電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）2025年下半年，存儲(chǔ)芯片、封測(cè)等產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的上市進(jìn)程明顯加速。不僅有跨界、還有行業(yè)巨頭IPO，以及存儲(chǔ)廠商重啟IPO等等。電子發(fā)燒友網(wǎng)對(duì)近期存儲(chǔ)企業(yè)相關(guān)上市動(dòng)向進(jìn)行了
2025-10-27 09:07:44
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）2024年國(guó)內(nèi)上市存儲(chǔ)芯片廠商的業(yè)績(jī)情況相繼公布，各家廠商呈現(xiàn)大幅增長(zhǎng)、扭虧為盈或處于虧損的狀況，表現(xiàn)不一。由于今年以來(lái)，DeepSeek對(duì)AI推理的應(yīng)用落地起到了極大
2025-02-17 09:14:092059 12月24日，三星推出三星旗下迄今最先進(jìn)的玄龍騎士電競(jìng)顯示器系列，包括五個(gè)新型號(hào)，在分辨率、刷新率和沉浸式視覺(jué)表現(xiàn)方面迎來(lái)全面突破。2026款產(chǎn)品以三星首款6K玄龍騎士3D電競(jìng)顯示器G9(G90XH
2026-01-05 15:31:06238 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 2025年末，存儲(chǔ)行業(yè)超級(jí)周期熱潮下，一則技術(shù)動(dòng)態(tài)引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈廣泛關(guān)注——三星半導(dǎo)體官網(wǎng)更新DRAM產(chǎn)品目錄，低調(diào)上架多款處于“樣品”階段的DDR5內(nèi)存顆粒新品。其中
2026-01-02 05:53:004514 2025年是全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)極具里程碑意義的一年。AI技術(shù)“以存代算”路線的興起引發(fā)結(jié)構(gòu)性需求爆發(fā)，疊加國(guó)際巨頭產(chǎn)能戰(zhàn)略調(diào)整與供應(yīng)鏈政策變化，行業(yè)徹底告別此前的低迷周期，邁入“超級(jí)漲價(jià)周期”。同時(shí)
2025-12-31 08:20:03714 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）在半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)的常規(guī)邏輯中，新一代產(chǎn)品面世前夕，前代產(chǎn)品降價(jià)清庫(kù)存是常規(guī)定律，但如今HBM（高帶寬內(nèi)存）將打破這一行業(yè)共識(shí)。據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子和SK海力士已上調(diào)
2025-12-28 09:50:111540 如果你現(xiàn)在正面臨三星、美光存儲(chǔ)芯片缺貨的問(wèn)題,不妨考慮下紫光國(guó)芯的產(chǎn)品。我們可以提供樣品測(cè)試、技術(shù)支持、批量供貨的全流程服務(wù)。具體產(chǎn)品選型、價(jià)格報(bào)價(jià)、交期確認(rèn),歡迎聯(lián)系咨詢貞光科技。海外大廠為什么會(huì)
2025-12-16 14:34:16435 
SATA SSD業(yè)務(wù)。爆料者稱已獲得多個(gè)分銷和零售渠道的消息來(lái)源證實(shí)。未來(lái)三星將重心轉(zhuǎn)向?yàn)槿斯ぶ悄?b class="flag-6" style="color: red">行業(yè)供貨，其大部分產(chǎn)量將用于滿足人工智能行業(yè)對(duì)高帶寬內(nèi)存HBM等的需求。 ? 筆者采訪到閃存市場(chǎng)相關(guān)負(fù)責(zé)人
2025-12-16 09:40:355385 
NAND價(jià)格暴漲正引發(fā)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈的深刻變革。面對(duì)成本飆升，終端廠商將控制風(fēng)險(xiǎn)的核心轉(zhuǎn)向確保每一顆芯片的“有效價(jià)值”，這導(dǎo)致壓力直達(dá)制造最末端的燒錄與測(cè)試環(huán)節(jié)。燒錄不再僅是數(shù)據(jù)寫(xiě)入，而成為關(guān)乎資產(chǎn)無(wú)損
2025-12-11 11:05:27488 
2025年12月2日，三星電子正式發(fā)布Galaxy Z TriFold，進(jìn)一步鞏固了三星在移動(dòng)AI時(shí)代中針對(duì)形態(tài)創(chuàng)新的行業(yè)優(yōu)勢(shì)。
2025-12-03 17:46:221329 ；
H26T87001CMR EMMC 128GB 33K；
PC28F128P33BF60D 128M 27K；
MT41K512M4DA-125:K 46K；
RTL8370N-VB-CG 7200
