就在Intel稍早以公開信件說明近期處理器產(chǎn)能受限，并且針對市場供貨短缺情況致歉，市場傳出三星將協(xié)助Intel生產(chǎn)處理器產(chǎn)品，借此緩解Intel在14nm制程處理器產(chǎn)能需求。 根據(jù)韓聯(lián)社引述消息來源
2019-11-29 09:36:41
4667 針對稍早報導(dǎo)指稱將委任三星協(xié)助生產(chǎn)處理器產(chǎn)品，借此緩解14nm制程處理器產(chǎn)能需求情況，Intel稍早對外澄清表示相關(guān)內(nèi)容并不正確。 依照Intel后續(xù)對于相關(guān)報導(dǎo)內(nèi)容的回應(yīng)，表示內(nèi)容中所提合作代工廠
2019-12-02 10:31:394108 在今年宣布以14nm制程制作Galaxy S6系列機(jī)種使用處理器Exynos 7420之后，三星也計劃將在2016年年底進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)新款處理器產(chǎn)品。而另一方面，預(yù)期今年第三季進(jìn)入16nm
2015-05-28 10:23:161272 8月下旬，多名用戶將燒毀的手機(jī)的照片發(fā)到網(wǎng)上，稱“充電時發(fā)生爆炸”，而對此事件三星并未立即采取有效措施，而是延長召回時間，而近日，三星宣布250萬部Note 7召回，召回費用就將達(dá)到5000億韓元。
2016-09-05 12:09:341126 臺積電和三星電子的制程大戰(zhàn)打得如火如荼，據(jù)傳臺積電7nm制程有望提前在明年底量產(chǎn)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超前對手。三星電子不甘示弱，宣布10nm制程已經(jīng)率先進(jìn)入量產(chǎn)，領(lǐng)先同業(yè)。
2016-10-18 09:48:511079 
三星近來狀況頻傳，在 Galaxy Note 7 電池出包與管理層級涉及行賄被起訴后，近日業(yè)界又傳出其產(chǎn)業(yè)重心存儲模組產(chǎn)品良率出問題需緊急召回，由于三星于 PC DRAM 市占過半，這次良率出問題除了可能讓三星集團(tuán)的處境雪上加霜外，也會讓價格已上揚的 PC DRAM 價格再度飆高。
2017-03-02 07:10:49809 
三星近來狀況頻傳，在 Galaxy Note 7 電池出包與管理層級涉及行賄被起訴后，近日業(yè)界又傳出其產(chǎn)業(yè)重心記憶體模組產(chǎn)品良率出問題需緊急召回，由于三星于 PC DRAM 市占過半，這次良率出問題除了可能讓三星集團(tuán)的處境雪上加霜外，也會讓價格已上揚的 PC DRAM 價格再度飆高。
2017-03-02 10:57:391024 消息人士指出，10納米制程技術(shù)良率偏低的頭痛問題，臺積電、三星和英特爾這三家晶圓代工廠均面臨同一問題。2017年計劃搶先量產(chǎn)的三星，業(yè)界傳出其10納米制程良率同樣不如預(yù)期。若第2季各家晶圓廠10納米制程
2017-03-03 09:18:021936 業(yè)界消息指出，記憶體大廠三星電子自2月中旬起，陸續(xù)召回部分序號的18奈米制程DRAM模組，原因在于這些18奈米DRAM會導(dǎo)致電腦系統(tǒng)出錯及出現(xiàn)藍(lán)幕當(dāng)機(jī)。
2017-03-06 09:18:321044 業(yè)界消息指出，存儲器大廠三星電子自2月中旬起，陸續(xù)召回部分序號的18納米制程DRAM模組，原因在于這些18納米DRAM會導(dǎo)致電腦系統(tǒng)出錯及出現(xiàn)藍(lán)屏當(dāng)機(jī)。由于三星在全球PC DRAM市占過半，據(jù)傳召回的DRAM模組數(shù)量達(dá)10萬條，業(yè)界認(rèn)為將導(dǎo)致3月DRAM缺貨雪上加霜，合約價將再見飆漲走勢。
2017-03-06 09:34:281126 
8月5日消息，據(jù)臺媒報道，市場傳出三星以 5 納米制程為手機(jī)芯片大廠高通代工的訂單可能出現(xiàn)部分問題，因此高通 7 月緊急向臺積電求援，該公司 X60 基帶與旗艦級處理器芯片驍龍 875，原本在三星投產(chǎn)，后續(xù)將增加在臺積電生產(chǎn)的版本，并規(guī)劃從 2021 年下半開始產(chǎn)出。
