存儲器大廠美光（Micron）昨（20）日召開法說會，執(zhí)行長Mark Durcan看好下半年NAND Flash旺季，并指出未來12個月，NAND市場產(chǎn)能供給增加的幅度有限，但需求十分強勁，幾乎可用貪婪的需求（insatiable demand）來形容，因此對下半年NAND市場抱持樂觀正面看法。
2013-06-21 11:07:09
1147 目前3D NAND僅由三星電子獨家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0644661 
制造、設(shè)計或啟用NAND閃存的公司組成的行業(yè)工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡化NAND閃存集成到消費電子產(chǎn)品、計算平臺和任何其他需要固態(tài)大容量存儲的應(yīng)用程序中。為NAND閃存定義標(biāo)準(zhǔn)化的組件級
2023-06-21 17:36:3213702 
Intel的傲騰系列閃存上因為使用了最新的3D XPoint閃存所以其速度和耐用性都給人留下了深刻的印象。而當(dāng)年和Intel一起合作開發(fā)3D XPoint的美光在昨天也終于正式宣布推出自己的首款3D XPoint產(chǎn)品——X100。
2019-11-27 17:01:071214 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176層NAND產(chǎn)品采用美光第五代3D NAND技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。
2020-11-13 09:40:163599 針對“美光近日中國區(qū)業(yè)務(wù)調(diào)整”一事，美光正式回應(yīng)CFM閃存市場： 鑒于移動 NAND 產(chǎn)品在市場持續(xù)疲軟的財務(wù)表現(xiàn)，以及相較于其他 NAND 機會增長放緩，我們將在全球范圍內(nèi)停止未來移動 NAND
2025-08-12 13:39:302945 將在IBM紐約州East Fishkill 300 mm晶圓廠內(nèi)聯(lián)合開發(fā)32 nm bulk CMOS工藝。2007年2月美光推出25 nm NAND閃存，3年后量產(chǎn)25 nm閃存。目前32 nm/22 nm工藝尚處于研發(fā)階段。
2019-07-01 07:22:23
本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-24 17:04 編輯
觀點：盡管NAND閃存市場需求在一定程度上受到了經(jīng)濟(jì)形勢的影響，但美光市場卻逆勢增長，其市場份額首次突破20%大光。這是其
2012-09-24 17:03:43
，25nm新工藝NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計今年晚些時候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產(chǎn)，這也是該領(lǐng)域的制造工藝首次進(jìn)軍到
2022-01-22 07:59:46
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D閃存MT29F4G08ABAEAWP-IT:E美系內(nèi)存大廠美光(Micron)日前正式推出25奈米NAND Flash制程，預(yù)計于2010年中
2022-01-22 08:05:39
全球前3名，尤其是和合作伙伴英特爾合計，市占率超過15%。美光在NAND Flash市場上突圍，主要是拜2009年34奈米制程領(lǐng)先所賜，2010年再度領(lǐng)先宣布年中量產(chǎn)25奈米制程，成本競爭力促使美光市
2022-01-22 08:14:06
SK海力士雖然并未有擴產(chǎn)消息傳出，但是近期相繼宣布下一代（176層）NAND閃存技術(shù)取得顯著進(jìn)展。其中，美光最新的176層3D NAND已經(jīng)在新加坡工廠量產(chǎn)，將在2021年推出基于該技術(shù)的新產(chǎn)品，SK
2022-01-26 08:35:58
，大數(shù)據(jù)存儲需求持續(xù)增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增長率達(dá)40%-45%，而美光NAND技術(shù)從40nm到16nm，再到64層3D技術(shù)，一直為市場提供更好的產(chǎn)品和解決方案。就在幾個月前美
2018-09-20 17:57:05
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
時間回到2018年第一季度，三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤率是40％，但是第一季度過后NAND價格就開始暴降，據(jù)統(tǒng)計去年上半年NAND閃存價格下跌了至少50％，而根據(jù)分析師表示，未來每年
2021-07-13 06:38:27
大家好，我做FPGA開發(fā)，需要用到大的內(nèi)存，ise12只有美光和現(xiàn)代的庫，我對美光內(nèi)存使用有如下疑惑：美光2G內(nèi)存位寬16位，速率可達(dá)200M，4G內(nèi)存怎么才8位，速率還慢，才125M~150MHz.這樣的話，用更多的內(nèi)存反而降低性能？
2013-06-22 21:46:08
DRAM補全計劃？此前曾傳出紫光將斥資230億美元收購美的消息，后因美國***的限制，使這筆交易暫時壓后。美光就不需要給大家介紹，它的DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導(dǎo)體組件以及存儲器模塊
