的堆疊NAND閃存 V-NAND實現(xiàn)了具有最新第六代產(chǎn)品的128層單堆疊，并通過TLC實現(xiàn)了512 Gb（千兆位）容量。它計劃于2020年投放市場，并且正在針對在5年內(nèi)達到500層或更多層的堆棧
2019-11-25 09:52:31
6442 1月7日消息，三星電子已開始批量生產(chǎn)基于極紫外（EUV）技術(shù)的6nm（nm）半導體芯片。該公司自開始大規(guī)模生產(chǎn)7nm產(chǎn)品以來，僅在八個月內(nèi)就推出了6nm產(chǎn)品。三星的微加工工藝技術(shù)升級周期正在縮短
2020-01-07 12:03:104766 三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發(fā)作業(yè)，計劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產(chǎn)品后，于2016年生產(chǎn)64層堆疊的V-NAND產(chǎn)品。
2015-08-11 08:32:001030 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 電子發(fā)燒友早八點訊：手機市場已經(jīng)開始全面向OLED時代過渡，前段時間LG計劃開始第六代OLED顯示屏的大規(guī)模量產(chǎn)，產(chǎn)品將用于今年的旗艦機型LG V30。面對LG來勢洶洶的猛追，OLED領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊三星自然也有對策，最近的消息稱三星已經(jīng)開始策劃生產(chǎn)第七代OLED面板了。
2017-04-20 09:37:032316 電子發(fā)燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 三星電子公司周四表示，其在韓國的第六條代工芯片生產(chǎn)線已于本月較早時破土動工，計劃明年下半年開始生產(chǎn)，將生產(chǎn)邏輯芯片，以減少其對波動較大的存儲芯片部門的依賴。
2020-05-21 11:43:205023 數(shù)據(jù)傳輸模塊
2024-03-15 10:23:31
芯片制造商。 獨占半壁江山 但跟核心處理器芯片不同的是，三星的增長是受益于不斷漲價的存儲芯片。數(shù)據(jù)顯示，英特爾預計在2017年二季度將實現(xiàn)144億美元的銷售額，而三星電子的銷售額預計將達到146億美元
2019-04-24 17:17:53
三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹先生表示，三星不斷進行技術(shù)創(chuàng)新，新一代的QLC產(chǎn)品成本可以降低60%，同時還推出了容量高達1Tb的V-NAND技術(shù)，速度將會達到1200Mbps。在市場應用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設備生產(chǎn)基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
。如下圖，這是一個碼表，我看到他的單片機封裝得好奇怪，但我覺得應該是批量生產(chǎn)省成本的吧？我現(xiàn)在用來學習的89C52 是可以不斷改寫的，而我批量生產(chǎn)時，當然是不需要的是吧？問題是：我想要批量生產(chǎn)可以支持
2013-09-21 19:45:43
DMA的數(shù)據(jù)傳輸速率是多少？由于DMA與CPU無關(guān)，所以CPU的速率可能不高。你知道DMAC的時鐘是什么嗎？ 以上來自于百度翻譯 以下為原文What is the rate of data
2019-05-14 11:13:02
1 引 言 隨著市場上對無線數(shù)據(jù)業(yè)務的需求日益增多，運營商紛紛大力發(fā)展自身領(lǐng)域內(nèi)的數(shù)據(jù)服務，力求在激烈的競爭中占得先機。傳統(tǒng)的GSM網(wǎng)絡僅能支持9.6 kb／s速率的數(shù)據(jù)傳輸業(yè)務，這遠遠不能
2019-07-05 06:05:11
我遇到了 SPI 數(shù)據(jù)傳輸速率問題。 盡管將 SPI 時鐘頻率設置為 20 MHz，但我只獲得了 2 Kbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率。 我正在以 115200 的波特率通過 UART 監(jiān)控數(shù)據(jù)。
我正在 cyfxusbspidmamode 示例代碼上嘗試這個。
有誰知道為什么會發(fā)生這種情況或?qū)θ绾谓鉀Q此問題有何建議？
2025-05-15 08:29:13
看到一個公式，數(shù)據(jù)傳輸率：13.56MHZ/128 = 106Kbit/s；其中13.56MHZ是載波頻率，為什么要除以128，數(shù)據(jù)傳輸速率和載波頻率有什么關(guān)系？
2023-05-10 17:13:18
在數(shù)字通信中的數(shù)據(jù)傳輸速率與調(diào)制速率是兩個容易混淆的概念。數(shù)據(jù)傳輸速率（又稱碼率、比特率或數(shù)據(jù)帶寬）描述通信中每秒傳送數(shù)據(jù)代碼的比特數(shù)，單位是bps。
2021-04-23 07:34:17
記錄儀）等產(chǎn)品上得到應用。經(jīng)驗證，該方案可以滿足汽車行駛記錄儀對數(shù)據(jù)傳輸的要求，極大的提高了數(shù)據(jù)傳輸的速率和可靠性。
2018-12-04 10:37:41
你好，請問ldc1000在與主機進行數(shù)據(jù)傳輸的過程中，數(shù)據(jù)傳輸速率設置為多大合適（我的差不多1M）,但數(shù)據(jù)一直不對····
2025-01-17 06:37:48