2020-08-05 10:09:3010016 5nm工藝。不過，最近有消息傳出，三星遇到麻煩了，其5nm工藝的良率竟然低于50%。 韓國媒體報道，三星電子華城園區(qū)V1廠，最近面臨晶圓代工良率改善難題，5nm等部分工藝良率低于50%。 三星華城園區(qū)共有V1、S3及S4等晶圓廠，其中V1為EUV專用廠，于201
2021-07-05 18:35:594332 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）三星在3nm領(lǐng)先臺積電的愿望又要落空了。據(jù)外媒日前報道，因為擔(dān)心三星的良率過低，大客戶高通已將3nm AP處理器代工訂單交給臺積電。 臺積電和三星是全球領(lǐng)先的兩大芯片
2022-02-25 09:31:004118 儀式。才過4個月不到，韓國媒體Naver就爆出，三星3nm制程的良率非常低，不足20%。而且其5nm和4nm節(jié)點的良率問題也遲遲沒有得到改善。 ? 其實，三星電子從2000年初就已經(jīng)開始了對GAA晶體管結(jié)構(gòu)的研究。自2017年開始，將其正式應(yīng)用到3納米工藝，并于今年6月宣布啟動利用GAA技術(shù)的
2022-11-30 09:35:124254 Sensors（CCD&AIS）”國際會議上發(fā)表過。 在同一個會議上，三星電子發(fā)表了開口率高達(dá)約50％、像素間隔為2.0μm的CMOS傳感器試制結(jié)果。不過，并沒說是否使用了銅布線，只是表示為了提高開口率，將布線寬度縮小到了90nm或130nm。目前，上市日期未予公布。 :
2018-11-20 16:40:18
三星LED大功率燈杯鋁合金燈體：防撞、散熱性好; 電鍍,外表光滑，反光率高。
2019-11-05 09:02:01
前,有很多非常積極的評論,但是電池在某些零件出錯令人擔(dān)憂——據(jù)報道某品牌手機(jī)電池因充電而發(fā)生爆炸——迫使該公司出手召回。昨日,三星（墾鑫達(dá)注：NOTE 7電池爆炸召回事件）證實,它正在調(diào)查這個問題,現(xiàn)在三星
2016-09-03 12:45:17
較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國際學(xué)會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
三星貼片電阻的卷帶上的標(biāo)簽上有個P M2，在條碼的旁邊有時候是PM3
或S之類的，哪位大蝦告訴我下，那是什么意思?。?/div>
2012-07-28 16:37:17
`這幾年以來，國內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點。日前，三星一反常態(tài)，放緩了存儲器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴(kuò)張
2018-10-12 14:46:09
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2021-04-06 18:09:48
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2021-10-26 19:13:52
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2021-09-03 19:23:00
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2021-04-28 18:52:33
的寬度，也被稱為柵長。柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
早有計劃。 2017年，三星與NXP達(dá)成代工合同，從這一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列將通過三星28nm FD-SOI工藝批量生產(chǎn)，并計劃2018年將三星的eMRAM嵌入式存儲器技術(shù)將用于下一代
2023-03-21 15:03:00
`友堅官方研發(fā)三星四核安卓4.4系統(tǒng)S5P4418開源硬件三星指定平板產(chǎn)品的IDH產(chǎn)品，1、UT4418是由專注三星10年工作經(jīng)驗的高級硬件工程師設(shè)計，吸取了友堅7年行業(yè)ARM定制經(jīng)驗而打造的明星
2016-07-01 14:04:09
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價回收三星指紋排線，專業(yè)求購指紋排線。
