、AMD收購賽靈思之后，芯片行業(yè)又一次的大整合。
2020-10-21 09:39:033105 
ASML公司的EUV光刻機全球獨一份，現(xiàn)在主要是用在7nm及以下的邏輯工藝上，臺積電、三星用它生產(chǎn)CPU、GPU等芯片。馬上內(nèi)存芯片也要跟進了，SK海力士宣布明年底量產(chǎn)EUV工藝內(nèi)存。
2020-10-30 10:54:212202 1月31日消息，據(jù)國外媒體報道，周五，芯片制造商SK海力士表示，由于服務(wù)器和移動行業(yè)的增長，預(yù)計今年內(nèi)存芯片需求強勁。
2021-02-01 09:13:331826 31億美元）建成了這座芯片工廠，工廠長336米，寬163米，高105米，相當(dāng)于一座37層公寓的高度，是SK海力士目前最大的芯片工廠。
2021-02-02 15:00:152767 。 據(jù)報道，SK海力士與ASML公司簽訂了一個超級大單，未來5年內(nèi)將斥資4.8萬億韓元，約合43.4億美元購買EUV光刻機。 SK海力士在一份監(jiān)管文件中稱，這筆交易是為了實現(xiàn)下一代工藝芯片量產(chǎn)的目標。 ASML及SK海力士都沒有透露這么多資金到底購買了多少臺EUV光刻機，不過從之
2021-02-25 09:30:232709 SK海力士今天宣布，已經(jīng)開始量產(chǎn)18GB LPDDR5移動版內(nèi)存，存儲密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:543203 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672 近日，SK海力士公司CEO近期表示SK海力士將計劃升級中國無錫工廠的大規(guī)模生產(chǎn)設(shè)施，應(yīng)對美中貿(mào)易緊張局勢以便更有效地生產(chǎn)內(nèi)存芯片，但是這一舉動則遭到了美國的強烈反對。
2021-11-24 16:41:322494 SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器（HBM， High Bandwidth Memory）產(chǎn)品HBM31，公司不僅又一次創(chuàng)造歷史，更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:252219 2022年12月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司'， www.skhynix.com )今日宣布成功開發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組(MCR DIMM, Multiplexer
2022-12-09 20:40:312118 被壓制，消費電子市場更是暴雷不斷，SK 海力士的大部分利潤來自于銷售內(nèi)存芯片。對于虧損SK海力士稱第四季度虧損主要原因是電腦和智能手機的需求低迷導(dǎo)致存儲芯片需求減少；疊加芯片價格大幅下滑導(dǎo)致。 內(nèi)存芯片行業(yè)面臨著嚴重供需失衡，而鑒
2023-02-01 16:52:123954 
2023年1月上市的sk海力士LPDDR5T的帶寬為9.6gbps，超過了lpddr5x的8.5gbps，在目前的移動平臺中速度最快。隨著2026年左右新一代lpddr6內(nèi)存正式上市，預(yù)計LPDDR5T將成為2023年到2025年最強大的移動平臺。
2023-08-11 09:47:521641 SK海力士提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。從DDR4世代跨越到DDR5世代，瀾起科技與SK海力士合作的產(chǎn)品涵蓋DDR4、DDR5內(nèi)存接口芯片及DDR5內(nèi)存模組配套芯片。 隨著人工智能、機器學(xué)習(xí)等異構(gòu)計算飛速發(fā)展，CXL作為一種全新的高速互連協(xié)議迅速崛起，吸引業(yè)界各大廠商爭
2023-12-04 09:02:372065 12月27日消息，根據(jù)韓媒報道，SK海力士近日研發(fā)出了可重復(fù)使用的 CMP拋光墊技術(shù)，不僅可以降低成本，而且可以增強 ESG（環(huán)境、社會、治理）管理。
2023-12-27 13:48:501383 
1月9日，康寧官微宣布與天馬微電子 (Tianma) 展開新的合作，利用康寧LivingHinge技術(shù)推出下一代車載顯示屏。
2024-01-10 09:37:071778 SK海力士近日宣布，將進一步擴大高帶寬內(nèi)存生產(chǎn)設(shè)施的投資，以滿足高性能AI產(chǎn)品市場的不斷增長需求。
2024-01-29 16:54:441387 韓國存儲芯片巨頭SK海力士計劃在美國印第安納州投資興建一座先進封裝工廠，專注于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片。這一舉措旨在與英偉達（NVIDIA）的AI GPU進行深度整合，共同推動美國本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:291946 據(jù)韓國媒體報道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商SK海力士正與芯片代工巨頭臺積電緊密合作，共同構(gòu)建一個強大的AI芯片聯(lián)盟。這一戰(zhàn)略舉措旨在匯聚雙方在下一代人工智能半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的卓越技術(shù)，以此鞏固兩家公司在全球AI芯片市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2024-02-18 11:26:261609 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業(yè)翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求，現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量，以期更好地滿足市場需求，保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:001306 長達半年的嚴格性能評估。據(jù)此，SK海力士計劃在今年3月開始量產(chǎn)這款高頻寬記憶體，以供應(yīng)給英偉達作為他們下一代Blackwell系列AI芯片旗艦產(chǎn)品B100的首選存儲器。