提供領(lǐng)先的創(chuàng)新視頻和顯示處理解決方案提供商——Pixelworks, Inc.（納斯達克股票代碼：PXLW）今日發(fā)布了其第六代移動視覺處理器---i6，這是首款基于Pixelworks大量移動顯示
2020-11-23 14:02:58
HMC746LC3C是一款AND/NAND/OR/NOR門，設計支持高達13 Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率和高達13 GHz的時鐘頻率。 HMC746可輕松配置為提供下列任一種邏輯功能： AND、NAND
2023-11-06 21:44:45
HMC726LC3C是一款AND/NAND/OR/NOR門，設計支持高達13 Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率和高達13 GHz的時鐘頻率。 HMC726可輕松配置為提供下列任一種邏輯功能： AND、NAND
2023-11-06 21:50:26
HMC722LP3E是一個AND/NAND/OR/NOR功能，旨在支持最高13 Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率和高達13 GHz的時鐘頻率。 HMC772LP3E可輕松配置為提供以下任何邏輯功能
2023-11-06 22:01:42
??? 在數(shù)字通信中的數(shù)據(jù)傳輸速率與調(diào)制速率是兩個容易混淆的概念。數(shù)據(jù)傳輸速率（又稱碼
2006-04-16 23:44:283124 
三星稱將開始批量生產(chǎn)3D LED和LCD電視面板
據(jù)報道，韓國三星電子28日表示，將開始批量生產(chǎn)3DLED和LCD電視面板。三星電
2010-01-28 09:25:31631 三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國外媒體報道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費者使用，準備應用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:261010 數(shù)據(jù)傳輸速率是什么意思
數(shù)據(jù)傳輸速率是通過信道每秒可傳輸的數(shù)字信息量的量度。數(shù)據(jù)傳輸速率也稱為吞吐率。數(shù)據(jù)傳輸速率由很
2010-03-18 14:45:205185 3月25日消息，據(jù)國外媒體報道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱，它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新型移動DRAM內(nèi)存芯片。
2011-03-25 10:45:301048 中國，北京-2014年10月29日-硅電視調(diào)諧器領(lǐng)導廠商Silicon Labs（芯科實驗室有限公司，NASDAQ:SLAB）今天宣布推出高性能且經(jīng)過現(xiàn)場驗證的第六代電視調(diào)諧器IC。
2014-10-29 16:29:081387 高速數(shù)據(jù)傳輸在家具生產(chǎn)設備上的應用
2017-02-07 18:09:20
10 業(yè)界首款16Gb GDDR6顯存芯片即將投入量產(chǎn)，傳可提供72GB/s的數(shù)據(jù)傳輸率，使用的是10nm級工藝，三星稱功耗會降低35%。
2018-01-19 14:34:371348 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業(yè)氣體供應商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一，也是中國最先進的半導體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動設備和其它消費電子產(chǎn)品。
2018-02-09 10:18:468073 據(jù)新華社消息，5月17日，在河北省廊坊市固安產(chǎn)業(yè)新城，維信諾（固安）第六代全柔AMOLED屏幕面板生產(chǎn)線正式啟動。
2018-05-18 10:55:003527 在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產(chǎn)品。
2018-05-16 23:41:001196 近年來中國大陸地區(qū)一直深耕OLED技術(shù)，京東方、華星光電、天馬微電子等都相繼建設OLED屏幕產(chǎn)線，為下一輪技術(shù)爭奪做好了充足的準備。其中，天馬的第六代AMOLED生產(chǎn)線早在去年4月就已經(jīng)成功點亮，這是全球第一條同時點亮剛性和柔性顯示屏的第六代AMOLED生產(chǎn)線，本月也將實現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-06-13 15:55:002365 三星電子今天宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS），以用于下一代移動設備。據(jù)介紹，三星512GB eUFS采用了三個三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 介紹了tcp協(xié)議：數(shù)據(jù)傳輸的問題（交互式數(shù)據(jù)傳輸，批量數(shù)據(jù)傳輸，流量控制，擁塞避免）
2018-07-03 11:05:004094 
三星終于宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND存儲芯片，聲稱其堆疊層數(shù)超過90層，可能指的是其96層，制造生產(chǎn)率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可擁有更高的傳輸速度。
