的堆疊NAND閃存 V-NAND實現(xiàn)了具有最新第六代產(chǎn)品的128層單堆疊，并通過TLC實現(xiàn)了512 Gb（千兆位）容量。它計劃于2020年投放市場，并且正在針對在5年內(nèi)達到500層或更多層的堆棧
2019-11-25 09:52:31
6442 投資80億美元。 根據(jù)一份新報告，三星將增加對中國芯片工廠的投資，以促進NAND閃存芯片的生產(chǎn)。據(jù)推測，在大筆投資之前，該公司預(yù)測由于供應(yīng)有限以及對第五代網(wǎng)絡(luò)和設(shè)備的需求增加，明年內(nèi)存需求的激增將反彈。 目前，三星是全
2019-12-13 15:44:314805 畿道華城的三星華城半導(dǎo)體工廠停電約1分鐘。 由于這次事故，三星電子停止了其位于韓國華城芯片工廠的部分DRAM和NAND閃存芯片生產(chǎn)線，該公司目前這些產(chǎn)線正在檢修中。 預(yù)計損失將小于三星平澤半導(dǎo)體工廠在2018年的損失。在平澤半導(dǎo)體工廠停電期間，三星
2020-01-02 10:45:156202 三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發(fā)作業(yè)，計劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產(chǎn)品后，于2016年生產(chǎn)64層堆疊的V-NAND產(chǎn)品。
2015-08-11 08:32:001030 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 電子發(fā)燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 V-NAND 1Tb TLC達290層，已開始量產(chǎn)。根據(jù)規(guī)劃，2025年主流閃存廠商的產(chǎn)品都將進入300層+，甚至400層以上。至于遠期，到2030年閃存有望突破1000層。 ? 2024 年三星第9 代
2024-05-25 00:55:005554 
三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹先生表示，三星不斷進行技術(shù)創(chuàng)新，新一代的QLC產(chǎn)品成本可以降低60%，同時還推出了容量高達1Tb的V-NAND技術(shù)，速度將會達到1200Mbps。在市場應(yīng)用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
較為激進的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
據(jù)美國研究公司ICInsights發(fā)布報告預(yù)計，銷售額顯示，三星電子有很大可能性，超過英特爾成為全球最大的芯片商。 油柑網(wǎng)利用WMS物流系統(tǒng)在高準(zhǔn)確率、優(yōu)化倉儲空間、提高人工效率等方面的特點，為用戶
2019-04-24 17:17:53
本帖最后由 elecfans跑堂 于 2015-9-14 10:19 編輯
新五代的密碼哦
2015-09-12 12:17:58
對DRAM芯片的強勁需求將繼續(xù)超過供應(yīng)，因三星和第二大記憶體芯片廠商SK海力士的新廠料在2019年前不會投產(chǎn)；此外，截至9月NAND閃存的需求則連續(xù)第六季超過供應(yīng)。供蘋果新手機使用的有機發(fā)光二極體（OLED）面板的銷售增長，也支撐了第四季獲利創(chuàng)紀(jì)錄新高的預(yù)期。
2017-10-13 16:56:04
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
有什么方法能證明混合電子傳輸層提高了器件效率？該如何去操作這類實驗？
2021-04-07 06:16:45
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手冊說有Unique ID可以用，但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區(qū)域，可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02
高價回收三星芯片高價回收三星芯片，專業(yè)收購三星芯片。深圳帝歐專業(yè)電子回收，高價收購ic電子料。帝歐趙生***（同步微信），QQ:1816233102/764029970郵箱
2021-07-06 19:32:41
韓國三星電子公司周一說，它和蘋果電腦公司就合資生產(chǎn)NAND閃存芯片的談判已告失敗。NAND閃存芯片是蘋果最新便攜音樂播放
2006-03-13 13:05:36610 三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700 三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達64GB
2010-01-14 17:00:041005 閃存巨頭再度發(fā)力：三星公司在本屆閃存記憶體峰會上連續(xù)公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64層3D NAND構(gòu)建而成，即三星旗下的V-NAND品牌，同時配合TLC（即三層單元）設(shè)計。
2016-08-19 15:57:111041 三維閃存“V-NAND”技術(shù)實現(xiàn)了每芯片32GB（256Gbit）的大容量化。也就是運用MLC（Multi Level Cell）技術(shù)的第三代V-NAND，嘗試在每個芯片內(nèi)垂直堆疊了48層存儲單元。
2016-10-31 17:57:241111 3月7日消息，雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者，但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者，并且其優(yōu)勢在不斷擴大。
