Kioxia（原東芝存儲），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:07
12470 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個禮拜的時間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線進(jìn)行轉(zhuǎn)換，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15980 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 三星作為全球首家量產(chǎn)3D NAND Flash的廠商的風(fēng)光并沒有太久，日前東芝也研究出64層3D Flash，這樣的追趕速度讓人驚嘆。有消息顯示，英特可能暫緩擴(kuò)建大連廠，而是通過直接收購美光科技擴(kuò)大芯片領(lǐng)域?qū)嵙?。索尼PlayStation VR國行版來襲，紅米Pro三個版本還有什么發(fā)布會沒說的細(xì)節(jié)？
2016-07-28 09:44:261235 句點(diǎn)，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細(xì)介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢，主要的生產(chǎn)廠商，以及三星、東芝和Intel在這個領(lǐng)域的實(shí)力產(chǎn)品。
2016-08-11 13:58:0644661 
目前，我們還無法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優(yōu)勢，但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產(chǎn)品上。如今的問題在于，海力士（SK Hynix）與東芝（Toshiba）兩大市場競爭對手能否也拿出同樣具備競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品？
2016-09-12 13:40:252173 傳三星電子平澤廠（Pyeongtaek）將提前投產(chǎn)，SK海力士（SK Hynix）、東芝（Toshiba）、美光（Micron）產(chǎn)能也將于明年下半全面開出，屆時3D NAND可能會從供不應(yīng)求、呈現(xiàn)供給過剩的狀況。
2016-10-10 14:08:472158 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 據(jù)海外媒體報(bào)道，傳三星電子于2017~2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。
2017-02-07 07:50:011519 3D NAND Flash。中國已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號，若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，中國3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:129182 
據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來NAND Flash市場供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371739 
借由此案進(jìn)入3D NAND代工，更說服東芝在臺灣設(shè)廠生產(chǎn)，此舉目的是擊破三星電子長期來以存儲器利潤補(bǔ)貼邏輯虧損的策略，一報(bào)大客戶高通（Qualcomm）被搶之仇。
2017-03-02 07:51:24844 國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 根據(jù)外資的報(bào)告指出，NAND Flash 的產(chǎn)能問題，2017 年三星、美光、東芝/西數(shù)、SK Hynix 都會在下半年量產(chǎn) 64 層，以及 72 層堆棧的 3D NAND Flash 的情況下，原本預(yù)計(jì)產(chǎn)能會有大幅度提升。
2017-05-24 10:39:121519 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 六大NAND Flash顆粒制造商之一的東芝也宣布了自家96層3D NAND產(chǎn)品的新消息：他們正式推出了旗下首款使用96層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355877 作為歐洲市場龍頭的三星，在德國線上市場的優(yōu)勢得以延續(xù)，9款機(jī)型上榜，華為和榮耀手機(jī)在三星的重重包圍之下殺出血路，打破了三星獨(dú)霸TOP10的局面。其中，榮耀10更是力壓三星旗艦Galaxy S8，突入
2018-08-09 10:23:2214038 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
三星打破上網(wǎng)本既有模式 性能尺寸接近傳統(tǒng)筆記本CNET科技資訊網(wǎng)7月1日國際報(bào)道 Nvidia證實(shí)，三星將推出一款采用其Ion芯片組的上網(wǎng)本，打破這類產(chǎn)品既有的模式。 Nvidia筆記本電腦產(chǎn)品部門
2009-07-01 21:47:27
（Frame sequential）功能的3D顯示器應(yīng)該只有三星一家。 說到這里，筆者最近正在測試三星的23吋SA950系列3D顯示器，并且親自體驗(yàn)了一把接藍(lán)光播放機(jī)的原生3D效果，可以說非常的震撼，甚至在
2011-08-20 14:30:01
, 一款三星note8手機(jī)殼引起熱議，因?yàn)檫@款產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)一邊散步一邊看3D電影或者電視劇。換句話說，這個手機(jī)殼就是超清晰3D顯示屏啊！喜歡玩高科技產(chǎn)品的網(wǎng)絡(luò)達(dá)人怎能放過？！終于搜到這個寶貝，原來
2017-11-27 12:00:18
`CFMS2018近日成功舉辦，來自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長江存儲等全球存儲業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來。我們來看看他們都說了什么。三星：看好在UFS市場的絕對優(yōu)勢
2018-09-20 17:57:05
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
/7994-detailed-history-samsung-semiconductor.html大型集團(tuán)是專一求精的對立面，而三星則是典型的集團(tuán)化大財(cái)閥。1938年，三星從不起眼的食品出口商起家，經(jīng)歷了兩場大戰(zhàn)的動...