2018-07-12 14:46:002032 據(jù)外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 三星電子有限公司今天宣布推出三星移動固態(tài)硬盤T5-全新的移動固態(tài)硬盤（PSSD），提升了外部存儲產(chǎn)品的性能標準。T5采用三星最新的64層V-NAND（垂直NAND）技術(shù)和緊湊耐用的設計，具有業(yè)界領(lǐng)先的傳輸速度和加密的數(shù)據(jù)安全性，使消費者更輕松隨時隨地訪問其最有價值的數(shù)據(jù)。
2018-07-26 17:43:092951 此外，新的V-NAND數(shù)據(jù)寫入速度僅延遲了500微妙，與前一代相比改進了30%，讀取信號時間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節(jié)能，電壓從1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:001476 第六代微軟小冰正式發(fā)布，相比與以往的低調(diào)，此次微軟小冰六代的發(fā)布會現(xiàn)場格外盛大。
2018-07-31 15:08:507198 8月30日下午，合肥第六代柔性AMOLED生產(chǎn)線項目簽約落戶合肥新站高新科技產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，總投資400億！
2018-09-07 11:42:175548 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 2月19日消息，有網(wǎng)友在小米公司產(chǎn)品總監(jiān)王騰微博下評論：“人家隔壁都官員要出第六代屏幕指紋了，滕總不科普下小米9不用的原因嗎？”（iQOO新機將搭載第六代屏幕指紋，這可能是全球首款使用第六代屏幕指紋識別的智能手機）。
2019-02-20 09:14:366672 本周，Intel發(fā)布產(chǎn)品調(diào)整通知，宣布第六代酷睿處理器進入EOL階段（end of life），也就是開始退役。
2019-03-07 10:47:493315 
三星電子14日表示，將批量生產(chǎn)史上最大容量的移動式DRAM“12GB LPDDR4X”（Low Power Double Data Rate 4X）。
2019-03-18 16:52:13950
據(jù)彭博社報道，三星電子公司副主席李在镕表示該公司將繼續(xù)投資未來的業(yè)務，包括第六代移動網(wǎng)絡和系統(tǒng)芯片。這家韓國科技巨頭面臨著一個快速變化的全球商業(yè)環(huán)境，而這已經(jīng)給利潤帶來壓力。
三星在
2019-06-17 17:00:243088 在2016年的舊金山閃存峰會上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間）、包含獨特的電路設計與優(yōu)化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 8月6日，三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)250千兆字節(jié)（SATA）固態(tài)硬盤（SSD），該硬盤集成了該公司的第六代（1xx層）256Gb，適用于全球PC OEM的三位V-NAND。通過在短短13個月內(nèi)推出新一代V-NAND，三星已將批量生產(chǎn)周期縮短了四個月，同時確保了業(yè)界最高的性能，功效和制造生產(chǎn)率。
2019-08-07 17:10:553350 
三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設計技術(shù)。
2019-09-03 10:38:04981 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設計技術(shù)。
2019-09-09 16:05:251778 固態(tài)硬盤市場的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的，也是目前技術(shù)最強的，已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)達到了48層。
2019-12-22 11:19:011517 據(jù)消息報道，韓國PCB制造商DAP已開始為三星電子即將推出的旗艦智能手機Galaxy S11系列批量生產(chǎn)電路板。隨著三星逐步削減其智能手機業(yè)務，預計DAP將在2020年主要為高端三星智能手機提供PCB板。
2019-12-23 17:16:184518 據(jù)韓國網(wǎng)站Elec顯示，LG目前正在升級其生產(chǎn)設施，以為2020年推出的iPhone提供第六代OLED面板。
2020-01-05 10:43:433192 據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776 繼三星去年實現(xiàn)量產(chǎn)128層第六代NAND閃存芯片后，又在兩個月前宣布將完成160層第七代NAND閃存芯片的開發(fā)，目前看來三星已經(jīng)將對手遠遠甩在身后。
2020-06-18 16:06:512328 ，轉(zhuǎn)而批量生產(chǎn) 3nm 工藝。這一舉動可能使三星領(lǐng)先臺積電，但這也充滿了風險。 三星跳過了最初計劃投*資的 4nm 高級工藝，而完全放棄了其投*資計劃。這個決定最終可能會在其領(lǐng)域花費大量的客戶訂單，但是同時這可能是因為跳過了一代芯片技術(shù)，其他技術(shù)的開
2020-07-08 16:07:212550 
