臺(tái)積電4月16日晚宣布，推出6納米（N6）制程技術(shù)，大幅強(qiáng)化7納米（N7）技術(shù)。據(jù)其日前宣布5納米已進(jìn)入試產(chǎn)，臺(tái)積電無(wú)疑越接近摩爾定律的極限。每隔一納米，都要在7、6、5納米制程一路通吃。值得注意的是，其主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星也在日前宣布完成5納米EUV工藝研發(fā)，并已送樣給客戶(hù)，雙雄競(jìng)爭(zhēng)不相上下。
2019-04-18 11:15:24
1001 我們的FinFET制程分為兩個(gè)世代，包括14納米和7納米。過(guò)去我們的14納米是和三星電子（Samsung Electronics）合作，在7納米上我們選擇不同技術(shù)，加上收購(gòu)IBM資產(chǎn)后，我們的研發(fā)資源變廣，因此決定自己開(kāi)發(fā)7納米制程技術(shù)。
2016-11-03 09:17:281902 晶圓代工龍頭臺(tái)積電靠著16納米制程領(lǐng)先同業(yè)，幾乎通吃先進(jìn)制程代工訂單，而臺(tái)積搶先在第4季進(jìn)入10納米量產(chǎn)階段，看起來(lái)雖與對(duì)手三星的進(jìn)度差不多，但其10納米良率穩(wěn)定度及產(chǎn)能規(guī)模均優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)者，也因此，10納米制程可望再度上演訂單贏者通吃的戲碼。
2016-12-29 09:42:041279 )研究總監(jiān)盛陵海表示。除了三星在去年年中傳出急購(gòu)EUV 機(jī)臺(tái)，力拼2017 年底量產(chǎn)7 納米，臺(tái)積電在上周12 日法說(shuō)會(huì)首度明確指出，在7 納米制程第二年，就會(huì)導(dǎo)入EUV 減少光罩層數(shù)，至5 納米制程全面采用EUV。
2017-01-19 10:15:491818 消息人士指出，10納米制程技術(shù)良率偏低的頭痛問(wèn)題，臺(tái)積電、三星和英特爾這三家晶圓代工廠均面臨同一問(wèn)題。2017年計(jì)劃搶先量產(chǎn)的三星，業(yè)界傳出其10納米制程良率同樣不如預(yù)期。若第2季各家晶圓廠10納米制程
2017-03-03 09:18:021935 三星電子野心勃勃，全力搶攻晶圓代工業(yè)務(wù)，該公司宣布第二、三代10納米制程量產(chǎn)時(shí)間，并表示未來(lái)將增加8 納米和6納米制程，嗆聲臺(tái)積電意味濃厚。
2017-03-17 09:21:081139 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開(kāi)發(fā)完成，未來(lái)爭(zhēng)取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-27 10:04:491826 韓國(guó)三星近期積極將極紫外（EUV）曝光技術(shù)應(yīng)用在采用1z納米制程的DRAM記憶體生產(chǎn)上，并且完成了量產(chǎn)。而根據(jù)半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)《TechInsights》拆解了分別采用EUV曝光技術(shù)和ArF-i曝光
2021-02-22 10:31:363352 5nm工藝。不過(guò)，最近有消息傳出，三星遇到麻煩了，其5nm工藝的良率竟然低于50%。 韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子華城園區(qū)V1廠，最近面臨晶圓代工良率改善難題，5nm等部分工藝良率低于50%。 三星華城園區(qū)共有V1、S3及S4等晶圓廠，其中V1為EUV專(zhuān)用廠，于201
2021-07-05 18:35:594330 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）三星在3nm領(lǐng)先臺(tái)積電的愿望又要落空了。據(jù)外媒日前報(bào)道，因?yàn)閾?dān)心三星的良率過(guò)低，大客戶(hù)高通已將3nm AP處理器代工訂單交給臺(tái)積電。 臺(tái)積電和三星是全球領(lǐng)先的兩大芯片
2022-02-25 09:31:004118 儀式。才過(guò)4個(gè)月不到，韓國(guó)媒體Naver就爆出，三星3nm制程的良率非常低，不足20%。而且其5nm和4nm節(jié)點(diǎn)的良率問(wèn)題也遲遲沒(méi)有得到改善。 ? 其實(shí)，三星電子從2000年初就已經(jīng)開(kāi)始了對(duì)GAA晶體管結(jié)構(gòu)的研究。自2017年開(kāi)始，將其正式應(yīng)用到3納米工藝，并于今年6月宣布啟動(dòng)利用GAA技術(shù)的
2022-11-30 09:35:124254 在先進(jìn)制程領(lǐng)域目前面臨重重困難。三星 3nm（SF3）GAA 工藝自 2023 年量產(chǎn)以來(lái)，由于良率未達(dá)預(yù)期，至今尚未獲得大客戶(hù)訂單。
2025-03-22 00:02:002463 在先進(jìn)制程領(lǐng)域目前面臨重重困難。三星?3nm（SF3）GAA?工藝自?2023?年量產(chǎn)以來(lái)，由于良率未達(dá)預(yù)期，至今尚未
2025-03-23 11:17:401827 較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
