比特位的技術(shù)），實(shí)現(xiàn)了具有極大存儲(chǔ)容量的硅芯片。 目前，最先進(jìn)的3D NAND閃存可在單個(gè)硅片上容納高達(dá)1Tbit或1.33Tbit的數(shù)據(jù)。 譬如，英特爾（Intel）和美光科技（Micron）的開(kāi)發(fā)聯(lián)盟和三星電子各自將制造技術(shù)與64層堆棧和QLC（四層單元）技術(shù)相結(jié)合，該技
2019-08-10 00:01:00
8135 SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開(kāi)始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開(kāi)始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價(jià)促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 Kioxia（原東芝存儲(chǔ)），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開(kāi)發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲(chǔ)就在國(guó)際會(huì)議VLSI研討會(huì)上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 臺(tái)灣專用存儲(chǔ)器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開(kāi)始批量生產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)器。該公司將成為臺(tái)灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計(jì)的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長(zhǎng)吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295966 SanDisk于日前表示，正與東芝（Toshiba）合力擴(kuò)建位于日本三重縣四日市的五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠（Fab 5）第二期工程，并共同展開(kāi)3D NAND記憶體技術(shù)的研發(fā)，為2D NAND Flash記憶體制程將于10奈米（nm）節(jié)點(diǎn)面臨微縮瓶頸，預(yù)做準(zhǔn)備。
2013-07-16 09:17:151351 7月24日國(guó)外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:231561 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個(gè)禮拜的時(shí)間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢(shì)。
2013-08-29 10:46:512858 
國(guó)際芯片巨頭頻頻抱團(tuán)，整合產(chǎn)業(yè)鏈資源，無(wú)疑將激化市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，加速行業(yè)優(yōu)勝劣汰。暗潮洶涌，“中國(guó)芯”要想在大浪中站穩(wěn)腳跟，還有許多功課要做。
2015-06-12 10:32:281261 近日中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)最引人關(guān)注的爆炸性新聞是武漢新芯計(jì)劃2018年量產(chǎn)48層3D NAND，及它的投資240億美元的計(jì)劃。
2016-05-24 10:29:501676 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營(yíng)，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0644661 
目前，我們還無(wú)法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優(yōu)勢(shì)，但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產(chǎn)品上。如今的問(wèn)題在于，海力士（SK Hynix）與東芝（Toshiba）兩大市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手能否也拿出同樣具備競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品？
2016-09-12 13:40:252173 據(jù)海外媒體報(bào)道，傳三星電子于2017~2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲(chǔ)器市場(chǎng)史上最大需求熱潮。
2017-02-07 07:50:011519 3D NAND Flash。中國(guó)已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號(hào)，若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，中國(guó)3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:129182 
據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來(lái)NAND Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場(chǎng)出現(xiàn)貨源不足問(wèn)題，價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371739 
