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更小更快更強 三星存儲芯片率先進入10nm制程

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三星與臺積電的競爭,臺積電進入存儲芯片行業(yè)的意義

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2018-09-19 08:43:404491

明年上半年量產(chǎn)!三星要借3nm節(jié)點超越臺積電?

電子發(fā)燒友報道(文/梁浩斌)在10nm及以下先進制程的競爭中,臺積電與三星已經(jīng)成為了唯二的對手。在2020年5nm實現(xiàn)量產(chǎn)時,同樣的Cortex-A76內(nèi)核在基于三星的5nm制程芯片上,同頻功耗要比
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挑戰(zhàn)行業(yè)極限 三星推出128GB移動存儲芯片

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電子芯聞早報:三星、臺積電、Intel 決戰(zhàn)10nm制程

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2015-05-28 10:23:161272

10nm世代 Intel2020年進5nm制程

先前證實采用10nm制程技術(shù)的“Cannonlake”將延后至2017年下半年間推出消息后,相關(guān)消息具體透露Intel計畫將以10nm制程打造代號“Icelake”與“Tigerlake”處理器系列
2016-01-22 08:53:401434

臺積電10nm制程明年量產(chǎn),三星緊追在后

臺積電高層公開表示,10奈米制程一開始的市占率會相當(dāng)高、公司會努力保持下去。三星10奈米制程晶片預(yù)定2016年底量產(chǎn),臺積電計畫則在2016年第3季量產(chǎn),但市場認(rèn)為,三星有機會趕上臺積電。
2016-02-25 08:35:21867

芯片巨頭技術(shù)升級 三星投產(chǎn)二代10nm技術(shù)

三星本周宣布,將定于今年晚些時候投產(chǎn)第二代10nm芯片生產(chǎn)工藝。目前,三星已經(jīng)在美國硅谷開始向多個半導(dǎo)體公司推廣自家的14nm工藝。臺積電計劃在2017年上半年試產(chǎn)7nm工藝,目前有超過20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677

Intel制程工藝一騎絕塵,領(lǐng)先三星和臺積電

后來進入10nm級,Intel在制程工藝層面一騎絕塵,領(lǐng)先三星和臺積電一代以上。不過,Intel 14nm FinFET大量都是用在自家生意上,畢竟作為芯片一哥,需求量驚人,另外就是為FPGA伙伴代工了。
2016-07-15 10:24:041155

10nm新工藝!高通、三星、聯(lián)發(fā)科搶占制高點

臺積電和三星都將在明年規(guī)模量產(chǎn)10nm新工藝,高通、蘋果、三星、聯(lián)發(fā)科的下一代處理器自然都會蜂擁而上,搶占制高點,據(jù)說第一個將是聯(lián)發(fā)科的新十核Helio X30。
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三星開始大規(guī)模生產(chǎn)10nm FinFET SoC

今日,三星電子正式宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)基于10nm FinFET技術(shù)的SoC,這是業(yè)界內(nèi)首家提供10nm工藝代工廠商。新工藝下的SoC性能可以提供27%,功耗將降低40%。
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臺積電不懼三星量產(chǎn)10nm 有信心奪得蘋果A11處理器

三星已于近日率先宣布 10nm 制程進入量產(chǎn)階段,成為業(yè)界第一家。臺積電對此反應(yīng)如何?臺積電聯(lián)合 CEO 劉德音在媒體采訪中表示,臺積電先進制程持續(xù)領(lǐng)先競爭對手,他們對自家技術(shù)非常有信心。
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三星推出10nm級8GB LPDDR4芯片

據(jù)三星官網(wǎng)新聞,韓國巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒,10nm級(10nm~20nm之間)工藝制造,可實現(xiàn)與20nm級4GB
2016-10-20 10:55:482245

首顆10nm移動處理器聯(lián)發(fā)科Helio X30或年底亮相

10月份,三星宣布10nm進入量產(chǎn)后,市場上的14nm/16nm產(chǎn)品似乎瞬間黯然無光。三星計劃明年初發(fā)布首款10nm產(chǎn)品,預(yù)計是采用10nm LPE的Exynos 8895。顯然,老對手臺積電和它的客戶不愿被動挨打,最新消息顯示,聯(lián)發(fā)科首顆10nm芯片Helio X30定于年底量產(chǎn)亮相。
2016-11-03 11:22:381276

挖人、投錢,臺積電力抗三星,誓與三星10nm制程上決勝負(fù)!