退出7納米研發(fā)，令業(yè)界十分震驚。自GF 退出戰(zhàn)局后，全球7納米大戰(zhàn)的芯片大廠僅剩英特爾、臺(tái)積電和三星這三家，高端芯片戰(zhàn)場(chǎng)上呈現(xiàn)三國(guó)鼎立之勢(shì)。全球第二大芯片廠 GF何故離場(chǎng)？GF是全球第二大芯片代工
2018-09-05 14:38:53
什么是納米？為什么制程更小更節(jié)能？為何制程工藝的飛躍幾乎都是每2年一次？
2021-02-01 07:54:00
占率僅有1-2%。 夏普和三星于今年3月締結(jié)了資本/業(yè)務(wù)合作契約，三星并已向夏普出資約104億日元取得約3%股權(quán)，成為夏普的大股東?！ ?jù)產(chǎn)經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)指出，三星電子和夏普在進(jìn)行資本合作協(xié)商時(shí)，就曾向夏普打探收購(gòu)其事務(wù)機(jī)事業(yè)的可能性，惟遭夏普拒絕。
2013-08-05 14:19:28
這些年，英特爾、三星、臺(tái)積電在制程上的恩恩怨怨，堪比武俠小說(shuō)中恩怨情仇。這些大廠的爭(zhēng)斗均是圍繞14納米和16納米，那么問(wèn)題來(lái)了，這個(gè)14納米和16納米有什么好爭(zhēng)的？下面芯易網(wǎng)就來(lái)簡(jiǎn)單做一下介紹。納米
2016-12-16 18:20:11
這些年，英特爾、三星、臺(tái)積電在制程上的恩恩怨怨，堪比武俠小說(shuō)中恩怨情仇。這些大廠的爭(zhēng)斗均是圍繞14納米和16納米，那么問(wèn)題來(lái)了，這個(gè)14納米和16納米有什么好爭(zhēng)的？下面芯易網(wǎng)就來(lái)簡(jiǎn)單做一下介紹。納米
2016-06-29 14:49:15
和14nm芯片。當(dāng)時(shí)臺(tái)積電和三星各占40%、60%左右的訂單。臺(tái)積電獨(dú)得訂單，恐怕與去年的“芯片門(mén)事件”有關(guān)。去年剛上市的iPhone6s采用A9芯片，就是由臺(tái)積電（16nm制程工藝）和三星（14nm
2016-07-21 17:07:54
三星加速制程微縮 DRAM進(jìn)入40納米世代
三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮，積極導(dǎo)入40納米制程，第4季已開(kāi)始小幅試產(chǎn)DDR3，預(yù)計(jì)2010年下半40納米將成為主流制程
2009-11-18 09:20:55645 三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱(chēng)，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:261010 三星擴(kuò)大和賽靈思合作28納米制程
據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)報(bào)導(dǎo)，全球最大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器制造商三星電子(Samsung Electronics)將和可編程邏輯IC龍頭FPGA業(yè)者賽
2010-02-24 09:32:42746 Cadence與三星的合作為移動(dòng)消費(fèi)電子產(chǎn)品帶來(lái)了新的工藝進(jìn)展，使得20納米及未來(lái)工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)成為可能。
2012-06-10 10:43:541438 晶圓代工龍頭臺(tái)積電的20納米制程預(yù)計(jì)下月試產(chǎn)，成為全球首家導(dǎo)入20納米的半導(dǎo)體廠，在全球晶圓代工業(yè)取得絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。
2012-07-16 09:29:101157 三星將于2013年采用20納米技術(shù)，同時(shí)開(kāi)始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺(tái)積電也會(huì)在2013年下半年開(kāi)始采用20納米技術(shù)生產(chǎn)晶體管。
2012-12-06 13:53:02913 根據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星將于2013年采用20納米技術(shù)，同時(shí)開(kāi)始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺(tái)積電也會(huì)在2013年下半年開(kāi)始采用20納米技術(shù)生產(chǎn)晶體管。 當(dāng)前主流的智能手機(jī)芯片主要由高
2012-12-07 16:54:321466 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電、三星電子10納米制程量產(chǎn)進(jìn)入倒數(shù)計(jì)時(shí)階段，然近期卻陸續(xù)傳出量產(chǎn)卡關(guān)消息，半導(dǎo)體業(yè)者透露，臺(tái)積電為蘋(píng)果（Apple）生產(chǎn)新一代iPad處理器A10X，出現(xiàn)良率不如預(yù)期情況，且
2016-12-22 10:17:15947 電子、小米、Oppo、Vivo等智能手機(jī)品牌廠下單排隊(duì)，未來(lái)三星10納米制程良率和產(chǎn)能配置，將攸關(guān)高通Snapdragon 835出貨及版圖擴(kuò)張。