2017-03-07 15:53:451726 做為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商，三星將在2021年前對位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外，位于華城市的半導(dǎo)體生產(chǎn)線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元，將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時，三星還計劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。
2017-07-04 15:57:301192 三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商，這次開足馬力讓第四代3D NAND閃存芯片大規(guī)模生產(chǎn)，可以緩解閃存、SSD目前短缺的狀況，當(dāng)然也能拉低產(chǎn)品的售價。
2017-07-05 08:47:54795 三星表示，這款512GB的閃存芯片專門面向移動設(shè)備開發(fā)，其中整合了八個多層存儲數(shù)據(jù)的V-NAND芯片。和過去三星256GB的芯片相比，雖然容量翻一倍，但是使用的空間卻相同。這給手機設(shè)計帶來了福音。
2017-12-06 11:03:441513 據(jù)悉，東芝的第 6 座工廠（Fab 6）還沒有完工，東芝就宣布將在日本興建第7座NAND Flash工廠，韋德就是能在2018年與三星，Intel、及 SK 海力士進行實力競爭。94 層 V-NAND 閃存生產(chǎn)將會是東芝的下一個計劃。
2017-12-27 14:06:092171 三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計劃除了部分車用產(chǎn)品外，2018年將進一步提升3D NAND生產(chǎn)比重至90%以上，全面進入3D NAND時代。
2018-07-06 07:02:001447 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一，也是中國最先進的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動設(shè)備和其它消費電子產(chǎn)品。
2018-02-09 10:18:468075 在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產(chǎn)品。
2018-05-16 23:41:001196 三星電子今天宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS），以用于下一代移動設(shè)備。據(jù)介紹，三星512GB eUFS采用了三個三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 三星終于宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND存儲芯片，聲稱其堆疊層數(shù)超過90層，可能指的是其96層，制造生產(chǎn)率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可擁有更高的傳輸速度。
2018-07-12 14:46:002034 據(jù)外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應(yīng)時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 近日，存儲芯片大廠三星正式宣布已開始量產(chǎn)96層堆疊、單Die 32GB容量的第五代V-NAND閃存芯片。同時，三星還正式發(fā)布了首款LPDDR5內(nèi)存芯片?？梢哉f，三星在存儲領(lǐng)域進一步拉開了與其他競爭對手的差距。
2018-07-22 08:52:4711171 
面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 三星電子有限公司今天宣布推出三星移動固態(tài)硬盤T5-全新的移動固態(tài)硬盤（PSSD），提升了外部存儲產(chǎn)品的性能標(biāo)準(zhǔn)。T5采用三星最新的64層V-NAND（垂直NAND）技術(shù)和緊湊耐用的設(shè)計，具有業(yè)界領(lǐng)先的傳輸速度和加密的數(shù)據(jù)安全性，使消費者更輕松隨時隨地訪問其最有價值的數(shù)據(jù)。
2018-07-26 17:43:092951 三星電子也不甘示弱，早先已經(jīng)宣布量產(chǎn)96層堆疊第五代V-NAND閃存，并宣布會在年內(nèi)推出全球第一款32TB超大容量SSD。
2018-08-07 14:32:115170 近日，存儲芯片大廠三星正式宣布已開始量產(chǎn)96層堆疊、單Die 32GB容量的第五代V-NAND閃存芯片。同時，三星還正式發(fā)布了首款LPDDR5內(nèi)存芯片。可以說，三星在存儲領(lǐng)域進一步拉開了與其他競爭對手的差距。
2018-08-17 14:52:2227795 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521379 三星新一代860 QVO系列固態(tài)硬盤于今日上架美國官網(wǎng)，作為三星首款面向消費者的QLC固態(tài)硬盤，它采用傳統(tǒng)的2.5寸盤規(guī)格，內(nèi)部為三星自主MJX主控、三星自產(chǎn)V-NAND QLC閃存顆粒，容量規(guī)格有1TB、2TB、4TB。1TB版本官方建議零售價149.99美元。