據(jù)媒體報道,臺積電近日通過一次董事會議決定,將在未來拿出49.1億美元(約合333億元人民幣)產(chǎn)能提高、工廠興建以及下一代先進制程(7nm/10nm)的研究等。
2016-11-10 14:41:00788

臺積電/英特爾/GF/三星紛紛進入10nm芯片領(lǐng)域 芯片的未來在哪?

四家芯片巨頭紛紛進入10nm芯片領(lǐng)域,預(yù)示著芯片界的競爭程度提升到新等級。那么,芯片界的這場“戰(zhàn)爭”會結(jié)束嗎,芯片的未來又在哪里呢?
2016-12-12 14:43:261098

傳小米松果處理器高端版采用三星10nm制程

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三星計劃在未來將公布個工藝,挑戰(zhàn)臺積電

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10nm、7nm制程到底是指什么?宏旺半導(dǎo)體和你聊聊

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三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率

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存儲芯片入門漫談

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2016-08-16 16:30:57

【十德盛科技】主營各類memory芯片,鎂光 三星 海力士 存儲芯片 庫存充足

公司店鋪鏈接https://shenzlu.cn.china.cn/?from=tui 公司QQ1784094773主要熱門現(xiàn)貨有 鎂光 三星 海力士 各類存儲芯片 歡迎廣大終端客戶前來咨詢問價
2019-01-10 14:40:29

【集成電路】10nm技術(shù)節(jié)點大戰(zhàn)

臺積電與三星10nm工藝。智能手機的普及,大大地改變了現(xiàn)代人們的生活方式,言猶在耳的那句廣告詞——“科技始終來自于人性”依舊適用,人們對于智能手機的要求一直是朝向更好、更快以及更省電的目標(biāo)。就像
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從7nm到5nm,半導(dǎo)體制程 精選資料分享

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供應(yīng) 三星 海力士存儲芯片

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回收三星ic 收購三星ic

歐電子長期全國回收品原裝存儲芯片三星samsung,海力士SK hynix,現(xiàn)代hyniy,展訊SPREADTRUM,微芯MICROCHIP,閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
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驍龍830將采用三星10nm工藝獨家制造 S8將搭載

近日,三星電子宣布已經(jīng)開始采用10nm FinFET工藝量產(chǎn)邏輯芯片,三星也成為了業(yè)內(nèi)首家大規(guī)模采用10納米工藝的廠商。前段時間,韓國《電子時報》報道,高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830(或835
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臺積電與三星,蘋果A11芯片會青睞哪一家?

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臺積電反駁分析師:10nm制程正按計劃發(fā)展

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特爾的10nm工藝可是要完全領(lǐng)先臺積電和三星10nm工藝。
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雖然摩爾定律即將走向終結(jié),但半導(dǎo)體制程工藝推進的腳步卻一直沒有停下過。臺積電和三星作為ARM芯片代工陣營的領(lǐng)軍企業(yè),雙方你追我趕大打制程戰(zhàn),已將制程工藝推進至10nm,而高通聯(lián)發(fā)科等我們所熟知的IC
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%的性能提升。 那么我們不禁要問,Intel的10nm怎么了? 先就本次投資會議,Intel表示,數(shù)據(jù)中心所用的Xeon高端多核處理器將首批用上下一代制程,也就是10nm。另外在CES上,CEO柯再奇曾證實,搭載10nm芯片筆記本產(chǎn)品會在今年底出貨。 這其實不難理解。由于8代酷睿還是下半年上市,局面很可能是
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10nm工藝良品率不足 三星S8可能要搶購了