2017-01-10 02:47:11656 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開(kāi)發(fā)完成，未來(lái)爭(zhēng)取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn)，目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。
2017-04-25 01:08:11746 7納米工藝將成為明年的重點(diǎn)制程工藝，但受成本太高的原因，據(jù)悉明年僅三星蘋(píng)果兩家手機(jī)繼續(xù)采用7納米處理器。高通沒(méi)有采用臺(tái)積電最新的7納米工藝，會(huì)繼續(xù)延用三星電子的10納米工藝。
2017-12-14 08:59:366647 三星早前將晶圓代工獨(dú)立出，并表示會(huì)入局這個(gè)市場(chǎng)，但是競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力受到了業(yè)界人士的懷疑。盡管搶先臺(tái)積電提早量產(chǎn) 10 納米制程，后續(xù)的客戶(hù)訂單依然沒(méi)有增多。部分專(zhuān)家指出三星并不適合這個(gè)市場(chǎng)。
2017-12-21 14:01:011199 據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道，三星電子今天宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 2017年5月三星電子(Samsung Electronics)將晶圓代工事業(yè)部獨(dú)立，以更攻擊性的姿態(tài)欲擴(kuò)大晶圓代工事業(yè)，但目前為止成效不如預(yù)期。然而10納米以下先進(jìn)制程三星將持續(xù)與高通(Qualcomm)合作，可望為2018年業(yè)績(jī)帶來(lái)助益。
2018-01-04 13:57:264930 在晶圓代工市場(chǎng)，臺(tái)積電與三星的競(jìng)爭(zhēng)始終是大家關(guān)心的戲碼。三星雖然有高通等VIP客戶(hù)，但在7納米制程節(jié)點(diǎn)，高通預(yù)計(jì)會(huì)轉(zhuǎn)投臺(tái)積電，三星要想受更多客戶(hù)的青睞，只能從制程技術(shù)著手了。這也是三星為什么跳過(guò)非
2018-06-19 15:06:005263 三星電子(Samsung Electronics)計(jì)劃于2021年量產(chǎn)FinFET電晶體架構(gòu)的后繼產(chǎn)品——采用3nm制程節(jié)點(diǎn)的環(huán)繞式閘極(gate-all-around；GAA)電晶體。
2018-05-30 11:37:135440 雖然2018年包括臺(tái)積電、三星、格羅方德都要導(dǎo)入7納米制程技術(shù)。其中，三星為了追趕臺(tái)積電，還在首代的7納米（LPP）制程中導(dǎo)入EUV技術(shù)。不過(guò)，臺(tái)積電也非省油的燈，除了積極布局7納米制程技術(shù)之外
2018-07-06 15:01:004225 
中芯國(guó)際最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段，其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn)，距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)
2018-07-06 15:23:524048 三星電子先前發(fā)布，到2020年開(kāi)發(fā)3納米Foundry制程。據(jù)分析稱(chēng)3納米Foundry制程芯片設(shè)計(jì)費(fèi)用將高達(dá)15億美金。雖芯片設(shè)計(jì)費(fèi)用的增長(zhǎng)倍數(shù)極高，但據(jù)專(zhuān)家分析稱(chēng)其電流效率和性能提升幅度并沒(méi)有與費(fèi)用成正比，而且考慮到高額的費(fèi)用，
2018-07-22 11:40:597114 三星周二舉行晶圓代工技術(shù)論壇（Samsung Foundry Forum），同時(shí)揭露發(fā)展3納米制程的技術(shù)路圖，以及7納米投產(chǎn)進(jìn)度，將搶攻高端運(yùn)算與聯(lián)網(wǎng)裝置市場(chǎng)。
2018-09-05 14:40:005248 晶圓代工大廠三星宣布，正式開(kāi)始使用其7納米LPP制程來(lái)生產(chǎn)晶圓。三星的7納米LPP制程中使用極紫外光刻（EUV）技術(shù)，這將使三星7納米LPP制程能夠明顯提升芯片內(nèi)的電晶體密度，同時(shí)優(yōu)化其功耗。此外，EUV技術(shù)的使用還能使客戶(hù)減少每個(gè)芯片所需的光罩?jǐn)?shù)量，在降低生產(chǎn)成本下，還能縮短其生產(chǎn)的時(shí)間。
2018-10-18 16:01:005337 臺(tái)積電7納米制程明年?duì)I收占比估逾2成，有望持續(xù)領(lǐng)先對(duì)手，7納米制程加強(qiáng)版以及5納米進(jìn)度也按計(jì)劃進(jìn)行，3納米制程技術(shù)更已進(jìn)入實(shí)驗(yàn)階段，業(yè)內(nèi)人士更透露，3納米制程在"Gate All Around(GAA) "、環(huán)繞式閘極技術(shù)上已有新突破。