自動(dòng)駕駛方面也不例外，歐洲在2009年就展開(kāi)了自動(dòng)駕駛的科研項(xiàng)目——Sartre (Safe Road Trains for the Environment)，嘗試研究如何運(yùn)用自動(dòng)駕駛技術(shù)。但美國(guó)對(duì)于商業(yè)化的果斷讓他們?cè)僖淮闻茉诹藲W洲人前面——在2013年就把自動(dòng)駕駛的正式合法化，并給出了推動(dòng)測(cè)試的建議。
2018-06-25 09:17:595571 集微網(wǎng)消息，9月19日，2018年中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)（CFMS2018）在深圳舉行，長(zhǎng)江存儲(chǔ)總經(jīng)理?xiàng)钍繉幉┦恳浴皠?chuàng)新Xtacking?架構(gòu)：釋放3D NAND潛能”為主題，介紹長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking?架構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND新進(jìn)展。
2018-09-20 10:22:075992 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:293528 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長(zhǎng)？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
這段時(shí)間以來(lái)，最熱的話題莫過(guò)于iPhone X的Face ID，關(guān)于用它刷臉的段子更是滿天飛。其實(shí)iPhone X 實(shí)現(xiàn)3D視覺(jué)刷臉是采用了深度機(jī)器視覺(jué)技術(shù)(亦稱3D機(jī)器視覺(jué))。由于iPhone X的推動(dòng)，3D視覺(jué)市場(chǎng)或許將被徹底的激活。
2019-07-25 07:05:48
`3D打印建模時(shí)壁厚設(shè)置四要 3D模型對(duì)設(shè)計(jì)猶如3D打印的血液，一旦這個(gè)環(huán)節(jié)出了問(wèn)題，打印機(jī)工作起來(lái)一定也不順利。在模型設(shè)計(jì)過(guò)程中，相信大家經(jīng)常會(huì)遇到一個(gè)問(wèn)題：不知道壁厚究竟設(shè)置為多少。日前，法國(guó)
2016-05-05 14:31:56
基于soildwork繪制的3D機(jī)器人模型，要求實(shí)際的機(jī)器人在運(yùn)動(dòng)時(shí)，將3D的模型加載在LABVIEW中，與實(shí)際機(jī)器人同步動(dòng)作，做運(yùn)動(dòng)演示。
2013-02-28 16:51:41
`CFMS2018近日成功舉辦，來(lái)自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來(lái)。我們來(lái)看看他們都說(shuō)了什么。三星：看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
2018-09-20 17:57:05
和Neytiri對(duì)世界美好的愿望和共同的追求，使雙方互相看到了地球人和納威人之間不可分割的聯(lián)系，而觀眾則通過(guò)先進(jìn)的3D視頻處理技術(shù)，觀賞到了3D電影的逼真效果，感受到這部電影帶來(lái)的震撼。那么有誰(shuí)知道，為什么說(shuō)FPGA主導(dǎo)了3D視頻處理市場(chǎng)呢？
2019-08-06 08:26:38
效果。3D建筑投影燈光秀畫面非常龐大，形式新奇有趣，科技技術(shù)感強(qiáng)，城市和地區(qū)展示方式非常新穎有趣?？梢晕煌巳旱挠^眾，長(zhǎng)期保持人氣，同時(shí)也可以帶領(lǐng)顧客深度的了解文化宣傳主題的傳播。3D建筑投影秀技術(shù)
2021-06-01 13:58:57
減少NAND閃存產(chǎn)能投資，以便減少NAND供應(yīng)，緩解市場(chǎng)對(duì)降價(jià)的預(yù)期。 64層和96層堆棧閃存命運(yùn)各不同今年將是96層3D閃存爆發(fā)的元年。在64層堆棧之后，2018年下半年各大廠商也開(kāi)始量產(chǎn)96層堆棧
2021-07-13 06:38:27
，降低功率消耗已經(jīng)成為了廠商爭(zhēng)奪這個(gè)市場(chǎng)的關(guān)鍵考量。本文將介紹當(dāng)前使用的3 D主動(dòng)快門式結(jié)構(gòu)，并和現(xiàn)有的新一代解決方案進(jìn)行對(duì)比。As consumer adoption rates for 3D
2012-06-18 13:56:44
在3D打印機(jī)上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬(wàn)次隨機(jī)掉電測(cè)試。解決TF卡在3D打印機(jī)上常讀寫錯(cuò)誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
芯片的3D化歷程摩爾定律遇到發(fā)展瓶頸，但市場(chǎng)對(duì)芯片性能的要求卻沒(méi)有降低。在這種情況下，芯片也開(kāi)始進(jìn)行多方位探索，以尋求更好的方式來(lái)提升性能。通過(guò)近些年來(lái)相關(guān)半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)布的成果顯示，我們發(fā)現(xiàn)，芯片
2020-03-19 14:04:57
通用電氣（GE）一直對(duì)金屬3D打印情有獨(dú)鐘。在過(guò)去的幾年中，GE 明顯表現(xiàn)出想要用3D打印實(shí)現(xiàn)其航空領(lǐng)域的飛天夢(mèng)。他們不僅在3D打印領(lǐng)域取得了重大突破，而且將投資擴(kuò)散到3D打印教育領(lǐng)域。 GE頻頻
2016-12-09 16:04:11724 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。在一個(gè)新的研究報(bào)告中指出，這項(xiàng)技術(shù)將會(huì)在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。