回收三星S系列指紋排線，回收指紋模組，回收三星
2025-05-19 10:05:30
歐電子長期全國回收品原裝存儲芯片：三星samsung，海力士SK hynix，現(xiàn)代hyniy，展訊SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
2021-08-20 19:11:25
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2021-09-09 19:05:33
本帖最后由 forele 于 2013-8-5 14:23 編輯
日本媒體朝日新聞18日報導(dǎo)，夏普(Sharp)考慮加強和韓國三星電子(Samsung Electronics)的合作關(guān)系
2013-08-05 14:19:28
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2021-04-14 19:04:16
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2021-03-10 17:45:41
我們正在調(diào)試基于三星4412的MFC（視頻硬解碼）但是移植調(diào)試不出來如果哪位大俠成功調(diào)試過類似的產(chǎn)品（210或4412） 可以一起探討一下
2014-01-16 10:21:24
和14nm芯片。當(dāng)時臺積電和三星各占40%、60%左右的訂單。臺積電獨得訂單，恐怕與去年的“芯片門事件”有關(guān)。去年剛上市的iPhone6s采用A9芯片，就是由臺積電（16nm制程工藝）和三星（14nm
2016-07-21 17:07:54
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2021-07-06 19:32:41
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2021-02-23 17:54:12
三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700 傳40nm制程代工廠良率普遍低于70%
據(jù)業(yè)者透露，包括臺積電在內(nèi)的各家芯片生產(chǎn)公司目前的40nm制程良率均無法突破70%大關(guān)。這種局面恐將對下一代顯卡和FPGA芯片等產(chǎn)品
2010-01-15 09:32:551359 臺積電稱其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問題
據(jù)臺積電公司高級副總裁劉德音最近在一次公司會議上表示，臺積電40nm制程工藝的良率已經(jīng)提升至與現(xiàn)有65nm制程
2010-01-21 12:22:431259 根據(jù)三星的官方描述這個存儲芯片已經(jīng)從原有的20nm制程進(jìn)入到10nm，并且新的 64GB eMMC Pro Class 2000 比前代產(chǎn)品在外觀上小20%，性能和勞動生產(chǎn)效率方面比前代產(chǎn)品提升了30%。
2012-11-15 15:34:531311 三星表示國行版三星Note7電池不存在安全隱患，原因是采用了不同的電池供應(yīng)商，因此不在本次全球召回范疇內(nèi)。
2016-09-05 14:16:421735 據(jù)臺灣媒體報道，臺積電、三星電子10納米制程量產(chǎn)進(jìn)入倒數(shù)計時階段，然近期卻陸續(xù)傳出量產(chǎn)卡關(guān)消息，半導(dǎo)體業(yè)者透露，臺積電為蘋果（Apple）生產(chǎn)新一代iPad處理器A10X，出現(xiàn)良率不如預(yù)期情況，且
2016-12-22 10:17:15947 半導(dǎo)體業(yè)者表示，臺積電將在2017年第2季量產(chǎn)蘋果iPhone 8處理器芯片A11，然在此之前，臺積電將先量產(chǎn)蘋果預(yù)計2017年3月上市的新一代iPad處理器A10X芯片，近期業(yè)界卻傳出臺積電10納米制程良率不如預(yù)期，不僅影響蘋果A10X芯片量產(chǎn)進(jìn)度，甚至引發(fā)臺積電內(nèi)部更先進(jìn)制程研發(fā)高層變動。
2016-12-22 10:27:41653 上周，關(guān)于10nm工藝良率依舊不夠理想的消息在媒體傳開，據(jù)說影響到高通驍龍835、蘋果A10X（新iPad）等一眾新品。目前外界普遍傳言，三星確定在今年4月發(fā)布Galaxy S8，而不是2月底的MWC甚至1月的CES。