2018-11-05 16:39:465096 2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 評(píng)論: 0 | 來(lái)自: 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 摘要 : 10納米級(jí)DRAM先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)逐漸升溫，三星電子在2017年率先宣布量產(chǎn)第二代10納米(1y
2018-11-12 18:04:02533 根據(jù)國(guó)外科技媒體網(wǎng)站《TechPowerUp》報(bào)導(dǎo)指出，對(duì)于新推出由12納米制程代工生產(chǎn)的AMD RX 590顯示卡，未來(lái)的代工廠商可能不只格芯（GLOBALFOUNDRIES）一家，還將導(dǎo)入三星來(lái)
2018-11-19 16:10:494057 在2018年臺(tái)積電的7納米工藝領(lǐng)跑三星后，三星不甘示弱地推出于2020年3納米工藝量產(chǎn)計(jì)劃，以超車(chē)臺(tái)積電。至此，先進(jìn)工藝賽道呈現(xiàn)“你方未唱罷我已登場(chǎng)”的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)。
2018-12-22 10:47:133429 為了減低近期存儲(chǔ)器降價(jià)帶來(lái)的沖擊，全球存儲(chǔ)器龍頭三星逐漸強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù)，希望有機(jī)會(huì)進(jìn)一步拉近與臺(tái)積電的差距。在先進(jìn)制程的發(fā)展方面，根據(jù)三星高層表示，將在 2019 下半年量產(chǎn)內(nèi)含 EUV技術(shù)的 7 納米制程，而 2021 年量產(chǎn)更先進(jìn)的 3 納米 GAA 制程。
2019-01-14 14:47:443904 的圖形處理器。因此開(kāi)始與三星商談，期望借由三星內(nèi)含EUV 技術(shù)的7 納米工藝來(lái)協(xié)助打造產(chǎn)品，并且能順利在2020 年正式推出。而一旦雙方簽訂合約，則將是三星在晶圓代工領(lǐng)域，繼之前拿下IBM Power系列處理器訂單之后，又一項(xiàng)突破。
2019-02-24 11:33:184173 晶圓代工龍頭臺(tái)積電支援極紫外光（EUV）微影技術(shù)的7+納米進(jìn)入量產(chǎn)階段，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手韓國(guó)三星晶圓代工（Samsung Foundry）亦加快先進(jìn)制程布局，包括8納米及7納米邏輯制程進(jìn)入量產(chǎn)后，今年將推進(jìn)
2019-03-18 15:21:003243 在當(dāng)前全球晶圓制造的先進(jìn)制程領(lǐng)域中，只剩下臺(tái)積電、三星以及英特爾可以一較高下。三星雖然早在 2018 年 10 月份就已經(jīng)宣布量產(chǎn) 7 納米 EUV 制程，但實(shí)際情況并非如此。因?yàn)榫瓦B三星自己
2019-04-03 17:21:043414 在 7 納米制程節(jié)點(diǎn)上，雖然三星宣稱(chēng)時(shí)程上領(lǐng)先臺(tái)積電，而且選擇直接進(jìn)入 EUV 技術(shù)時(shí)代，不過(guò)實(shí)際進(jìn)度卻非如此，也使得之前自家的 Exynos 9820 處理器都沒(méi)趕上 7 納米 EUV 制程。不過(guò)
2019-04-12 16:48:423887 在先進(jìn)制程的發(fā)展上，臺(tái)積電與三星一直有著激烈的競(jìng)爭(zhēng)。雖然，臺(tái)積電已經(jīng)宣布將在 2020 年正式量產(chǎn) 5 納米制程。不過(guò)，三星也不甘示弱，預(yù)計(jì)透過(guò)新技術(shù)的研發(fā)，在 2021 年推出 3 納米制程的產(chǎn)品
2019-05-15 16:38:323917 在先進(jìn)制程的發(fā)展上，臺(tái)積電與三星一直有著激烈的競(jìng)爭(zhēng)。雖然，臺(tái)積電已經(jīng)宣布將在 2020 年正式量產(chǎn) 5 納米制程。不過(guò)，三星也不甘示弱，預(yù)計(jì)透過(guò)新技術(shù)的研發(fā)，在 2021 年推出 3 納米制程的產(chǎn)品
2019-05-16 14:53:063242 盡管日韓貿(mào)易沖突持續(xù)延燒，但三星電子原定9月在日本東京的晶圓代工論壇依然將如期舉行。屆時(shí)三星將展示自家先進(jìn)制程技術(shù)，并提供用于生產(chǎn)3納米以下芯片、名為“環(huán)繞閘極”（GAA）技術(shù)的制程套件。三星稱(chēng)在GAA技術(shù)領(lǐng)先全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電一年，更超前英特爾（Intel）兩到三年。
2019-07-30 16:22:242838 盡管日韓貿(mào)易沖突持續(xù)延燒，三星電子原定9月在日本東京的晶圓代工論壇將如期舉行。三星屆時(shí)預(yù)料將展示自家先進(jìn)制程技術(shù)，并提供用于生產(chǎn)3納米以下芯片，名為「環(huán)繞閘極」（GAA）技術(shù)的制程套件。三星據(jù)稱(chēng)在GAA技術(shù)領(lǐng)先全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電一年，更超前英特爾（Intel）兩到三年。