2016-07-29 15:42:37
NAND）。 標(biāo)配的HyperX SSD附帶有5K 25nm Intel MLC NAND，而HyperX 3K配備3K 25nm Intel MLC NAND。英特爾的零件編號沒有明顯的區(qū)別，所以
2017-11-27 16:50:14
Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:061236 三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700 Intel-鎂光反擊,2xnm制程NAND芯片將試制
在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品，并對其進(jìn)行取樣測試。盡管
2009-12-26 09:56:491579 東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤將于二季度上市
日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重，其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷量僅次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤
2010-01-08 17:15:131266 震撼存儲產(chǎn)業(yè)，IMFT發(fā)布25nm SSD
去年8月份，Intel剛剛發(fā)布了全球首批34nm MLC NAND閃存新工藝固態(tài)硬盤，從50nm進(jìn)化至34nm。而現(xiàn)在，Intel與Micron所合資的公司IMFT此次再次推動
2010-02-02 09:05:47942 
英特爾、美光聯(lián)手推出25納米NAND
英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首個25納米NAND技術(shù)——該技術(shù)能夠增加智能手機、個人音樂與媒體播放器(PMP)等流行
2010-02-02 16:52:16770 技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽
在最近舉辦的一次會議上，Intel公司屬下NAND閃存集團(tuán)的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)Intel閃存業(yè)務(wù)的一個驚人規(guī)劃，
2010-02-09 10:50:09714 Intel大連晶圓廠今年10月投產(chǎn)
Intel公司宣布，位于我國大連市的“Fab 68”晶圓廠將于今年10月份正式投入生產(chǎn)。
Fab 68工廠將使用65nm工藝制造
2010-02-10 10:27:05902 Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081491 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511566 IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計今年晚
2010-03-23 11:58:41777 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358955 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:231244 
美光科技公司(MicronTechnology)與英特爾公司近日宣布試制成功了基于行業(yè)領(lǐng)先的50納米(nil])制程技術(shù)的NAND閃存，這兌現(xiàn)了它們對快速提升技術(shù)領(lǐng)先曲線的承諾。樣品通
2010-05-30 11:08:09890 美光科技 (Micron Technology Inc.) 日前宣布，美光獲獎的25nm NAND 已獲日立LG數(shù)據(jù)儲存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡稱 HLDS) 采用作為其新型混合
2010-11-03 09:40:212200 
美光科技 (Micron Technology Inc.) 近日宣布推出高容量閃存產(chǎn)品組合，其將在未來延長數(shù)年NAND產(chǎn)品的生命周期。通過在
2010-12-08 09:34:13875 目前，限制SSD普及的門檻依然是昂貴的價格和較小的容量，而各大閃存制造廠商也在為SSD的普及，積極地研制新制程技術(shù)，以期望帶來更具性價比的產(chǎn)品。顯然，英特爾和美光的合
2011-01-02 12:57:481163 北京時間2月29日凌晨消息，英特爾同意與美光科技擴大就閃存芯片領(lǐng)域的合資企業(yè)合作，提高雙方關(guān)系的效率和靈活性。根據(jù)雙方達(dá)成的協(xié)議，美光將為英特爾供貨NAND閃存產(chǎn)品，而英特
2012-02-29 08:55:41401 一周前Intel正式發(fā)布了SSD 313,全面為Ivy Bridge平臺SRT技術(shù)準(zhǔn)備,而在主流市場intel不久前曝光的SSD 330近日正式上市,產(chǎn)品加入到SATA 6Gbps的大軍中。Intel SSD 330采用了25nm MLC NAND閃存,最大持續(xù)讀寫
2012-04-17 11:14:281578 美光在NAND閃存市場的份額首次超過20%， 營業(yè)收入增長，使得排名第三的美光縮小與第二名東芝之間的差距。
2012-09-14 09:34:321207 
DRAM和NAND芯片提供商美光(Micron)仍在困境中掙扎，6個季度的虧損，3年來收入達(dá)到最低點。這個情況還將持續(xù)多長時間?