三星Galaxy S8和蘋果的iPhone 8都將進入10nm時代,兩者將分別搭載基于10nm工藝的驍龍835和A11芯片,不過現(xiàn)據(jù)臺媒《電子時報》報道,業(yè)內(nèi)10nm工藝陷入良品率不理想的困境,預(yù)計Galaxy S8和iPhone 8將出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況,而由于三星S8發(fā)布更早,遭受的影響也更大。
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小米6不延期備貨足!三星砸重金擴產(chǎn)10nm驍龍835

三星是目前唯一宣布量產(chǎn)10nm芯片的代工廠,涉及驍龍835、Exynos 8895等移動SoC。
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三星宣布已經(jīng)完成第二代10nm的質(zhì)量驗證工作

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三星宣布10nm制程新突破:已完成二代10nm工藝LPP驗證工作

 三星今天宣布,繼去年10率先量產(chǎn)10nm工藝移動芯片后,日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗證工作,即將量產(chǎn)。下面就隨網(wǎng)絡(luò)通信小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-23 10:19:411823

三星宣布第二代10nm制程已完成開發(fā)

三星上周四宣布,第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成,未來爭取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn),目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。
2017-04-25 01:08:11746

三星芯片業(yè)務(wù)再登臺階,第二代10nm今年內(nèi)量產(chǎn)!

前進的步伐還是不會被徹底推翻的??萍嫉膭?chuàng)新也不會因此而止步。日前,三星官方正式宣布他們將會開產(chǎn)第二代10nm工藝制程芯片,三星電子在4月20日正式宣布,他們已經(jīng)完成了第二代10nm制程的驗證工作,同時即將正式量產(chǎn)。
2017-04-25 09:50:22852

三星完成第二代10nm工藝質(zhì)量驗證,即將量產(chǎn)

  據(jù)韓媒報道,高通已經(jīng)與三星攜手,合作開發(fā)下一代手機處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE(low-power early)工藝處理器后,日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938

iPhone8什么時候上市?iPhone8最新消息:iPhone8處理器,iPhone8將用A11處理器,或選三星10nm制程生產(chǎn)!

近日,有消息指出蘋果全新一代的A11處理器將會采用三星10nm制程生產(chǎn)。目前業(yè)內(nèi)的頂端處理器,例如:高通驍龍835處理器和三星Exynos 8895處理器已經(jīng)率先使用10nm的工藝制程,而作為行業(yè)的佼佼者蘋果不可能放棄對10nm工藝制程的追求。
2017-04-26 08:42:103078

蘋果A11芯片將用10nm制程,或?qū)?b class="flag-6" style="color: red">三星全部代工!

  近日,有消息指出蘋果全新一代的A11處理器將會采用三星10nm制程生產(chǎn)。目前業(yè)內(nèi)的頂端處理器,例如:高通驍龍835處理器和三星Exynos 8895處理器已經(jīng)率先使用10nm的工藝制程,而作為
2017-04-26 14:15:382852

三星S8的10nm驍龍835為何跟華為P10的16nm麒麟960性能相當(dāng)

今年安卓陣營的旗艦手機芯片當(dāng)屬高通驍龍835莫屬,驍龍835是首批量產(chǎn)的10nm手機芯片,并且還集成了下行速率高達1Gbps的基帶;目前在售搭載驍龍835的手機還較少,三星S8與小米6是較早采用驍龍
2017-05-16 11:40:481982

三星10nm和臺積電10nm對比分析

2017年3月,三星和臺積電分別就其半導(dǎo)體制程工藝的現(xiàn)狀和未來發(fā)展情況發(fā)布了幾份非常重要的公告,三星表示,該公司有超過7萬個晶圓加工過程都采用了第一代10nmFinFET工藝,未來這一數(shù)量還會繼續(xù)增加。臺積電也表示,在未來幾年,臺積電將會陸續(xù)推出幾項全新的工藝
2018-01-08 10:56:1417414

揭秘Intel 10nm工藝,晶體管密度是三星10nm工藝的兩倍

作為科技行業(yè)著名的“牙膏廠”,英特爾一直走在所有廠商前面。因為它的10nm制程已經(jīng)跳票年之久,每當(dāng)一款新的處理器發(fā)布,眾人翹首以待10nm的到來,可英特爾還是給用戶潑冷水,繼續(xù)跳票10nm工藝。
2018-06-15 15:53:006091