2025-11-27 15:58:19
現(xiàn)在“有錢(qián)也買(mǎi)不到存儲(chǔ)芯片”，當(dāng)前全球存儲(chǔ)芯片正遭遇嚴(yán)峻的供需失衡——AI、云端數(shù)據(jù)中心與高速運(yùn)算（HPC）需求爆發(fā)式增長(zhǎng)，疊加原廠產(chǎn)能調(diào)整（部分NANDFlash產(chǎn)能轉(zhuǎn)至毛利更高的DRAM）、新增
2025-11-26 11:34:321486 
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代3nm工藝，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面積縮小5%。
2025-11-19 15:34:341116 01產(chǎn)業(yè)鏈全景圖02存儲(chǔ)芯片定義存儲(chǔ)芯片也叫半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，是電子設(shè)備里負(fù)責(zé)存數(shù)據(jù)、讀數(shù)據(jù)的關(guān)鍵零件。半導(dǎo)體產(chǎn)品主要有四大類：分立器件、光電器件、傳感器、集成電路。像存儲(chǔ)芯片、邏輯芯片、微處理芯片這些
2025-11-17 16:35:402721 
2025年10月，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)再度迎來(lái)一波凌厲漲勢(shì)。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，DDR516G、DDR416Gb等產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)上揚(yáng)；更引人矚目的是，三星、SK海力士等巨頭已正式宣布，第四季度DRAM合同價(jià)最高
2025-11-11 11:04:13597 
三星、美光暫停 DDR5 報(bào)價(jià)引發(fā)的存儲(chǔ)芯片荒，雖攪動(dòng)國(guó)內(nèi)芯片市場(chǎng)，但對(duì) PCB 行業(yè)的影響卻遠(yuǎn)小于預(yù)期。這場(chǎng) “無(wú)關(guān)聯(lián)” 的核心，并非 PCB 行業(yè)抗風(fēng)險(xiǎn)能力強(qiáng)，而是 PCB 的需求結(jié)構(gòu)與存儲(chǔ)芯片
2025-11-08 16:17:001005 三星、美光暫停 DDR5 報(bào)價(jià)引發(fā)的供應(yīng)鏈焦慮，正加速國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能擴(kuò)張 —— 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)合肥新晶圓廠已進(jìn)入設(shè)備調(diào)試階段，2026 年一季度將實(shí)現(xiàn) 30 萬(wàn)片 / 月的 DDR5 晶圓產(chǎn)能，全球
2025-11-08 16:15:571682 三星、美光暫停 DDR5 報(bào)價(jià)的背后，是存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)向高附加值封裝技術(shù)的轉(zhuǎn)型 ——SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）正成為 DDR5 與 HBM 的主流封裝方案，而這一轉(zhuǎn)型正倒逼 PCB 行業(yè)突破高密度布線技術(shù)，其核心驅(qū)動(dòng)力，仍是國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片封裝環(huán)節(jié)的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速。
2025-11-08 16:15:011156 三星、美光暫停 DDR5 報(bào)價(jià)引發(fā)的存儲(chǔ)芯片短期缺貨，正被市場(chǎng)過(guò)度解讀為 “將沖擊 PCB 行業(yè)”，但從產(chǎn)業(yè)邏輯來(lái)看，這種短期波動(dòng)難以對(duì) PCB 行業(yè)造成實(shí)質(zhì)影響。核心原因在于，PCB 行業(yè)的運(yùn)行
2025-11-08 16:12:12894 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片，基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨(dú)有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建，這款串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48285 三星、美光暫停 DDR5 合約報(bào)價(jià)引發(fā)的存儲(chǔ)芯片荒，正通過(guò) AI 服務(wù)器需求鏈，悄然傳導(dǎo)至 PCB 行業(yè)。這場(chǎng)關(guān)聯(lián)的核心，并非簡(jiǎn)單的 “芯片漲價(jià)帶動(dòng) PCB 漲價(jià)”，而是 AI 服務(wù)器對(duì)存儲(chǔ)芯片