2016-12-26 11:17:25763 電子、小米、Oppo、Vivo等智能手機(jī)品牌廠下單排隊，未來三星10納米制程良率和產(chǎn)能配置，將攸關(guān)高通Snapdragon 835出貨及版圖擴(kuò)張。
2017-01-10 02:47:11656 了，SK Hynix和美光這時候還掙扎在20nm工藝DRAM芯片量產(chǎn)中呢。不過昨天一紙傳聞稱三星18nm工藝的DRAM芯片惹禍了，可能會導(dǎo)致系統(tǒng)藍(lán)屏，三星正在召回——不過三星官方日前回應(yīng)稱這是謠言。
2017-03-03 14:22:572704 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成，未來爭取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn)，目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。
2017-04-25 01:08:11746 受惠于市場需求強力推升，服務(wù)器存儲器供應(yīng)持續(xù)吃緊，近來市場傳出，存儲器龍頭廠三星與海力士18nm制程出現(xiàn)良率問題，應(yīng)用于高階服務(wù)器產(chǎn)品遭到退貨，包括美國及大陸廠商已要求暫時停止出貨。
2018-06-21 08:44:335059 三星宣布推出基于10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 晶圓代工領(lǐng)域10nm已成分水嶺，隨著英特爾的10nm制程久攻不下，聯(lián)電和格芯相繼擱置7nm及以下先進(jìn)制程的研發(fā)后，10nm以下的代工廠中只有三星在繼續(xù)與臺積電拼刺刀。
2018-11-16 10:37:374463 （18nm）納米制程產(chǎn)品出現(xiàn)瑕疵，讓亞馬遜緊急更換由另一家韓國存儲器大廠SK海力士（SK Hynix）來供應(yīng)，并且對三星進(jìn)行索賠的情況，嚴(yán)重沖擊了三星DRAM的市場商譽。
2019-04-13 11:36:393460 包括7nm批量生產(chǎn)和6nm產(chǎn)品的流片, 三星電子在基于EUV技術(shù)的先進(jìn)制程工藝開發(fā)上取得重大進(jìn)展 4月16日,三星電子宣布，其5nm FinFET( 鰭式場效應(yīng)晶體管)工藝技術(shù)已經(jīng)開發(fā)完成，該技術(shù)可
2019-04-18 20:48:54636 6月4日消息，據(jù)Digitimes報道，臺積電持續(xù)保持先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，7nm制程包攬了大廠訂單，三星決定跳過7nm制程，直接上7nm LPP EVU制程。
2019-06-05 16:40:263285 集成電路設(shè)計自動化軟件領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)新思（Synopsys）近日宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺設(shè)計取得最大突破，也為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率奠定了堅實基礎(chǔ)。
2019-07-08 15:56:453656 近日，全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺設(shè)計取得了重大突破，這將為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率的提升奠定堅實基礎(chǔ)。
2019-07-09 17:13:485070 全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺設(shè)計取得了重大突破
2019-07-11 14:49:473942 8月22日，一篇“三星導(dǎo)致高通5G芯片全部報廢”的報道刷爆網(wǎng)絡(luò)，登上了各大資訊平臺的頭條熱搜，該消息稱，三星7nm制程所代工的高通5G芯片因良率出問題，結(jié)果導(dǎo)致5G芯片全部報廢，并且三星自身的處理器也發(fā)生了同樣的問題。