2021-07-28 07:32:28
也將首度落后臺積電。值得注意的是，三星力護(hù)蘋果訂單，但蘋果去三星化趨勢明顯，業(yè)界擔(dān)心三星邏輯晶圓代工維持高資本支出，一旦三星獨(dú)家代工蘋果處理器的局面被臺積電打破，三星空出來的產(chǎn)能將對晶圓代工的供需投下
2012-09-21 16:53:46
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
！ 那么今年China Joy MM們最關(guān)注的是什么呢？當(dāng)然是核心話題“3D”啦，本次展會最大的顯示器贊助商三星提供了800多臺顯示器在整個展會，其中3D顯示器體驗(yàn)區(qū)是最吸引China Joy MM們的地區(qū)，下面就來看一下三星3D顯示器與China Joy MM們的故事吧！
2011-08-03 15:20:00
步伐。據(jù)韓媒Kinews等報(bào)導(dǎo)，三星2018年下半原計(jì)劃對DRAM及NAND Flash進(jìn)行新投資，傳出將延至2019年，取而代之的是對現(xiàn)有產(chǎn)線進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)投資，期望獲利維持一定水平。同時，另一家半導(dǎo)體大廠
2018-10-12 14:46:09
$ `# J蘇寧的銷售員馬躍輝表示，“沒有想到五一短短的3天會有如此大的需求，很多賣場三星3D電視的供貨已經(jīng)跟不上銷售，一些客人只能訂購”。由于其他廠商沒有實(shí)質(zhì)性的3D電視銷售，唯一實(shí)現(xiàn)3D電視銷售的三星電子
2010-05-06 14:24:28
NAND只需要提高堆棧層數(shù)，目前多種工藝架構(gòu)并存。從2013年三星推出了第一款24層SLC/MLC 3D V-NAND，到現(xiàn)在層數(shù)已經(jīng)邁進(jìn)200+層，并即將進(jìn)入300+層階段。目前，三星/西部數(shù)據(jù)
2024-12-17 17:34:06
回收三星ic 收購三星ic《 字庫回收，實(shí)力回收三星原裝字庫，收購三星字庫價(jià)格高！同時還回收拆機(jī)字庫，優(yōu)勢收購原裝字庫》●●帝歐 【趙先生 ***微信同步 QQ：1714434248】收購三星字庫
2021-08-20 19:11:25
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手冊說有Unique ID可以用，但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區(qū)域，可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02
優(yōu)勢，或許，未來將有更多的玩家參與其中。存儲產(chǎn)品的3D時代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開始投入到3D NAND的生產(chǎn)和研發(fā)中來，存儲產(chǎn)品也開始走向了3D時代。在這些廠商發(fā)展3D閃存的過程當(dāng)中，也
2020-03-19 14:04:57
蘋果NAND Flash減單 三星、新帝策略轉(zhuǎn)向
由于傳出大客戶蘋果(Apple)開始減少下單，加上原本三星電子(Samsung Electronics)供應(yīng)NAND Flash數(shù)量相當(dāng)有限，12月供應(yīng)量控制亦開始
2009-11-28 15:59:33568 三星稱將開始批量生產(chǎn)3D LED和LCD電視面板
據(jù)報(bào)道，韓國三星電子28日表示，將開始批量生產(chǎn)3DLED和LCD電視面板。三星電
2010-01-28 09:25:31631 三星啟動量產(chǎn) 3D電視決戰(zhàn)正式開火
在三星宣布正式開始量產(chǎn)40寸、46寸與55寸3D電視開始，全球3D電視的市場熱戰(zhàn)也正式引燃。由三星首
2010-01-30 10:02:581172 CES2010：三星推出首款LED液晶3D電視
據(jù)外媒報(bào)道，三星電子在美國CES展上首次推
2010-03-02 09:27:221013 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 本文為您講述ROM存儲介質(zhì)3D NAND技術(shù)工藝的發(fā)展，現(xiàn)階段主流的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，包括傳統(tǒng)eMMC，三星和蘋果提出的UFC標(biāo)準(zhǔn)和NVMe標(biāo)準(zhǔn)。
2016-10-12 15:54:243880 市場調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange周五發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。
2017-05-06 01:03:11860 此前，SSD漲價(jià)的主要推手就是主要顆粒廠在改造3D NAND生產(chǎn)設(shè)備，現(xiàn)在老大三星和老幺SK海力士均行動，相信會穩(wěn)定住市場格局，并在不遠(yuǎn)的將來看到市場供貨改善。
2017-07-06 15:20:51706 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長的一年，主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 長江存儲研發(fā)的這顆 3D NAND 芯片是 32 層技術(shù)，對比三星電子、美光、東芝、SK 海力士主流的 64 層和 72 層技術(shù)，還有一段距離，而這些國際大廠在 2018 年即將大步跨入 96 層 3D NAND 技術(shù)，驅(qū)動芯片的密度提升、成本再下降。
