三星最近打破了目前市場上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲芯片。
2012-09-21 10:14:52
1228 三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發(fā)作業(yè)，計劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產(chǎn)品后，于2016年生產(chǎn)64層堆疊的V-NAND產(chǎn)品。
2015-08-11 08:32:001030 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 第五代精簡指令集計算機RISC-V你了解多少？
2020-03-01 12:09:269371 
三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹先生表示，三星不斷進行技術(shù)創(chuàng)新，新一代的QLC產(chǎn)品成本可以降低60%，同時還推出了容量高達1Tb的V-NAND技術(shù)，速度將會達到1200Mbps。在市場應(yīng)用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
的IDE接口被SATA取代，主板上的PCI被PCIE取代，打印機的并口被USB取代。于是這2年里，三星提出了新一代的存儲芯片UFS以取代EMMC。其本質(zhì)仍然是micro controller
2016-08-16 16:30:57
1概述嵌入式系統(tǒng)要在5G時代中蓬勃發(fā)展，就需要針對5G特點，進行有針對性的應(yīng)用于創(chuàng)新。1.15G的特點第五代移動通信技術(shù)的特點主要在：（1）高速率，5G網(wǎng)絡(luò)的下載速度高達10 Gbit/s,，比4G
2021-12-22 08:05:19
據(jù)我所知，第五代capsense相比第四代將電容（包括自電容+互電容技術(shù)）和電感觸摸技術(shù)集成到了一起，snr信噪比是上一代的十多倍，同時功耗僅是上一代的十分之一。但是這張圖在感應(yīng)模式上第四代
2024-05-23 06:24:34
公司店鋪鏈接https://shenzlu.cn.china.cn/?from=tui 公司QQ1784094773主要熱門現(xiàn)貨有 鎂光 三星 海力士 各類存儲芯片 歡迎廣大終端客戶前來咨詢問價
2019-01-10 14:40:29
NAND只需要提高堆棧層數(shù)，目前多種工藝架構(gòu)并存。從2013年三星推出了第一款24層SLC/MLC 3D V-NAND，到現(xiàn)在層數(shù)已經(jīng)邁進200+層，并即將進入300+層階段。目前，三星/西部數(shù)據(jù)
2024-12-17 17:34:06
的市場份額，有著不可取代的地位。
隨著芯片的發(fā)展存儲芯片的趨勢也開始不甘落后，有著越來越多的新型的芯片問世，這里就要提起SD NAND芯片了，市面上主流的生產(chǎn)廠家就是雷龍。
SD NAND
2024-11-13 15:20:16
控制、移動設(shè)備等。在這些應(yīng)用中， SD NAND能提供高可靠性、高速讀寫、低功耗和高度集成等特點， 為新一代的嵌入式存儲解決方案引領(lǐng)市場趨勢。
總結(jié)
對這款產(chǎn)品優(yōu)點總結(jié)為一下幾點，其尺寸
2024-01-05 17:54:39
原裝海力士三星存儲芯片，香港出貨，原包原盒。K4B2G1646F-BCNBK4B2G1646F-BYMAK4B4G1646E-BCMA
2020-02-13 14:35:59
, Parallel
XIP：指代碼可以直接在芯片上執(zhí)行，無需先加載到RAM。
5. 行業(yè)現(xiàn)狀與趨勢
市場格局：
DRAM：高度集中，被 三星、SK海力士、美光 三大巨頭壟斷。
NAND Flash
2025-06-24 09:09:39
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
匯佳第五代25-29寸彩色電視機電路圖，匯佳第五代25-29寸彩電圖紙，匯佳第五代25-29寸原理圖。
2009-05-25 11:46:05
235 iPod nano(第五代)功能指南手冊
2009-12-10 15:37:08110 iPod 功能指南(第五代)
2010-01-13 14:40:2258 IGBT/FWD功率損耗模擬系統(tǒng) （英文，含第五代U系列IGBT）
2010-07-20 09:10:20113 美國高通公司（Qualcomm）今天宣布將推出第五代Gobi參考平臺，該移動平臺嘗試使用單一芯片支持世界移動領(lǐng)域的三大標準。雖然Gobi平臺并不能出現(xiàn)在iPad 3上，但卻為將來的iOS設(shè)備、超薄
2012-02-22 10:07:19830 高拓訊達公司（AltoBeam）全球發(fā)布其第五代DTMB/DVB-C復合解調(diào)芯片ATBM8869。
2012-03-16 10:09:444834 據(jù)國外媒體報道，消息人士周五透露，三星電子將不會向蘋果第一批發(fā)貨的新一代iPhone手機提供存儲芯片，原因是蘋果對三星電子的存儲芯片售價不滿。另有消息人士透露，蘋果將于下
2012-09-08 09:19:41713 云端的存儲解決方案并不是適用于所有的移動平臺用戶。最近，三星打破了目前市場上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲芯片。
2012-09-21 10:11:251273 7月28日消息，三星上周五表示，公司已量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品。這將是全球速度最快的嵌入式存儲芯片。三星將提供16GB、32GB、64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2013-07-29 09:56:171224 第五代增強型STC自動燒錄器資料包。