2012-12-23 12:31:131400 2006年初，美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IM Flash Technologies公司（IMFT）在市場上閃亮登場。通過整合Intel公司的NOR多層單元（MLC）閃存技術(shù)與美光的DRAM
2017-04-20 17:33:524345 在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319 Intel在官網(wǎng)宣布，和美光的閃存合作即將發(fā)生關(guān)鍵性變化。Intel強調(diào)，將能抽出更多精力優(yōu)化自身產(chǎn)品、服務(wù)客戶，且不會對路線圖和技術(shù)節(jié)點造成影響。未來英特爾和美光將在它們在IMFT公司聯(lián)合開發(fā)出來的NAND芯片市場上相互競爭。
2018-03-05 15:52:424645 美光昨天發(fā)布了最新款的5210 ION系列企業(yè)級SSD，采用美光與Intel聯(lián)合開發(fā)的新一代QLC NAND閃存顆粒。這也是全球首款QLC閃存產(chǎn)品。
2018-05-23 16:51:003152 最近的新聞報導(dǎo)指出，英特爾(Intel)與美光(Micron)閃存研發(fā)策略聯(lián)盟的分手，肇因于對未來3D NAND Flash發(fā)展的看法差異，想來合理，且早有征兆。
2018-06-13 16:31:453785 根據(jù)美光的財報信息，受益于eMMC、eMCP市場，美光高價值移動NAND閃存營收環(huán)比幾乎翻倍，其中85%都是TLC閃存類型，去年同期比例不足1%。此外，來自數(shù)據(jù)中心市場的內(nèi)存、閃存營收同比增長了87%。
2018-06-27 08:52:443687 由于NAND閃存價格上漲，SSD普及的道路走的異常艱難，同容量下SSD和HDD的價格始終相差懸殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存，把SSD的價格和性能控制在一個很好的平衡點，具有極高的性價比和極強的市場競爭力，或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:365391 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031683 今年的閃存技術(shù)峰會，美光、SK海力士包括長江存儲都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案，SK海力士稱之為“4D NAND”，長江存儲稱之為Xtacking，美光則稱之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫
2018-08-12 09:19:287883 市場。SK Hynix的3D NAND閃存堆棧層數(shù)從36層起步，不過真正量產(chǎn)的是48層堆棧的3D NAND閃存，MLC類型的容量128Gb，TLC類型的也可以做到256Gb容量。?Intel/美光：容量
2018-10-08 15:52:39780 美國愛達(dá)荷州博伊西，2018 年 11 月 07 日——美光科技有限公司（納斯達(dá)克代碼：MU）今天宣布旗下 QLC（四級單元）NAND 技術(shù)提升市場領(lǐng)導(dǎo)地位的進(jìn)一步舉措——其廣受歡迎的美光 5210
2018-11-12 17:48:301626 美光總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財報電話會議上表示，為了適應(yīng)當(dāng)前市場的狀況，美光將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)美光的數(shù)據(jù)，2019年他們預(yù)測DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%，低于此前預(yù)測的20%增長，而NAND閃存預(yù)計增長35%，也低于之前預(yù)計的35-40%增長率。
2018-12-21 11:15:054225 美國存儲器領(lǐng)導(dǎo)廠美光25日在世界移動大會（MWC）發(fā)表全球首款超大容量microSD閃存卡——Micron c200系列 1TB microSDXC UHS-I。
2019-03-04 10:55:124158 隨著NAND Flash價格的連續(xù)走低，為了防止過量的NAND閃存供應(yīng)導(dǎo)致市場崩潰，三大NAND生產(chǎn)廠商、Intel、美光以及SK海力士已經(jīng)共同宣布將采取手段遏制供大于求的現(xiàn)狀，具體來講就是全方位
2019-10-12 10:01:221136 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180 出于對數(shù)字存儲市場前景的看好，Intel在2005年和美光合資成立IM公司，用于NAND閃存芯片的研發(fā)和生產(chǎn)，不過，兩家公司均獨立銷售自家牌子產(chǎn)品。
2020-03-17 11:00:072101 在NAND閃存市場，三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能，留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中，兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:54:343342 在NAND閃存市場，三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能，留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中，兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:46:522960 兩年前，美光發(fā)布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的SSD，型號為5210 ION系列。今天，美光宣布5210 ION已經(jīng)得到全面升級，可以作為機械硬盤的完美替代品。