2017-12-11 14:29:513786 3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項(xiàng)存儲技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個顛覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052236 
三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計(jì)劃除了部分車用產(chǎn)品外，2018年將進(jìn)一步提升3D NAND生產(chǎn)比重至90%以上，全面進(jìn)入3D NAND時代。
2018-07-06 07:02:001447 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項(xiàng)目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報(bào)道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 三星電子內(nèi)存解決方案的需求，隨著內(nèi)存的增加而飆升。目前三星正迅速轉(zhuǎn)向3D NAND，尤其是TLC 3D NAND，于三星半導(dǎo)體是拉動三星營收和利潤的關(guān)鍵，三星正在轉(zhuǎn)向一家半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司。
2018-02-07 14:41:521318 
位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項(xiàng)目之一，也是中國最先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動設(shè)備和其它消費(fèi)電子產(chǎn)品。
2018-02-09 10:18:468073 在春節(jié)長假期，國人歡慶佳節(jié)的時候，長江存儲的工廠依然在加緊建設(shè)，以確保今年三季度投產(chǎn)NAND flash，隨著長江存儲投產(chǎn)，中國可望打破當(dāng)前三星在NAND flash行業(yè)獨(dú)大的局面。
2018-07-02 12:49:005664 繼蘋果iPhone X之后，國內(nèi)廠商接連在自家旗艦上實(shí)現(xiàn)了3D結(jié)構(gòu)光技術(shù)，并開始展示基于TOF（飛行時間）技術(shù)的原型機(jī)。三星的3D面部解鎖機(jī)型最近也開始浮出水面。
2018-07-11 10:30:255500 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應(yīng)時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報(bào)道稱，東芝存儲器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴(kuò)大出貨，代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161646 韓國業(yè)界最近指出，三星電子2019年的NAND Flash資本支出將達(dá)90億美元，預(yù)計(jì)將以韓國平澤、中國西安為主，擴(kuò)大高容量3D NAND生產(chǎn)規(guī)模，期望拉大與其它競爭對手間的差距。
2018-08-05 11:53:421631 ，同時恐激化各家原廠展開96層
3D NAND技術(shù)競爭，然而市場更多的是關(guān)心
NAND Flash價(jià)格走向?qū)⑷绾巍?/div>
2018-08-22 16:25:462599 隨著Flash各家原廠紛紛升級到64層3D NAND技術(shù)量產(chǎn)256Gb或512Gb單顆Die，以及提高新工廠的產(chǎn)出量，2018年三星將全面向3D NAND普及，美光預(yù)計(jì)2018年全球NAND
2018-08-22 16:53:432050 8月28日，三星電子宣布，未來將投資70億美元用于擴(kuò)大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過，三星稱，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求?！笨墒?，三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場需求嗎？
2018-10-01 16:12:003303 3D NAND Flash 作為新一代的存儲產(chǎn)品，受到了業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注！但目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也
2018-10-08 15:52:39780 據(jù)日媒指出，三星2019年針對存儲器的投資總體會減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新研究顯示，隨著下半年各家原廠最新64層堆棧的3D-NAND Flash產(chǎn)能開出，在三星及美光等領(lǐng)頭羊帶領(lǐng)下，預(yù)估第三季3D-NAND Flash
