據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，為了應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)高性能HBM3E（高帶寬內(nèi)存第三代增強(qiáng)版）內(nèi)存的激增需求，全球知名半導(dǎo)體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。這一戰(zhàn)略決策旨在確保公司能夠穩(wěn)定供應(yīng)高質(zhì)量?jī)?nèi)存產(chǎn)品，同時(shí)進(jìn)一步鞏固其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

HBM內(nèi)存因其高帶寬和低延遲特性，在高性能計(jì)算、人工智能等領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用。然而，與標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存相比，HBM內(nèi)存對(duì)DRAM裸片的消耗量巨大。為了解決當(dāng)前HBM內(nèi)存供應(yīng)緊張的問(wèn)題，SK海力士決定加大1b nm制程DRAM的產(chǎn)能投入。

根據(jù)SK海力士的計(jì)劃，到今年年底，該公司計(jì)劃將1b nm內(nèi)存晶圓的投片量增至9萬(wàn)片。而到了明年上半年，這一數(shù)字將進(jìn)一步增加到14至15萬(wàn)片。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，SK海力士將對(duì)其位于京畿道利川市的M16內(nèi)存晶圓廠進(jìn)行升級(jí)，以滿(mǎn)足1b nm工藝的生產(chǎn)需求。

業(yè)內(nèi)專(zhuān)家表示，SK海力士此次擴(kuò)大1b nm DRAM產(chǎn)能的舉措，不僅有助于緩解HBM內(nèi)存供應(yīng)緊張的問(wèn)題，同時(shí)也將為公司帶來(lái)更高的利潤(rùn)和更廣闊的市場(chǎng)前景。在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)火熱的背景下，SK海力士的這一戰(zhàn)略決策無(wú)疑將進(jìn)一步鞏固其在市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)地位。