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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>三星電子提高NAND閃存價(jià)格 短時(shí)間內(nèi)將無(wú)法恢復(fù)

三星電子提高NAND閃存價(jià)格 短時(shí)間內(nèi)將無(wú)法恢復(fù)

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預(yù)計(jì)NAND閃存價(jià)格大幅上漲

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三星48層3D V-NAND閃存技術(shù)揭秘

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SK Hynix月底量產(chǎn)48層堆棧3D NAND閃存 三星后第二家

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2016-12-05 16:28:10870

為了延長(zhǎng)DRAM存儲(chǔ)器壽命 必須短時(shí)間內(nèi)采用3D DRAM

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2017-03-17 09:42:043732

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三星電子行業(yè)巨頭成長(zhǎng)史

的話,英特爾預(yù)計(jì)在2017年二季度實(shí)現(xiàn)144億美元的銷(xiāo)售額,而三星電子的銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)達(dá)到146億美元。因此如果存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)價(jià)格在二季度及余下時(shí)間里都能持續(xù)增長(zhǎng),三星電子將會(huì)取代英特爾成為全球最大
2019-04-24 17:17:53

三星位于西安的半導(dǎo)體工廠正式投產(chǎn)

韓國(guó)三星電子日前宣布,位于中國(guó)陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù),生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存(V-NAND)。三星電子希望在IT(信息技術(shù))設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國(guó)
2014-05-14 15:27:09

三星半導(dǎo)體發(fā)展面臨巨大挑戰(zhàn)

”,無(wú)疑令三星雪上加霜。   因受市況每況愈下的影響和制約,韓國(guó)三星電子的發(fā)展面臨著巨大的挑戰(zhàn)。據(jù)最新報(bào)導(dǎo)顯示,三星電子計(jì)劃明年半導(dǎo)體事業(yè)的投資ST22I支出砍半,從134億美元降至70億美元,提前
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三星的手機(jī)充電器

請(qǐng)教一下各位大神,2A的整流橋用快恢復(fù)管來(lái)做,是否EMI會(huì)很好呢?三星的手機(jī)充電器 在用。
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DDC264短時(shí)間內(nèi)超出電壓范圍,是否還能正常測(cè)量?

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2024-11-19 07:02:26

LVDT位移不發(fā)生變化時(shí),AD698所產(chǎn)生的輸出電壓在短時(shí)間內(nèi)不會(huì)發(fā)生變化是怎么回事?

LVDT位移不發(fā)生變化時(shí),AD698所產(chǎn)生的輸出電壓在短時(shí)間內(nèi)不會(huì)發(fā)生變化,但時(shí)間一長(zhǎng)就會(huì)有20mv~40mv的變化,電壓變大變小的情況都有。并且,在不接LVDT的情況下,把手指搭在AD698芯片上
2023-11-17 06:01:30

PCB板短時(shí)間內(nèi)重復(fù)開(kāi)關(guān)機(jī),導(dǎo)致ADS8328初始化失敗怎么解決?

PCB板短時(shí)間內(nèi)重復(fù)開(kāi)關(guān)機(jī),導(dǎo)致ADS8328初始化失敗,看PDF,有POR復(fù)位和CFR_D0復(fù)位。選擇CFR_D0復(fù)位 程序如下,但是沒(méi)有
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mcu短時(shí)間內(nèi)發(fā)生多次中斷,如何解決中斷丟失問(wèn)題呢?

?例如:中斷A在短時(shí)間內(nèi)觸發(fā)了3次,但是CPU來(lái)不及響應(yīng)(中斷A的執(zhí)行函數(shù)時(shí)間長(zhǎng),或者正在執(zhí)行更高優(yōu)先級(jí)的中斷),CPU能否記住這3次中斷?如果有,目前最多支持緩存幾次中斷標(biāo)志? 2.如果沒(méi)有中斷標(biāo)志
2025-12-05 07:07:05

專業(yè)收購(gòu)三星ddr 長(zhǎng)期求購(gòu)三星ddr

專業(yè)收購(gòu)三星ddr帝歐電子高價(jià)回收三星ddr,長(zhǎng)期求購(gòu)三星ddr,帶板的也收,大量收購(gòu)?。?!帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。求購(gòu)三星(K9
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為什么Type-C接口能在短時(shí)間內(nèi)迅速取代Micro USB接口呢

Type-C是近幾年大規(guī)模普及的充電接口,目前所發(fā)布的手機(jī)基本上都是該接口,而原來(lái)的Micro USB接口也逐漸減少使用,那為什么Type-C接口能在短時(shí)間內(nèi)迅速取代Micro USB接口呢?筆者
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分析:三星芯片業(yè)務(wù)助推Q3利潤(rùn)創(chuàng)新高