2024-02-25 11:22:211656 SK海力士正積極應(yīng)對AI開發(fā)中關(guān)鍵組件HBM（高帶寬存儲器）日益增長的需求，為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責(zé)封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出，公司正在韓國投入超過10億美元，以擴大和改進其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:441798 SK海力士，作為全球知名的半導(dǎo)體公司，近期在中國業(yè)務(wù)方面進行了重大的戰(zhàn)略調(diào)整。據(jù)相關(guān)報道，SK海力士正在全面重組其在中國的業(yè)務(wù)布局，計劃關(guān)閉運營了長達17年的上海銷售公司，并將其業(yè)務(wù)重心全面轉(zhuǎn)移到無錫。這一決策的背后，反映了SK海力士對于中國市場發(fā)展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:252163 在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱，英偉達已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預(yù)付款，供應(yīng)下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:081225 SK海力士聯(lián)合 TEMC 研發(fā)出一套氖氣回收裝置，用以收集及分類處理光刻工藝環(huán)境中的氖氣，然后交予 TEMC 進行純化處理，最后回流至 SK 海力士使用。
2024-04-02 14:25:591038 來源：Silicon Semiconductor 為下一代HBM建造先進封裝設(shè)施，同時與普渡大學(xué)合作研發(fā)。 SK海力士將在美國印第安納州西拉斐特投資約38.7億美元，為人工智能產(chǎn)品建設(shè)先進的封裝制造
2024-04-16 11:17:05658 SK海力士表示，憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲器發(fā)展的領(lǐng)先地位，以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ)，該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過整合IC設(shè)計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術(shù)資源，SK海力士將進一步提升存儲器產(chǎn)品性能，實現(xiàn)新的突破。
2024-04-19 09:28:041153 HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:191392 SK海力士計劃斥資約20萬億韓元（約146億美元）在韓國新建存儲芯片產(chǎn)能，以滿足快速增長的人工智能開發(fā)需求。
2024-04-29 11:19:071376 SK海力士，作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，正在積極考慮建設(shè)一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計劃的推遲，以及對今年內(nèi)存芯片需求大幅增長的預(yù)測。
2024-05-06 10:52:02982 SK海力士近日宣布，其高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能（AI）技術(shù)的蓬勃發(fā)展，極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927 今日，SK海力士公司宣布了一項革命性的技術(shù)突破，他們成功研發(fā)出了面向端側(cè)（On-Device）AI應(yīng)用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。這款產(chǎn)品的推出，標志著SK海力士在閃存技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:301175 SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進HBM技術(shù)團隊負責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始，提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明，SK海力士在HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 近日，SK海力士與臺積電宣布達成合作，計劃量產(chǎn)下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。在這項合作中，臺積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝（FEOL）和后續(xù)布線工藝（BEOL），確?；A(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。而SK海力士則負責(zé)晶圓測試和HBM的堆疊工作，確保產(chǎn)品的最終品質(zhì)與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055 SK海力士正引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)進入新時代，開發(fā)了一種融合計算與通信功能的下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。這一創(chuàng)新戰(zhàn)略旨在鞏固其在HBM市場中的領(lǐng)先地位，同時進一步拉大與后來者的差距。
