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電子發(fā)燒友網(wǎng)>市場(chǎng)分析>美光NAND閃存市占率新突破,首次超過20%

美光NAND閃存市占率新突破,首次超過20%

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創(chuàng)世品牌 SD NAND與eMMC優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比

NAND
雷龍Lucca發(fā)布于 2025-12-09 17:32:32

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2025-12-08 17:54:19

科技出貨車用通用閃存4.1解決方案

科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布,其車用通用閃存(UFS)4.1 解決方案的認(rèn)證樣品已開始向全球客戶出貨。該產(chǎn)品旨在為下一代車輛提供快速的數(shù)據(jù)訪問、卓越的可靠性,以及強(qiáng)化的功能與網(wǎng)絡(luò)安全性能。
2025-11-21 09:16:062343

元戎啟行公布商業(yè)化“成績(jī)單”:量產(chǎn)一年交付20萬輛,10月單月近40%

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2025年11月6日,在第八屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)展臺(tái)上,三家國(guó)際權(quán)威機(jī)構(gòu)和協(xié)會(huì)為頒發(fā)多項(xiàng)認(rèn)證與獎(jiǎng)項(xiàng),充分肯定了光在可持續(xù)發(fā)展和社會(huì)責(zé)任領(lǐng)域的突出表現(xiàn)。
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一文秒懂XTX SD NAND

:原理、性能與應(yīng)用 隨著消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車電子和安防監(jiān)控等領(lǐng)域?qū)Ω呙芏取⒌统杀敬鎯?chǔ)需求的不斷攀升,SD NAND閃存因其體積小、集成度高、易于部署的特點(diǎn),成為SD卡(SD、SDHC、SDXC等
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芯天下的Parallel NAND

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2025-10-30 08:37:07410

SD NAND vs SPI NAND:嵌入式存儲(chǔ)的精裝房和毛坯房之爭(zhēng)

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RK3308 首次燒錄問題請(qǐng)教

RK3308芯片通過rk在線燒錄器首次燒錄是出現(xiàn)等待maskrom失敗,后續(xù)直接燒flash后,發(fā)現(xiàn)串口打印只能到第一行,且按照1.5M波特顯示亂碼,對(duì)比正常demo板第一行打印如下;后面就沒有再打印了,有什么方向可以定位嗎?
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公司退出中國(guó)服務(wù)器芯片市場(chǎng)!

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瀚海微SD NAND/TF卡:賦能全場(chǎng)景數(shù)據(jù)存儲(chǔ),定義高效安全新基準(zhǔn)

控,成為覆蓋多場(chǎng)景的優(yōu)質(zhì)存儲(chǔ)解決方案,為用戶解鎖高效、安全的數(shù)字體驗(yàn)。 高性能突破,重塑數(shù)據(jù)交互效率 針對(duì)當(dāng)前用戶對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度的核心需求,瀚海微SD NAND/TF卡搭載先進(jìn)NAND閃存技術(shù),實(shí)現(xiàn)毫秒級(jí)讀寫響應(yīng)。在消費(fèi)場(chǎng)景中,從運(yùn)動(dòng)相機(jī)
2025-10-14 10:18:31244

主頻3.7GHz、桌面PC登頂!兆芯生態(tài)適配成果爆發(fā)

。 ? 主頻3.7GHz+八核戰(zhàn)力!兆芯桌面PC登頂 目前,x86架構(gòu)處理器依舊在桌面PC、服務(wù)器等計(jì)算領(lǐng)域占據(jù)主要市場(chǎng)份額,并以Intel 和 AMD 為主,形成雙寡頭壟斷的競(jìng)爭(zhēng)格局。國(guó)內(nèi)CPU廠商以兆芯集成、海信息、龍芯中科、華為海思、飛騰信息、電科申泰為
2025-09-29 09:09:322590

科技與聯(lián)想車計(jì)算引領(lǐng)車載存儲(chǔ)新篇章

在智能駕駛邁入千兆帶寬時(shí)代的產(chǎn)業(yè)拐點(diǎn),聯(lián)想與全球存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者科技于9月19日在北京中關(guān)村東升科技園萬麗酒店聯(lián)合舉辦Micron-Lenovo Tech Day。本次技術(shù)盛會(huì)聚焦下一代車載存儲(chǔ)
2025-09-28 16:45:334354