2019-08-23 09:38:193266 據(jù)國外媒體報道，消息稱，芯片制造商AMD已經(jīng)使用三星的7nm制程，來制造其Radeon RX 5500系列顯卡。
2019-12-18 17:09:413120 報道稱，與三星電子的5nm工藝相比，3nm制程能將芯片尺寸縮小35%，功耗降低50%，性能提升30%。
2020-01-03 16:18:164372 根據(jù)外媒WCCFTECH的報道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報道的臺積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 在芯片先進(jìn)制程的賽場上，放眼全球，僅剩臺積電、英特爾、三星。目前，臺積電和三星在7nm以下的競爭備受關(guān)注。根據(jù)報道，三星將直接跳過4nm先進(jìn)制程，轉(zhuǎn)向3nm制程的量產(chǎn)，此舉有可能使三星領(lǐng)先于臺積電
2020-07-06 15:31:542666 在2020年5月，臺積電就曾宣布，將在美國亞利桑納州斥資120億美元興建5nm制程晶圓廠，并預(yù)計2023年正式量產(chǎn)。消息刺激競爭對手南韓三星，三星日前也宣布計劃斥資100億美元在美國德州奧斯汀興建
2021-02-02 14:03:531767 
NVIDIA的RTX 30系列顯卡現(xiàn)在已經(jīng)有RTX 3090/3080/3070三款顯卡上市了，它們都使用三星的8nm工藝生產(chǎn)，后續(xù)還有RTX 3060 Ti、RTX 3060、RTX 3080 Ti等顯卡，也不會如傳聞那樣使用臺積電7nm，還是8nm工藝。
2020-11-17 10:05:434074 業(yè)內(nèi)人士分析稱，三星積極追趕臺積電，不過臺積電在高良率與低功耗方面擁有優(yōu)勢。7nm 制程方面，臺積電先推出 FinFet 架構(gòu)的 7nm 技術(shù)，再推出使用 EUV 的 N7 + 制程。5nm 方面，三星與臺積電仍有二成產(chǎn)能的差距。
2020-12-04 17:23:531842 2020年，臺積電和三星這兩大芯片代工商，均把芯片制程工藝提升至5nm，而且更先進(jìn)的3nm制程也在計劃中，不過，最近它們好像都遇到了一些麻煩。
2021-01-12 16:26:532852 這還要從三星正式推出8nm制程說起。2017年5月，三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部在美國圣克拉拉舉行的三星代工論壇上，公布了其未來幾年的制程工藝路線圖，其中，8nm首次正式亮相。當(dāng)年10月，三星即宣布已完成8nm LPP工藝驗證，具備量產(chǎn)條件。
2021-05-18 14:19:299987 三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠(yuǎn)低于預(yù)期，三星電子3nm制程工藝的良品率，才到10%-20%，遠(yuǎn)不及公司期望的目標(biāo)。
2022-04-20 10:43:132740 的3nm工藝還得等到今年下半年才能量產(chǎn)，并且三星稱之前飽受詬病的良率問題也已得到解決。 美國總統(tǒng)近日參觀了三星的全球唯一能夠進(jìn)行3nm工藝量產(chǎn)的晶圓代工廠，三星為了在晶圓代工行業(yè)趕超臺積電，投入了大量資金進(jìn)行高端制程的研
2022-05-22 16:30:312676 三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎 全球第一款正式量產(chǎn)的3nm芯片即將出自三星半導(dǎo)體了，根據(jù)三星半導(dǎo)體官方的宣布，4D（GAA）架構(gòu)制程技術(shù)芯片正式開始生產(chǎn)。 4D（GAA）架構(gòu)制程是3D
2022-06-30 20:21:522069 隨著臺積電曝光2nm制程的進(jìn)展后，三星緊追其后也宣布了關(guān)于2nm制程的最新消息，三星2nm的量產(chǎn)時間也定在了2025年，跟臺積電的差不多。這次2nm制程是三星這些年來首次追上了臺積電，比以往快了不少。
2022-07-01 09:59:085174 目前全球各大晶圓代工廠28納米制程的良率大多在90%以上，但是隨著制程越往前推進(jìn)，良率越低，比如，三星4納米制程只有35%的良率，目前3nm良率僅維持在10%~20%之間。