對(duì)DRAM芯片的強(qiáng)勁需求繼續(xù)超過(guò)供應(yīng),因三星和第二大記憶體芯片廠商SK海力士的新廠料在2019年前不會(huì)投產(chǎn);此外,截至9月NAND閃存的需求則連續(xù)第六季超過(guò)供應(yīng)。供蘋(píng)果新手機(jī)使用的有機(jī)發(fā)光二極體(OLED)面板的銷(xiāo)售增長(zhǎng),也支撐了第四季獲利創(chuàng)紀(jì)錄新高的預(yù)期。
2017-10-13 16:56:04

回收三星ic 收購(gòu)三星ic

回收三星ic 收購(gòu)三星ic《 字庫(kù)回收,實(shí)力回收三星原裝字庫(kù),收購(gòu)三星字庫(kù)價(jià)格高!同時(shí)還回收拆機(jī)字庫(kù),優(yōu)勢(shì)收購(gòu)原裝字庫(kù)》●●帝歐 【趙先生 ***微信同步 QQ:1714434248】收購(gòu)三星字庫(kù)
2021-08-20 19:11:25

國(guó)內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動(dòng)全球市場(chǎng),但需求不足跌價(jià)成必然 精選資料分享

時(shí)間回到2018年第一季度,三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤(rùn)率是40%,但是第一季度過(guò)后NAND價(jià)格就開(kāi)始暴降,據(jù)統(tǒng)計(jì)去年上半年NAND閃存價(jià)格下跌了至少50%,而根據(jù)分析師表示,未來(lái)每年
2021-07-13 06:38:27

夏普淪為三星OEM代工廠?

本帖最后由 forele 于 2013-8-5 14:23 編輯   日本媒體朝日新聞18日?qǐng)?bào)導(dǎo),夏普(Sharp)考慮加強(qiáng)和韓國(guó)三星電子(Samsung Electronics)的合作關(guān)系
2013-08-05 14:19:28

大量回收三星高通CPU 回收三星高通CPU

:MSM8274MSM8928MSM8928-2AAMSM8928-2ACMSM8974MSM8974-7ABMSM8974-7ACMSM8974-9ABMSM8974-9VV回收三星高通CPU,收購(gòu)三星高通CPU,優(yōu)選帝歐電子!帝歐還回收庫(kù)存電子,高價(jià)回收電感,回收電解電容
2021-04-14 19:04:16

大量回收三星高通CPU 回收三星高通CPU

:MSM8274MSM8928MSM8928-2AAMSM8928-2ACMSM8974MSM8974-7ABMSM8974-7ACMSM8974-9ABMSM8974-9VV回收三星高通CPU,收購(gòu)三星高通CPU,優(yōu)選帝歐電子!帝歐還回收庫(kù)存電子,高價(jià)回收電感,回收電解電容
2021-03-10 17:45:41

如何在開(kāi)機(jī)后的最短時(shí)間內(nèi)從LIS2DH讀取有效數(shù)據(jù)嗎?

(較新的加速度計(jì))的數(shù)據(jù)表中讀到,“為了確保擁有與所選 ODR 同步的第一個(gè) DRDY 上升沿(避免圖 2 中的情況:“DRDY 信號(hào)同步”)在啟用 ODR 之前 I1_ ZYXDA 位設(shè)置為“1”。沒(méi)有運(yùn)氣。你能給我一個(gè)建議,如何在開(kāi)機(jī)后的最短時(shí)間內(nèi)從 LIS2DH 讀取有效數(shù)據(jù)嗎?先感謝您!
2023-01-04 08:48:17

郭臺(tái)銘收拾三星,決定富士康停止向三星供應(yīng)面板

從***企業(yè)採(cǎi)購(gòu)面板,金融危機(jī)來(lái)臨的時(shí)候便大幅撤單,導(dǎo)致***面板企業(yè)損失慘重,奇美電子當(dāng)年出貨量減少4成,同時(shí)三星順勢(shì)奪下約24.5%的市場(chǎng)份額;以富士康為首的***企業(yè)一直三星視為”眼中釘
2016-12-18 01:18:05

高價(jià)回收三星芯片,專業(yè)收購(gòu)三星芯片

高價(jià)回收三星芯片高價(jià)回收三星芯片,專業(yè)收購(gòu)三星芯片。深圳帝歐專業(yè)電子回收,高價(jià)收購(gòu)ic電子料。帝歐趙生***(同步微信),QQ:1816233102/764029970郵箱
2021-07-06 19:32:41

三星與蘋(píng)果合資生產(chǎn)NAND閃存芯片談判胎死腹中

          韓國(guó)三星電子公司周一說(shuō),它和蘋(píng)果電腦公司就合資生產(chǎn)NAND閃存芯片的談判已告失敗。NAND閃存芯片是蘋(píng)果最新便攜音樂(lè)播放
2006-03-13 13:05:36609

三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片

三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片 三星近日宣布開(kāi)始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù),據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700

三星推出64GB moviNAND閃存芯片

三星推出64GB moviNAND閃存芯片 三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片,單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:041005

三星閃存廠布局中國(guó) 棋子落何方?