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中國(guó)區(qū)大裁員,未來停止開發(fā)移動(dòng)NAND

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2025-08-12 13:39:302944

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2025-08-11 10:43:441645

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近日,“2025年武漢百萬市民科普游”活動(dòng)第三站走進(jìn)庭信息園區(qū),吸引了近20名武漢中小學(xué)生現(xiàn)場(chǎng)參與,并通過長(zhǎng)江云APP和庭信息視頻號(hào)全程直播,在線觀眾高達(dá)31萬?;顒?dòng)通過湖北廣電專業(yè)
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一直在QLC市場(chǎng)占有優(yōu)勢(shì),采用G9 QLC NAND2600 SSD再次鞏固了這一優(yōu)勢(shì)地位。
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科技第三屆鏈博會(huì)圓滿落幕

此前,2025年7月16至20日,作為創(chuàng)新內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案的業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商,再度以“深耕存儲(chǔ)領(lǐng)域,賦能數(shù)字中國(guó)”為主題亮相第三屆中國(guó)國(guó)際供應(yīng)鏈促進(jìn)博覽會(huì)(鏈博會(huì))。與去年不同的是,攜手
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中國(guó)貿(mào)促會(huì)會(huì)長(zhǎng)一行蒞臨2025鏈博會(huì)展臺(tái)參觀交流

2025年7月16日至20日,第三屆中國(guó)國(guó)際供應(yīng)鏈促進(jìn)博覽會(huì)(鏈博會(huì))在北京舉辦。作為全球首個(gè)以供應(yīng)鏈為主題的國(guó)家級(jí)展會(huì),吸引數(shù)千家中外企業(yè)參展。以“深耕存儲(chǔ)領(lǐng)域,賦能數(shù)字中國(guó)”為主題,精彩亮相
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NAND Flash第三季度將漲價(jià)超15%# Nand Flash#

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SK海力士321層4D NAND的誕生

SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存NAND Flash,以下簡(jiǎn)稱NAND
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喜訊!伏研發(fā)總監(jiān)-楊暢入選 2025 年第一批東吳科技領(lǐng)軍人才計(jì)劃擬立項(xiàng)名單

,蘇州吳中區(qū)官方發(fā)布《關(guān)于對(duì)2025年第一批東吳科技領(lǐng)軍人才計(jì)劃擬立項(xiàng)項(xiàng)目名單的公示》,伏研發(fā)總監(jiān)楊暢榮耀入選擬立項(xiàng)名單,這既是對(duì)其個(gè)人專業(yè)能力與科研貢獻(xiàn)的高度認(rèn)可,也是對(duì)
2025-07-10 09:03:451348

什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash

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推出自適應(yīng)寫入技術(shù)與G9 QLC NAND的2600 NVMe SSD 兼顧出眾PCIe 4.0性能

:MU)宣布,推出2600 NVMe?SSD,專為原始設(shè)備制造商(OEM)設(shè)計(jì)的高性價(jià)比客戶端存儲(chǔ)解決方案。2600 SSD搭載業(yè)界首款應(yīng)用于SSD的第九代QLC NAND(G9 QLC NAND
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科技通過ISO/SAE 21434汽車網(wǎng)絡(luò)安全管理體系認(rèn)證

30余年來,始終走在汽車市場(chǎng)的前沿,不斷推動(dòng)車用內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案創(chuàng)新,以滿足合作伙伴和終端用戶不斷變化的需求。現(xiàn)在,我們自豪地宣布,獲得了面向汽車行業(yè)的ISO 21434網(wǎng)絡(luò)安全管理體系 (CSMS) 認(rèn)證,繼續(xù)保持在汽車市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)地位。
2025-07-01 10:40:081859

互連技術(shù)迎來重大突破,1.6T時(shí)代正式開啟!