2022-11-03 10:21:292833 從一些公開的信息來看，三星看似在3nm制程節(jié)點上先行一步，但實際生產(chǎn)良率也難盡人意。 據(jù)悉，三星電子3納米芯片首家客戶是來自中國的半導(dǎo)體企業(yè)PanSemi（磐矽半導(dǎo)體），后者據(jù)稱是一家專門生產(chǎn)比特幣挖礦機(jī)芯片的公司。
2022-11-29 15:22:071630 芯片晶圓代工產(chǎn)品舉行了出廠儀式。才過4個月不到，韓國媒體Naver就爆出，三星3nm制程的良率非常低，不足20%。而且其5nm和4nm節(jié)點的良率問題也遲遲沒有得到改善。 其實，三星電子從2000年初就已經(jīng)開始了對GAA晶體管結(jié)構(gòu)的研究。自2017年開始，將其正式應(yīng)用到3納米工藝，并于今年6月宣
2022-11-30 07:15:081455 目前三星在4nm工藝方面的良率為75%，稍低于臺積電的80%。然而，通過加強對3nm技術(shù)的發(fā)展，三星有望在未來趕超臺積電。
2023-07-19 16:37:424327 三星向中國客戶提供了第一個3nm gaa，但新的報告顯示，這些芯片的實際形態(tài)并不完整，缺乏邏輯芯片的sram。據(jù)悉，由于很難生產(chǎn)出完整的3納米gaa晶片，因此三星轉(zhuǎn)包工廠的收益率只有臺灣產(chǎn)產(chǎn)的50%。3nm gaa雖然比finfet優(yōu)秀，但在生產(chǎn)效率上存在問題。
2023-10-12 10:10:201487 三星已將4nm制程良率提升到了70%左右，并重點在汽車芯片方面尋求突破。特斯拉已經(jīng)將其新一代FSD芯片交由三星生產(chǎn)，該芯片將用于特斯拉計劃于3年后量產(chǎn)的Hardware 5（HW 5.0）計算機(jī)。
2023-12-01 10:33:453358 
據(jù)韓國媒體報道稱，三星電子旗下的3納米工藝良品比例仍是一個問題。報道中僅提及了“3nm”這一籠統(tǒng)概念，并沒有明確指出具體的工藝類型。知情者透露，盡管有部分分析師認(rèn)為其已經(jīng)超過60%
2024-03-07 15:59:191611 .件商.城了解，三星的3納米制程良率目前仍不足60%，這意味著在制造過程中存在較高的失敗率，可能導(dǎo)致生產(chǎn)成本上升，且難以保證產(chǎn)品質(zhì)量。與此同時，其競爭對手臺積電在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域仍保持著較高的市占率，這無疑加大了三星的
2024-03-11 16:17:051032 近日，據(jù)韓國媒體報道，三星在其1b nm（即12nm級）DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前，該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標(biāo)的80%~90%，僅達(dá)到五成左右。為了應(yīng)對這一局面，三星已在上月成立了專門的工作組，致力于迅速提升良率。
2024-06-12 10:53:411408 據(jù)報道，三星電子在最新的半導(dǎo)體技術(shù)探索中遭遇了挑戰(zhàn)。其第五代10nm級（1b）制程DRAM的良率尚未達(dá)到業(yè)界通常期望的80%~90%的水平，這一狀況引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-13 09:41:181485 近日，全球芯片代工領(lǐng)域掀起了不小的波瀾。據(jù)媒體報道，臺積電在3nm制程的芯片代工價格上調(diào)5%之后，依然收獲了供不應(yīng)求的訂單局面。而與此同時，韓國的三星電子在3nm工藝上卻遭遇了前所未有的尷尬，其3nm工藝至今未能獲得任何大客戶的青睞。
2024-06-22 14:23:431704 近期，三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域遭遇挑戰(zhàn)，其最新的Exynos 2500芯片在3nm工藝上的生產(chǎn)良率持續(xù)低迷，目前仍低于20%，遠(yuǎn)低于行業(yè)通常要求的60%量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。這一情況引發(fā)了業(yè)界對三星半導(dǎo)體制造能力的質(zhì)疑，同時也使得該芯片未來能否順利應(yīng)用于Galaxy S25系列旗艦智能手機(jī)充滿了不確定性。