芯片制造進入10nm以內(nèi)后,該如何面臨現(xiàn)實的困難

芯片代工行業(yè)在制程邁入10nm以內(nèi)后,面臨的成本壓力也越來越高。據(jù)SemiEngineering報道,IBS的測算顯示,10nm芯片的開發(fā)成本已經(jīng)超過了1.7億美元,7nm接近3億美元,5nm超過5億美元。
2018-07-11 15:15:001361

三星第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升需求

12月20日,三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴大整體10nm級DRAM的生產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102

三星10nm級DDR4 SoDIMM內(nèi)存,容量達到32GB單條

三星宣布推出基于10nm級(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組,用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達到32GB單條,頻率2666MHz,結(jié)構(gòu)上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722

三星推出基于10nm工藝的3GPP Release 15的5G基帶芯片

三星電子發(fā)布了其第一款5G基帶處理器Exynos Modem 5100,據(jù)稱這是世界上首款完全兼容3GPP Release 15的5G基帶芯片。這款基于10nm工藝的基帶芯片能夠在單芯片上支持5G及傳統(tǒng)移動服務(wù)(全網(wǎng)通)。
2018-08-29 16:27:374671

三星與臺積電的競爭加劇,臺積電要進入存儲芯片行業(yè)勢不可擋

近日臺積電新任董事長劉德音接受采訪的時候暗示有意進入存儲芯片行業(yè),甚至表示“不排除收購一家內(nèi)存芯片公司”,這意味著它將與存儲芯片的老大三星形成更激烈的競爭,對于三星來說它在存儲芯片行業(yè)正逐漸面臨眾狼圍攻的局面。
2018-09-20 16:38:001877

三星7nm LPP工藝進入量產(chǎn),Intel重申10nm工藝進展良好

在Samsung Tech Day上,三星宣布7LPP工藝進入量產(chǎn),并表示基于EUV光刻技術(shù)的7LPP工藝對比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝,可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:404449

10納米DRAM制程競爭升溫,SK海力士、美光加速追趕三星

逐漸升溫,三星電子在2017年率先宣布量產(chǎn)第二代10納米(1y)制程DRAM,目前傳出進入10納米(1z)制程開發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進
2018-11-12 18:04:02533

10nm以下先進制程 臺積電和三星采取怎樣的策略

晶圓代工領(lǐng)域10nm已成分水嶺,隨著英特爾的10nm制程久攻不下,聯(lián)電和格芯相繼擱置7nm及以下先進制程的研發(fā)后,10nm以下的代工廠中只有三星在繼續(xù)與臺積電拼刺刀。
2018-11-16 10:37:374463

三星采用第二代10nm工藝級別的DRAM芯片量產(chǎn)

三星電子今天宣布,開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196

三星宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片

3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083840

三星進入蟄伏期:成也存儲,失也存儲

關(guān)鍵詞:三星 , 存儲 來源:36氪 三星電子剛剛結(jié)束了一個上升周期。 半導(dǎo)體市場研究機構(gòu) IC Insights 本周發(fā)布的最新報告顯示,由于存儲芯片(主要包括DRAM和NAND閃存)市場景氣周期
2019-03-20 00:56:01357

三星突破DRAM的擴展極限 成功研發(fā)10nm級DDR4內(nèi)存

據(jù)消息,作為先進存儲器技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者,三星電子今(21)日宣布第10納米級(1z-nm)8GB超高性能和高功效的DRAM(Dynamic Random Access Memory
2019-03-21 17:30:542123

三星電子將開發(fā)首款基于第10nm級工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:164320

三星10nm工藝DDR4內(nèi)存下半年量產(chǎn)

關(guān)鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01588

三星電子正在通過擴大更高附加值 減少公司對存儲芯片市場的依賴

由于存儲芯片的價格波動很大,三星電子正在尋求通過擴大更高附加值,來減少公司對存儲芯片市場的嚴(yán)重依賴。
2019-05-29 17:06:491176

三星嵌入式存儲芯片 全球量產(chǎn)速度最快

三星最新宣布,已開始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲芯片三星將提供16GB、32GB和64GB種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-07-02 11:46:151133