2025-11-05 10:29:56564 一、并行NAND閃存的基本概念 并行NAND閃存（Parallel NAND）是一種通過(guò)多條數(shù)據(jù)線同時(shí)傳輸多位數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)芯片。不同于串行NAND依靠單線傳輸數(shù)據(jù)，并行NAND通過(guò)多個(gè)數(shù)據(jù)引腳
2025-10-30 08:37:07410 
，讓我們一同揭開(kāi)它們的神秘面紗，深入了解其應(yīng)用領(lǐng)域、場(chǎng)景及具體產(chǎn)品。 一、SD NAND：大能量 SD NAND，也被叫做貼片式TF卡或者eMMC的簡(jiǎn)化版 ，是一種貼片式封裝的存儲(chǔ)芯片，尺寸微小，常見(jiàn)的僅有6x8mm?，直接焊接在主板PCB上。其內(nèi)部集成了控制器，并且與標(biāo)準(zhǔn)的
2025-10-29 14:24:25352 2025年10月28日，三星電子正式發(fā)布全新microSDExpress存儲(chǔ)卡——P9Express固態(tài)存儲(chǔ)卡。該系列以次世代游戲體驗(yàn)為目標(biāo)打造，針對(duì)包括NintendoSwitch?1等主流游戲
2025-10-28 10:34:21373 
2025年中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告 存儲(chǔ)芯片作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要組成部分，涵蓋動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和NAND閃存兩大核心領(lǐng)域。在人工智能（AI）、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)和移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)
2025-10-27 08:54:334768 、能耗、性能和可靠性方面面臨日益嚴(yán)格的要求。今天，我們將從設(shè)計(jì)到出廠的全流程切入，深入剖析存儲(chǔ)芯片（如 DRAM、NAND Flash）制造的制程原理、關(guān)鍵技術(shù)與挑戰(zhàn)。 一、設(shè)計(jì)階段：從概念到版圖 # 1. 架構(gòu)與工藝節(jié)點(diǎn)選擇 DRAM ：以 1T1
2025-10-24 08:42:00846 在嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)中，存儲(chǔ)芯片的選型往往是一個(gè)“看起來(lái)簡(jiǎn)單、做起來(lái)復(fù)雜”的環(huán)節(jié)。表面上看，不就是選個(gè)能存數(shù)據(jù)的芯片嘛？但真到了實(shí)際項(xiàng)目中，你會(huì)發(fā)現(xiàn)，不同的接口、封裝、控制邏輯，會(huì)直接影響到產(chǎn)品的性能
2025-10-24 08:37:33393 設(shè)立全資子公司上海大為捷敏技術(shù)有限公司。 ? 大為捷敏將聚焦發(fā)展高性能存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品及解決方案，深化與本地及全球企業(yè)的技術(shù)合作；充分運(yùn)用上海市集成電路專項(xiàng)政策，加速技術(shù)研發(fā)與成果轉(zhuǎn)化，提升公司半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)的綜合
2025-10-17 09:15:583735 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 全球存儲(chǔ)市場(chǎng)正掀起一場(chǎng)前所未有的漲價(jià)風(fēng)暴。全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商三星電子近日宣布，旗下DRAM和NAND閃存產(chǎn)品價(jià)格全線上調(diào)，部分型號(hào)漲幅高達(dá)30%，猶如一顆巨石投入平靜
2025-09-24 08:45:004365 AI眼鏡等AI終端領(lǐng)域應(yīng)用產(chǎn)品：ePOP嵌入式存儲(chǔ)芯片，擁有多容量組合，如8GB+8Gb、32GB+16Gb、32GB+32Gb、64GB+16Gb、64GB +32Gb，產(chǎn)品通過(guò)了主流平臺(tái)認(rèn)證
2025-08-28 10:01:4831106 
三星手機(jī)無(wú)線充電器搭載美芯晟無(wú)線充電發(fā)射端芯片MT5820
2025-08-22 15:55:204932 
SD NAND 是一種貼片式存儲(chǔ)芯片，內(nèi)部集成 NAND Flash 和 SD 控制器，兼容 SD 協(xié)議，可直接焊接在 PCB 上，無(wú)需插卡槽。相比傳統(tǒng) TF 卡，SD NAND 具有以下優(yōu)勢(shì)：
2025-08-19 14:40:111826 