三星計(jì)劃投資40億美元在中國(guó)建NAND閃存廠。如此之大的項(xiàng)目對(duì)任何一個(gè)城市來(lái)說(shuō)都是一大誘惑。
2012-01-12 10:28:371346

三星副總裁:正在研發(fā)新版Gear VR頭盔

考慮到Galaxy Note 7已經(jīng)讓三星忙到焦頭爛額,你或許會(huì)認(rèn)為這家公司短時(shí)間內(nèi)應(yīng)該不會(huì)再嘗試那些更具實(shí)驗(yàn)性的技術(shù),可實(shí)際情況卻并非如此。在日前舉行的虛擬現(xiàn)實(shí)峰會(huì)上,三星電子副總裁Sung-Hoon Hong就透露公司正在研發(fā)新版Gear VR頭盔。
2016-12-20 09:29:08883

三星新版Gear VR即將發(fā)布 另外還有全新增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)產(chǎn)品

考慮到Galaxy Note 7已經(jīng)讓三星忙到焦頭爛額,你或許會(huì)認(rèn)為這家公司短時(shí)間內(nèi)應(yīng)該不會(huì)再嘗試那些更具實(shí)驗(yàn)性的技術(shù),可實(shí)際情況卻并非如此。在日前舉行的虛擬現(xiàn)實(shí)峰會(huì)上,三星電子副總裁Sung-Hoon Hong就透露公司正在研發(fā)新版Gear VR頭盔。
2016-12-20 10:13:22837

華為頂級(jí)旗艦機(jī)華為Mate S狂降三千, 嚇?biāo)?b class="flag-6" style="color: red">三星和蘋(píng)果!

三星又被稱之為跳水星,原因在于其高端手機(jī)幾乎都會(huì)在短時(shí)間內(nèi)開(kāi)始降價(jià),最高的降價(jià)幅度甚至高達(dá)數(shù)千元,但華為卻在去年有了一款超越三星降價(jià)幅度的手機(jī)。
2017-03-07 15:08:391456

三星NAND閃存芯片銷(xiāo)量開(kāi)始全面超越東芝

3月7日消息,雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者,但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者,并且其優(yōu)勢(shì)在不斷擴(kuò)大。
2017-03-07 15:53:451726

閃存價(jià)格要大跌了?三星全球最大閃存芯片工廠開(kāi)工

三星、SK海力士、東芝、西數(shù)、美光和英特爾在生產(chǎn)線從2D-NAND轉(zhuǎn)至3D-NAND之后,產(chǎn)能和價(jià)格上漲問(wèn)題獲得部分緩解。三星位于韓國(guó)京畿道平澤市的新半導(dǎo)體工廠近日已基本完成,預(yù)計(jì)將在今年7月份開(kāi)始正式運(yùn)營(yíng)。
2017-04-13 15:21:544243

最大芯片生產(chǎn)商NAND閃存供不應(yīng)求 三星計(jì)劃再投資186億美元

做為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商,三星將在2021年前對(duì)位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬(wàn)億韓元。此外,位于華城市的半導(dǎo)體生產(chǎn)線也拿到6萬(wàn)億韓元的投資。剩下的1萬(wàn)億韓元,分配給三星位于韓國(guó)的OLED屏幕工廠。同時(shí),三星還計(jì)劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。
2017-07-04 15:57:301192

三星閃存規(guī)格書(shū)

三星閃存規(guī)格書(shū)
2017-10-17 08:41:4734

三星NAND閃存規(guī)格書(shū) K9F4G08U0D

三星NAND閃存規(guī)格書(shū) K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635

NAND閃存超級(jí)周期發(fā)生逆轉(zhuǎn),三星重挫其他閃存供應(yīng)商

2018年DRAM、NAND型快閃存儲(chǔ)器供需預(yù)估持續(xù)呈現(xiàn)吃緊。三星電子27日盤(pán)中下跌4.2%,創(chuàng)一年多以來(lái)最大跌幅。三星競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SKHynix一度下跌3.6%,創(chuàng)10月底以來(lái)最大跌幅。韓國(guó)股市27日早盤(pán)遭逢來(lái)自外資與法人的賣(mài)壓,以三星電子為首的科技股領(lǐng)跌。
2017-11-28 12:19:39928