三星首次開發(fā)出第10nm級DRAM高級存儲

三星電子有限公司(Samsung Electronics)在其官網(wǎng)上發(fā)布消息,該公司正式宣布,首次開發(fā)了第10nm 制程工藝(1z-nm)8GB 超高性能和高功效的 DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態(tài)隨機存取存儲器)。
2019-09-27 17:23:291500

三星率先將HBM存儲芯片容量提至24GB

2019年10月7日,三星電子宣布率先在業(yè)內(nèi)開發(fā)出12層3D-TSV(硅穿孔)技術(shù)。
2019-10-08 11:22:271176

三星量產(chǎn)全球速度最快的嵌入式存儲芯片

三星宣布,已開始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲芯片,三星將提供16GB、32GB和64GB種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-10-18 14:30:401575

三星率先使用3nm,比較5nm性能提升30%能耗降低一半

但在下一代的 3nm 芯片制造工藝方面,臺積電可能會有來自三星的挑戰(zhàn),后者擬率先使用這一先進的工藝制造芯片。
2020-01-03 14:49:274252

三星3nm制程2022年量產(chǎn),整體表現(xiàn)比預(yù)期好

報道稱,與三星電子的5nm工藝相比,3nm制程能將芯片尺寸縮小35%,功耗降低50%,性能提升30%。
2020-01-03 16:18:164372

英偉達安培顯卡或基于三星10nm工藝

根據(jù)外媒WCCFTECH的報道,爆料消息稱英偉達的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程,而不是之前報道的臺積電7nm工藝,據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù),另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程
2020-03-12 16:28:463370

三星再次擴產(chǎn),專注5nm以上EUV工藝先進制程

北京時間5月21日消息,三星電子周四表示,公司的第六條國內(nèi)芯片代工生產(chǎn)線已經(jīng)動工,將生產(chǎn)邏輯芯片。三星此舉旨在降低對于不穩(wěn)定的存儲芯片領(lǐng)域的依賴。 三星目前正在芯片代工領(lǐng)域挑戰(zhàn)更強大的對手臺積電
2020-05-21 11:52:244878

三星跳過4nm制程轉(zhuǎn)向3nm制程量產(chǎn),要真正反超臺積電存在諸多挑戰(zhàn)

芯片先進制程的賽場上,放眼全球,僅剩臺積電、英特爾、三星。目前,臺積電和三星在7nm以下的競爭備受關(guān)注。根據(jù)報道,三星將直接跳過4nm先進制程,轉(zhuǎn)向3nm制程的量產(chǎn),此舉有可能使三星領(lǐng)先于臺積電
2020-07-06 15:31:542666

三星將EUV與10nm工藝結(jié)合推出LPDDR5內(nèi)存芯片

EUV,依靠現(xiàn)有的DUV(深紫外光刻)是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是,三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結(jié)合,用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉,三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第10nm級(1z)工藝打造,請注意16Gb容量的后綴,是Gb而不是GB,16Gb對應(yīng)的其實是
2020-09-01 14:00:293544

三星和臺積電在5nm先進制程上將進行沒有硝煙的戰(zhàn)爭

25日,三星和臺積電在5nm先進制程上同時爆發(fā)新聞,沒有硝煙的戰(zhàn)場上從未停止戰(zhàn)爭。
2020-08-26 11:43:173555

華為已完成存儲芯片的囤貨計劃,三星Q4凈利潤或?qū)⒊霈F(xiàn)大幅下跌

市調(diào)機構(gòu)TrendForce預(yù)計四季度存儲芯片的價格將下跌10%,這對于全球存儲芯片行業(yè)老大三星來說顯然并非好消息,三星的凈利潤或因此而出現(xiàn)大幅下跌。
2020-10-09 11:52:302093

臺積電三星3nm制程工藝研發(fā)均受阻

2020年,臺積電和三星這兩大芯片代工商,均把芯片制程工藝提升至5nm,而且更先進的3nm制程也在計劃中,不過,最近它們好像都遇到了一些麻煩。
2021-01-12 16:26:532852

三星的8nm與臺積電的7nm制程究竟有何不同呢?

