存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā)，DRAM市場(chǎng)前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士和美光均采用IDM模式繼續(xù)保持壟斷地位，合計(jì)市占率超過(guò)95%，國(guó)產(chǎn)廠商開(kāi)始積極布局，2018年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，有望逐步改變當(dāng)前產(chǎn)業(yè)格局。DRAM消費(fèi)產(chǎn)品中，移動(dòng)終端、服務(wù)器和PC依舊占據(jù)頭三名，合計(jì)占比86%，未來(lái)將繼續(xù)拉動(dòng)DRAM消費(fèi)增長(zhǎng)。

三星領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)明顯，傳統(tǒng)技術(shù)難以替代。三星于2017年開(kāi)始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的產(chǎn)能，繼續(xù)維持與其他DRAM大廠1-2年以上的技術(shù)差距。新型存儲(chǔ)器由于存在CMOS兼容問(wèn)題和器件級(jí)變化性，且DRAM 的性?xún)r(jià)比高，技術(shù)成熟且具有規(guī)模優(yōu)勢(shì)，預(yù)計(jì)未來(lái)5-10年內(nèi)難以被替代。同時(shí)，由于DRAM的平面微縮接近極限并向垂直方向擴(kuò)展，18/16nm之后，薄膜厚度無(wú)法繼續(xù)縮減，且不適合采用高介電常數(shù)材料和電極，繼續(xù)在二維方向縮減尺寸已不再具備成本和性能方面的優(yōu)勢(shì)，3D DRAM在寬松尺寸下能夠?qū)崿F(xiàn)高密度容量，且寄生阻容減少，延時(shí)串?dāng)_低，未來(lái)可能成為DRAM的演進(jìn)方向。

受益于需求增長(zhǎng)拉動(dòng)，DRAM保持量?jī)r(jià)齊增態(tài)勢(shì)。隨著5G商用逼近以及云計(jì)算、IDC業(yè)務(wù)的拉動(dòng)，移動(dòng)終端、服務(wù)器和PC側(cè)的消費(fèi)需求增長(zhǎng)明顯。各大廠商擴(kuò)產(chǎn)熱情不減，包括三星在韓國(guó)平澤的P1廠房和Line 15生產(chǎn)線(xiàn)，SK海力士的M14生產(chǎn)線(xiàn)，以及美光在廣島的Fab 15和Fab 16的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，但由于光刻技術(shù)接近瓶頸，良率問(wèn)題日益突出以及新技術(shù)的出現(xiàn)，各廠商工藝進(jìn)程都有所推遲，預(yù)計(jì)2018年全球DRAM產(chǎn)能增加10%，2018年DRAM依舊保持量?jī)r(jià)齊增態(tài)勢(shì)。

我們建議關(guān)注國(guó)家政策資金支持帶來(lái)的投資機(jī)會(huì)：兆易創(chuàng)新(A股存儲(chǔ)器龍頭)、北方華創(chuàng)(A股集成電路設(shè)備龍頭)、長(zhǎng)川科技(A股封測(cè)設(shè)備龍頭)。

風(fēng)險(xiǎn)提示：行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇，需求增長(zhǎng)不達(dá)預(yù)期。