2019-08-02 15:40:503722 三星以及臺(tái)積電在先進(jìn)半導(dǎo)體制程打得相當(dāng)火熱，彼此都想要在晶圓代工中搶得先機(jī)以爭(zhēng)取訂單，幾乎成了 14 納米與 16 納米之爭(zhēng)，然而 14 納米與 16 納米這兩個(gè)數(shù)字的究竟意義為何，指的又是哪個(gè)部位？而在縮小制程后又將來(lái)帶來(lái)什么好處與難題？以下我們將就納米制程做簡(jiǎn)單的說(shuō)明。
2019-10-14 10:38:5116601 三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕近日參觀正在開(kāi)發(fā)“全球第一個(gè)3納米級(jí)半導(dǎo)體工藝”的韓國(guó)京畿道華城半導(dǎo)體工廠，并聽(tīng)取了關(guān)于3納米工藝技術(shù)的報(bào)告，他還與三星電子半導(dǎo)體部門(mén)社長(zhǎng)團(tuán)討論了新一代半導(dǎo)體戰(zhàn)略。
2020-01-06 10:42:585045 三星于去年4月向全球客戶(hù)提供7納米產(chǎn)品，自開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)7納米產(chǎn)品以來(lái)，三星僅在八個(gè)月內(nèi)就推出了6納米產(chǎn)品。三星的微加工工藝技術(shù)升級(jí)周期正在縮短，特別是向6納米EUV工藝的過(guò)渡有望縮小與全球第一大晶圓代工廠臺(tái)積電（TSMC）的差距。
2020-01-06 11:40:033622 在晶圓代工龍頭臺(tái)積電幾乎通吃市場(chǎng)7納米制程產(chǎn)品的情況下，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星在7納米制程上幾乎無(wú)特別的訂單斬獲。為了再進(jìn)一步與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，三星則開(kāi)始發(fā)展6納米制程產(chǎn)線與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，而且也在2019年12月開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。三星希望藉由6納米制程的量產(chǎn)，進(jìn)一步縮小與臺(tái)積電之間的差距。
2020-01-07 15:16:103111 晶圓代工龍頭臺(tái)積電宣布5納米先進(jìn)制程，已于今年第二季進(jìn)入量產(chǎn)時(shí)，另一頭的三星也緊追在后。 根據(jù)TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新調(diào)研結(jié)果顯示，預(yù)估今年第3季全球晶圓代工市場(chǎng)，臺(tái)積電仍將
2020-11-01 11:58:043443 
2022 年量產(chǎn) 3 納米芯片。該高管透露，三星電子已在與主要合作方開(kāi)發(fā)初步設(shè)計(jì)工具。 三星電子向其下一代芯片業(yè)務(wù)投入 1160 億美元，其中包括為外部客戶(hù)制造芯片。 三星電子領(lǐng)導(dǎo)人李在镕此前曾透露，該公司計(jì)劃采用正在開(kāi)發(fā)的最新 3 納米全柵極 （gate-all-around，簡(jiǎn)稱(chēng) GAA）工藝技術(shù)來(lái)
2020-11-19 11:39:071911 DIGITIMES消息，繼三星電子（Samsung Electronics）日前在上海高調(diào)發(fā)表首款5納米制程Exynos 1080搶攻中國(guó)市場(chǎng)，象征三星晶圓代工事業(yè)部解決先前傳出5納米制程良率
2020-11-23 15:31:001990 三星目標(biāo) 2022 年以 3 奈米製程超越臺(tái)積電，不過(guò)，臺(tái)積電 現(xiàn)階段仍具備先進(jìn)制程技術(shù)與產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)，并以先進(jìn)封裝穩(wěn)固金字塔頂端客戶(hù)需求，且與客戶(hù)沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)關(guān)係也是最大優(yōu)勢(shì)之一；即便三星 3 納米要以
2020-11-23 15:18:202950 據(jù)彭博社報(bào)道，三星全力發(fā)展晶圓代工業(yè)務(wù)，規(guī)劃投入1160億美元（約合人民幣7608億元），目標(biāo)實(shí)現(xiàn)3納米制程2022年量產(chǎn)，與臺(tái)積電同步，是兩強(qiáng)近年先進(jìn)制程競(jìng)逐賽中，最接近的一次。業(yè)界認(rèn)為，若三星
2020-11-26 14:44:262550 11月19日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子正在奮力趕超臺(tái)積電，計(jì)劃在2022年量產(chǎn)3納米芯片。三星電子高管Park Jae-hong最近在一次活動(dòng)中表示，公司已定下目標(biāo)，在2022年量產(chǎn)3納米芯片