模塊將長(zhǎng)期共存,LPO技術(shù)節(jié)能優(yōu)勢(shì)顯著。產(chǎn)業(yè)面臨硅光良、成本(CPO端口$2800)等挑戰(zhàn),2028年1.6T有望突破40%。
2025-06-30 11:25:55794

回收MTFC8GAKAJCN-1M WT鎂光閃存芯片

回收IC,收購(gòu)IC,回收內(nèi)存芯片,回收閃存芯片,回收DDR,回收鎂光DDR 深圳帝歐電子收購(gòu)鎂光內(nèi)存芯片,收購(gòu)鎂光DDR閃存顆粒,回收鎂光顆粒,回收庫(kù)存電子料,回收flash內(nèi)存
2025-06-26 09:52:33

理論進(jìn)100%!CMOS迎來巨大突破

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文 / 吳子鵬)受限于光學(xué)分光機(jī)制與材料特性,硅圖像傳感器(CMOS)中每個(gè)像素僅能接收到約三分之一的可用光。接收量與信號(hào)強(qiáng)度呈線性正相關(guān),因此傳統(tǒng)硅圖像傳感器常需通過延長(zhǎng)曝光
2025-06-24 00:13:003570

TOPCon電池鋁觸點(diǎn)工藝:接觸電阻優(yōu)化實(shí)現(xiàn)23.7%效率

隨著TOPCon太陽(yáng)能電池突破50%,其雙面銀漿消耗量(12–15mg/W)導(dǎo)致生產(chǎn)成本激增。本研究提出以鋁漿替代背面銀觸點(diǎn),通過材料配方革新與工藝優(yōu)化,解決鋁/多晶硅界面過度合金化問題。研究
2025-06-18 09:02:591144

科技出貨全球首款基于1γ制程節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X內(nèi)存 突破性封裝技術(shù)

開始 出貨全球首款采用1γ(1-gamma)制程節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X內(nèi)存認(rèn)證樣品 。該產(chǎn)品專為加速旗艦智能手機(jī)上的AI應(yīng)用而設(shè)計(jì)。LPDDR5X內(nèi)存具備業(yè)界領(lǐng)先的速率,達(dá)到每秒10.7 Gb(Gbps),同時(shí)功耗可降低高達(dá)20%1,為智能手機(jī)帶來更快、更流暢的移動(dòng)體驗(yàn)和更強(qiáng)的續(xù)航
2025-06-06 11:49:061453

Micron-MT29F系列NAND閃存規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Micron-MT29F系列NAND閃存規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-30 16:35:448

為 Motorola 最新款 Razr 60 Ultra 注入 AI 創(chuàng)新動(dòng)能

基于 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 存儲(chǔ)解決方案,合力打造 Motorola 功能強(qiáng)大的翻蓋手機(jī) ? 最新動(dòng)態(tài): 科技今日(5 月 27 日)宣布,Motorola 最新功能
2025-05-27 15:01:541033

AI算力網(wǎng)絡(luò)模塊市場(chǎng)發(fā)展分析

,國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈提升至35%。未來五年800G/1.6T將主導(dǎo)市場(chǎng),2025-2027年全球CAGR達(dá)28%,硅集成與熱管理技術(shù)成產(chǎn)業(yè)突破關(guān)鍵。
2025-05-26 16:50:531232

黃仁勛:對(duì)華芯片管制失敗,英偉達(dá)在華暴跌

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 日前,英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛表示,美國(guó)對(duì)中國(guó)人工智能芯片的出口管制是 “失敗的”。他指出,這一管制不僅未能阻擋中國(guó)在芯片領(lǐng)域的自主發(fā)展腳步,反而讓美國(guó)公司承受了高達(dá)數(shù)十億美元的銷售損失。 ? 黃仁勛所談及的法規(guī),是美國(guó)的《人工智能擴(kuò)散規(guī)則》,其全稱為《人工智能擴(kuò)散出口管制框架》。這是美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局(BIS)于 2025 年 1 月 13 日發(fā)布的一項(xiàng)臨時(shí)最終規(guī)則,美國(guó)以國(guó)家安全為借口,意圖限制人
2025-05-23 01:06:002833

SK海力士UFS 4.1來了,基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存的移動(dòng)端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:008530