2017-05-03 01:02:501621 的廠商競(jìng)爭(zhēng)，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問(wèn)題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:26
6 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年，主要是因?yàn)镕lash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 集微網(wǎng)消息，1月9日，英特爾(Intel)宣布與美光(Micron)即將在第三代3D NAND之后分道揚(yáng)鑣。今日臺(tái)灣DIGITIMES報(bào)道指出，業(yè)界透露英特爾在3D NAND布局押寶大陸市場(chǎng)，不僅
2018-01-10 19:43:16679 基于 3D NAND 的 microSD卡將有望再次改變視頻監(jiān)控行業(yè)的格局，推動(dòng)所有參與者實(shí)現(xiàn)新一輪發(fā)展。
2018-01-13 11:15:455138 
上周，隨著英特爾和美光宣布未來(lái)雙方將各自獨(dú)立開(kāi)發(fā)3D NAND，其維持多年的長(zhǎng)期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時(shí)，有外媒報(bào)道，英特爾將于紫光合作，在中國(guó)生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來(lái)幾年，英特爾將會(huì)
2018-01-16 14:37:555172 
關(guān)于四級(jí)單元閃存糾錯(cuò)問(wèn)題的潛在解決方法。 與此前的平面NAND相比， 3D NAND 技術(shù)的運(yùn)用將使得錯(cuò)誤檢查代碼更易于實(shí)現(xiàn)，這也進(jìn)一步確定了容量提升的四級(jí)單元技術(shù)的可行性。 錯(cuò)誤檢查代碼（ECC
2018-01-25 22:30:39596 
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來(lái)，最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì)，3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052236 
三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計(jì)劃除了部分車用產(chǎn)品外，2018年將進(jìn)一步提升3D NAND生產(chǎn)比重至90%以上，全面進(jìn)入3D NAND時(shí)代。
2018-07-06 07:02:001447 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項(xiàng)目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日?qǐng)?bào)道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 隨著3D打印概念的擴(kuò)大，不斷有2D廠商躍躍欲試，準(zhǔn)備進(jìn)軍3D市場(chǎng)。近日，聯(lián)想3D打印機(jī)就在北京正式亮相，聯(lián)想由此成為國(guó)內(nèi)一線打印品牌中首家推出3D打印機(jī)的主流廠商。聯(lián)想打印業(yè)務(wù)總經(jīng)理牟震介紹說(shuō)，目前
2018-04-16 05:45:005353 3D NVM主要廠商產(chǎn)品路線圖近階段，3D非易失性存儲(chǔ)（NVM）領(lǐng)域動(dòng)作頻頻，例如Western Digital（西部數(shù)據(jù)）收購(gòu)了SanDisk，中國(guó)政府在存儲(chǔ)領(lǐng)域的大舉投資，以及Intel宣布Micron/Intel的合作將分道揚(yáng)鑣，以進(jìn)一步發(fā)展3D NAND。
2018-04-27 14:45:165236 
無(wú)論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說(shuō)明了隨著3D NAND技術(shù)走向?qū)嵱没?，?guó)際廠商正在加快推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步。3D NAND相對(duì)2D NAND來(lái)說(shuō)，是一次閃存技術(shù)上的變革。而且不同于基于微縮技術(shù)
2018-06-20 17:17:495087 半導(dǎo)體行業(yè)巨頭美光在新加坡的新工廠破土動(dòng)工，該工廠將致力于制造3D NAND Flash。
2018-08-01 17:40:372938 近日，英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤，加強(qiáng)擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)。
2018-08-01 17:44:541237 2018上半年3D NAND市場(chǎng)供應(yīng)量大幅增加，使得NAND Flash價(jià)格持續(xù)下滑，據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket報(bào)價(jià)，2018上半年NAND Flash綜合價(jià)格指數(shù)累計(jì)跌幅達(dá)35
2018-08-09 15:56:18843 
2017年，全球人工智能領(lǐng)域單輪融資最高紀(jì)錄一次次被人臉識(shí)別四大獨(dú)角獸刷新，你追我趕，火藥味十足。11月底，商湯科技或?qū)@阿里15億投資的消息，再次讓人臉識(shí)別市場(chǎng)上的火藥味到達(dá)高濃度。從人臉識(shí)別領(lǐng)域高密集的融資消息，可以聽(tīng)到人臉識(shí)別獨(dú)角獸囤兵買馬的匆匆腳步聲，更能看到緊追不放背后的暗潮洶涌。