隨著ChatGPT，DeepSeek等AI模型的火熱，AI的應(yīng)用硬件也發(fā)展迅速。很多廠商針對(duì)特定市場(chǎng)推出了AI產(chǎn)品。在研發(fā)這些產(chǎn)品的時(shí)候，有不少客戶選擇了CS SD NAND作為AI產(chǎn)品的存儲(chǔ)芯片
2025-08-15 17:56:21635 在存儲(chǔ)芯片（DRAM/NAND）制造中，晶圓劃片是將整片晶圓分割成單個(gè)芯片（Die）的關(guān)鍵后道工序。隨著芯片尺寸不斷縮小、密度持續(xù)增加、晶圓日益變薄（尤其對(duì)于高容量3DNAND），傳統(tǒng)劃片工藝帶來(lái)
2025-08-08 15:38:061026 
給大家?guī)?lái)三星的最新消息： 三星將在美國(guó)工廠為蘋(píng)果生產(chǎn)芯片 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子公司將在美國(guó)德克薩斯州奧斯汀的芯片代工廠生產(chǎn)蘋(píng)果公司的下一代芯片。而蘋(píng)果公司在新聞稿中也印證了這個(gè)一消息，在新聞稿中
2025-08-07 16:24:081288 我們來(lái)看看三星的最新消息： 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱，三星Exynos 2600芯片已進(jìn)入質(zhì)量測(cè)試階段，計(jì)劃在今年10月完成基于HPB（High
2025-07-31 19:47:071591 成為了全球存儲(chǔ)芯片巨頭們角逐的焦點(diǎn)。三星電子作為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，一直致力于推動(dòng) HBM 技術(shù)的革新。近日有消息傳出，三星電子準(zhǔn)備從 16 層 HBM 開(kāi)始引入混合鍵合技術(shù)，這一舉措無(wú)疑將在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域掀起新的波瀾。 編輯 ? 編輯 ? 技術(shù)背景：HBM 發(fā)展的必然趨
2025-07-24 17:31:16630 
7月9日，三星正式發(fā)布了新一代折疊屏旗艦手機(jī)Galaxy Z Fold7、Galaxy Z Flip7同步亮相的還有面向大眾市場(chǎng)的Galaxy Z Flip7 FE。相比上一代產(chǎn)品，Galaxy
2025-07-23 09:38:078892 
凈利潤(rùn)下滑。 在全球智能手機(jī)市場(chǎng)，三星是手機(jī)市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)品牌，也是存儲(chǔ)芯片大廠。但是在AI服務(wù)器的HBM市場(chǎng)，三星落后于韓國(guó)SK海力士和美光科技。 Futurum統(tǒng)計(jì)，全球?qū)BM的需求中，英偉達(dá)占比高達(dá)七成，三星遲遲沒(méi)有拿到英偉達(dá)的認(rèn)證，對(duì)近期的財(cái)報(bào)不利。
2025-07-09 00:19:007637 給大家?guī)?lái)一些業(yè)界資訊： 三星電子Q2利潤(rùn)預(yù)計(jì)重挫39% 由于三星向英偉達(dá)供應(yīng)先進(jìn)存儲(chǔ)芯片延遲，三星預(yù)計(jì)將公布4-6月?tīng)I(yíng)業(yè)利潤(rùn)為6.3萬(wàn)億韓元（約46.2億美元；三星電子打算在周二公布初步的業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)
2025-07-07 14:55:29587 , Parallel
XIP：指代碼可以直接在芯片上執(zhí)行，無(wú)需先加載到RAM。
5. 行業(yè)現(xiàn)狀與趨勢(shì)
市場(chǎng)格局：
DRAM：高度集中，被 三星、SK海力士、美光 三大巨頭壟斷。
NAND Flash
2025-06-24 09:09:39
貞光科技作為業(yè)內(nèi)知名的車(chē)規(guī)及工業(yè)元器件供應(yīng)商，現(xiàn)已成為紫光國(guó)芯存儲(chǔ)芯片的授權(quán)代理商。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化的關(guān)鍵時(shí)期，這一合作為推動(dòng)DRAM等關(guān)鍵器件的國(guó)產(chǎn)替代開(kāi)辟了新的渠道。紫光國(guó)芯在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域
2025-06-13 15:41:271298 
據(jù)外媒 SAMMobile 報(bào)道，三星已與英飛凌（Infineon）和恩智浦（NXP）達(dá)成合作，共同研發(fā)下一代汽車(chē)芯片解決方案。 據(jù)悉， 此次合作將基于三星的 5 納米工藝 ，重點(diǎn)是“優(yōu)化內(nèi)存
2025-06-09 18:28:31880 劃片機(jī)（DicingSaw）在半導(dǎo)體制造中主要用于將晶圓切割成單個(gè)芯片（Die），這一過(guò)程在內(nèi)存儲(chǔ)存卡（如NAND閃存芯片、SSD、SD卡等）的生產(chǎn)中至關(guān)重要。以下是劃片機(jī)在存儲(chǔ)芯片制造中的關(guān)鍵