深耕AR-HUD賽道!經(jīng)緯恒潤(rùn)躋身前五

,憑借光學(xué)性能和人機(jī)交互優(yōu)勢(shì),位于國(guó)內(nèi)DLP(DigitalLightProcessing,數(shù)字處理技術(shù))方案AR-HUD前列。憑借持續(xù)創(chuàng)新的技術(shù)實(shí)力,經(jīng)緯恒
2025-05-21 17:16:541455

Micron科技深耕中國(guó)20多年,全產(chǎn)業(yè)鏈布局

? 全球領(lǐng)導(dǎo)廠商,創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)未來 科技(Micron Technology)是全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)軍者,旗下?lián)碛?Micron 和Crucial 兩大品牌,專注于 DRAM、NAND和NOR
2025-04-15 16:55:315151

伏亮相 SolarEX Istanbul 2025 共探伏檢測(cè)技術(shù)新趨勢(shì)

2025年4月10日至12日,全球矚目的土耳其伊斯坦布爾太陽(yáng)能伏展覽會(huì)SolarEXIstanbul2025在伊斯坦布爾盛大舉行。作為伏檢測(cè)領(lǐng)域的佼佼者,伏攜多款伏電池專用檢測(cè)設(shè)備遠(yuǎn)赴
2025-04-15 09:03:13964

RoboSense速騰聚創(chuàng) 2024年全球乘用車激光雷達(dá)第一、年度及累計(jì)銷量冠軍|Yole年度報(bào)告

Report ,以下簡(jiǎn)稱《報(bào)告》)。《報(bào)告》指出,RoboSense速騰聚創(chuàng)在全球車載激光雷達(dá)市場(chǎng)摘得三項(xiàng)“全球第一”:2024年乘用車激光雷達(dá)市場(chǎng)第一、ADAS激光雷達(dá)年度“銷冠
2025-04-11 10:40:00692

15年超長(zhǎng)壽命:CE電表如何成為歐洲伏系統(tǒng)的“終身管家”?

(SolarPower Europe)統(tǒng)計(jì),2023年歐盟陽(yáng)臺(tái)伏裝機(jī)量突破1.2GW,年增長(zhǎng)達(dá)68%,德國(guó)、荷蘭等國(guó)的家庭用戶比超70%。中國(guó)北京、上海等地亦推出政策鼓勵(lì)“陽(yáng)臺(tái)發(fā)電”,如北京對(duì)家庭伏系統(tǒng)給予0.4元/度的補(bǔ)貼。 陽(yáng)臺(tái)伏的核心價(jià)值在于: 空間高效利用:3-5㎡陽(yáng)臺(tái)可安裝
2025-04-10 16:45:13679

伏亮相全球BC電池產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇丨以創(chuàng)新檢測(cè)技術(shù)助推行業(yè)升級(jí)

2025年4月9日,由隆基冠名、愛旭協(xié)辦的全球BC電池產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在江蘇隆重舉行。作為伏檢測(cè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),伏受邀參會(huì)并發(fā)表主題演講,攜多款BC電池專用檢測(cè)設(shè)備亮相展會(huì),與全球伏行業(yè)專家
2025-04-10 09:03:10983

2025年HBM已售罄,存儲(chǔ)大廠加快HBM4進(jìn)程

產(chǎn)品價(jià)格。據(jù)CFM閃存市場(chǎng)的消息,此次漲價(jià)幅度將在10%-15%。另電子發(fā)燒友網(wǎng)了解到,此前市場(chǎng)傳出光要求NAND閃存芯片漲價(jià)約為11%。 ? 此番漲價(jià)普遍認(rèn)為是原廠減產(chǎn)疊加終端回升助推了閃存的需求。另一方面,HBM高帶寬存儲(chǔ)在AI時(shí)代
2025-03-30 02:09:402778

拯救NAND/eMMC:延長(zhǎng)閃存壽命

隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用,NAND閃存和eMMC作為主流存儲(chǔ)介質(zhì),其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因,并提供延長(zhǎng)使用壽命的實(shí)用方法。前言長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后出現(xiàn)NAND或者eMMC損壞,可能
2025-03-25 11:44:242589

