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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram資訊

臺(tái)積電不排除收購(gòu)內(nèi)存芯片公司的可能性

臺(tái)灣地區(qū)內(nèi)存芯片供應(yīng)商南亞科是臺(tái)積電的潛在合作伙伴或投資目標(biāo)，不過這家全球第四大DRAM存儲(chǔ)器制造商拒絕評(píng)論。

2018-09-08 標(biāo)簽：DRAM 臺(tái)積電存儲(chǔ)器 1.3k 0

SK海力士加大1b DRAM產(chǎn)能以滿足市場(chǎng)需求

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)起云涌的當(dāng)下，SK海力士再次展現(xiàn)出其前瞻性和決斷力。據(jù)行業(yè)內(nèi)部消息透露，該公司正積極擴(kuò)大其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模，以應(yīng)對(duì)當(dāng)前市...

2024-06-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM SK海力士 1.3k 0

三星2025年后將首家進(jìn)入3D DRAM內(nèi)存時(shí)代

在Memcon 2024上，三星披露了兩款全新的3D DRAM內(nèi)存技術(shù)——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用，實(shí)現(xiàn)性能提升；

2024-04-01 標(biāo)簽：DRAM 晶體管內(nèi)存技術(shù) 1.3k 0

機(jī)構(gòu)：未來四年HBM市場(chǎng)將飆升52%

omdia首席研究員Jung Sung-kong表示：“dram產(chǎn)業(yè)正在充分享受生成式AI帶來的好處。今后dram產(chǎn)業(yè)的地形圖將發(fā)生巨大變化?！痹谏尚?..

2023-11-24 標(biāo)簽：DRAM AI 機(jī)器學(xué)習(xí) 1.3k 0

2023年半導(dǎo)體行業(yè)收益超出預(yù)期，2024年預(yù)期增長(zhǎng)24%

12日，知名分析機(jī)構(gòu)TechInsights公布最新數(shù)據(jù)顯示，2023年第四季度半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)超出預(yù)期，收入較之前預(yù)估增加13%。同時(shí)，2023年全年半...

2024-03-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 生成式AI 1.3k 0

SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革

組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復(fù)數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Transist...

2022-11-09 標(biāo)簽：DRAM 晶體管 SK海力士 1.3k 0

SK海力士砸27億美元擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash 產(chǎn)能

需求回溫、產(chǎn)能擴(kuò)增有限，供需失衡下，DRAM價(jià)格在2016年下半逆勢(shì)翻轉(zhuǎn)，而原本看俏的NAND Flash在廠商間轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND良率還未提升下，同樣...

2016-12-23 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 3D NAND 1.3k 0

全球芯片供應(yīng)鏈重構(gòu)，美韓DRAM產(chǎn)能將擴(kuò)增

盡管韓國(guó)在邏輯芯片市場(chǎng)的地位有所下滑，但得益于AI芯片需求的激增，DRAM市場(chǎng)如高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）等產(chǎn)品需求旺盛，韓國(guó)DRAM產(chǎn)能將從2022年的5...

2024-05-13 標(biāo)簽：DRAM 邏輯芯片 AI芯片 1.3k 0

SK海力士與臺(tái)積電達(dá)成研發(fā)合作，推動(dòng)HBM4和下一代封裝技術(shù)發(fā)展?

據(jù)協(xié)議內(nèi)容，雙方首先致力于提升 HBM 封裝中的基礎(chǔ)裸片（Base Die）性能。HBM 由多個(gè) DRAM 裸片（Core Die）堆疊在基礎(chǔ)裸片之上，...

2024-04-19 標(biāo)簽：DRAM 封裝 gpu 1.3k 0

全球半導(dǎo)體業(yè):2013或是高增長(zhǎng)年

在2010年全球半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)32%之后，2011年及2012年連續(xù)兩年增長(zhǎng)在1%左右，因此業(yè)界部分人士根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期性的規(guī)律，預(yù)測(cè)2013年會(huì)是又一...