12月7日，韓國半導體公司SK海力士表示，近期已成功研發(fā)出基于三層存儲單元（TLC）的176層512Gb（千兆位）NAND閃存。
2020-12-08 11:01:412103 新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù)，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 基礎上再次升級而成的又一代匠心產(chǎn)品，他在保持第五代激光對射探測器高度智能和穩(wěn)定性的基礎上，化繁為簡，一鍵控制，語音導航，讓激光對射探測器具有更高的智慧性，操作更簡單，提示更清晰，效率更高！ 第六代語音導航版激光對射技術(shù)亮點
2021-04-01 14:45:02776 探測器高度智能和穩(wěn)定性的基礎上，化繁為簡，一鍵控制，語音導航，讓激光對射探測器具有更高的智慧性，操作更簡單，提示更清晰，效率更高！ 第六代語音導航版激光對射技術(shù)亮點： l 更具智慧及人性化的一鍵控制+語音導航設計，功能設置更簡
2021-06-30 15:23:35710 三星電子計劃在今年6月前完成11納米制程第六代1cDRAM的開發(fā)。
2022-04-19 11:31:193502 加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最大 108MHz 的工作頻率下實現(xiàn)每秒 54MByte 的數(shù)據(jù)傳輸率，并具有四個 I/O 引腳的 Quad SPI 接口(圖1)。
2022-08-26 15:35:441050 市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求，更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案，有望成為未來存儲創(chuàng)新的基礎。
2022-11-07 10:33:551379 和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。 三星電子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:361624 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
2022-12-06 10:39:311027 最近，三星集團援引業(yè)界有關(guān)負責人的話表示，計劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Emulex和博科產(chǎn)品的第六代光纖通道評估.pdf》資料免費下載
2023-08-23 15:19:000 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《通過博科第六代光纖通道實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心現(xiàn)代化白皮書.pdf》資料免費下載
2023-08-28 11:30:000 對此，蘋果的主要顯示器合作公司三星Display、LG Display也正式開始批量生產(chǎn)IT用OLED面板。據(jù)悉，兩家公司都為在第六代OLED線上制作面板做好了大部分準備。
2023-11-08 16:45:581017 據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達290層，但IT之家此前曾報道過，三星在學術(shù)會議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391410 據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司預計將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。
2024-04-18 09:49:201500 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 作為九代V-NAND的核心技術(shù)，雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層，主要應用于大型企業(yè)服務器及人工智能與云計算領(lǐng)域。據(jù)了解，三星計劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)
2024-04-28 10:08:011536 在技術(shù)層面，第九代V-NAND無疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實力。它采用了雙重堆疊技術(shù)，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎上，再次實現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破，堆疊層數(shù)飆升至驚人的290層。
2024-04-28 16:02:241874 第九代V-NAND采用雙堆疊設計，將旗艦版V8閃存原先的236層進一步增加至290層，主要應用于大型企業(yè)服務器及人工智能與云計算設備領(lǐng)域。
2024-04-28 17:36:181369 據(jù)悉，Switch 2游戲機可能搭載由三星代工廠生產(chǎn)的SoC（英偉達Tegra T239芯片，采用三星7LPH工藝節(jié)點）。此外，任天堂還計劃采用三星第五代V-NAND存儲技術(shù)以及三星作為顯示面板供應商。
2024-04-29 10:23:182172 據(jù)韓國媒體最新報道，三星電子在其第9代V-NAND閃存技術(shù)中實現(xiàn)了重大突破，首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬（Mo）技術(shù)。這一創(chuàng)新標志著三星在半導體制造領(lǐng)域的又一次技術(shù)飛躍。