公司DDR,絲印4BC77 D8CJN,是什么型號(hào)

在一塊RK3576的開發(fā)板上,有一顆公司的DDR,絲印4BC77 D8CJN,但不知道是什么型號(hào)。有誰(shuí)知道嗎?
2025-03-24 10:48:15

Nand flash 和SD卡(SD NAND)存儲(chǔ)扇區(qū)分配表異同

: 存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)與層次:NAND Flash 通常作為底層存儲(chǔ)介質(zhì),其存儲(chǔ)扇區(qū)分配表相對(duì)較為底層和直接,與閃存芯片的物理結(jié)構(gòu)緊密相關(guān)。它需要考慮閃存的擦除、寫入特性,以及壞塊管理等底層操作。而SD卡(米客方
2025-03-13 10:45:59

NAND閃存的工作原理和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲(chǔ)中,具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。
2025-03-12 10:21:145317

科技增強(qiáng)型車用LPDDR5X助力應(yīng)對(duì)汽車行業(yè)挑戰(zhàn)

30多年來,科技一直是汽車市場(chǎng)上內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商。這一成就源自的持續(xù)創(chuàng)新,以及與汽車生態(tài)系統(tǒng)中的SoC供應(yīng)商、OEM廠商和一級(jí)供應(yīng)商間的密切合作。
2025-02-27 16:51:071036

宣布 1γ DRAM 開始出貨:引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)突破,滿足未來計(jì)算需求

業(yè)界首款高性能 1γ 節(jié)點(diǎn)技術(shù),為數(shù)據(jù)中心、客戶端及移動(dòng)平臺(tái)帶來卓越的性能與能效 ? 2025 年 2 月 26 日,中國(guó)上海 — ? 科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布,已
2025-02-26 13:58:15533

三星Galaxy S25系列搭載LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0

且能夠感知語(yǔ)境的移動(dòng)AI體驗(yàn)。此外,首次向市場(chǎng)出貨能效領(lǐng)先的LPDDR5X內(nèi)存,其功耗降低幅度超過 10%。1借助全新的One UI 7系統(tǒng),三星Galaxy S25系列成為用戶強(qiáng)大的AI伙伴,通過多模態(tài)AI助理無縫解析文本、語(yǔ)音、圖像和視頻,為用戶的獨(dú)特需求提供個(gè)性化體驗(yàn)。
2025-02-25 09:44:391174

科技推出4600 PCIe 5.0 NVMe SSD

及專業(yè)人士帶來卓越的性能與用戶體驗(yàn)。4600 SSD采用G9 TLC NAND技術(shù),是首款PCIe 5.0客戶端 SSD,性能較其前代產(chǎn)品高出一倍。1
2025-02-21 16:44:001102

科技與Astera Labs合作升級(jí)SSD性能

。正如萊特兄弟通過合作實(shí)現(xiàn)了首架動(dòng)力飛行器一樣,與Astera Labs合作,將SSD性能提升到了新的高度,最終實(shí)現(xiàn)了突破性的PCIe 6.0互操作性演示。
2025-02-20 11:28:22943

將DLP3010LC換成DLP3010,是否還可以1D投影,以及2500Hz的刷新?

– 可編程 2D 靜態(tài)圖形 – 內(nèi)部圖形流模式支持簡(jiǎn)化的系統(tǒng)設(shè)計(jì) ? 不再需要視頻接口 ? 通過閃存存儲(chǔ)超過 1000 個(gè)圖形
2025-02-20 06:53:57

量產(chǎn)12層堆棧HBM,獲英偉達(dá)供應(yīng)合同

近日,科技宣布即將開始量產(chǎn)其最新的12層堆棧高帶寬內(nèi)存(HBM),并將這一高性能產(chǎn)品供應(yīng)給領(lǐng)先的AI半導(dǎo)體公司英偉達(dá)。這一消息的發(fā)布,標(biāo)志著光在HBM技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2025-02-18 14:51:191264

NAND閃存價(jià)格預(yù)測(cè):2025年將呈V型走勢(shì)