2020-11-30 11:26:532651 據(jù) Digitimes 報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)過(guò)程中都遇到了不同但關(guān)鍵的瓶頸。報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電和三星因此將不得不推遲 3nm 制程工藝
2021-01-04 16:20:103024 2020年，受7納米和5納米先進(jìn)制程拉動(dòng)，晶圓代工廠商大幅增加資本開(kāi)支；2021年，晶圓代工龍頭臺(tái)積電、三星繼續(xù)重金砸向先進(jìn)制程。
2021-01-24 10:28:562220 其中，在聯(lián)電的部分，因?yàn)檫^(guò)去高介電層／金屬閘極（HK）制程良率高的關(guān)系，普遍受到客戶(hù)的青睞，就連南韓三星的手機(jī)影像處理器(ISP) 都非常依賴(lài)由聯(lián)電的28 納米來(lái)代工生產(chǎn)，每月達(dá)到2 萬(wàn)片的數(shù)量。
2021-04-26 09:36:151997 三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠(yuǎn)低于預(yù)期，三星電子3nm制程工藝的良品率，才到10%-20%，遠(yuǎn)不及公司期望的目標(biāo)。
2022-04-20 10:43:132740 的3nm工藝還得等到今年下半年才能量產(chǎn)，并且三星稱(chēng)之前飽受詬病的良率問(wèn)題也已得到解決。 美國(guó)總統(tǒng)近日參觀了三星的全球唯一能夠進(jìn)行3nm工藝量產(chǎn)的晶圓代工廠，三星為了在晶圓代工行業(yè)趕超臺(tái)積電，投入了大量資金進(jìn)行高端制程的研
2022-05-22 16:30:312676 最先進(jìn)的制程工藝便是三星的3nm工藝，并且這也是全球首次采用GAA晶體管的芯片，三星表示采用了GAA晶體管的3nm芯片將應(yīng)用在高性能低功耗的計(jì)算領(lǐng)域，并且未來(lái)將要運(yùn)用到移動(dòng)端。 目前三星3nm工藝芯片的首位顧客被爆料是一家來(lái)自中國(guó)的礦機(jī)芯片公司，隨
2022-06-30 16:36:272953 D（FinFET）的進(jìn)階，4D（GAA）技術(shù)被認(rèn)為是“下一代”的晶體管技術(shù)。根據(jù)三星的數(shù)據(jù)，相較三星5納米（nm）而言，優(yōu)化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%。 另外，每一個(gè)新工藝新制程的成本和良品率，都是影響新工藝新制程是否能夠大范圍普及的重
2022-06-30 20:21:522069 根據(jù)外媒的消息報(bào)道稱(chēng)，三星電子公司近日正式宣布已開(kāi)始量產(chǎn)3納米芯片，三星電子正押注于將 GAA 技術(shù)應(yīng)用于3 納米工藝，并且計(jì)劃于2025年量產(chǎn)基于GAA的2nm芯片，以追趕臺(tái)積電。
2022-07-04 09:34:041906 而在臺(tái)積電3nm量產(chǎn)之前，三星已經(jīng)在今年6月30日宣布，其采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝，在當(dāng)日開(kāi)始初步生產(chǎn)芯片，據(jù)外媒報(bào)道，三星電子采用3nm工藝代工的首批芯片，定于7月25日出貨。臺(tái)積電、三星的3nm之爭(zhēng)似乎已經(jīng)拉開(kāi)帷幕。
2022-08-18 11:57:192174 據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電2納米制程將于2025年量產(chǎn)，市場(chǎng)看好進(jìn)度可望領(lǐng)先其對(duì)手三星及英特爾。
2022-09-13 14:37:501334 目前全球各大晶圓代工廠28納米制程的良率大多在90%以上，但是隨著制程越往前推進(jìn)，良率越低，比如，三星4納米制程只有35%的良率，目前3nm良率僅維持在10%~20%之間。
2022-11-03 10:21:292833 nm芯片晶圓代工產(chǎn)品舉行了出廠儀式。才過(guò)4個(gè)月不到，韓國(guó)媒體Naver就爆出，三星3nm制程的良率非常低，不足20%。而且其5nm和4nm節(jié)點(diǎn)的良率問(wèn)題也遲遲沒(méi)有得到改善。 其實(shí)，三星電子從2000年初就已經(jīng)開(kāi)始了對(duì)GAA晶體管結(jié)構(gòu)的研究。自2017年開(kāi)始，將其正式應(yīng)用到3納米工藝，并于今年6月宣
2022-11-30 07:15:081455 三星最新公布的制程工藝技術(shù)路線圖顯示，該公司計(jì)劃在2025年開(kāi)始量產(chǎn)2納米級(jí)SF2工藝，以滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)高性能處理器的需求。此前，三星已于今年公布，其3納米工藝已滿(mǎn)足大規(guī)模生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)。
2023-06-29 16:26:332318 "三星代工一直通過(guò)領(lǐng)先于技術(shù)創(chuàng)新曲線來(lái)滿(mǎn)足客戶(hù)的需求，今天我們有信心，我們基于全門(mén)（GAA）的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)技術(shù)將有助于支持我們的客戶(hù)使用人工智能應(yīng)用的需求，"三星電子總裁兼代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Siyoung Choi博士說(shuō)。"確?？蛻?hù)的成功是我們代工服務(wù)的最核心價(jià)值"。
