據(jù)悉，三星半導(dǎo)體近日宣布已成功實(shí)現(xiàn)第九代V-NAND1Tb TLC產(chǎn)品的量產(chǎn)，其單位面積內(nèi)存儲(chǔ)量較前代產(chǎn)品大幅提升了約50%。這一成績(jī)得益于先進(jìn)的通道孔蝕刻技術(shù)，大幅度提升了生產(chǎn)效率。

第九代V-NAND采用雙堆疊設(shè)計(jì)，將旗艦版V8閃存原先的236層進(jìn)一步增加至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計(jì)算設(shè)備領(lǐng)域。

據(jù)行業(yè)內(nèi)部人士透露，三星計(jì)劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，有望達(dá)到430層，從而進(jìn)一步提升NAND的密度，鞏固并擴(kuò)大其市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位。

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia預(yù)測(cè)，盡管NAND閃存市場(chǎng)在2023年出現(xiàn)37.7%的下滑，但預(yù)計(jì)今年將迎來(lái)38.1%的反彈式增長(zhǎng)。為在這一快速發(fā)展的市場(chǎng)中搶占先機(jī)，三星承諾加大對(duì)NAND業(yè)務(wù)的投入力度。

早前，IT之家曾報(bào)道，三星高層表示，公司的長(zhǎng)遠(yuǎn)目標(biāo)是在2030年前研發(fā)出超過(guò)1000層的NAND芯片，以實(shí)現(xiàn)更高的密度和存儲(chǔ)能力。