2025-06-03 18:11:11843 
深圳帝歐電子求購(gòu)內(nèi)存SD卡2G,4G,8G,16G,32G,64G,128G,256G,512G......新卡，舊卡，拆機(jī)卡都有收，價(jià)高同行回收三星內(nèi)存TF卡、金士頓TF卡、閃迪TF卡、東芝TF卡
2025-05-21 17:48:25
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購(gòu)適用于三星S21指紋模組?；厥?b class="flag-6" style="color: red">三星指紋排線，收購(gòu)三星指紋排線，全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線，專業(yè)求購(gòu)指紋排線。
回收三星S系列指紋排線，回收指紋模組，回收三星
2025-05-19 10:05:30
集成電路產(chǎn)業(yè)通常被分為芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試三大領(lǐng)域。其中，芯片制造是集成電路產(chǎn)業(yè)門(mén)檻最高的行業(yè)，目前在高端芯片的制造上也只剩下臺(tái)積電（TSMC）、三星（SAMSUNG）和英特爾（Intel）三家了。
2025-05-15 16:50:181521 
在全球供應(yīng)鏈緊張和國(guó)產(chǎn)替代需求推動(dòng)下，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，形成設(shè)計(jì)到封測(cè)一體化的完整生態(tài)。北京君正、兆易創(chuàng)新、紫光國(guó)芯、東芯股份、普冉股份和佰維存儲(chǔ)等六大上市公司在NOR/NANDFlash
2025-05-12 16:01:114743 
電路或系統(tǒng)對(duì)電容的具體要求，包括電容值、額定電壓、工作溫度和頻率等。電容值決定了電容的存儲(chǔ)電荷能力，而額定電壓則決定了電容在正常工作條件下能夠承受的最大電壓。 選擇封裝尺寸：三星貼片電容按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)，提供了
2025-05-07 14:24:43650 Nordic nRF52832 集成 64MHz 的 32 位 Arm?Cortex?M4處理器，運(yùn)算能力強(qiáng)。MKDV2GIL-AST 2Gb SLC SD NAND存儲(chǔ)芯片在低功耗、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠
2025-05-06 14:55:022292 
受一些智能終端消費(fèi)者和企業(yè)客戶因?yàn)閾?dān)憂美國(guó)關(guān)稅而提前采購(gòu)三星智能手機(jī)和通用芯片的影響，三星電子Q1營(yíng)業(yè)利潤(rùn)小幅增長(zhǎng)；三星電子在2025年第一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到6.7萬(wàn)億韓元，同比增長(zhǎng)1.5%，高于
2025-04-30 15:34:33637 在智能電網(wǎng)建設(shè)不斷推進(jìn)的當(dāng)下，三相電表作為電力數(shù)據(jù)采集與監(jiān)測(cè)的關(guān)鍵設(shè)備，其性能優(yōu)劣直接影響電力系統(tǒng)的高效運(yùn)行。而其中的存儲(chǔ)芯片，就如同三相電表的 “記憶中樞”，至關(guān)重要。鈞敏科技深刻洞察行業(yè)需求，主推普冉的一系列 EEPROM/FLASH 產(chǎn)品，為三相電表領(lǐng)域帶來(lái)了卓越解決方案。
2025-04-21 15:09:401108 較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
韓國(guó)法律有規(guī)定每周工作不得超過(guò) 52 小時(shí)，但是在上個(gè)月修訂了法規(guī)，放寬了對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的工時(shí)限制。修訂法規(guī)是因?yàn)榘?b class="flag-6" style="color: red">三星在內(nèi)的一些韓國(guó)企業(yè)投訴工時(shí)法規(guī)嚴(yán)重影響了生產(chǎn)效率。 據(jù)科技媒體
2025-04-16 11:20:32799 在人工智能技術(shù)飛速發(fā)展的2025年，AI眼鏡正從科幻概念走向現(xiàn)實(shí)生活。而這一進(jìn)程中，國(guó)產(chǎn)大模型DeepSeek與存儲(chǔ)芯片技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新，正在為智能眼鏡的智能化、輕量化與實(shí)用化注入新動(dòng)能。本文將從技術(shù)突破、產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動(dòng)與未來(lái)趨勢(shì)三個(gè)維度，解析這三者的深度關(guān)聯(lián)。