2016-03-22 14:31:048 三星表示，這款512GB的閃存芯片專門面向移動設(shè)備開發(fā)，其中整合了八個多層存儲數(shù)據(jù)的V-NAND芯片。和過去三星256GB的芯片相比，雖然容量翻一倍，但是使用的空間卻相同。這給手機設(shè)計帶來了福音。
2017-12-06 11:03:441513 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 深圳第五代移動通信創(chuàng)新發(fā)展行動計劃核心是三大目標。5G三大目標深圳第五代移動通信創(chuàng)新發(fā)展行動計劃核心是三大目標。首先是5G網(wǎng)絡(luò)覆蓋率領(lǐng)先，重點是率先建成5G規(guī)模的商用網(wǎng)絡(luò)，實現(xiàn)全市城區(qū)網(wǎng)絡(luò)的全覆蓋，打造萬物互聯(lián)的5G先鋒城市。
2018-06-28 09:30:003189 當然中國的存儲芯片企業(yè)在投產(chǎn)后還需要在技術(shù)方面追趕韓美日等存儲芯片企業(yè)，長江存儲當下準備投產(chǎn)的為32層NAND flash而韓國三星去年就開始大規(guī)模投產(chǎn)64層NAND flash，長江存儲希望在未來兩三年實現(xiàn)64層NAND flash的技術(shù)突破，將技術(shù)差距縮短到兩年內(nèi)。
2018-04-17 09:37:1944620 。
存儲芯片主要有NAND flash、DRAM，在全球NAND flash市場份額前五名分別為三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士，市場份額分別為38.0%、17.1%、16.1%、11.5
2018-04-18 09:12:376932 在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產(chǎn)品。
2018-05-16 23:41:001196 三星電子今天宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS），以用于下一代移動設(shè)備。據(jù)介紹，三星512GB eUFS采用了三個三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 據(jù)外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應(yīng)時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 近日，存儲芯片大廠三星正式宣布已開始量產(chǎn)96層堆疊、單Die 32GB容量的第五代V-NAND閃存芯片。同時，三星還正式發(fā)布了首款LPDDR5內(nèi)存芯片。可以說，三星在存儲領(lǐng)域進一步拉開了與其他競爭對手的差距。
2018-07-22 08:52:4711170 
2月25日三星發(fā)布了GalaxyS9，同時還帶來了新一代無線充電器：三星第五代立式無線充電器WirelessChargerStand。與上代折疊式無線快充充電器不同的是，這代是立式不可折疊的，功率
2018-07-24 07:48:012957 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 三星電子有限公司今天宣布推出三星移動固態(tài)硬盤T5-全新的移動固態(tài)硬盤（PSSD），提升了外部存儲產(chǎn)品的性能標準。T5采用三星最新的64層V-NAND（垂直NAND）技術(shù)和緊湊耐用的設(shè)計，具有業(yè)界領(lǐng)先的傳輸速度和加密的數(shù)據(jù)安全性，使消費者更輕松隨時隨地訪問其最有價值的數(shù)據(jù)。
2018-07-26 17:43:092951 此外，新的V-NAND數(shù)據(jù)寫入速度僅延遲了500微妙，與前一代相比改進了30%，讀取信號時間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節(jié)能，電壓從1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:001476 三星電子也不甘示弱，早先已經(jīng)宣布量產(chǎn)96層堆疊第五代V-NAND閃存，并宣布會在年內(nèi)推出全球第一款32TB超大容量SSD。
2018-08-07 14:32:115169 近日，存儲芯片大廠三星正式宣布已開始量產(chǎn)96層堆疊、單Die 32GB容量的第五代V-NAND閃存芯片。同時，三星還正式發(fā)布了首款LPDDR5內(nèi)存芯片。可以說，三星在存儲領(lǐng)域進一步拉開了與其他競爭對手的差距。
2018-08-17 14:52:2227792 當前全球存儲芯片主要是DRAM和NAND Flash，三星占有DRAM約45%的市場份額，在NAND Flash市場則占有近四成的市場份額，并且其在技術(shù)方面也具有優(yōu)勢，引領(lǐng)著行業(yè)的技術(shù)發(fā)展。
2018-09-21 15:02:351765 on Wafer on Substrate)封裝預(yù)計2019年量產(chǎn)，封裝業(yè)者透露，因應(yīng)人工智能(AI)時代高效運算(HPC)芯片需求，臺積電第五代CoWoS封裝技術(shù)2020年將問世。
2018-11-02 17:02:496045 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 關(guān)鍵詞：三星 , 存儲 來源：36氪 三星電子剛剛結(jié)束了一個上升周期。 半導體市場研究機構(gòu) IC Insights 本周發(fā)布的最新報告顯示，由于存儲芯片（主要包括DRAM和NAND閃存）市場景氣周期
2019-03-20 00:56:01358 