三星增產(chǎn)NAND,分析師預(yù)測(cè)明年內(nèi)存供過(guò)于求

IHS Markit報(bào)告預(yù)估,明年全球NAND flash供給提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn),預(yù)料供給增39%至879億GB。 與此同時(shí),明年全球NAND需求提高36.7%至2,424億GB,供給超出需求17億GB,供給過(guò)剩比率約為0.7%。
2017-12-06 12:01:58693

NAND閃存和DRAM市況不同調(diào),內(nèi)存事業(yè)可望在第2季維持強(qiáng)勢(shì)表現(xiàn)

內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析,儲(chǔ)存型閃存NAND Flash)和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價(jià)格持續(xù)下探,但DRAM價(jià)格在服務(wù)器及移動(dòng)設(shè)備、車(chē)用等應(yīng)用多元下,價(jià)格持穩(wěn)到年底。
2018-06-21 18:45:001187

中國(guó)電信總裁:短時(shí)間內(nèi)未有回A股上市的決定

劉愛(ài)力表示,中國(guó)電信雖然大部分業(yè)務(wù)均在內(nèi)地,但如果不是能與用戶分享公司的發(fā)展,再加上要考慮公司未來(lái)股價(jià)走勢(shì)等諸多問(wèn)題,故而公司短時(shí)間內(nèi)未有回A 股上市的決定。 但中電信是有計(jì)劃將旗下子公司如翼支付或一些資管公司分拆上市,只是還沒(méi)有決定在A股或者赴港上市。劉愛(ài)力表示,翼支付剛完成了新一輪融資。
2018-05-29 09:51:001125

三星已開(kāi)始生產(chǎn)第五代V-NAND閃存芯片

據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道,頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460

三星開(kāi)始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存,了解其性價(jià)比

面對(duì)2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況,三星正式宣布開(kāi)始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒,堆棧數(shù)超過(guò)90層。
2018-07-24 14:36:328259

中興總裁趙先明:大部分研發(fā)沒(méi)有受到嚴(yán)重影響,可在短時(shí)間內(nèi)回復(fù)正常

據(jù)e公司的直播(本文主要內(nèi)容來(lái)源于e公司直播),中興通訊總裁趙先明指出,絕大多數(shù)客戶耐心等待著中興通訊恢復(fù)運(yùn)營(yíng),公司市場(chǎng)一線的同事堅(jiān)持在一線,盡可能短時(shí)間內(nèi)恢復(fù)生產(chǎn)經(jīng)營(yíng),把耽誤掉的時(shí)間追趕回來(lái),力爭(zhēng)
2018-07-27 10:25:245684

三星采取保守策略,DRAM投資大減,NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出,三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814

華為挑戰(zhàn)三星,在技術(shù)上的差距短期難以拉近

華為雖然在出貨量方面正迅速縮短與三星的差距,但是在技術(shù)上的差距卻不是短時(shí)間內(nèi)能夠縮短的。三星擁有全球手機(jī)企業(yè)當(dāng)中最強(qiáng)的手機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈,也正是憑借強(qiáng)大的手機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈,它得以在硬件方面不斷創(chuàng)新,而在打孔屏技術(shù)上的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)無(wú)疑證明了它所具有的深厚技術(shù)底蘊(yùn)。
2019-02-25 08:54:194618

三星華為都無(wú)法解決的3大折疊手機(jī)缺陷

著華為MATE?X的正式發(fā)布,三星和華為的折疊手機(jī)都已經(jīng)正式亮相。作為吃瓜群眾,不少用戶都對(duì)這樣的手機(jī)非常期待。不過(guò)期待之余,這兩款折疊手機(jī)也暴露出了一些共有的問(wèn)題,而且在短時(shí)間內(nèi)無(wú)法解決。首先
2019-02-25 13:58:585970

三星出手,NAND Flash價(jià)格本季止穩(wěn)

三星上季大砍NAND Flash和DRAM報(bào)價(jià)后,NAND Flash價(jià)格接近虧損邊緣,決定本季起不再降價(jià)。
2019-05-08 08:47:554026