2025-04-14 09:44:461263 對(duì)于網(wǎng)絡(luò)謠言三星晶圓代工暫停所有中國(guó)業(yè)務(wù)，三星下場(chǎng)辟謠。三星半導(dǎo)體在官方公眾號(hào)發(fā)文辟謠稱““三星晶圓代工暫停與中國(guó)部分公司新項(xiàng)目合作”的說(shuō)法屬誤傳，三星仍在正常開(kāi)展與這些公司的合作。 而且有媒體報(bào)道稱瑞芯微公司等合作客戶也表示與三星的相關(guān)工作在正常推進(jìn)。
2025-04-10 18:55:33770 AI眼鏡正以驚人的速度從概念走向現(xiàn)實(shí)。據(jù)行業(yè)預(yù)測(cè)，全球AI眼鏡出貨量將在2026年突破1000萬(wàn)副，2030年更將飆升至8000萬(wàn)副，市場(chǎng)規(guī)模超百億美元。這一變革的背后，是兩大核心技術(shù)——MK米客方德SD NAND存儲(chǔ)芯片與紳聚高性能SOC芯片的深度融合。
2025-04-08 09:00:001401 
貼片式SD卡存儲(chǔ)解決方案，通過(guò)硬件與軟件的深度協(xié)同，全面提升了動(dòng)態(tài)心電圖設(shè)備的性能。
1）大容量存儲(chǔ)，滿足數(shù)據(jù)需求
MKDV08GCL-STPA存儲(chǔ)芯片提供了8Gb的存儲(chǔ)容量，能夠輕松應(yīng)對(duì)動(dòng)態(tài)心電圖設(shè)備
2025-03-27 10:56:02
在現(xiàn)代電子制造業(yè)中，貼片電容作為電子元件的重要組成部分，其封裝形式與體積大小對(duì)于電路板的布局、性能及生產(chǎn)效率具有重要影響。三星作為全球知名的電子元器件供應(yīng)商，其貼片電容產(chǎn)品系列豐富，封裝多樣，滿足了
2025-03-20 15:44:591928 
NAND Flash?和?SD卡（SD NAND）的存儲(chǔ)扇區(qū)分配表都是用于管理存儲(chǔ)設(shè)備中扇區(qū)的分配信息。它們記錄了哪些扇區(qū)已被使用、哪些是空閑的，以及文件或數(shù)據(jù)與扇區(qū)的對(duì)應(yīng)關(guān)系，以便實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確讀寫(xiě)和存儲(chǔ)空間的有效管理。
2025-03-13 15:20:281686 
據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來(lái)，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)（SF4X）進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713207 11.0智能操作系統(tǒng)，用戶可以選擇不同存儲(chǔ)配置，包括4GB或8GB的LPDDR4內(nèi)存，以及64GB或128GB的eMMC存儲(chǔ)選項(xiàng)，最大支持128GB的TF卡擴(kuò)展，滿足多
2025-03-03 20:10:35707 
三星電容的耐壓與容量是滿足不同電路需求的關(guān)鍵因素。以下是對(duì)三星電容耐壓與容量的詳細(xì)分析，以及如何根據(jù)電路需求進(jìn)行選擇的方法： 一、三星電容的耐壓值識(shí)別與選擇 1、耐壓值的概念 ：電容長(zhǎng)期可靠地工作
2025-03-03 15:12:57975 
MLCC2220inchX7R1?250V新品問(wèn)世，為這場(chǎng)革命注入了新的活力。作為全球電子元件行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，三星電機(jī)此次推出的高端產(chǎn)品CL55B105KEU6PN#
2025-02-27 16:44:351621 
三星半導(dǎo)體部門(mén)宣布已成功開(kāi)發(fā)出名為S3SSE2A的抗量子芯片，目前正積極準(zhǔn)備樣品發(fā)貨。這一創(chuàng)新的芯片專門(mén)設(shè)計(jì)用以保護(hù)移動(dòng)設(shè)備中的關(guān)鍵數(shù)據(jù)，用以抵御量子計(jì)算可能帶來(lái)的安全威脅。 據(jù)悉，三星
2025-02-26 15:23:282481 其高帶寬存儲(chǔ)器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問(wèn)題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。 此次高層會(huì)晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測(cè)，三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認(rèn)證工作已接近尾聲，這標(biāo)志著三星即將正式邁入英偉達(dá)的HBM供應(yīng)鏈。對(duì)于三星而言