2023-07-03 10:15:411192 
臺(tái)積電公司目前正處于立法會(huì)前沉默期，對(duì)任何外部傳聞不予評(píng)論。據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)，特斯拉的新一代fsd芯片由三星以4納米工程生產(chǎn)，這將用于特斯拉3、4年后量產(chǎn)的硬件5 （hw 5.0）電腦。
2023-07-19 10:01:181166 目前三星在4nm工藝方面的良率為75%，稍低于臺(tái)積電的80%。然而，通過(guò)加強(qiáng)對(duì)3nm技術(shù)的發(fā)展，三星有望在未來(lái)趕超臺(tái)積電。
2023-07-19 16:37:424327 熱點(diǎn)新聞 1、韓媒：三星4納米良率改善?分食臺(tái)積電特斯拉訂單 韓國(guó)媒體報(bào)道，三星繼取代臺(tái)積電，為英特爾旗下自駕技術(shù)部門(mén)Mobileye生產(chǎn)芯片后，將再分食才剛交由臺(tái)積電代工的特斯拉下一代全自動(dòng)輔助
2023-07-19 16:45:01940 
一篇拆解報(bào)告，稱(chēng)比特微電子的Whatsminer M56S++礦機(jī)所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這一發(fā)現(xiàn)證實(shí)了三星3nm GAA技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-07-21 16:03:572290 groq創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Jonathan Ross就此次合作表示：“groq的技術(shù)進(jìn)步將通過(guò)保障ai出色性能的三星4納米晶片工程實(shí)現(xiàn)?！?b class="flag-6" style="color: red">三星Foundry表示：“與groq合作表明，三星Foundry的技術(shù)可以進(jìn)一步擴(kuò)大ai半導(dǎo)體革新的可能性。”并表示將加快半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域的多元化。
2023-08-17 10:31:521059 三星向中國(guó)客戶(hù)提供了第一個(gè)3nm gaa，但新的報(bào)告顯示，這些芯片的實(shí)際形態(tài)并不完整，缺乏邏輯芯片的sram。據(jù)悉，由于很難生產(chǎn)出完整的3納米gaa晶片，因此三星轉(zhuǎn)包工廠的收益率只有臺(tái)灣產(chǎn)產(chǎn)的50%。3nm gaa雖然比f(wàn)infet優(yōu)秀，但在生產(chǎn)效率上存在問(wèn)題。
2023-10-12 10:10:201487 10月19日，韓國(guó)三星電子在德國(guó)慕尼黑舉辦了名為「三星代工論壇2023」的活動(dòng)。在這個(gè)活動(dòng)上，三星電子以霸氣十足的姿態(tài)公布了其芯片制造的先進(jìn)工藝路線圖和代工戰(zhàn)略，宣稱(chēng)將在未來(lái)3年內(nèi)量產(chǎn)2納米制程
2023-11-01 15:07:53988 
內(nèi)情人士透露，AMD採(cǎi)用Zen 5c架構(gòu)的新一代芯片包含眾多型號(hào)，其中低階芯片將由三星4nm制程代工，高階芯片則由臺(tái)積電3nm制程代工。業(yè)界認(rèn)為臺(tái)積電3nm制程技術(shù)在完整性、整合度及效能表現(xiàn)上還不夠成熟，因此對(duì)AMD而言三星4nm制程與臺(tái)積電3nm制程技術(shù)相當(dāng)。
2023-11-17 16:37:291129 當(dāng)年蘋(píng)果推出第一代iPhone后，iPhone芯片一直是由三星代工，但2016年iPhone 7開(kāi)始三星卻被臺(tái)積電取代，由臺(tái)積電擔(dān)任獨(dú)家代工廠。這些年來(lái)三星晶圓代工事業(yè)的4納米制程無(wú)論在芯片效能及良率上都落后臺(tái)積電一大截，導(dǎo)致許多大客戶(hù)都投向臺(tái)積電懷抱。
2023-11-20 17:06:152055 三星已將4nm制程良率提升到了70%左右，并重點(diǎn)在汽車(chē)芯片方面尋求突破。特斯拉已經(jīng)將其新一代FSD芯片交由三星生產(chǎn)，該芯片將用于特斯拉計(jì)劃于3年后量產(chǎn)的Hardware 5（HW 5.0）計(jì)算機(jī)。
2023-12-01 10:33:453358 
三星去年6月底開(kāi)始量產(chǎn)第一代3納米GAA（SF3E）制程，這是三星首次采用全新的GAA架構(gòu)晶體管技術(shù)。第二代3納米制程3GAP（SF3）將采用第二代MBCFET架構(gòu)，在第一代3納米SF3E的基礎(chǔ)上進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化，預(yù)計(jì)將于2024年開(kāi)始量產(chǎn)。
