SK海力士擴(kuò)大1b nm DRAM產(chǎn)能以應(yīng)對(duì)HBM3E需求

據(jù)韓國媒體報(bào)道，為了應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)高性能HBM3E（高帶寬內(nèi)存第三代增強(qiáng)版）內(nèi)存的激增需求，全球知名半導(dǎo)體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DR...

2024-06-18 標(biāo)簽：DRAM晶圓SK海力士 1.2k 0

存儲(chǔ)器市場(chǎng)將要進(jìn)行深度的調(diào)整 NAND價(jià)格會(huì)下跌45%

在經(jīng)歷了兩年的瘋狂上漲之后，存儲(chǔ)器市場(chǎng)要進(jìn)行深度的調(diào)整了。美國花旗銀行預(yù)計(jì)明年存儲(chǔ)器價(jià)格會(huì)大幅下降，NAND價(jià)格會(huì)跌45%，DRAM價(jià)格會(huì)下跌30%，而...

2019-01-02 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ)器 1.2k 0

三星電子新設(shè)內(nèi)存研發(fā)機(jī)構(gòu)，專攻下一代3D DRAM技術(shù)研發(fā)

原有的DRAM采用2D結(jié)構(gòu)，即大量元件密集排布在同一平面。然而，為了提升性能，儲(chǔ)存行業(yè)正致力于開發(fā)高密度的3D DRAM。這項(xiàng)技術(shù)包括水平堆積和垂直堆積...

2024-01-29 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體DRAM 1.2k 0

DRAM內(nèi)存芯片行情突變 預(yù)計(jì)內(nèi)存價(jià)格明年將上揚(yáng)30%

相信在前不久的雙11活動(dòng)中，上車內(nèi)存、SSD的用戶不在少數(shù)。在經(jīng)過了一年的行業(yè)低迷讓利期后，DRAM內(nèi)存芯片行情似乎要風(fēng)云突變了。

2019-12-06 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存 1.2k 0

三星二代10納米將加速未來DRAM芯片問世 進(jìn)一步搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)

三星的DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)十分強(qiáng)勁，并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場(chǎng)龐大需求，三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRA...

2017-12-27 標(biāo)簽：dram三星電子10納米工藝 1.2k 0

DRAM合約價(jià)一季度漲幅預(yù)計(jì)13~18%，移動(dòng)設(shè)備DRAM引領(lǐng)市場(chǎng)

據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示，PC DRAM方面，DDR5訂單需求未得到充分滿足，買方預(yù)期DDR4價(jià)格將進(jìn)一步上漲，這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5...

2024-01-08 標(biāo)簽：智能手機(jī)DRAMDDR5 1.2k 0

南亞科技投入3000億新臺(tái)幣新建一座12英寸晶圓廠

南亞科技是一家致力于DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造與銷售的品牌連鎖企業(yè)，總公司位于華亞科技園區(qū)，生產(chǎn)基地為一座八寸晶圓廠及一座十二寸晶圓廠。

2021-05-16 標(biāo)簽：DRAM晶圓內(nèi)存 1.2k 0

2013年全球半導(dǎo)體較2012年成長(zhǎng)4.5%

Gartner發(fā)布預(yù)測(cè)，2013年全球半導(dǎo)體營收預(yù)估達(dá)3，110億美元，較2012年成長(zhǎng)4.5%。Gartner上季塬預(yù)測(cè)明年半導(dǎo)體營收將達(dá)3，300億...

2012-12-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMNAND 1.2k 0

NAND Flash需求旺盛，美光扭虧為盈

存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）昨（20）日召開法說會(huì)，執(zhí)行長(zhǎng)Mark Durcan看好下半年NAND Flash旺季，并指出未來12個(gè)月，NAND市場(chǎng)產(chǎn)...

2013-06-21 標(biāo)簽：DRAMSSD美光 1.2k 0

韓國創(chuàng)新型相變存儲(chǔ)器結(jié)合DRAM和NAND優(yōu)點(diǎn)

然而，盡管PCM技術(shù)兼具速度與非易失性兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)，但由于制造工藝復(fù)雜且成本較高，同時(shí)還需消耗大量能量將相變材料加熱至非晶態(tài)，導(dǎo)致生產(chǎn)過程耗電量巨大。

2024-04-25 標(biāo)簽：PCMDRAM存儲(chǔ)器 1.2k 0

三星悄悄引入EUV，大量投產(chǎn)使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片

作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級(jí)、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道，三星悄悄啟動(dòng)了引...

2018-06-25 標(biāo)簽：DRAM三星電子 1.2k 0

消息稱存儲(chǔ)芯片三大原廠擬調(diào)漲DRAM合約價(jià)7%-8%

據(jù)悉，dram的批發(fā)價(jià)格是存儲(chǔ)器事業(yè)者和顧客公司之間每個(gè)月或每個(gè)季度決定的。業(yè)界人士表示：“目前價(jià)格還處于季節(jié)的最后階段，因此個(gè)別制造企業(yè)面臨的狀況有所...

2023-06-29 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)器 1.2k 0

存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)技術(shù)革新，DRAM有望進(jìn)行量產(chǎn)

據(jù)近日?qǐng)?bào)道，面對(duì)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)低迷，三星電子，SK海力士，鎂光企圖通過新舊世代的產(chǎn)品交替，克服危機(jī)。

2020-01-13 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)器 1.2k 0

內(nèi)存價(jià)格持續(xù)暴漲，新內(nèi)存管理方案出臺(tái)勢(shì)在必行

對(duì)于用戶來說，想在想買內(nèi)存簡(jiǎn)直是困難的，因?yàn)樗膬r(jià)格暴漲的已經(jīng)離譜到難以接受的地步，更夸張的是，這個(gè)瘋漲勢(shì)頭還在繼續(xù)。

2018-07-25 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存 1.2k 0

明年內(nèi)存芯片或供應(yīng)過剩 需求將出現(xiàn)下滑

由于分析師對(duì)2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的預(yù)期比較悲觀，全球最大存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商三星電子正考慮放緩擴(kuò)大生產(chǎn)設(shè)施的步伐。

2018-12-28 標(biāo)簽：DRAM三星電子內(nèi)存 1.2k 0

HBM供應(yīng)商議價(jià)提前，2025年HBM產(chǎn)能產(chǎn)值或超DRAM 3分

　至于為何供應(yīng)商提前議價(jià)，吳雅婷解釋道，首先，HBM買家對(duì)于人工智能需求前景十分樂觀；其次，HBM3e的TSV良率目前只有40%-60%，買家期望獲得品...

2024-05-07 標(biāo)簽：DRAM人工智能HBM 1.2k 0