2024-05-29 14:11:401164 瑞銀集團最新報告指出，SK海力士的HBM4芯片預(yù)計從2026年起，每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的領(lǐng)軍企業(yè)，SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄，顯示其產(chǎn)品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221511 SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域再次邁出創(chuàng)新步伐，計劃在其第6代（1c工藝，約10nm）DRAM的生產(chǎn)中，首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠（MOR）。這一突破性的應(yīng)用標志著MOR技術(shù)正式進入DRAM量產(chǎn)工藝。
2024-05-30 11:02:581506 近日，韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB，并已獨家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。
2024-05-30 11:30:342156 在人工智能（AI）技術(shù)日新月異的今天，存儲設(shè)備的性能對于端側(cè)AI應(yīng)用的重要性愈發(fā)凸顯。為了滿足這一需求，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司SK海力士近日宣布，成功開發(fā)出了一款專為端側(cè)AI優(yōu)化的高性能固態(tài)硬盤
2024-07-01 14:58:401222 在半導(dǎo)體技術(shù)的浩瀚星空中，三星電子與SK海力士正攜手點亮一顆璀璨的新星——高帶寬存儲器（HBM）晶圓工藝技術(shù)的重大革新。據(jù)韓媒最新報道，這兩家行業(yè)巨頭已正式邁入下一代HBM的技術(shù)探索之旅，其核心在于引入一種旨在防止晶圓翹曲的新技術(shù)，這一變革預(yù)示著HBM制造領(lǐng)域的新篇章。
2024-07-12 09:29:561545 科技行業(yè)持續(xù)向AI時代邁進的浪潮中，英偉達、臺積電與SK海力士三大巨頭宣布了一項重大合作，旨在通過組建“三角聯(lián)盟”共同推進下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)的發(fā)展，特別是備受矚目的HBM4內(nèi)存。這一合作不僅標志著半導(dǎo)體行業(yè)的一次重要聯(lián)手，也為未來數(shù)據(jù)處理和計算性能的提升奠定了堅實基礎(chǔ)。
2024-07-15 17:28:051574 在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息，該公司計劃于2026年在其高性能內(nèi)存（High Bandwidth Memory, HBM）的生產(chǎn)過程中引入混合鍵合技術(shù)，這一舉措不僅標志著SK海力士在封裝技術(shù)上的重大突破，也預(yù)示著全球半導(dǎo)體行業(yè)將迎來新一輪的技術(shù)革新。
2024-07-17 09:58:191366 在半導(dǎo)體存儲技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中，SK海力士，作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，正積極探索前沿技術(shù)，以推動高帶寬內(nèi)存（HBM）的進一步演進。據(jù)最新業(yè)界消息，SK海力士正著手評估將無助焊劑鍵合工藝引入其下一代HBM4產(chǎn)品的生產(chǎn)中，這一舉措標志著公司在追求更高性能、更小尺寸內(nèi)存解決方案上的又一次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:471889 在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標志著SK海力士在高性能存儲解決方案領(lǐng)域的持續(xù)深耕，也預(yù)示著HBM內(nèi)存技術(shù)即將邁入一個全新的發(fā)展階段。
2024-07-18 09:47:531329 全球知名的內(nèi)存芯片制造商SK海力士于周五宣布了一項重大投資決策，計劃斥資約9.4萬億韓元（折合美元約為68億）在韓國龍仁市興建其國內(nèi)首座芯片制造基地。這一舉措標志著SK海力士在強化其全球競爭力、特別是針對人工智能（AI）芯片市場布局上的重要一步。
2024-07-27 13:48:581410 全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商SK海力士宣布了一項重大投資決策，計劃投資約9.4萬億韓元（折合美元約68億）在韓國龍仁市興建其國內(nèi)首座專注于AI芯片生產(chǎn)的超級工廠。此項目標志著SK海力士在應(yīng)對未來科技趨勢、特別是人工智能領(lǐng)域快速增長需求方面邁出了堅實步伐。
2024-07-29 11:28:541088 據(jù)最新消息，SK海力士正醞釀一項重要財務(wù)戰(zhàn)略，考慮推動其NAND與SSD業(yè)務(wù)子公司Solidigm在美國進行首次公開募股（IPO）。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購英特爾相應(yīng)業(yè)務(wù)后成立的獨立美國子公司，承載著SK海力士在存儲解決方案領(lǐng)域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332 SK海力士即將在8月6日至8日于美國圣克拉拉舉辦的全球半導(dǎo)體存儲器峰會FMS 2024上大放異彩，向全球業(yè)界展示其在存儲器技術(shù)領(lǐng)域的最新進展與對人工智能（AI）未來的深邃洞察。此次參展，SK海力士不僅將全面呈現(xiàn)其存儲器產(chǎn)品的技術(shù)革新，更將焦點對準了下一代AI存儲器技術(shù)的璀璨前景。