這還要從三星正式推出8nm制程說起。2017年5月,三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部在美國圣克拉拉舉行的三星代工論壇上,公布了其未來幾年的制程工藝路線圖,其中,8nm首次正式亮相。當(dāng)年10月,三星即宣布已完成8nm LPP工藝驗證,具備量產(chǎn)條件。
2021-05-18 14:19:299987

三星要將借助3nm節(jié)點超越臺積電?明年上半年量產(chǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在10nm及以下先進制程的競爭中,臺積電與三星已經(jīng)成為了唯二的對手。在2020年5nm實現(xiàn)量產(chǎn)時,同樣的Cortex-A76內(nèi)核在基于三星的5nm制程芯片上,同頻功耗
2021-10-12 11:16:232425

三星存儲芯片需求持續(xù)強勁

三星存儲芯片需求持續(xù)強勁:近日,三星電子公司正式發(fā)布了第四季度的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)情況,根據(jù)三星公司發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示三星電子第四季度利潤有望創(chuàng)紀(jì)錄,三星電子的代工業(yè)務(wù)或?qū)@得未來2年的訂單。
2022-01-06 15:14:192127

三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎

三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎 全球第一款正式量產(chǎn)的3nm芯片即將出自三星半導(dǎo)體了,根據(jù)三星半導(dǎo)體官方的宣布,4D(GAA)架構(gòu)制程技術(shù)芯片正式開始生產(chǎn)。 4D(GAA)架構(gòu)制程是3D
2022-06-30 20:21:522069

三星在3nm率先使用GAA 是否更具競爭力

而在臺積電3nm量產(chǎn)之前,三星已經(jīng)在今年6月30日宣布,其采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝,在當(dāng)日開始初步生產(chǎn)芯片,據(jù)外媒報道,三星電子采用3nm工藝代工的首批芯片,定于7月25日出貨。臺積電、三星的3nm之爭似乎已經(jīng)拉開帷幕。
2022-08-18 11:57:192174

美國可能限制韓企在華制造存儲芯片

三星和SK海力士的在華晶圓廠有可能在2023年10月以后不但無法繼續(xù)進口設(shè)備更新產(chǎn)線,也無法再生產(chǎn)更先進存儲芯片,包括更先進制程和更高Layer的DRAM和NAND芯片。
2023-03-03 10:07:12776

三星存儲芯片需求回暖!

美國消費者新聞與商業(yè)頻道分析,這意味存儲芯片市場可能觸底回升。按這家媒體說法,三星電子是全球最大的動態(tài)隨機存取存儲芯片制造商。這家企業(yè)生產(chǎn)的存儲芯片廣泛應(yīng)用于智能手機和電腦等設(shè)備。
2023-11-02 16:57:571597

三星電子計劃在2026年推出最后一代10nm級工藝1d nm

三星電子在最新的內(nèi)存產(chǎn)品路線圖中透露了未來幾年的技術(shù)布局。據(jù)透露,三星計劃在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR內(nèi)存,該制程將支持高達32Gb的顆粒容量,標(biāo)志著內(nèi)存性能與密度的雙重飛躍。
2024-09-09 17:45:491152

三星芯片代工新掌門:先進與成熟制程并重

與成熟制程的并重發(fā)展。他指出,當(dāng)前三星代工部門最緊迫的任務(wù)是提升2nm產(chǎn)能的良率爬坡。這一舉措顯示了三星先進制程技術(shù)領(lǐng)域的決心和實力。 同時,韓真晚也提到了三星電子在GAA工藝方面的領(lǐng)先地位。盡管三星已經(jīng)率先實現(xiàn)了全球首個GAA工藝,但在先進
2024-12-10 13:40:351257

存儲芯片大反彈,三星一季度利潤暴漲近10

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)近日,三星電子公布了其2024年第一季度的財報預(yù)估數(shù)據(jù),顯示利潤有大幅增長,漲幅近10倍。巨大漲幅的原因主要在于半導(dǎo)體價格,尤其是存儲芯片價格的大反彈,這讓三星一舉扭轉(zhuǎn)
2024-04-08 00:17:004277

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