2024-06-24 18:22:362240 三星正加速其在先進(jìn)制程領(lǐng)域的投資步伐，計劃于明年第一季度在平澤一廠的“S3”代工線建成一條月產(chǎn)能達(dá)7000片晶圓的2nm生產(chǎn)線。此舉標(biāo)志著三星在推進(jìn)其技術(shù)路線圖方面邁出了重要一步。
2024-10-11 16:09:54930 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）今年上半年，三星在FD-SOI工藝上面再進(jìn)一步。3月份，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布與三星聯(lián)合推出18nm FD-SOI工藝。該工藝支持嵌入式
2024-10-23 11:53:05990 
與成熟制程的并重發(fā)展。他指出，當(dāng)前三星代工部門最緊迫的任務(wù)是提升2nm產(chǎn)能的良率爬坡。這一舉措顯示了三星在先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)域的決心和實力。 同時，韓真晚也提到了三星電子在GAA工藝方面的領(lǐng)先地位。盡管三星已經(jīng)率先實現(xiàn)了全球首個GAA工藝，但在先進(jìn)制
2024-12-10 13:40:351257 近日，據(jù)韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上，全面重新設(shè)計新版1b
2025-01-22 14:04:071411 (High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本，三星電子計劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，這是結(jié)束開發(fā)工作并進(jìn)入量產(chǎn)階段所必需的水平
2025-01-22 14:27:241109 據(jù)韓媒報道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本，三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以達(dá)到結(jié)束開發(fā)工作、順利進(jìn)入量產(chǎn)階段的要求。然而，實際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191002 據(jù)DigiTimes報道，三星電子對重新設(shè)計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361 近日，三星宣布了一項大規(guī)模的汽車召回計劃，此次召回涉及福特、奧迪以及Stellantis旗下的共計180,196輛汽車。這些車輛因搭載了存在故障風(fēng)險的三星高壓電池組，有可能導(dǎo)致火災(zāi)事故的發(fā)生，因此被
2025-02-10 09:32:131352 ，較三個月前技術(shù)驗證階段實現(xiàn)顯著提升（此前驗證階段的良率已經(jīng)可以到60%），預(yù)計年內(nèi)即可達(dá)成量產(chǎn)準(zhǔn)備。 值得關(guān)注的是，蘋果作為臺積電戰(zhàn)略合作伙伴，或將率先采用這一尖端制程。盡管廣發(fā)證券分析師Jeff Pu曾預(yù)測iPhone 18系列搭載的A20處理器仍將延續(xù)3nm工藝，但其最
2025-03-24 18:25:091240 根據(jù)韓國媒體ChosunBiz的報道，三星電子的晶圓代工事業(yè)部正在全力押注其2納米制程技術(shù)，目標(biāo)是在2025年內(nèi)實現(xiàn)良率提升至70%。這一戰(zhàn)略旨在吸引更多大客戶訂單，進(jìn)一步鞏固其在半導(dǎo)體市場中的競爭
2025-07-11 10:07:431153 
，導(dǎo)致Exynos 2500良率不佳的原因是，這顆SoC基于三星第二代3nm GAA制程工藝——SF3工藝，然而目前第二代SF3工藝的良率僅為20%。 ? 三星第二代SF3工藝進(jìn)展不如預(yù)期 今年初，有知情人士向韓媒透露，三星已經(jīng)開始試產(chǎn)自己第二代SF3工藝，被視為該公司發(fā)展的一大里程碑
2024-06-25 00:04:004952 
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