由于存儲芯片的價格波動很大，三星電子正在尋求通過擴大更高附加值，來減少公司對存儲芯片市場的嚴重依賴。
2019-05-29 17:06:491176 三星最新宣布，已開始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲芯片，三星將提供16GB、32GB和64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-07-02 11:46:151133 半導體市場研究機構(gòu) IC Insights 本周發(fā)布的最新報告顯示，由于存儲芯片（主要包括DRAM和NAND閃存）市場景氣周期結(jié)束，三星電子在2019年的營收可能會下降19.7%。
2019-07-12 16:39:32744 在2016年的舊金山閃存峰會上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間）、包含獨特的電路設(shè)計與優(yōu)化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 三星發(fā)布全新企業(yè)級固態(tài)硬盤PM1733，該產(chǎn)品采用了三星自家研發(fā)的主控，搭配自家的第五代V-NAND閃存，單Die容量512Gb(64GB)，提供兩種不同規(guī)格，一個是2.5英寸雙U.2接口，另一個是PCIe接口。
2019-08-21 16:52:493293 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計技術(shù)。
2019-09-03 10:38:04981 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計技術(shù)。
2019-09-09 16:05:251778 三星宣布，已開始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲芯片，三星將提供16GB、32GB和64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-10-18 14:30:401575 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 半導體行業(yè)有明顯的周期性，2019年半導體市場處于低位，在存儲領(lǐng)域，由于降價原因三星正在失掉它的龍頭地位，任天堂、索尼、華為、蘋果存儲芯片的主要供應(yīng)商臺灣旺宏電子（Macronix）預(yù)測，2020年存儲芯片價格將反彈，市場需求也將穩(wěn)定復蘇。
2020-01-06 15:52:304873 存儲公司 Kioxia(原東芝存儲)近日宣布，將在今年 Q1 送樣 112 層 TLC Flash 芯片，這是第五代 BiCS Flash 3D 存儲芯片。
2020-02-03 15:44:222735 根據(jù)消息報道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn)，今年下半年可能會實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:345210 據(jù)韓聯(lián)社報道，三星電子周三預(yù)計，由于數(shù)據(jù)中心投資增加和新應(yīng)用，5G和數(shù)據(jù)中心的存儲芯片需求將增加。
2020-03-18 14:26:322789 據(jù)媒體報道指國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片，這是當前國際存儲芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù)，意味著中國的存儲芯片技術(shù)已達到國際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4514823 西部數(shù)據(jù)公司 （NASDAQ： WDC）日前宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進的閃存技術(shù)來鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術(shù)構(gòu)建而成，以有
2020-07-24 15:09:132151 對于第五代存儲來說，它是數(shù)字化經(jīng)濟時代的產(chǎn)物，承載著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、5G等技術(shù)的智能存儲。而第五代存儲的五大特性，將會有助于其在復雜的環(huán)境中發(fā)揮出優(yōu)勢。
2020-09-18 15:22:593357 韓國的SK海力士在收購Intel的NAND flash存儲芯片業(yè)務(wù)之后，將取得全球NAND flash存儲芯片市場大約20％的市場份額，它與三星將合計占有全球NAND flash存儲芯片市場超過五成的市場份額。
2020-10-22 11:41:483489 韓國的SK海力士在收購Intel的NAND flash存儲芯片業(yè)務(wù)之后，將取得全球NAND flash存儲芯片市場大約20％的市場份額，它與三星將合計占有全球NAND flash存儲芯片市場超過五成的市場份額。
2020-10-22 15:17:263852 據(jù)美媒Anandtech報道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀錄的176層構(gòu)造。報道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產(chǎn)品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲單元設(shè)計轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:593477 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 距離2021還剩40多天了，抓住2020的尾巴，觸想智能正式發(fā)布公告：大家關(guān)注已久的第五代新品，已經(jīng)上市在售啦！ 細心的盆友會發(fā)現(xiàn)，此前在上海工博會、華南工博會現(xiàn)場以及相關(guān)推文中，觸想智能2020年