2018-11-30 14:08:012848 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 在2016年的舊金山閃存峰會上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間）、包含獨特的電路設(shè)計與優(yōu)化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 的V-NAND閃存，目前已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND技術(shù)，堆棧層數(shù)從之前的24層提高到了48層，TLC類型的3D NAND核心容量可達到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。
2019-09-04 09:17:137175 8月6日，三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)250千兆字節(jié)（SATA）固態(tài)硬盤（SSD），該硬盤集成了該公司的第六代（1xx層）256Gb，適用于全球PC OEM的三位V-NAND。通過在短短13個月內(nèi)推出新一代V-NAND，三星已將批量生產(chǎn)周期縮短了四個月，同時確保了業(yè)界最高的性能，功效和制造生產(chǎn)率。
2019-08-07 17:10:553350 
三星發(fā)布全新企業(yè)級固態(tài)硬盤PM1733，該產(chǎn)品采用了三星自家研發(fā)的主控，搭配自家的第五代V-NAND閃存，單Die容量512Gb(64GB)，提供兩種不同規(guī)格，一個是2.5英寸雙U.2接口，另一個是PCIe接口。
2019-08-21 16:52:493293 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計技術(shù)。
2019-09-03 10:38:04981 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計技術(shù)。
2019-09-09 16:05:251778 三星電子計劃將其NAND閃存價格提高10％，原因是日本政府對半導(dǎo)體材料出口限制導(dǎo)致生產(chǎn)中斷的擔(dān)憂日益增加。美光科技等其他公司也可能效仿。
2019-11-18 15:37:411013 三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)250千兆字節(jié)（GB）SATA固態(tài)硬盤（SSD），該硬盤集成了該公司的第6代（1xx層）256千兆位（Gb）三位V- NAND。該公司已將SSD交付給全球PC制造商。
2019-11-22 17:07:39896 三星是全球最大的存儲芯片生產(chǎn)商、供應(yīng)商，僅僅是NAND閃存就占了全球1/3的份額，不過韓國本土的工廠已經(jīng)不是最大的閃存生產(chǎn)基地了，三星這幾年來大力投資中國西安，一期及正在建設(shè)中的二期投資已經(jīng)將西安工廠變成了全球最大的閃存基地。
2019-12-11 15:25:071436 12 月 11 日訊，近日，三星電子閃存芯片項目二期第二階段 80 億美元投資正式啟動。據(jù)悉，三星電子一期投資 108 億美元，建成了三星電子存儲芯片項目和封裝測試項目；二期項目總投資 150 億美元，主要制造閃存芯片。
2019-12-12 11:37:56743 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481655 固態(tài)硬盤市場的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的，也是目前技術(shù)最強的，已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)達到了48層。
2019-12-22 11:19:011518 根據(jù)消息報道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn)，今年下半年可能會實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:345215 據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776 6月1日，三星電子宣布，將擴大其在韓國平澤市（Pyeongtaek）NAND閃存芯片生產(chǎn)能力。
2020-06-02 14:55:022317 近日，三星電子宣布了在韓國平澤廠區(qū)的擴產(chǎn)計劃，除擴建采用極紫外光（EUV）的晶圓代工生產(chǎn)線及DRAM產(chǎn)能之外，還將擴大3DNAND閃存方面的產(chǎn)能規(guī)模。業(yè)界預(yù)估三星電子僅用于3DNAND閃存方面
2020-06-16 10:07:173960 繼三星去年實現(xiàn)量產(chǎn)128層第六代NAND閃存芯片后，又在兩個月前宣布將完成160層第七代NAND閃存芯片的開發(fā)，目前看來三星已經(jīng)將對手遠遠甩在身后。
2020-06-18 16:06:512328 我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:528552 據(jù)美媒Anandtech報道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產(chǎn)品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲單元設(shè)計轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:593478 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212927 1月15日消息，據(jù)國外媒體報道，由于市場上的圖像傳感器嚴(yán)重短缺，三星已從2020年12月份開始將CMOS圖像傳感器（CIS）的價格提高了40%左右，而其他圖像傳感器供應(yīng)商也將CIS的價格提高了20%左右。
2021-01-15 10:20:243144 三星已經(jīng)宣布了一項新技術(shù)，使您可以在智能手機的屏幕下方使用攝像頭，現(xiàn)在有新消息指出，組件短缺危機可能會對CMOS傳感器市場產(chǎn)生非常嚴(yán)重的影響，三星應(yīng)該提高CMOS傳感器的價格。根據(jù)最近的消息來源，這一比例達到40％