2018-08-21 14:28:221360 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb，備受市場(chǎng)高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462599 隨著64層/72層3D NAND產(chǎn)出的增加，以及原廠QLC和96層3D技術(shù)快速發(fā)展，NAND Flash在經(jīng)歷2年漲價(jià)后，2018年市場(chǎng)行情從缺貨轉(zhuǎn)向供應(yīng)過(guò)剩，再加上成本下滑，以及供需雙方博弈刺激下，預(yù)計(jì)2018年全球SSD出貨量將超過(guò)1.9億臺(tái)，甚至有望沖刺2億臺(tái)。
2018-08-31 16:15:002745 在價(jià)格和競(jìng)爭(zhēng)壓力期間，3D NAND供應(yīng)商正準(zhǔn)備迎接新的戰(zhàn)斗，相互競(jìng)爭(zhēng)下一代技術(shù)。
2018-08-27 16:27:189528 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。
2018-09-16 10:38:14759 非揮發(fā)性存儲(chǔ)器廠旺宏董事長(zhǎng)吳敏求今日透露，該公司已切入3D NAND Flash開(kāi)發(fā)，預(yù)計(jì)2018年或2019年量產(chǎn)，并進(jìn)軍固態(tài)硬盤（SSD）市場(chǎng)。
2018-09-17 16:30:302159 至少2年時(shí)間，Intel、美光去年才推出3D NAND閃存，Intel本月初才發(fā)布了首款3D NAND閃存的SSD，不過(guò)主要是面向企業(yè)級(jí)市場(chǎng)的。這四大豪門的3D NAND閃存所用的技術(shù)不同，堆棧的層數(shù)
2018-10-08 15:52:39780 推出64層/72層3D NAND，預(yù)計(jì)從下半年開(kāi)始將陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)階段，屆時(shí)3D NAND產(chǎn)能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:571562 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開(kāi)打！目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng)，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:471294 在3D NAND Flash大行其道的21世紀(jì)，當(dāng)Intel和美光在2015年首次介紹3D Xpoint的時(shí)候，市場(chǎng)掀起了軒然大波。據(jù)當(dāng)時(shí)的介紹，3D Xpoint會(huì)比NAND Flash快1000倍，且壽命也會(huì)比其長(zhǎng)1000倍。
2019-01-19 09:41:381340 回顧2018年，整個(gè)智能手機(jī)市場(chǎng)暗潮洶涌，不論是對(duì)終端還是產(chǎn)業(yè)鏈而言，都是頗為動(dòng)蕩的一年。
2019-02-11 17:09:295295 Energias市場(chǎng)研究公司發(fā)布報(bào)告稱，到2024年，全球3D打印市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到389.5億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率為21.68％。市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要原因是易于開(kāi)發(fā)使用3D打印的定制產(chǎn)品，政府對(duì)3D打印項(xiàng)目的投資不斷增加，以及工業(yè)領(lǐng)域3D打印的采用率不斷提高。
2019-03-09 08:03:001004 由于 3D NAND 存儲(chǔ)器市場(chǎng)出現(xiàn)了供過(guò)于求的現(xiàn)象，制造商們不得不減產(chǎn)以穩(wěn)定價(jià)格。
2019-07-30 14:29:393096 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:162374 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 英特爾透露,2019年第四季度將會(huì)推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤的144層QLC(四級(jí)單元)NAND,預(yù)計(jì)將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180 3D NAND的出現(xiàn)也是因?yàn)?D NAND無(wú)法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分，為了提高其容量、降低成本，NAND的制造工藝也在不斷進(jìn)步，厚度開(kāi)始不斷降低，但
2019-11-14 15:52:181166 2019年9月25日 – 全球工控儲(chǔ)存大廠宜鼎國(guó)際，將推出針對(duì)高階市場(chǎng)應(yīng)用的儲(chǔ)存方案3TS5-P，采用3D NAND TLC ，并符合JESD219負(fù)載標(biāo)準(zhǔn)，特別針對(duì)高速讀寫和長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)作進(jìn)行耐用測(cè)試
2019-11-18 15:28:451054 根據(jù)AnandTech的報(bào)道，三星計(jì)劃投資數(shù)十億美元擴(kuò)大其在中國(guó)西安的3D NAND生產(chǎn)設(shè)施。
2019-12-18 10:38:203458 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，該公司即將開(kāi)始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開(kāi)始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011 閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開(kāi)始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:342586 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 NAND 采用緊湊型設(shè)計(jì)，裸片尺寸比市場(chǎng)最接近同類產(chǎn)品縮小近 30%。 據(jù)悉，美光 176 層三層單元 （TLC） 3D NAND 已在美光