2020-11-24 15:51:452135 多方消息指出，蘋果最快3月發(fā)布第五代iPad Pro。
2021-01-12 17:23:244205 wifi技術(shù)標準第四代是第四代移動通信技術(shù)的意思，第五代就是第五代移動通信技術(shù)，那么這兩代之間有什么區(qū)別呢？
2022-01-01 16:43:0041538 三星存儲芯片需求持續(xù)強勁：近日，三星電子公司正式發(fā)布了第四季度的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)情況，根據(jù)三星公司發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示三星電子第四季度利潤有望創(chuàng)紀錄，三星電子的代工業(yè)務(wù)或將獲得未來2年的訂單。
2022-01-06 15:14:192127 市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求，更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案，有望成為未來存儲創(chuàng)新的基礎(chǔ)。
2022-11-07 10:33:551379 和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。 三星電子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:361624 三星采用 3D 縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。通過這項技術(shù)，三星顯著的提升每片晶圓的存儲密度，使三星的存儲密度達到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25847 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
2022-12-06 10:39:311027 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《日立統(tǒng)一存儲虛擬機全閃存系統(tǒng)和博科第五代光纖通道SAN.pdf》資料免費下載
2023-08-29 09:45:250 第五代樹莓派（Raspberry Pi 5, RPi 5）官方預(yù)計賣60美元（4GB RAM）與80美元（8GB RAM），比前一代相同RAM容量的55美元、75美元貴個5美元，但貴這5美元是否值得呢？
2023-11-02 16:12:223303 
美國消費者新聞與商業(yè)頻道分析，這意味存儲芯片市場可能觸底回升。按這家媒體說法，三星電子是全球最大的動態(tài)隨機存取存儲芯片制造商。這家企業(yè)生產(chǎn)的存儲芯片廣泛應(yīng)用于智能手機和電腦等設(shè)備。
2023-11-02 16:57:571597 瀾起科技于今日正式向外界發(fā)布其全新第五代津逮?CPU，旨在以多方面的性能優(yōu)化應(yīng)對AI、HPC、數(shù)據(jù)服務(wù)、網(wǎng)絡(luò)/5G、存儲等嚴苛工作負載的挑戰(zhàn)。 瀾起科技第五代津逮?CPU，基于英特爾?第五代至強?可
2023-12-18 10:27:311020 據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達290層，但IT之家此前曾報道過，三星在學術(shù)會議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391410 據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司預(yù)計將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。
2024-04-18 09:49:201500 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 作為九代V-NAND的核心技術(shù)，雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計算領(lǐng)域。據(jù)了解，三星計劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)
2024-04-28 10:08:011536 在技術(shù)層面，第九代V-NAND無疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實力。它采用了雙重堆疊技術(shù)，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎(chǔ)上，再次實現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破，堆疊層數(shù)飆升至驚人的290層。
2024-04-28 16:02:241874 據(jù)悉，Switch 2游戲機可能搭載由三星代工廠生產(chǎn)的SoC（英偉達Tegra T239芯片，采用三星7LPH工藝節(jié)點）。此外，任天堂還計劃采用三星第五代V-NAND存儲技術(shù)以及三星作為顯示面板供應(yīng)商。