新發(fā)明的四翼飛行器可在短時(shí)間內(nèi)不受束縛地飛行

,并成功實(shí)現(xiàn)無(wú)束縛飛行。就外觀而言,該飛行器有兩大特色:一對(duì)額外的翅膀(四翼)和頂部的太陽(yáng)能電池。它可以在短時(shí)間內(nèi)不受束縛地飛行。
2019-07-07 10:38:264816

深圳的企業(yè)運(yùn)營(yíng)成本在不斷上漲,這不是其他城市短時(shí)間內(nèi)能夠趕上的

雖然深圳的企業(yè)運(yùn)營(yíng)成本在不斷上漲,但是深圳的優(yōu)勢(shì)在于制造業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈非常的齊全,這不是其他城市短時(shí)間內(nèi)能夠趕上的。
2019-07-29 15:17:324346

回顧三星96層V-NAND的性能分析介紹

在2016年的舊金山閃存峰會(huì)上,三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND,但由于具有一些新的特性(介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間)、包含獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)與優(yōu)化后的主控,三星于是用Z-NAND來(lái)命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632

如何設(shè)計(jì)出在5秒或更短時(shí)間內(nèi)具有完美平坦輸出阻抗的VRM

任何關(guān)于電源完整性的討論都包括對(duì)目標(biāo)阻抗和平坦阻抗要求的概念的大量強(qiáng)調(diào)。但我們?nèi)绾卧O(shè)計(jì)專門(mén)用于平坦阻抗的穩(wěn)壓器模塊(VRM)?本文不僅討論該特定問(wèn)題,還將解決如何在5秒或更短時(shí)間內(nèi)完成該問(wèn)題。
2019-08-12 10:34:553274

三星推出閃存更快功耗更低的V-NAND存儲(chǔ)器

三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存,為了進(jìn)一步提高容量和密度,它擁有100多個(gè)活動(dòng)層。從性能的角度來(lái)看,要使V-NAND具有超過(guò)100層的可行性,三星公司不得不使用新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)。
2019-09-03 10:38:04981

三星持續(xù)投資閃存芯片 加劇與NAND市場(chǎng)的差異化

12 月 11 日訊,近日,三星電子閃存芯片項(xiàng)目二期第二階段 80 億美元投資正式啟動(dòng)。據(jù)悉,三星電子一期投資 108 億美元,建成了三星電子存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目和封裝測(cè)試項(xiàng)目;二期項(xiàng)目總投資 150 億美元,主要制造閃存芯片。
2019-12-12 11:37:56743

三星鎧俠率先擴(kuò)產(chǎn),NAND閃存市場(chǎng)要變天?

的投資額就達(dá)8萬(wàn)億韓元(約合470億元人民幣)。新冠肺炎疫情導(dǎo)致NAND市場(chǎng)的不確定性大增。然而,三星電子過(guò)往多選擇在景氣低迷時(shí)大舉投資,以此增強(qiáng)其在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力,此次再度大舉投資擴(kuò)產(chǎn),或?qū)?dòng)其他NAND閃存廠商的跟進(jìn),再掀NAND閃存的擴(kuò)產(chǎn)浪潮。
2020-06-16 10:07:173960

三星提高閃存產(chǎn)量成立特別工作組,提高整個(gè)流程的生產(chǎn)率

三星去年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)128層第六代NAND閃存芯片后,又在兩個(gè)月前宣布完成160層第七代NAND閃存芯片的開(kāi)發(fā),目前看來(lái)三星已經(jīng)將對(duì)手遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后。
2020-06-18 16:06:512328

長(zhǎng)江存儲(chǔ)提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038

暴雪游戲平臺(tái)持續(xù) DDOS 攻擊:短時(shí)間內(nèi)完全解決該問(wèn)題

12月25日消息 根據(jù)網(wǎng)易暴雪游戲客服團(tuán)隊(duì)的消息,暴雪游戲平臺(tái)近期受到了持續(xù) DDOS 攻擊,官方稱無(wú)法斷言能在短時(shí)間內(nèi)完全解決該問(wèn)題。 暴雪表示,近期受到的一系列大型惡意“分布式拒絕服務(wù)(DDOS
2020-12-25 15:14:172226

三星CMOS圖像傳感器的價(jià)格提高了40%左右

1月15日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,由于市場(chǎng)上的圖像傳感器嚴(yán)重短缺,三星已從2020年12月份開(kāi)始CMOS圖像傳感器(CIS)的價(jià)格提高了40%左右,而其他圖像傳感器供應(yīng)商也CIS的價(jià)格提高了20%左右。
2021-01-15 10:20:243143

三星NAND閃存市場(chǎng)面臨哪些挑戰(zhàn)?