2020-11-12 13:04:572623 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 雖然與美國(guó)Stratasys公司、美國(guó)3D Systems公司、德國(guó)EOS等老牌3D打印巨頭相比，我國(guó)3D打印企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力仍有較大差距。但是隨著我國(guó)政府對(duì)于3D產(chǎn)業(yè)的政策支持力度不斷加大，以及企業(yè)對(duì)于3D打印技術(shù)的不斷研發(fā)，市場(chǎng)應(yīng)用程度不斷深化。3D打印已成為國(guó)內(nèi)各大企業(yè)爭(zhēng)相投資的熱點(diǎn)。
2020-11-13 16:23:032802 NAND 非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND 的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的 3D
2020-11-20 16:07:133095 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來(lái)越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰會(huì)
2020-11-20 17:15:444306 ? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:493617 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）如今芯片的缺貨漲價(jià)似乎已是常態(tài)，許多業(yè)內(nèi)玩家也開(kāi)始習(xí)以為常，大家都在做好充足的準(zhǔn)備來(lái)應(yīng)對(duì)如今的局面。不過(guò)隨著時(shí)間的推進(jìn)，芯片市場(chǎng)卻開(kāi)始涌出了一股暗流，一個(gè)過(guò)去常被忽略
2021-09-03 14:17:384579 3D TLC NAND 代表了存儲(chǔ)介質(zhì)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，提供了更低的每比特成本和更小的占用空間。然而，為了使市場(chǎng)擴(kuò)展到嵌入式行業(yè)，該技術(shù)需要提供一套可持續(xù)的、可擴(kuò)展的比特糾錯(cuò)解決方案。
2022-06-10 07:41:002309 
通過(guò)實(shí)施上述 LPDC ECC 序列，在 NAND 控制器上終止強(qiáng)大的 RAID 功能，UDInfo相信，未來(lái)基于 3D TLC NAND 的設(shè)備可以保證 SSD 質(zhì)量和數(shù)據(jù)完整性。
2022-08-17 11:54:142743 
我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 全行業(yè)正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當(dāng)前成熟的 3D NAND 工藝，這與學(xué)術(shù)論文提出和內(nèi)存行業(yè)研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46993 
3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲(chǔ)容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開(kāi)發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142 最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開(kāi)始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開(kāi)發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲(chǔ)單元。3D nand的存儲(chǔ)器容量可以通過(guò)將存儲(chǔ)器單元層垂直堆積來(lái)增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:491360 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
在3D NAND的制造過(guò)程中，一般會(huì)有3個(gè)工序會(huì)用到干法蝕刻，即：臺(tái)階蝕刻，channel蝕刻以及接觸孔蝕刻。
2024-04-01 10:26:552343 
? 在過(guò)去幾十年里，動(dòng)作捕捉（MoCap）技術(shù)經(jīng)歷了顯著的發(fā)展，廣泛被應(yīng)用于電影、游戲、虛擬現(xiàn)實(shí)、醫(yī)療等多個(gè)領(lǐng)域。近期，奧比中光合作客戶Moverse使用Orbbec Femto系列3D相機(jī)，打造出
2024-06-25 16:37:242001 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實(shí)現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計(jì)劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3D NAND存儲(chǔ)器。三星也在此前表示，將在
2024-06-29 00:03:008061
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