2025-02-18 11:00:38978 還將進(jìn)一步邁出重要一步——建設(shè)第九代V-NAND(286層技術(shù))產(chǎn)線。 報(bào)道指出，為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，三星西安NAND廠將在今年上半年引入生產(chǎn)第九代V-NAND所需的新設(shè)備。這些先進(jìn)設(shè)備的導(dǎo)入，將為產(chǎn)線建設(shè)提供堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，確保技術(shù)升級(jí)順利進(jìn)行。 據(jù)悉，三星西安NAND廠的目標(biāo)
2025-02-14 13:43:271088 在萬(wàn)眾矚目的三星Galaxy S25系列手機(jī)發(fā)布會(huì)上，消費(fèi)者們終于迎來(lái)了國(guó)行價(jià)格的正式公布。此次發(fā)布的Galaxy S25系列手機(jī)涵蓋了Galaxy S25、Galaxy S25+以及旗艦級(jí)
2025-02-12 11:23:391249 近日，三星電子面向中國(guó)市場(chǎng)正式推出了備受期待的新一代高端旗艦智能手機(jī)——Galaxy S25系列。此次發(fā)布的系列包含三款機(jī)型，分別是三星Galaxy S25 Ultra、三星Galaxy S25+
2025-02-12 11:18:221292 據(jù)外媒最新報(bào)道，為了應(yīng)對(duì)NAND閃存市場(chǎng)的供應(yīng)過(guò)剩問(wèn)題，三星電子與SK海力士?jī)纱蟀雽?dǎo)體巨頭已悄然采取措施，通過(guò)工藝轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露，自去年年底以來(lái)，三星電子和SK海力士正積極
2025-02-12 10:38:13856 近日，三星電機(jī)（Samsung Electro-Mechanics）宣布成功推出全球首款專為自動(dòng)駕駛激光雷達(dá)設(shè)計(jì)的1005尺寸超小型高容量多層陶瓷電容器（MLCC）。
2025-02-10 17:37:201099 ——7.05萬(wàn)億韓元，顯示出三星電子在經(jīng)營(yíng)和盈利能力上的穩(wěn)健。 在資本支出方面，三星電子在2024年的總支出為53.6萬(wàn)億韓元，其中芯片資本支出占據(jù)了大部分，達(dá)到了46.3萬(wàn)億韓元。這一大手筆的投資不僅彰顯了三星電子對(duì)于芯片業(yè)務(wù)的重視，也反映出其在半導(dǎo)體
2025-02-05 14:56:10811 近日，三星電子在美國(guó)加州圣何塞成功舉辦了其一年一度的“Galaxy Unpacked”發(fā)布會(huì)。會(huì)上，三星電子不僅推出了備受期待的新旗艦“Galaxy S25”系列手機(jī)，還展示了與谷歌共同研發(fā)
2025-01-24 10:22:431240 據(jù)外媒報(bào)道，芯片巨頭Arm計(jì)劃大幅度提高授權(quán)許可費(fèi)用，漲幅最高可達(dá)300%。這一消息對(duì)三星Exynos芯片的未來(lái)發(fā)展構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
2025-01-23 16:17:48770 今日，高通技術(shù)公司宣布推出驍龍8至尊版移動(dòng)平臺(tái)(for Galaxy)，該平臺(tái)與三星合作定制，將在全球范圍為三星Galaxy S25、S25 Plus和S25 Ultra提供支持。采用強(qiáng)大的、全球
2025-01-23 10:20:461741 據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM（1b DRAM）的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151360 據(jù)外媒SAMMY FANS報(bào)道，三星計(jì)劃在2025年推出四款折疊屏手機(jī)，在折疊屏領(lǐng)域再展宏圖。 此次新品中，三星會(huì)照例更新Flip和Fold產(chǎn)品線，推出Galaxy Z Flip 7和Galaxy
2025-01-22 17:01:362991 據(jù)外媒報(bào)道，三星計(jì)劃在2025年推出一系列創(chuàng)新的折疊屏手機(jī)，其中最為引人注目的是其首款“三折疊”機(jī)型——Galaxy Z Tri-Fold。
2025-01-22 15:40:541374 nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P，其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P相似，顯示出三星在半導(dǎo)體工藝研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新與投入。 據(jù)了解，在決定啟動(dòng)D1B-P項(xiàng)目時(shí)，三星現(xiàn)有的12nm級(jí)DRAM工藝良率
2025-01-22 14:04:071408 半導(dǎo)體互聯(lián)IP企業(yè)Blue Cheetah于美國(guó)加州當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月21日宣布，其新一代BlueLynx D2D裸晶對(duì)裸晶互聯(lián)PHY物理層芯片在三星Foundry的SF4X先進(jìn)制程上成功流片。 三星