眾所周知,三星電子NAND閃存芯片市場(chǎng)上一直保持領(lǐng)先地位,占有30%以上的份額。但是,由于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手開(kāi)始表現(xiàn)出更好的工藝,它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:373205

為何聯(lián)想會(huì)選擇在這么短時(shí)間內(nèi)提交就撤回申請(qǐng)

終止科創(chuàng)板上市”,這意味著,聯(lián)想的科創(chuàng)板IPO之路,只走了短短一個(gè)工作日。 為何聯(lián)想會(huì)選擇在這么短時(shí)間內(nèi)提交就撤回申請(qǐng)?這個(gè)問(wèn)題在當(dāng)時(shí)眾說(shuō)紛紜,有人猜測(cè)聯(lián)想達(dá)不到科創(chuàng)板上市標(biāo)準(zhǔn),有人猜測(cè)是因?yàn)槁?lián)想負(fù)債率過(guò)高,也有機(jī)構(gòu)報(bào)告
2021-11-08 14:38:301887

如何在短時(shí)間內(nèi)解決電廠鍋爐風(fēng)機(jī)軸修復(fù)問(wèn)題?

如何在短時(shí)間內(nèi)解決電廠鍋爐風(fēng)機(jī)軸修復(fù)問(wèn)題?
2022-05-25 16:10:500

華強(qiáng)北芯片需求短時(shí)間內(nèi)暴漲 本地芯片供應(yīng)很難跟上

華強(qiáng)北眾生相2021年,受到國(guó)內(nèi)外疫情的影響,加上2020年被壓抑的需求得到釋放,導(dǎo)致消費(fèi)電子銷(xiāo)量大幅上漲,繼而使芯片需求在短時(shí)間內(nèi)暴漲,而本地芯片供應(yīng)也很難跟上,大多只能向海外求購(gòu),但疫情導(dǎo)致物流受阻,芯片供應(yīng)減少,市場(chǎng)中開(kāi)始掀起炒作的浪潮,很多人的夢(mèng)從這一刻開(kāi)始。
2022-08-22 09:32:313558

如何最短時(shí)間內(nèi)找出Linux性能問(wèn)題?

如果你的Linux服務(wù)器突然負(fù)載暴增,告警短信快發(fā)爆你的手機(jī),如何在最短時(shí)間內(nèi)找出Linux性能問(wèn)題所在?來(lái)看Netflix性能工程團(tuán)隊(duì)的這篇博文,看它們通過(guò)十條命令在一分鐘內(nèi)對(duì)機(jī)器性能問(wèn)題進(jìn)行診斷。
2022-12-28 09:21:36418

三星電子存儲(chǔ)芯片價(jià)格明年有望大幅下降

研究機(jī)構(gòu)和證券公司最新報(bào)告顯示,三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)營(yíng)收在今年季度達(dá)到 55.84 億美元,高于 NAND 閃存業(yè)務(wù) 43 億美元的銷(xiāo)售額。
2022-12-29 11:26:00408

三星:2030年3D NAND進(jìn)入1000層以上

 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開(kāi)發(fā)計(jì)劃,預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142

三星電子堅(jiān)持下調(diào)DRAM和NAND產(chǎn)能,即便市場(chǎng)需求上升

? ? ? 近日有消息稱,三星電子在當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">時(shí)間周四發(fā)布的二季度財(cái)報(bào)中預(yù)計(jì),存儲(chǔ)芯片的需求在下半年逐漸恢復(fù),但是即便如此,三星電子并沒(méi)有計(jì)劃增加產(chǎn)量,并且打算繼續(xù)削減DRAM和NAND閃存的產(chǎn)量
2023-07-31 10:31:16816

三星提高512Gb NAND閃存晶圓報(bào)價(jià) 漲幅為15%

據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫(kù)存緩慢,很難說(shuō)服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:241963

三星計(jì)劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產(chǎn)

三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國(guó)的平澤、華城和中國(guó)的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,三星nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績(jī)中,由于市場(chǎng)持續(xù)低迷,三星電子正式公布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:581255

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888

三星將在2024年升級(jí)NAND設(shè)備供應(yīng)鏈

三星業(yè)績(jī)近期表現(xiàn)非常差,三星為了增強(qiáng)NAND閃存競(jìng)爭(zhēng)力計(jì)劃在2024年升級(jí)其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈。
2023-08-30 16:10:02863

NOR Flash價(jià)格持續(xù)走低,三星NAND減產(chǎn)有望利好

業(yè)界認(rèn)為,三星電子的減產(chǎn)可能會(huì)帶來(lái)3d nand價(jià)格上漲的效果,從而可能會(huì)改變nor、slc nand的購(gòu)買(mǎi)戰(zhàn)略。美國(guó)外國(guó)人認(rèn)為,slc nand和nore產(chǎn)品第四季度不會(huì)上調(diào)價(jià)格。
2023-09-11 11:35:042024