2018-11-16 08:45:591450 ，紫光將先后啟動三大基地生產(chǎn) 3D NAND 芯片，即使合計(jì)投資金額高達(dá) 1，800 億人民幣，花十年目標(biāo)換來比肩巨人三星、東芝的機(jī)會，紫光此舉看來大膽但卻值得！
2018-11-30 09:16:252791 NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸后，正式轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash時代，目前三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:572304 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 三星上季大砍NAND Flash和DRAM報(bào)價(jià)后，NAND Flash價(jià)格接近虧損邊緣，決定本季起不再降價(jià)。
2019-05-08 08:47:554026 據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange發(fā)布的2018年四季度NAND flash市場份額排名顯示，三星、東芝、美光、西部數(shù)據(jù)和SK海力士占有的市場份額分別為30.4%、19.3%、15.4%、15.3%、11.2%，加上第六名的Intel占有的7.8%的市場份額，它們合計(jì)占有該行業(yè)的市場份額高達(dá)99.5%。
2019-05-15 08:35:294030 在上個月初，三星在官方商城以及其他電商平臺都上架了旗下最新的瞳3D筆記本。而于12月7日，三星在北京798藝術(shù)中心舉辦新品發(fā)布會，正式向外界介紹旗下的瞳3D筆記本，與此同時，三星還帶來一款全新體驗(yàn)產(chǎn)品：三星玄龍MR。
2019-05-22 14:13:314468 長江存儲在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后，進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局，對比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn)，長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281753 三星電子近日申請了Depth Vision Lens商標(biāo)，據(jù)推測這或許將用于三星Galaxy Note 10 的3D ToF攝像頭。
2019-07-04 16:44:103519 
在手機(jī)屏幕的邊框不斷收窄、屏占比不斷攀升的當(dāng)下，各大廠商越來越重視為用戶提供更好的沉浸式體驗(yàn)，據(jù)悉，三星將在明年初推出Galaxy One全新高端旗艦手機(jī)系列，該系列將采用三星最新的3D屏幕技術(shù)。
2019-11-19 16:05:544227 今天，集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)發(fā)布了第三季度的全球NAND Flash品牌廠商最新營收排名出爐，三星排名第一，鎧俠第二。
2019-11-25 15:05:492954 根據(jù)AnandTech的報(bào)道，三星計(jì)劃投資數(shù)十億美元擴(kuò)大其在中國西安的3D NAND生產(chǎn)設(shè)施。
2019-12-18 10:38:203458 固態(tài)硬盤市場的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的，也是目前技術(shù)最強(qiáng)的，已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)達(dá)到了48層。
2019-12-22 11:19:011517 三星在該工廠主要量產(chǎn)用于智能手機(jī)，PC，服務(wù)器等領(lǐng)域作為數(shù)據(jù)處理設(shè)備使用的 Nand Flash 記憶芯片。值得注意的是，通過垂直結(jié)構(gòu)堆疊電路提高儲存容量的 3D Nand Flash 芯片便在此生產(chǎn)。
2020-03-20 16:03:57752 據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報(bào)道稱三星可能會大幅改進(jìn)制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776 上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù)，QLC類型容量做到了1.33Tb容量，創(chuàng)造了三個世界第一。國產(chǎn)閃存突飛猛進(jìn)，三星等公司也沒閑著，三星正在開發(fā)160堆棧的3D閃存。
2020-04-20 09:29:47834 日前，三星電子宣布，由三星為業(yè)內(nèi)最先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)專門研發(fā)的硅驗(yàn)證3D IC封裝技術(shù)，eXtended－Cube，簡稱為X－cube，已經(jīng)可以投入使用。
2020-08-14 17:24:393057 三星晶圓代工市場策略的資深副總裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技術(shù)，確保TSV在先進(jìn)的極紫外光（EUV）制程節(jié)點(diǎn)時，也能穩(wěn)定聯(lián)通。