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce近日對(duì)2025年NAND閃存價(jià)格走勢(shì)進(jìn)行了預(yù)測(cè),預(yù)計(jì)全年價(jià)格將呈現(xiàn)V型波動(dòng)。 據(jù)TrendForce分析,2025年一季度,NAND閃存價(jià)格預(yù)計(jì)將下滑13%-18
2025-02-18 11:03:002819

三星西安NAND閃存工廠將建第九代產(chǎn)線

近日,據(jù)韓媒報(bào)道,三星位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠正在加速推進(jìn)技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術(shù))轉(zhuǎn)換至第八代V-NAND(238層技術(shù))的基礎(chǔ)上,年內(nèi)
2025-02-14 13:43:271088

三星與SK海力士實(shí)施NAND閃存“自然減產(chǎn)”

據(jù)外媒最新報(bào)道,為了應(yīng)對(duì)NAND閃存市場(chǎng)的供應(yīng)過剩問題,三星電子與SK海力士?jī)纱蟀雽?dǎo)體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露,自去年年底以來,三星電子和SK海力士正積極
2025-02-12 10:38:13856

DDR4內(nèi)存價(jià)格下跌,NAND閃存減產(chǎn)效果未顯

TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告顯示,DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢(shì)。
2025-02-08 16:41:02930

雷龍SD NAND測(cè)試報(bào)告

本帖最后由 xxkj2010 于 2025-2-8 14:23 編輯 雷龍SD NAND測(cè)試報(bào)告一次偶然的機(jī)會(huì),很幸運(yùn)得到深圳雷龍發(fā)展有限公司的芯片贈(zèng)送,今天收到了芯片和測(cè)試板。雷龍也很破費(fèi)
2025-02-08 14:12:24

DRAM與NAND閃存市場(chǎng)表現(xiàn)分化

近日,根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告,DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。 在DRAM方面,消費(fèi)者需求在春節(jié)過后依然沒有顯著回暖,市場(chǎng)呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢(shì)
2025-02-07 17:08:291017

74HC20-Q100雙通道4輸入NAND門規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《74HC20-Q100雙通道4輸入NAND門規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-07 15:53:440

影響25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些?

影響25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些?首先我們來談?wù)動(dòng)绊憣懭胨俣染艂€(gè)方面:存儲(chǔ)容量和架構(gòu):存儲(chǔ)容量的增加會(huì)導(dǎo)致芯片內(nèi)部的數(shù)據(jù)管理和尋址更為復(fù)雜,從而影響寫入速度。較大的閃存芯片在寫數(shù)據(jù)時(shí),需要更多時(shí)間來定位和管理數(shù)據(jù)。此外,如果閃存的存儲(chǔ)架構(gòu)未經(jīng)優(yōu)化,同樣會(huì)限制寫入速度。
2025-01-22 16:48:251099

ADS1246超過采樣范圍的信號(hào)是否會(huì)對(duì)采樣內(nèi)的信號(hào)產(chǎn)生影響而造成失真?

我想選用ADS1246進(jìn)行AD轉(zhuǎn)換,該型芯片的采樣為2K,我的模擬信號(hào)中感興趣的頻帶約為20-700Hz,已經(jīng)進(jìn)行了信號(hào)調(diào)理,前端擁有模擬低通濾波處理。我的問題是:按照采樣定理,采樣為2K
2025-01-22 06:13:06

雷龍SD NAND試用

感謝深圳雷龍發(fā)展 Leah @jim 聯(lián)系免費(fèi)提供NAND FLASH試用,樣品兩片芯片和一塊轉(zhuǎn)接板已收到。下面是實(shí)物樣品圖片: 提供的兩個(gè)芯片樣品型號(hào)分別為CSNP64GCR01-AOW
2025-01-19 13:26:38

加入16-Hi HBM3E內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)

近日,全球DRAM內(nèi)存巨頭之一的科技公司宣布,將正式進(jìn)軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內(nèi)存市場(chǎng)。目前,正在對(duì)最終設(shè)備進(jìn)行評(píng)估,并計(jì)劃在今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 這一消息標(biāo)志著光在高性能內(nèi)存
2025-01-17 14:14:12913

SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較

NAND、SPI NAND和Raw NAND SD的英文全稱是Secure Digital Memory,就是我們所熟知的SD卡 固態(tài)硬盤(Solid State Disk,SSD)是以NAND閃存介質(zhì)為主的一種
2025-01-15 18:16:491578

SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較

NAND閃存介質(zhì)為主的一種存儲(chǔ)產(chǎn)品,應(yīng)用于筆記本電腦、臺(tái)式電腦、移動(dòng)終端、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)合.   NAND閃存類型   按照每個(gè)單元可以存儲(chǔ)的位數(shù),可以將NAND閃存類型分為SLC、MLC
2025-01-15 18:15:53

三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

近日,三星電子已做出決定,將減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前,全球NAND閃存市場(chǎng)面臨供過于求的局面,預(yù)計(jì)今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24866

三星削減中國(guó)西安NAND閃存產(chǎn)量應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化

近日,三星電子宣布將對(duì)其在中國(guó)西安的NAND閃存工廠實(shí)施減產(chǎn)措施,以應(yīng)對(duì)全球NAND市場(chǎng)供過于求的現(xiàn)狀及預(yù)期的價(jià)格下滑趨勢(shì)。據(jù)《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道,三星決定將該工廠的晶圓投入量削減超過10%,預(yù)計(jì)每月
2025-01-14 10:08:09851

新加坡HBM內(nèi)存封裝工廠破土動(dòng)工

近日,全球領(lǐng)先的HBM內(nèi)存制造商之一——宣布,其位于新加坡的HBM內(nèi)存先進(jìn)封裝工廠項(xiàng)目已于當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日正式破土動(dòng)工。這座工廠預(yù)計(jì)將于2026年正式投入運(yùn)營(yíng),成為新加坡當(dāng)?shù)氐氖准掖祟惞S,標(biāo)志著
2025-01-09 16:02:581154

科技一行走進(jìn)清華大學(xué)電子工程系

2024年底,課堂已連續(xù)五年為大學(xué)生授課,已有超過600名來自北京大學(xué)、清華大學(xué)、上海交通大學(xué)和西安交通大學(xué)的學(xué)子參與其中。
2025-01-09 15:31:001001

科技70億美元打造新加坡存儲(chǔ)芯片廠

隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展,對(duì)先進(jìn)存儲(chǔ)芯片的需求日益增長(zhǎng)。在此背景下,科技宣布將在新加坡投資70億美元,擴(kuò)建其制造業(yè)務(wù),以滿足市場(chǎng)需求。 周三,科技在新加坡的新工廠正式破土動(dòng)工。據(jù)悉,該工廠
2025-01-09 11:34:431465

影響HT25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些?

影響HT25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些?
2025-01-08 16:05:031429

EE-278:NAND閃存與ADSP-21161 SHARC處理器接口

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-278:NAND閃存與ADSP-21161 SHARC處理器接口.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-08 15:11:470

科技計(jì)劃大規(guī)模擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能

據(jù)業(yè)內(nèi)消息,科技預(yù)計(jì)今年將繼續(xù)積極擴(kuò)大其DRAM產(chǎn)能,與去年相似。得益于美國(guó)政府確認(rèn)的巨額補(bǔ)貼,近期將具體落實(shí)對(duì)現(xiàn)有DRAM工廠進(jìn)行改造的投資計(jì)劃。   去年底,科技宣布將在
2025-01-07 17:08:561306

EE-279:NAND閃存與ADSP-2126x SHARC處理器接口

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2025-01-07 14:08:070

韓廠首傳減產(chǎn)消息,NAND Flash市場(chǎng)迎供需平衡預(yù)期

近期,NAND Flash市場(chǎng)再次迎來重要變動(dòng)。據(jù)媒體報(bào)道,繼鎧俠、相繼宣布減產(chǎn)后,市場(chǎng)又傳出三星、SK海力士?jī)纱箜n廠也將減產(chǎn)消費(fèi)級(jí)NAND Flash的消息。這標(biāo)志著首次有韓國(guó)廠商加入減產(chǎn)行列
2025-01-07 14:04:06835

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