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SK海力士開發(fā)“最佳性能”HBM3E

半導體芯科技SiSC ? 來源:半導體芯科技SiSC ? 作者:半導體芯科技SiS ? 2023-08-31 15:28 ? 次閱讀
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來源:半導體芯科技編譯

以“業(yè)界頂尖性能”推動人工智能技術(shù)創(chuàng)新的產(chǎn)品將從2024年1月起開始量產(chǎn)。

SK海力士已開發(fā)出HBM3E1,是目前用于人工智能應(yīng)用的下一代最高規(guī)格DRAM,并表示客戶的樣品評估正在進行中。

該公司表示,HBM3E(HBM3的擴展版本)的成功研發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準備水平,SK海力士計劃從明年上半年開始量產(chǎn)HBM3E,鞏固其在AI內(nèi)存市場獨特的領(lǐng)導地位。

該公司表示,最新產(chǎn)品不僅可滿足業(yè)界最高的速度標準(AI內(nèi)存產(chǎn)品的關(guān)鍵規(guī)格),而且還可滿足包括容量、散熱和用戶友好性在內(nèi)的所有類別。

在速度方面,HBM3E每秒可處理高達1.15TB的數(shù)據(jù),相當于每秒處理230多部5GB大小的全高清電影。

此外,最新產(chǎn)品上采用了先進的批量回流模制底部填充(MR-MUF2)尖端技術(shù),將其散熱性能提高了10%。產(chǎn)品還支持向后兼容,甚至可以將最新產(chǎn)品應(yīng)用于為HBM3準備的系統(tǒng)上,無需修改設(shè)計或結(jié)構(gòu)。

審核編輯:湯梓紅

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