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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))

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dram資訊

SK海力士開發(fā)“最佳性能”HBM3E

以“業(yè)界頂尖性能”推動人工智能技術(shù)創(chuàng)新的產(chǎn)品將從2024年1月起開始量產(chǎn)。

2023-08-31 標(biāo)簽:DRAM人工智能SK海力士 1.1k 0

現(xiàn)代DRAM內(nèi)存發(fā)明人羅伯特·登納德離世

一次偶然的機(jī)會,登納德靈光一閃,想到利用單個晶體管中的電容正負(fù)極來記錄數(shù)據(jù),并通過反復(fù)充電實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)動態(tài)刷新。這一創(chuàng)新理念奠定了 DRAM 內(nèi)存的基礎(chǔ)。

2024-05-06 標(biāo)簽:電容DRAM晶體管 1.1k 0

聯(lián)發(fā)科2710萬美元收購存儲器商常憶科技

聯(lián)發(fā)科技表示,收購常憶科技主要木器是要強(qiáng)化存儲相關(guān)專利(IP)人才,并不會介入存儲市場,未來將是DRAM或NAND Flash存儲廠商合作。

2015-08-17 標(biāo)簽:聯(lián)發(fā)科DRAMNAND 1.1k 0

市場供求低迷導(dǎo)致DRAM需減產(chǎn)20%才供需平衡

由于市場需求仍持續(xù)低迷,以現(xiàn)階段DRAM總投片約1300K為基準(zhǔn)來計算,至少需減產(chǎn)20%,才有機(jī)會讓市場供需平衡,DRAM價格至少到明年第2季后才能見到...

2011-08-28 標(biāo)簽:DRAM 1.1k 0

戴爾科技推出全閃存交鑰匙系統(tǒng):ObjectScale XF960

面對越來越多要求嚴(yán)苛的高增長工作負(fù)載,如分析、生成式AI和相關(guān)的云原生應(yīng)用程序開發(fā)等等,對象存儲被作為主存儲并迅速發(fā)展。

2023-12-20 標(biāo)簽:DRAMNAND全閃存 1.1k 0

DRAM價格下半年或?qū)⒊掷m(xù)上漲

隨著全球科技行業(yè)的不斷發(fā)展,尤其是人工智能(AI)領(lǐng)域的迅猛崛起,存儲芯片市場正迎來新的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。據(jù)行業(yè)分析師的最新預(yù)測,DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器...

2024-07-01 標(biāo)簽:DRAM存儲器SK海力士 1.1k 0

DRAM的表現(xiàn)可為“一瀉千里”

市場方面,DRAM的全球市場也不容樂觀。在今年三季度,全球DRAM的市場規(guī)模,降至181.87億美元,不及上一季度的255.94億美元,環(huán)比下滑28.9...

2023-01-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM 1.1k 0

硅谷創(chuàng)業(yè)公司希望用新技術(shù)幫助中國突破DRAM

眾所周知,中國是智能電子設(shè)備的制造大國和消費(fèi)大國。在美國、歐洲、非洲各地都能看到有中國特色的手機(jī)和電腦賣的紅紅火火;每年在拉斯維加斯舉辦的全球消費(fèi)電子展...

2017-01-22 標(biāo)簽:DRAM三星電子海力士 1.1k 0

DRAM市場勢頭強(qiáng)勁,平均售價逐步攀升

DRAM市場勢頭強(qiáng)勁,平均售價逐步攀升

IC Insights的最新報告指出,2013年上半年,DRAM平均銷售價格(ASP)逐月上升。與去年同期相比,DRAM平均銷售價格第二季度跳增42%,...

2013-07-19 標(biāo)簽:DRAMDRAM市場 1.1k 0

美光將在西安封裝測試工廠投資逾43億元人民幣

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè) Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布,計劃在未來幾年中對其位于中國...

2023-06-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM封裝測試 1.1k 0

類腦視覺芯片里程碑突破:復(fù)旦團(tuán)隊(duì)首創(chuàng)二維半導(dǎo)體DRAM仿生神經(jīng)元

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在類腦視覺芯片領(lǐng)域,復(fù)旦大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)取得了令人矚目的突破,他們聯(lián)合研發(fā)出了基于二維半導(dǎo)體DRAM的仿生神經(jīng)元。這一成果為類腦計算與視覺處理的融合發(fā)展帶...