2021-01-17 10:03:542314 了解到，與基于第五代 V-NAND 的 PM983a （M.2）相比，PM9A3 的性能得到了顯著提升，擁有 3000MB/s 順序?qū)懭胨俣群?750K IOPS 隨機讀取速度以及 160K IOPS
2021-02-24 16:00:212319 眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領(lǐng)先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競爭對手開始表現(xiàn)出更好的工藝，它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:373205 官方發(fā)布 今日，三星宣布已開發(fā)出用于企業(yè)服務(wù)器的PM1743固態(tài)硬盤。PM1743固態(tài)硬盤擁有最新的PCIe 5.0接口和三星先進的第6代V-NAND閃存技術(shù)。
2021-12-30 11:57:363958 三星的UFS4.0閃存芯片采用全新第7代V-NAND技術(shù)，傳輸帶寬每通道達到23.2Gbps，相較UFS3.1提升一倍，順序讀取速度可以達到4200MB/s，同時順序?qū)懭胨俣纫蔡嵘?800MB/s
2022-05-05 10:45:274464 
市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求，更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案，有望成為未來存儲創(chuàng)新的基礎(chǔ)。
2022-11-07 10:33:551380 * 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲密度，可更高效地為企業(yè)擴展存儲空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會
2022-11-08 13:37:361626 三星采用 3D 縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。通過這項技術(shù)，三星顯著的提升每片晶圓的存儲密度，使三星的存儲密度達到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25848 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
2022-12-06 10:39:311027 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃，預(yù)計在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達到280層
2023-07-04 17:03:293143 據(jù)《電子時報》報道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫存緩慢，很難說服上調(diào)價格。
2023-08-02 11:56:241964 三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中，由于市場持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲器減產(chǎn)計劃。
2023-08-16 10:23:581259 最近，三星集團援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052016 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 三星決定升級西安工廠的原因大致有兩個。第一，在nand閃存市場尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下，在nand閃存市場保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導(dǎo)體景氣低迷的影響，三星nand的銷量增加，從而使虧損擴大。
2023-10-16 14:36:001975 三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個閃存市場，穩(wěn)定NAND閃存價格，并實現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:112288 三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標(biāo)價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995 據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達290層，但IT之家此前曾報道過，三星在學(xué)術(shù)會議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391415 據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591504 三星公司預(yù)計將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當(dāng)前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。
2024-04-18 09:49:201500 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 作為九代V-NAND的核心技術(shù)，雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計算領(lǐng)域。據(jù)了解，三星計劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)