2020-04-10 09:38:491605 SanDisk（閃迪）宣布，已于去年底開始投產(chǎn)19nm新工藝的NAND閃存芯片，并對此工藝所能帶來的更好性能、更低成本寄予厚望。
2020-07-24 15:19:142318 無論消費者還是企業(yè)機構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0316738 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:528552 美光今天宣布，已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。 不同于CPU、GPU等新品，DRAM內(nèi)存、NAND閃存
2021-01-27 17:28:332298 作價 90 億美元，Intel 又賣出了旗下的一個重要業(yè)務(wù)。這個業(yè)務(wù)，就是 NAND 閃存。這是繼 NVIDIA 宣布以 400 億美元收購 ARM 之后，全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一筆重大交易。
2020-10-21 09:37:572316 韓國存儲芯片制造商SK海力士（SK Hynix）已宣布與英特爾達(dá)成NAND閃存單元協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，SK海力士將向英特爾支付90億美元。該協(xié)議的范圍包括在中國大連的NAND SSD部門，NAND部件
2020-10-21 14:30:372788 前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士，業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:37:321877 前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士，業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:43:421454 據(jù)美媒Anandtech報道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產(chǎn)品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲單元設(shè)計轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:593477 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-10 16:22:392315 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212920 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 芯片巨頭美光11月10日正式宣布，將向客戶交付176層TLC NAND閃存。 這使得美光成為全球第一家量產(chǎn)176層TLC NAND閃存的芯片商。 176層NAND支持的接口速度為 1600MT
2020-11-13 14:25:132185 北京時間11月13日消息，內(nèi)存和存儲解決方案供應(yīng)商Micron Technology（美光科技）宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，一舉刷新行業(yè)紀(jì)錄，實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的重大
2020-11-13 17:42:262565 加而成，第一批為TLC顆粒，單個Die的容量為512Gb（64GB），當(dāng)然后期很可能會加入QLC。 更重要的是，美光不只是宣布了新技術(shù)，而且176層閃存已經(jīng)量產(chǎn)并出貨了，已經(jīng)用于一些Crucial英睿達(dá)品牌的消費級SSD，明年還會發(fā)布更多新產(chǎn)品。 在176層閃存技術(shù)上，美光
2020-11-14 10:01:202368 日前，存儲器廠商美光宣布，其第五代3D?NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D?NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲的應(yīng)用效能。
2020-11-20 17:10:122392 近日，Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品，不過對于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392737 美光今天宣布，已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896 
3D Xpoint技術(shù)是美光與英特爾共同開發(fā)的一種非易失性存儲技術(shù)，比NAND閃存擁有更高的性能和耐用性，旨在填補DRAM和NAND閃存之間的存儲空白
2021-03-19 14:25:251570 內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克代碼：MU)宣布已批量出貨全球首款 176層QLC(四層單元)NAND固態(tài)硬盤(SSD)。美
2022-01-27 19:04:242707 美光科技公司宣布，它已開始批量出貨全球首款176層QLC NAND SSD。美光的 176 層 QLC NAND 采用最先進(jìn)的 NAND 架構(gòu)構(gòu)建，可為各種數(shù)據(jù)豐富的應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的存儲密度和優(yōu)化的性能。
2022-03-29 17:23:182372 美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴展到超過 200 層，可謂存儲創(chuàng)新的分水嶺。此項突破性技術(shù)得益于廣泛
2022-07-28 09:49:5922968 美光發(fā)布的官方新聞稿，該企業(yè)宣布其已經(jīng)正式出貨了全球首款使用超過200層NAND芯片的消費級固態(tài)硬盤美光2550 SSD，該SSD采用232層NAND技術(shù)，采用PCIe 4.0標(biāo)準(zhǔn)。