2025-08-15 標(biāo)簽:DRAM視覺芯片 1.1k 0

華邦:車用芯片營收占比持續(xù)提升,看好利基市場

作為存儲半導(dǎo)體大企業(yè)的華本在汽車用市場上持續(xù)獲得利潤。此前,利基型dram已進(jìn)入車用相機(jī)市場,到2022年,nor plash也將進(jìn)入1線國際大工廠,應(yīng)...

2023-09-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM自動駕駛 1.1k 0

SK海力士主力產(chǎn)品DRAM的價格正急劇下跌

受到移動舍必需求鈍化、庫存屯積的影響,SK海力士主力產(chǎn)品DRAM的價格正急劇下跌,外界觀測指出,接連刷新營業(yè)利益紀(jì)錄的SK海力士,這次恐怕無法再締新猷。

2019-01-22 標(biāo)簽:DRAMSK海力士 1.1k 0

SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā),預(yù)計2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發(fā)進(jìn)程,預(yù)計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 H...

2024-05-14 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM 1.1k 0

英特爾傲騰持久內(nèi)存助力移動云應(yīng)對嚴(yán)苛內(nèi)存挑戰(zhàn)

在數(shù)字化創(chuàng)新快速發(fā)展的今天,海量數(shù)據(jù)加速處理與分析需求激增,以高性能、低時延為特征的 Redis 等內(nèi)存數(shù)據(jù)庫開始在各行業(yè)得到廣泛應(yīng)用。 Redis 作...

2022-07-08 標(biāo)簽:英特爾DRAM內(nèi)存 1.1k 0

美光計劃再投20億美元興建3D DRAM封測廠

華亞科并入美光后,本月正式更名為美光臺灣分公司桃園廠,美光也計劃擴(kuò)大投資臺灣,將在臺中建立后段DRAM封測廠,相關(guān)投資將在標(biāo)購達(dá)鴻位在后里中科園區(qū)的廠房...

2017-03-07 標(biāo)簽:DRAM美光封測廠 1.1k 0

內(nèi)存供應(yīng)需求疲軟 缺貨、降價一片哀嚎

內(nèi)存市場進(jìn)入了一個死局,內(nèi)存昂貴價格堪稱史無前例,內(nèi)存條出貨量整體又下滑了約10%。三星被發(fā)改委約談恐設(shè)計行業(yè)壟斷。現(xiàn)在DDR4內(nèi)存顆粒供應(yīng)依然緊張,各...

2017-12-26 標(biāo)簽:dram三星電子 1.1k 0

三星、SK海力士及美光全力防堵DRAM技術(shù)流入大陸

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全球三大DRAM廠三星、SK海力士(SK Hynix)及美光,近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負(fù)責(zé)研發(fā)的聯(lián)電核心成員,全力...

2016-12-26 標(biāo)簽:DRAM三星電子美光 1.1k 0

48層堆疊V-NAND存儲器,將提升三星成本競爭契機(jī)

三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發(fā)作業(yè),計劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產(chǎn)品后,于2016年生產(chǎn)64層堆疊的V-NAND產(chǎn)品。

2015-08-11 標(biāo)簽:DRAM存儲器V-NAND 1.1k 0

高通大打價格戰(zhàn),聯(lián)發(fā)科LTE SoC能否提前問世?

高通大打價格戰(zhàn),聯(lián)發(fā)科LTE SoC能否提前問世?

國內(nèi)手機(jī)芯片龍頭廠聯(lián)發(fā)科預(yù)定于明(27)日召開法說會,預(yù)料其LTE芯片布局進(jìn)度及接單近況,將成為此次法說會觀察重點(diǎn)。

2014-01-26 標(biāo)簽:高通聯(lián)發(fā)科DRAM 1.1k 0

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    華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測試業(yè)務(wù),產(chǎn)品主要應(yīng)用于計算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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