2020-08-17 17:58:411671 三星計(jì)劃明年開始與臺積電在封裝先進(jìn)芯片方面展開競爭，因而三星正在加速部署3D芯片封裝技術(shù)。
2020-09-20 12:09:163743 在屏幕顯示技術(shù)上，三星確實(shí)擁有不俗的實(shí)力，但過往的技術(shù)也只是基于2D平面顯示，而在三星看來，未來是屬于3D的。三星已經(jīng)朝著全息圖邁出了堅(jiān)實(shí)的一步，它的原型薄板設(shè)備能以4K分辨率顯示3D圖像，并具有
2020-11-13 10:17:543302 NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:133095 。 3D NAND 路線圖：三星最早入局，長江存儲跨級追趕 Choe 介紹了 2014-2023 年的世界領(lǐng)先存儲公司的閃存路線圖，包括三星、鎧俠（原東
2020-11-20 17:15:444306 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286 市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求，更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案，有望成為未來存儲創(chuàng)新的基礎(chǔ)。
2022-11-07 10:33:551379 三星采用 3D 縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。通過這項(xiàng)技術(shù)，三星顯著的提升每片晶圓的存儲密度，使三星的存儲密度達(dá)到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25847 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142 最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲器制作成兩個獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 業(yè)界認(rèn)為，三星電子的減產(chǎn)可能會帶來3d nand價(jià)格上漲的效果，從而可能會改變nor、slc nand的購買戰(zhàn)略。美國外國人認(rèn)為，slc nand和nore產(chǎn)品第四季度不會上調(diào)價(jià)格。
2023-09-11 11:35:042024 三星計(jì)劃在2024年先進(jìn)3D芯片封裝技術(shù)SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology，三星高級互連技術(shù)），能以更小尺寸的封裝，將AI芯片等高性能芯片的內(nèi)存和處理器集成。
2023-11-15 11:09:302499 在2024年的國際消費(fèi)電子展（CES 2024）上，三星展示了一款令人驚艷的裸眼3D游戲顯示器。這款顯示器獨(dú)特之處在于，用戶無需佩戴任何可穿戴設(shè)備，就能享受到沉浸式的3D/VR體驗(yàn)。
2024-01-09 15:36:541482 三星電子，全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商，近日宣布在美國設(shè)立新的研究實(shí)驗(yàn)室，專注于開發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個實(shí)驗(yàn)室將隸屬于總部位于美國硅谷的Device Solutions America (DSA)，負(fù)責(zé)三星在美國的半導(dǎo)體生產(chǎn)。
2024-01-30 10:48:461306 三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:311299 三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判，目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995 據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上，三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑：三星已與其他公司合作，成功研發(fā)出16層3D DRAM技術(shù)。同時，他透露，競爭對手美光也已將其3D DRAM技術(shù)擴(kuò)展至8層。
2024-05-29 14:44:071398 近日，據(jù)韓國媒體報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內(nèi)存（HBM）的3D封裝服務(wù)。這一重大舉措是三星在2024年三星代工論壇上正式宣布的，同時也得到了業(yè)內(nèi)消息人士的證實(shí)。
2024-06-19 14:35:501643 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實(shí)現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計(jì)劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3D NAND存儲器。三星也在此前表示，將在
2024-06-29 00:03:008061 已全部加載完成
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