SK海力士引入創(chuàng)新MOR技術(shù)于DRAM生產(chǎn)
SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域再次邁出創(chuàng)新步伐，計劃在其第6代（1c工藝，約10nm）DRAM的生產(chǎn)中，首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠（MOR）。這一突破性的應(yīng)用標(biāo)志著MOR技術(shù)正式進入DRAM量產(chǎn)工藝。
據(jù)悉，SK海力士即將量產(chǎn)的1c DRAM將包含五個極紫外（EUV）層，其中一層將使用MOR進行繪制。這不僅展現(xiàn)了SK海力士在先進制造技術(shù)上的領(lǐng)先實力，也預(yù)示了半導(dǎo)體制造行業(yè)的新趨勢。
值得注意的是，不僅SK海力士，三星電子也對該類無機PR材料表現(xiàn)出濃厚興趣，預(yù)計將加入MOR技術(shù)的探索與應(yīng)用行列。這一技術(shù)的廣泛應(yīng)用，有望為半導(dǎo)體行業(yè)帶來更多的創(chuàng)新與突破。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
30725瀏覽量
264051 -
DRAM
+關(guān)注
關(guān)注
41文章
2392瀏覽量
189135 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
1007瀏覽量
41617
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
SK海力士與閃迪公司啟動HBF全球標(biāo)準(zhǔn)化制定工作
SK海力士（或‘公司’）26日宣布，于當(dāng)?shù)貢r間25日在美國加利福尼亞州米爾皮塔斯的閃迪公司總部，與閃迪公司聯(lián)合舉辦“HBF規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)化聯(lián)盟啟動會”，正式發(fā)布面向AI推理時代的下一代存儲器解決方案HBF（High Bandwidth
KV緩存黑科技！SK海力士“H3存儲架構(gòu)”，HBM和HBF技術(shù)加持！
structure）”，同時采用了HBM和HBF兩種技術(shù)。 ? 在SK海力士設(shè)計的仿真實驗中，H3架構(gòu)將HBM和HBF顯存并置于GPU旁，由GPU負責(zé)計算。該公司將8個HBM3E和8個HBF置于英偉達
SK海力士HBS存儲技術(shù)，基于垂直導(dǎo)線扇出VFO封裝工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)韓媒報道，存儲行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術(shù)高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項HBS
SK海力士發(fā)布未來存儲路線圖
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，近日，韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上，SK海力士CEO郭魯正（Kwak Noh-Jung）正式宣布了公司向 “全線AI存儲創(chuàng)造者”（Full
SK海力士ZUFS 4.1閃存，手機端AI運行時間縮短47%！
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，SK海力士宣布，已正式向客戶供應(yīng)其全球率先實現(xiàn)量產(chǎn)的移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品ZUFS 4.1。 ? SK海力士通過與客戶的密切合作，于今年6月成功完成了該產(chǎn)
SK海力士321層4D NAND的誕生
SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新
SK海力士在微細工藝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先實力
SK海力士的成功神話背后，離不開眾多核心技術(shù)的支撐，其中最令人矚目的便是“微細工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細電路進行更為精細化的處理，SK海力士
SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位，這些成就的背后皆源于SK
SK海力士宋清基TL榮庸發(fā)明日銅塔產(chǎn)業(yè)勛章
SK海力士宣布，5月19日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀(jì)念儀式”上，來自HBM開發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
SK海力士如何成為面向AI的存儲器市場領(lǐng)跑者
近年來，SK海力士屢獲創(chuàng)新成果，這些成就皆得益于“一個團隊”協(xié)作精神（One Team Spirit）”。無論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績、開發(fā)出全球領(lǐng)先產(chǎn)品，還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲
SK海力士以基于AI/DT的智能工廠推動HBM等核心產(chǎn)品的營收增長
近日，SK海力士宣布，在首爾江南區(qū)韓國科學(xué)技術(shù)會館舉行的“2025年科學(xué)?信息通訊日紀(jì)念儀式”上，公司數(shù)字化轉(zhuǎn)型組織的都承勇副社長榮獲了科學(xué)技術(shù)信息通信部頒發(fā)的銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
英偉達供應(yīng)商SK海力士盈利大增158%
得益于AI需求的有力推動；高帶寬內(nèi)存(HBM)需求持續(xù)暴漲，這帶動了英偉達供應(yīng)商SK海力士盈利大增158%。 據(jù)SK海力士公布的財務(wù)業(yè)績數(shù)據(jù)
SK海力士強化HBM業(yè)務(wù)實力的戰(zhàn)略規(guī)劃
隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，作為其核心支撐技術(shù)的高帶寬存儲器（以下簡稱HBM）實現(xiàn)了顯著的增長，為SK海力士在去年實創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績做出了不可或缺的重要貢獻。業(yè)內(nèi)普遍認為，
SK海力士已完成收購英特爾NAND業(yè)務(wù)部門的第二（最終）階段交易
于 2020 年末對外公布，第一階段完成于 2021 年 12 月 30 日，SK 海力士當(dāng)時支付了約合 66.1 億美元的 78422 億韓元，從英特爾接管 SSD 業(yè)務(wù)及其位于中國大連 NAND 閃存制造廠
SK海力士將關(guān)閉CIS圖像傳感器部門 轉(zhuǎn)向AI存儲器領(lǐng)域
海力士稱此舉是為了鞏固其作為全球領(lǐng)先 AI 芯片企業(yè)的地位。 SK 海力士稱其? CIS 團隊擁有僅靠存儲芯片業(yè)務(wù)無法獲得的邏輯制程技術(shù)和定制業(yè)務(wù)能力 。而在存儲和邏輯半導(dǎo)體高度融合
工商網(wǎng)監(jiān)
評論