2024-08-05 09:26:391110 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商SK 海力士近日宣布了一項重大突破，正式推出了全球性能巔峰的新一代顯存產(chǎn)品——GDDR7。這款專為圖形處理優(yōu)化設(shè)計的顯存，憑借其前所未有的高速與卓越性能，再次彰顯了SK 海力士在技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-08-07 11:20:351350 SK海力士宣布了一項重大技術(shù)突破，成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著SK海力士在半導(dǎo)體存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-08-29 16:39:151255 SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段，批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品的記錄，為全球人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:41878 的eSSD也隨之成為AI芯片不可或缺的核心部分，與HBM(高帶寬內(nèi)存)芯片并駕齊驅(qū)。在數(shù)據(jù)存儲市場上，eSSD以其卓越的性能和能效比，正逐步取代傳統(tǒng)的HDD硬盤。 Solidigm，作為SK海力士旗下的NAND閃存開發(fā)子公司，憑借其領(lǐng)先的技術(shù)實力，已開發(fā)出業(yè)界最高
2024-10-25 10:19:081110 韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露，英偉達的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求，希望其能提前六個月推出下一代高帶寬存儲產(chǎn)品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:001707 近日，韓國SK集團會長透露了一項重要信息，即英偉達公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個月供應(yīng)其下一代高帶寬內(nèi)存芯片，這款芯片被命名為HBM4
2024-11-05 10:52:481202 日，英偉達（NVIDIA）的主要高帶寬存儲器（HBM）供應(yīng)商南韓SK集團會長崔泰源透露，英偉達執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達下一代AI芯片平臺Rubin的HBM4存儲芯片。這一消息意味著英偉達下一代AI芯片平臺的問世時間將提前半年。
2024-11-05 14:22:092108 和卓越的研發(fā)能力，已經(jīng)提前開發(fā)出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一舉措不僅展現(xiàn)了SK海力士的技術(shù)實力，更凸顯了其對市場趨
2024-11-05 15:01:201231 限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線，如人工智能用存儲器及先進DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日，該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品，該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277 據(jù)外媒最新報道，韓國兩大存儲芯片巨頭三星電子與SK海力士已正式結(jié)盟，共同致力于推動LPDDR6的存內(nèi)計算（Processing In Memory，簡稱PIM）產(chǎn)品的標準化進程。此舉旨在加速人工智能
2024-12-03 10:42:501350 韓國存儲芯片巨頭SK海力士于近日宣布，為鞏固其在人工智能(AI)內(nèi)存領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，公司決定在年度組織調(diào)整中新增兩個專門部門，專注于下一代AI芯片的開發(fā)與量產(chǎn)。 據(jù)悉，這兩個新部門將由新任命的首席
2024-12-06 10:56:461145 堅實基礎(chǔ)。 SK海力士的這一舉措，無疑將在全球半導(dǎo)體市場中掀起波瀾。16Hi HBM3E內(nèi)存作為業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)產(chǎn)品，其量產(chǎn)將有望推動整個半導(dǎo)體存儲行業(yè)的發(fā)展和進步。通過加速量產(chǎn)準備工作，SK海力士不僅展現(xiàn)了其在技術(shù)創(chuàng)新方面的實力，也彰顯了其對于市場需求變化
2024-12-26 14:46:241050 SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位，這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協(xié)作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021667 隨著人工智能（AI）工作負載和高性能計算（HPC）應(yīng)用對數(shù)據(jù)傳輸速度與低延遲的需求持續(xù)激增，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）宣布推出下一代Switchtec Gen 6 PCIe交換芯片。
2025-10-18 11:12:101317 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品，SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695 
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