2022-12-08 16:19:191261 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394222 美光稱，2023 年的行業(yè)需求預(yù)測目前較低，但整個行業(yè)供應(yīng)量的大幅減少已開始穩(wěn)定市場。去年 11 月份，美光宣布將存儲芯片減產(chǎn) 2 成。財報內(nèi)容顯示，美光專注于庫存管理和控制供應(yīng)，近期將 DRAM 和 NAND 晶圓開工率進(jìn)一步減少至近 30%，預(yù)計減產(chǎn)將持續(xù)到 2024 年。
2023-06-30 15:01:321046 
基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:211823 訴訟旨在解決以下問題的一個方面：美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash（閃存）市場來阻止競爭和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:511090 長江存儲在以上起訴書中稱，長江存儲不再是新秀（upstart），而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示，去年11月，分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結(jié)論：長江存儲是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，超過了美光。
2023-11-13 16:53:041658 
長江存儲與美光芯片戰(zhàn)升級。3D NAND閃存制造商長江存儲，已于9日在美國加州北區(qū)地方法院對美國記憶芯片龍頭美光科技提告，指控美光侵犯了長江存儲8項與3D NAND相關(guān)的美國專利。
2023-11-13 17:24:511517 ONFI 由100多家制造、設(shè)計或使用 NAND 閃存的公司組成的行業(yè)工作組，其中包括主要成員如 Intel 和鎂光。該工作組旨在簡化將 NAND 閃存集成到消費電子產(chǎn)品、計算平臺以及其他需要大容量固態(tài)存儲的應(yīng)用程序中的過程。
2024-04-03 12:26:2411350 
美光科技近期宣布，其創(chuàng)新的232層QLC NAND芯片已成功實現(xiàn)量產(chǎn)并已開始出貨。這一里程碑式的成就標(biāo)志著美光在NAND技術(shù)領(lǐng)域再次取得了顯著進(jìn)步，鞏固了其在全球存儲解決方案市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2024-04-29 10:36:341552 美光科技近日宣布了重大技術(shù)突破，其先進(jìn)的232層QLC NAND閃存已成功實現(xiàn)量產(chǎn)，并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤（SSD）中。此外，美光還推出了2500 NVMeTM SSD，該產(chǎn)品已面向企業(yè)級存儲客戶大規(guī)模生產(chǎn)，并向PCOEM廠商提供了樣品。
2024-05-06 10:59:251099 美光科技再次領(lǐng)跑行業(yè)前沿，近日宣布其232層QLC NAND產(chǎn)品已成功實現(xiàn)量產(chǎn)，并已開始應(yīng)用于部分Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤中。這一突破性的技術(shù)不僅滿足了客戶端對數(shù)據(jù)存儲的高需求，同時也為數(shù)據(jù)中心提供了更高效的存儲解決方案。
2024-05-09 14:53:551034 知名存儲品牌美光近日正式宣布，搭載其研發(fā)的第九代（G9）3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已然問世，并已批量上市，成為全球業(yè)內(nèi)首家成功跨越此歷史性階段的制造商。該產(chǎn)品所采用的堆疊層數(shù)高達(dá)
2024-07-31 17:11:171680 全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商美光科技今日宣布了一項重大突破——其采用第九代（G9）TLC NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤（SSD）已正式進(jìn)入量產(chǎn)出貨階段，標(biāo)志著美光成為業(yè)界首家達(dá)成此里程碑的企業(yè)。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，不僅彰顯了美光在制程技術(shù)和設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)域的卓越實力，更為數(shù)據(jù)存儲市場樹立了新的性能標(biāo)桿。
2024-08-01 16:38:461251 NAND閃存，又稱之為“NAND Flash”，是一種基于Flash存儲技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND閃存的定義、工作原理、特點、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展等幾個方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
2024-08-10 15:57:1913058 近日，根據(jù)美光方面發(fā)布的2025財年第一財季財報電話會議文稿，公司高管在會上確認(rèn)了針對當(dāng)前閃存市場需求放緩的應(yīng)對措施。 美光執(zhí)行副總裁兼首席財務(wù)官Mark Murphy指出，在NAND閃存領(lǐng)域，美光
2024-12-26 14:30:47933 美光一直在QLC市場占有優(yōu)勢，采用美光G9 QLC NAND的美光2600 SSD再次鞏固了這一優(yōu)勢地位。
2025-08-05 11:09:581701
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