三星西安工廠引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備

 三星決定升級(jí)西安工廠的原因大致有兩個(gè)。第一,在nand閃存市場(chǎng)尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下,在nand閃存市場(chǎng)保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開(kāi)始的it景氣低迷和半導(dǎo)體景氣低迷的影響,三星nand的銷(xiāo)量增加,從而使虧損擴(kuò)大。
2023-10-16 14:36:001975

三星NAND季季漲價(jià)20% 幅度超預(yù)期有利群聯(lián)、威剛等運(yùn)營(yíng)

 據(jù)多名半導(dǎo)體業(yè)界消息人士稱,三星繼本季度nand閃存價(jià)格上調(diào)10至20%后,決定明年第一季度和第二季度也分別上調(diào)20%。三星電子正在努力穩(wěn)定nand閃存價(jià)格,試圖在明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)。
2023-11-02 10:35:011214

三星西安廠計(jì)劃NAND工藝升級(jí)為236層 明年初更換設(shè)備

據(jù)業(yè)界2日透露,三星電子計(jì)劃對(duì)中國(guó)西安nand閃存工廠進(jìn)行改造,目前正在生產(chǎn)的128段(v6) nand閃存生產(chǎn)線擴(kuò)大到236段(v8)。三星決定從明年初開(kāi)始更換設(shè)備,并向業(yè)界通報(bào)了到2025年分階段完成的目標(biāo)。
2023-11-03 11:48:032419

三星NAND擬進(jìn)一步漲價(jià),明年一、二季度逐季調(diào)漲20%

這是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)界多名消息人士透露的。據(jù)悉,三星繼本季度nand閃存價(jià)格上調(diào)10%至20%后,還決定明年第1、2季度也按季度上調(diào)20%。這是為了穩(wěn)定nand價(jià)格和實(shí)現(xiàn)明年上半年市場(chǎng)逆轉(zhuǎn)目標(biāo)而采取的措施。
2023-11-03 12:22:311966

三星電子擴(kuò)大尖端DRAM/NAND產(chǎn)量

Kim Jae-jun補(bǔ)充道:“三星電子通過(guò)維持投資來(lái)進(jìn)一步鞏固其在尖端存儲(chǔ)器市場(chǎng)的地位,以確保其中長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)力?!?b class="flag-6" style="color: red">三星電子負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的DS部門(mén)計(jì)劃每年投資47.5萬(wàn)億韓元的資本支出。
2023-11-03 16:17:571753

三星計(jì)劃NAND閃存芯片每個(gè)季度漲價(jià)20%

三星采取此舉的目的很明確,希望通過(guò)此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng),穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格,并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:112284

電力電容器為什么不允許短時(shí)間內(nèi)過(guò)電壓運(yùn)行

在電力系統(tǒng)中,電容器是一種重要的電氣設(shè)備,常用于提高功率因數(shù)、改善電網(wǎng)穩(wěn)定性等方面。然而,電容器作為一種電壓敏感的元件,對(duì)于電壓波動(dòng)非常敏感,特別是在短時(shí)間內(nèi)的過(guò)電壓情況下,可能引發(fā)嚴(yán)重的問(wèn)題。為什么電力電容器不允許短時(shí)間內(nèi)過(guò)電壓運(yùn)行?
2024-02-26 14:30:262214

三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20%

三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過(guò)低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判,目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995

三星九代V-NAND閃存或月底量產(chǎn),堆疊層數(shù)達(dá)290層

據(jù)韓媒Hankyung透露,第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)高達(dá)290層,但I(xiàn)T之家此前曾報(bào)道過(guò),三星在學(xué)術(shù)會(huì)議上展示了280層堆疊的QLC閃存,其IO接口速度可達(dá)3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391410

三星即將量產(chǎn)290層V-NAND閃存

據(jù)韓國(guó)業(yè)界消息,三星最早將于本月開(kāi)始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND(3D NAND閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502

三星電子NAND開(kāi)工率已提高至90%

據(jù)相關(guān)業(yè)內(nèi)人士21日透露,近期三星電子NAND開(kāi)工率已提高至90%,此前存儲(chǔ)行業(yè)衰退時(shí)三星開(kāi)工率一度下降至60%。
2024-04-22 15:26:29967

精軋機(jī)彎輥缸傳動(dòng)側(cè)襯板安裝面磨損,短時(shí)間內(nèi)快速高效修復(fù)