2023-12-04 15:49:591310 三星去年6 月底量產(chǎn)第一代3 納米GAA (SF3E) 制程，為三星首次采用全新GAA 架構(gòu)晶體管技術(shù)，而第二代3 納米制程3GAP(SF3) 將使用第二代MBCFET 架構(gòu)，從第一代3 納米SF3E基礎(chǔ)上再最佳化，預(yù)期2024 年進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2023-12-04 15:55:371251 臺(tái)積電是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造企業(yè)，也是三星的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。雙方都在積極爭(zhēng)取客戶(hù)，并計(jì)劃在上半年實(shí)現(xiàn)第二代3納米GAA架構(gòu)制程的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-01-22 15:53:261324 新聞媒體《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道稱(chēng)，三星現(xiàn)已試產(chǎn)第二代 3 納米工藝芯片 SF3。報(bào)道提到，三星預(yù)計(jì)在未來(lái)六個(gè)月內(nèi)，該芯片的良率將超過(guò) 60%。
2024-01-22 16:10:141629 
近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:141890 據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱(chēng)，三星電子旗下的3納米工藝良品比例仍是一個(gè)問(wèn)題。報(bào)道中僅提及了“3nm”這一籠統(tǒng)概念，并沒(méi)有明確指出具體的工藝類(lèi)型。知情者透露，盡管有部分分析師認(rèn)為其已經(jīng)超過(guò)60%
2024-03-07 15:59:191611 .件商.城了解，三星的3納米制程良率目前仍不足60%，這意味著在制造過(guò)程中存在較高的失敗率，可能導(dǎo)致生產(chǎn)成本上升，且難以保證產(chǎn)品質(zhì)量。與此同時(shí)，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域仍保持著較高的市占率，這無(wú)疑加大了三星的
2024-03-11 16:17:051032 近日，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星在其1b nm（即12nm級(jí)）DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過(guò)程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前，該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標(biāo)的80%~90%，僅達(dá)到五成左右。為了應(yīng)對(duì)這一局面，三星已在上月成立了專(zhuān)門(mén)的工作組，致力于迅速提升良率。
2024-06-12 10:53:411408 近期，三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域遭遇挑戰(zhàn)，其最新的Exynos 2500芯片在3nm工藝上的生產(chǎn)良率持續(xù)低迷，目前仍低于20%，遠(yuǎn)低于行業(yè)通常要求的60%量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。這一情況引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星半導(dǎo)體制造能力的質(zhì)疑，同時(shí)也使得該芯片未來(lái)能否順利應(yīng)用于Galaxy S25系列旗艦智能手機(jī)充滿(mǎn)了不確定性。
2024-06-24 18:22:362240 與成熟制程的并重發(fā)展。他指出，當(dāng)前三星代工部門(mén)最緊迫的任務(wù)是提升2nm產(chǎn)能的良率爬坡。這一舉措顯示了三星在先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)域的決心和實(shí)力。 同時(shí)，韓真晚也提到了三星電子在GAA工藝方面的領(lǐng)先地位。盡管三星已經(jīng)率先實(shí)現(xiàn)了全球首個(gè)GAA工藝，但在先進(jìn)制
2024-12-10 13:40:351257 根據(jù)韓國(guó)媒體ChosunBiz的報(bào)道，三星電子的晶圓代工事業(yè)部正在全力押注其2納米制程技術(shù)，目標(biāo)是在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)良率提升至70%。這一戰(zhàn)略旨在吸引更多大客戶(hù)訂單，進(jìn)一步鞏固其在半導(dǎo)體市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)
2025-07-11 10:07:431153 
，導(dǎo)致Exynos 2500良率不佳的原因是，這顆SoC基于三星第二代3nm GAA制程工藝——SF3工藝，然而目前第二代SF3工藝的良率僅為20%。 ? 三星第二代SF3工藝進(jìn)展不如預(yù)期 今年初，有知情人士向韓媒透露，三星已經(jīng)開(kāi)始試產(chǎn)自己第二代SF3工藝，被視為該公司發(fā)展的一大里程碑
2024-06-25 00:04:004952 
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