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三星電子3nm良品率才10%-20%,大大低于預期

西西 ? 來源:網絡整理 ? 作者:網絡整理 ? 2022-04-20 10:43 ? 次閱讀
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繼臺積電宣布今年下半年將開啟3nm芯片量產之后,三星3nm制程芯片已經開始試產。

據(jù)報道,三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠低于預期,三星電子3nm制程工藝的良品率,才到10%-20%,遠不及公司期望的目標,在提升3nm工藝的良品率方面,也陷入了掙扎。

這或許意味著公司需要更多的時間才能投入量產。所謂GAA晶體管即環(huán)繞柵極晶體管,它取代的是FinFET(鰭式場效應晶體管),前者可以實現(xiàn)四邊充當電流通道,二者則只有三邊。

三星本來想著通過搶占技術制高點“降維”打擊臺積電,沒想到后者堅持在3nm使用FinFET后,結果更務實。

值得注意的是,在今年2月份曾有報道稱,三星重要客戶高通明年將推出的3nm工藝應用處理器,將交由臺積電代工。

文章綜合閩南網,人民資訊、ICGOO在線商城

編輯:黃飛

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