。 該問(wèn)題的出現(xiàn)若不及時(shí)處理腐蝕的配合面進(jìn)一步擴(kuò)大,并將影響成品質(zhì)量,傳統(tǒng)修復(fù)工藝無(wú)法短時(shí)間內(nèi)快速高效的針對(duì)這些問(wèn)題進(jìn)行修復(fù),因此企業(yè)使用福世藍(lán)軋機(jī)牌坊修復(fù)工藝,
2024-04-30 13:45:05864

三星芯片業(yè)務(wù)主管?chē)?yán)厲警告:拒絕改革面臨惡性循環(huán)困境

8月1日,彭博社披露了三星電子公司芯片業(yè)務(wù)新掌門(mén)人全永鉉的一則強(qiáng)硬內(nèi)部備忘錄,他在上任后的短時(shí)間內(nèi)便對(duì)團(tuán)隊(duì)發(fā)出了嚴(yán)肅警告:若不進(jìn)行深刻的職場(chǎng)文化變革,這家韓國(guó)科技巨頭或陷入難以自拔的“下行漩渦”。
2024-08-03 15:22:191730

三星與鎧俠計(jì)劃減產(chǎn)NAND閃存

近日,據(jù)供應(yīng)鏈消息,三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對(duì)NAND閃存進(jìn)行減產(chǎn),并預(yù)計(jì)根據(jù)市場(chǎng)狀況分階段實(shí)施。
2024-10-30 16:18:46970

三星電子將出售中國(guó)工廠舊設(shè)備,含西安NAND閃存廠生產(chǎn)線

三星電子即將啟動(dòng)一項(xiàng)計(jì)劃,將其位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠以及其他前端和后端工藝生產(chǎn)線的舊設(shè)備進(jìn)行銷(xiāo)售。這些設(shè)備原本因美國(guó)政府的壓力而積壓,現(xiàn)預(yù)計(jì)通過(guò)中國(guó)本土企業(yè)或第方進(jìn)行出售,過(guò)程預(yù)計(jì)將于2025年正式展開(kāi)。
2024-11-06 14:00:041777

MLC NAND產(chǎn)能或遭削減?三星否認(rèn)停產(chǎn)傳聞

近日,業(yè)界傳出消息,MLC NAND(多層單元閃存)的產(chǎn)能供給大幅削減,其中三星電子被指調(diào)整產(chǎn)能。據(jù)市場(chǎng)傳言,三星計(jì)劃在2024年底現(xiàn)貨市場(chǎng)停止銷(xiāo)售MLC NAND,并可能在2025年6月全面
2024-11-20 16:13:301462

三星MLC NAND閃存或面臨停產(chǎn)傳聞

近日,業(yè)界傳出消息稱,三星電子大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給,并計(jì)劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場(chǎng)銷(xiāo)售該類產(chǎn)品,而到了2025年6月,MLC NAND閃存可能會(huì)正式停產(chǎn)。這一消息引起了業(yè)界
2024-11-21 14:16:121474

三星削減中國(guó)西安NAND閃存產(chǎn)量應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化

近日,三星電子宣布將對(duì)其在中國(guó)西安的NAND閃存工廠實(shí)施減產(chǎn)措施,以應(yīng)對(duì)全球NAND市場(chǎng)供過(guò)于求的現(xiàn)狀及預(yù)期的價(jià)格下滑趨勢(shì)。據(jù)《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道,三星決定將該工廠的晶圓投入量削減超過(guò)10%,預(yù)計(jì)每月
2025-01-14 10:08:09852

三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

近日,三星電子已做出決定,減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前,全球NAND閃存市場(chǎng)面臨供過(guò)于求的局面,預(yù)計(jì)今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24867

三星與SK海力士實(shí)施NAND閃存“自然減產(chǎn)”

據(jù)外媒最新報(bào)道,為了應(yīng)對(duì)NAND閃存市場(chǎng)的供應(yīng)過(guò)剩問(wèn)題,三星電子與SK海力士?jī)纱蟀雽?dǎo)體巨頭已悄然采取措施,通過(guò)工藝轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露,自去年年底以來(lái),三星電子和SK海力士正積極
2025-02-12 10:38:13858

三星西安NAND閃存工廠將建第九代產(chǎn)線

近日,據(jù)韓媒報(bào)道,三星位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠正在加速推進(jìn)技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。該工廠在成功制程從第六代V-NAND(即136層技術(shù))轉(zhuǎn)換至第八代V-NAND(238層技術(shù))的基礎(chǔ)上,年內(nèi)
2025-02-14 13:43:271089

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