2024-07-04 09:23:501262 V-NAND技術(shù)，擁有更強的性能和更大的容量，非常適合內(nèi)容創(chuàng)作者和技術(shù)愛好者在日常使用中跨設備快速傳輸和存儲文件。 三星品牌存儲事業(yè)部全球副總裁Hangu Sohn表示：“
2024-08-01 09:24:59699 
三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標志著三星在存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先，也預示著數(shù)據(jù)存儲市場即將迎來一場革命性的變革。
2024-09-12 16:27:311108 三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品，集成了多項前沿技術(shù)突破，標志著數(shù)據(jù)存儲性能與容量的全新飛躍。這款基于雙堆棧架構(gòu)的QLC V-NAND，通過創(chuàng)新的通道孔蝕刻技術(shù)，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的單元層數(shù)，為各類AI應用提供了前所未有的內(nèi)存解決方案。
2024-09-23 14:53:521479 三星電子在車載存儲技術(shù)領(lǐng)域邁出了重要一步，正式宣布成功研發(fā)出業(yè)界首款基于其先進第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。這一創(chuàng)新成果不僅標志著三星在車載數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的深厚積累與前瞻布局，更為未來智能汽車的高性能、高效率數(shù)據(jù)存儲需求提供了強有力的支持。
2024-09-24 15:24:031104 網(wǎng)絡數(shù)據(jù)傳輸速率的單位是 bps（bit per second） ，即比特每秒，也可以表示為b/s或bit/s。它表示的是每秒鐘傳輸的二進制數(shù)的位數(shù)。比特（bit）是計算機中數(shù)據(jù)量的單位，也是信息論
2024-10-12 10:20:209311 LoRa（Long Range）是一種用于物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應用的低功耗廣域網(wǎng)（LPWAN）技術(shù)。它以其長距離通信能力和低功耗特性而聞名。LoRa模塊的數(shù)據(jù)傳輸速率可以根據(jù)不同的配置和地區(qū)的規(guī)定
2024-10-31 17:03:593921 CAN（Controller Area Network）總線是一種串行通信協(xié)議，主要用于汽車和工業(yè)控制系統(tǒng)中，以實現(xiàn)電子控制單元（ECU）之間的通信。CAN總線的數(shù)據(jù)傳輸速率，也稱為波特率，是衡量
2024-11-12 10:03:393942 Micro USB接口的數(shù)據(jù)傳輸速率分析，可以從以下幾個方面進行： 一、Micro USB版本與傳輸速率 Micro USB接口存在不同的版本，主要包括Micro USB 2.0和Micro USB
2024-11-27 10:05:224193 nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項目被命名為D1B-P，其重點將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進版制程V6P相似，顯示出三星在半導體工藝研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新與投入。 據(jù)了解，在決定啟動D1B-P項目時，三星現(xiàn)有的12nm級DRAM工藝良率
2025-01-22 14:04:071411 信道帶寬與數(shù)據(jù)傳輸速率之間存在密切的關(guān)系，這種關(guān)系可以通過香農(nóng)定理來具體闡述。 一、理論關(guān)系 根據(jù)香農(nóng)定理，信道的最大數(shù)據(jù)傳輸速率（C）與信道的帶寬（B）和信噪比（SNR）之間存在如下關(guān)系：C=B
2025-01-22 16:36:434439 最基本的速率，適用于大多數(shù)低速應用。在此模式下，I2C協(xié)議的典型傳輸距離可以達到1米左右。 快速模式（Fast-mode） ：速率為400 kbps（每秒400,000位）。這種模式提供了更高的數(shù)據(jù)傳輸
2025-02-05 13:40:074785 近日，據(jù)韓媒報道，三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進技術(shù)升級與產(chǎn)能擴張計劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術(shù))轉(zhuǎn)換至第八代V-NAND(238層技術(shù))的基礎上，年內(nèi)
2025-02-14 13:43:271090 ）的數(shù)據(jù)速率，超越當前行業(yè)標準，為數(shù)據(jù)中心服務器的內(nèi)存接口性能樹立了全新標桿。 ? ? 瑞薩第六代DDR5 RCD帶來了多方面的顯著提升。首先，在帶寬方面，相較于瑞薩第五代RCD的8800MT/s，此次新品實現(xiàn)了10%的提升，達到9600MT/s。這一提升使得數(shù)據(jù)傳輸更加高效，能夠滿足日
2025-11-19 15:59:055454 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論