2024-04-29 10:23:182172 全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預(yù)判，今年DRAM和高帶寬存儲器（HBM）價格將持續(xù)攀升，受益于市場對于高端芯片，尤其是人工智能相關(guān)芯片的強大需求。
2024-05-15 09:23:52983 油耗2.9L和全球最長綜合續(xù)航2100公里，再一次改寫全球汽車油耗史，開創(chuàng)油耗2時代，重新定義了插混技術(shù)天花板。 發(fā)布即量產(chǎn)，第五代DM技術(shù)首搭車型秦L DM-i和海豹06 DM-i，開啟上市和交付
2024-05-30 10:53:191532 據(jù)報道，三星電子在最新的半導體技術(shù)探索中遭遇了挑戰(zhàn)。其第五代10nm級（1b）制程DRAM的良率尚未達到業(yè)界通常期望的80%~90%的水平，這一狀況引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-13 09:41:181485 在全球科技產(chǎn)業(yè)持續(xù)革新的背景下，人工智能（AI）技術(shù)的快速發(fā)展對存儲芯片行業(yè)產(chǎn)生了深遠的影響。隨著AI需求激增，存儲芯片領(lǐng)域的競爭進一步加劇，而三星電子作為行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，其業(yè)績預(yù)期也隨之迎來了積極的變化。
2024-06-27 14:36:051405 據(jù)韓國媒體最新報道，三星電子在其第9代V-NAND閃存技術(shù)中實現(xiàn)了重大突破，首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬（Mo）技術(shù)。這一創(chuàng)新標志著三星在半導體制造領(lǐng)域的又一次技術(shù)飛躍。
2024-07-04 09:23:501262 近日，三星電子宣布了一項重大市場決策，計劃在第三季度對其DRAM和NAND閃存存儲芯片進行15%-20%的價格調(diào)整。這一舉措背后，是人工智能領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?b class="flag-6" style="color: red">存儲芯片需求的急劇攀升，預(yù)示著存儲芯片市場正迎來新一輪的價格上漲周期。
2024-07-18 09:50:251233 V-NAND技術(shù)，擁有更強的性能和更大的容量，非常適合內(nèi)容創(chuàng)作者和技術(shù)愛好者在日常使用中跨設(shè)備快速傳輸和存儲文件。 三星品牌存儲事業(yè)部全球副總裁Hangu Sohn表示：“
2024-08-01 09:24:59699 
1. 三星：HBM3e 先進芯片今年量產(chǎn)，營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲器（HBM）芯片HBM3e，并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示，該公司預(yù)計其
2024-08-01 11:08:111376 三星電子公司近日宣布了一項重要計劃，即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器（HBM）芯片HBM3e的量產(chǎn)工作，并預(yù)期這一先進產(chǎn)品將顯著提升公司的營收貢獻。據(jù)三星電子透露，隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:371053 三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標志著三星在存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先，也預(yù)示著數(shù)據(jù)存儲市場即將迎來一場革命性的變革。
2024-09-12 16:27:311108 三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品，集成了多項前沿技術(shù)突破，標志著數(shù)據(jù)存儲性能與容量的全新飛躍。這款基于雙堆棧架構(gòu)的QLC V-NAND，通過創(chuàng)新的通道孔蝕刻技術(shù)，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的單元層數(shù)，為各類AI應(yīng)用提供了前所未有的內(nèi)存解決方案。
2024-09-23 14:53:521479 三星電子在車載存儲技術(shù)領(lǐng)域邁出了重要一步，正式宣布成功研發(fā)出業(yè)界首款基于其先進第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。這一創(chuàng)新成果不僅標志著三星在車載數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的深厚積累與前瞻布局，更為未來智能汽車的高性能、高效率數(shù)據(jù)存儲需求提供了強有力的支持。
2024-09-24 15:24:031104 三星、美光暫停 DDR5 報價引發(fā)的存儲芯片荒，雖攪動國內(nèi)芯片市場，但對 PCB 行業(yè)的影響卻遠小于預(yù)期。這場 “無關(guān)聯(lián)” 的核心，并非 PCB 行業(yè)抗風險能力強，而是 PCB 的需求結(jié)構(gòu)與存儲芯片
2025-11-08 16:17:001012 11月10日，奇瑞新燃油戰(zhàn)略下的重點車型——第五代瑞虎8將正式上市。作為瑞虎8冠軍家族的全新產(chǎn)品，第五代瑞虎8集全新設(shè)計、電感體驗、“賽級民用”的駕控及安全于一身，引領(lǐng)全球燃油車進入下一個時代。
2025-11-10 15:27:25533
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