2024-04-28 10:08:011540 在技術(shù)層面，第九代V-NAND無疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實力。它采用了雙重堆疊技術(shù)，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎(chǔ)上，再次實現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破，堆疊層數(shù)飆升至驚人的290層。
2024-04-28 16:02:241874 第九代V-NAND采用雙堆疊設(shè)計，將旗艦版V8閃存原先的236層進一步增加至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計算設(shè)備領(lǐng)域。
2024-04-28 17:36:181369 據(jù)悉，Switch 2游戲機可能搭載由三星代工廠生產(chǎn)的SoC（英偉達Tegra T239芯片，采用三星7LPH工藝節(jié)點）。此外，任天堂還計劃采用三星第五代V-NAND存儲技術(shù)以及三星作為顯示面板供應(yīng)商。
2024-04-29 10:23:182172 據(jù)報道，三星電子在最新的半導(dǎo)體技術(shù)探索中遭遇了挑戰(zhàn)。其第五代10nm級（1b）制程DRAM的良率尚未達到業(yè)界通常期望的80%~90%的水平，這一狀況引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-13 09:41:181485 據(jù)韓國媒體最新報道，三星電子在其第9代V-NAND閃存技術(shù)中實現(xiàn)了重大突破，首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬（Mo）技術(shù)。這一創(chuàng)新標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的又一次技術(shù)飛躍。
2024-07-04 09:23:501262 三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星在存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先，也預(yù)示著數(shù)據(jù)存儲市場即將迎來一場革命性的變革。
2024-09-12 16:27:311109 三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品，集成了多項前沿技術(shù)突破，標(biāo)志著數(shù)據(jù)存儲性能與容量的全新飛躍。這款基于雙堆棧架構(gòu)的QLC V-NAND，通過創(chuàng)新的通道孔蝕刻技術(shù)，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的單元層數(shù)，為各類AI應(yīng)用提供了前所未有的內(nèi)存解決方案。
2024-09-23 14:53:521479 三星電子在車載存儲技術(shù)領(lǐng)域邁出了重要一步，正式宣布成功研發(fā)出業(yè)界首款基于其先進第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。這一創(chuàng)新成果不僅標(biāo)志著三星在車載數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的深厚積累與前瞻布局，更為未來智能汽車的高性能、高效率數(shù)據(jù)存儲需求提供了強有力的支持。
2024-09-24 15:24:031104 近日，據(jù)供應(yīng)鏈消息，三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對NAND閃存進行減產(chǎn)，并預(yù)計根據(jù)市場狀況分階段實施。
2024-10-30 16:18:46970 的廣泛關(guān)注。 然而，三星電子并未對這一傳聞進行正面回應(yīng)，反而強調(diào)市場傳言不實，并表示未來將持續(xù)生產(chǎn)MLC NAND閃存。盡管如此，多家供應(yīng)鏈業(yè)者仍指出，三星在年底進行的人事大改組后，產(chǎn)線規(guī)劃很可能也會有所調(diào)整，這進一步加劇了業(yè)界對MLC NAND閃存未來命運的擔(dān)
2024-11-21 14:16:121474 的使用量降低至目前的一半。這一技術(shù)革新不僅將顯著降低生產(chǎn)成本，還將有助于提升生產(chǎn)效率，為三星在全球NAND閃存市場的競爭中增添更多優(yōu)勢。 光刻膠是半導(dǎo)體制造過程中不可或缺的關(guān)鍵材料之一，其質(zhì)量和性能直接影響到芯片的生產(chǎn)質(zhì)量和良
2024-11-27 11:00:24957 價格將出現(xiàn)暴跌。在這樣的市場環(huán)境下，三星電子面臨著巨大的壓力，難以維持過去那種壓倒性的生產(chǎn)力。 據(jù)報道，SK海力士正在積極增加NAND閃存的供應(yīng)規(guī)模，這無疑加劇了市場競爭。面對如此激烈的競爭環(huán)境，三星電子不得不重新審視自身的生產(chǎn)策略
2025-01-14 14:21:24867 還將進一步邁出重要一步——建設(shè)第九代V-NAND(286層技術(shù))產(chǎn)線。 報道指出，為了實現(xiàn)這一目標(biāo)，三星西安NAND廠將在今年上半年引入生產(chǎn)第九代V-NAND所需的新設(shè)備。這些先進設(shè)備的導(dǎo)入，將為產(chǎn)線建設(shè)提供堅實的基礎(chǔ)，確保技術(shù)升級順利進行。 據(jù)悉，三星西安NAND廠的目標(biāo)
2025-02-14 13:43:271092
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論