2012-10-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 三星電子 1.3k 0

今日看點(diǎn)丨三星已組建開發(fā)團(tuán)隊(duì)以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM；福特 CEO：比亞迪等中國(guó)汽車制造商是我們最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手

1. 英偉達(dá)股價(jià)飆升：市值一天增加超 2000 億美元至近萬億美元 ? 英偉達(dá)周三公布了 2024 財(cái)年第一季度的收益， 71.9 億美元的營(yíng)收超出了市...

2023-05-26 標(biāo)簽：DRAM 三星 1.3k 0

三星1*** DRAM開發(fā)良率里程碑延期

據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道，三星電子已將其1***(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2...

2025-01-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 制程技術(shù) 1.3k 0

半導(dǎo)體核心技術(shù)外流中國(guó) 韓研議提高相關(guān)刑責(zé)

近期，韓國(guó)主要的半導(dǎo)體制造商三星電子曝出重大泄密案，員工和供應(yīng)商泄露了公司的重大技術(shù)信息，引發(fā)巨大經(jīng)濟(jì)損失。據(jù)悉，兩名涉事員工金某和方某已被當(dāng)?shù)貦z方起訴...

2024-01-04 標(biāo)簽：DRAM 三星電子半導(dǎo)體設(shè)備 1.3k 0

DRAM價(jià)格持續(xù)下跌，這種情況對(duì)于國(guó)產(chǎn)廠商而言究竟意味著什么呢？

很長(zhǎng)一段時(shí)間里，由于供貨吃緊、技術(shù)受限、需求增加等，DRAM在過去九個(gè)季度中價(jià)格持續(xù)上漲。但隨著技術(shù)漸入瓶頸，加之2018年智能手機(jī)增長(zhǎng)勢(shì)頭放緩、PC出...

2018-10-17 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 1.3k 0

SK海力士致力于研發(fā)超400層的NAND閃存芯片

近一年多來，DRAM芯片制造商為爭(zhēng)奪高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)份額，展開了激烈的研發(fā)競(jìng)賽。這股競(jìng)爭(zhēng)浪潮隨著存儲(chǔ)器市場(chǎng)的持續(xù)升溫，逐漸擴(kuò)展到NAND閃存領(lǐng)域...

2024-08-02 標(biāo)簽：閃存 DRAM SK海力士 1.3k 0

三星緊急召回18nm制程存儲(chǔ)模組或因產(chǎn)品良率出問題

自Galaxy Note 7 電池爆炸事件與管理層級(jí)涉及行賄被起訴后，三星近日又被傳出其產(chǎn)業(yè)重心記憶體模組產(chǎn)品良率出問題需緊急召回，由于三星于 PC D...

2017-03-03 標(biāo)簽：dram 三星電子 18nm 1.3k 0

SK海力士2024年第一季度將調(diào)整DRAM減產(chǎn)計(jì)劃

盡管在2023年面臨存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)下滑和價(jià)格下跌，SK海力士因應(yīng)人工智能芯片需求的增長(zhǎng)，尤其是高帶寬內(nèi)存（HBM）的激增，于去年12月成功超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星...

2024-01-12 標(biāo)簽：DRAM 三星電子 Nand flash 1.3k 0

DRAM和NAND閃存需求的持續(xù)增長(zhǎng)，三星上半年銷售額領(lǐng)先英特爾

8月21日，調(diào)研公司IC Insights發(fā)布報(bào)告稱，由于DRAM和NAND閃存需求的持續(xù)增長(zhǎng)，今年上半年三星電子在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的銷售額較英特爾高出...

2018-08-24 標(biāo)簽：DRAM NAND 內(nèi)存 1.3k 0

美光科技擬上調(diào)產(chǎn)品報(bào)價(jià)，漲幅預(yù)計(jì)突破20%

就在幾天前的4月3日，臺(tái)灣花蓮縣海域遭受了一場(chǎng)7.3級(jí)的強(qiáng)烈地震，并伴隨著多次余震，給當(dāng)?shù)貛砹藝?yán)重的破壞。

2024-04-10 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND 1.3k 0

美光低功耗DDR5 DRAM芯片助力5G網(wǎng)絡(luò)

內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商美光科技與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布，摩托羅拉新推出的新款motorola edge+智能手機(jī)已搭載美光的低功耗DDR5 DRAM...

2020-04-27 標(biāo)簽：DRAM 內(nèi)存 DRAM芯片 1.3k 0

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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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