2025-01-22 11:30:15962 近期，德明利嵌入式存儲(chǔ)芯片eMMC，通過(guò)主流5G通訊方案商紫光展銳新一代芯片移動(dòng)平臺(tái)的產(chǎn)品認(rèn)證許可，成為德明利首批通過(guò)紫光展銳認(rèn)可并應(yīng)用于其主流5G生態(tài)系統(tǒng)的高端存儲(chǔ)芯片，在5G智能終端、物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域
2025-01-21 16:35:112135 
國(guó)內(nèi)首顆！支持ONFI 5.0 的TW6501 SATA SSD存儲(chǔ)芯片
2025-01-21 16:33:05914 
產(chǎn)品價(jià)格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計(jì)劃后，全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉，SK海力士計(jì)劃將上半年NAND Flash存儲(chǔ)器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無(wú)疑將對(duì)市場(chǎng)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 根據(jù)機(jī)構(gòu)先前發(fā)布的報(bào)告，SK海力士在NAND Flash存儲(chǔ)器領(lǐng)
2025-01-20 14:43:551095 、CSNP32GCR01-AOW分別為8GB、4GB雷龍二代SD NAND.前者樣片幫焊接在轉(zhuǎn)接板上，后者單芯片可以在需要SD NAND的開(kāi)發(fā)板上焊接上直接替換SD卡。
了解雷龍SD Nand
首先對(duì)芯片做些
2025-01-19 13:26:38
近日，有關(guān)三星考慮委托臺(tái)積電量產(chǎn)其Exynos芯片的消息引起了廣泛關(guān)注。據(jù)悉，這一消息最初由知名博主Jukanlosreve于2024年11月13日在X平臺(tái)上發(fā)布。該博主在推文中透露，三星正在尋求
2025-01-17 14:15:52887 問(wèn)題，再也不用為SD卡的接觸穩(wěn)定性操心！ SD nand 和 SD 卡、SPI Nor flash、 nand flash、eeprom一樣，都是嵌入式系統(tǒng)中常見(jiàn)的用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)所使用的存儲(chǔ)芯片。 SD
2025-01-15 18:16:491578 
問(wèn)題，再也不用為SD卡的接觸穩(wěn)定性操心！
SD nand 和 SD 卡、SPI Nor flash、 nand flash、eeprom一樣，都是嵌入式系統(tǒng)中常見(jiàn)的用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)所使用的存儲(chǔ)芯片
2025-01-15 18:15:53
2025年1月14日，全球科技巨頭三星正式宣布推出其最新的無(wú)線充電芯片S2MIW06。這款芯片以其突破性的性能與全面兼容性迅速引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。S2MIW06不僅支持最高50W的無(wú)線快充，還具
2025-01-15 11:06:002394 
近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前，全球NAND閃存市場(chǎng)面臨供過(guò)于求的局面，預(yù)計(jì)今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24866 近日，三星電子宣布將對(duì)其在中國(guó)西安的NAND閃存工廠實(shí)施減產(chǎn)措施，以應(yīng)對(duì)全球NAND市場(chǎng)供過(guò)于求的現(xiàn)狀及預(yù)期的價(jià)格下滑趨勢(shì)。據(jù)《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星決定將該工廠的晶圓投入量削減超過(guò)10%，預(yù)計(jì)每月
2025-01-14 10:08:09851 經(jīng)官方正版授權(quán)，此系列卡共推出四種容量規(guī)格，最大容量高達(dá) 1TB，將索尼克的獨(dú)特元素融入三星 microSD 存儲(chǔ)卡上，該卡擁有出色的讀寫(xiě)速度、良好的耐用性能以及廣泛的設(shè)備兼容性。 ? 近日，三星
2025-01-13 17:56:35710 
隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，對(duì)先進(jìn)存儲(chǔ)芯片的需求日益增長(zhǎng)。在此背景下，美光科技宣布將在新加坡投資70億美元，擴(kuò)建其制造業(yè)務(wù)，以滿足市場(chǎng)需求。 周三，美光科技在新加坡的新工廠正式破土動(dòng)工。據(jù)悉，該工廠
2025-01-09 11:34:431465
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