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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個節(jié)點推向下一個階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機，EUV光刻機技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機的技術(shù)、市場問題，國產(chǎn)euv光刻機發(fā)展等內(nèi)容。

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今日看點丨英特爾完成首臺商用高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機組裝；聯(lián)發(fā)科發(fā)布天璣 6300 處理器

1. 臺積電估將在第 2 季認(rèn)列相關(guān)地震損失 30 億元新臺幣 ? 403地震讓臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受創(chuàng)，臺積電稍早公告，臺灣廠區(qū)在地震后的第三日結(jié)束前完全復(fù)...

2024-04-19 標(biāo)簽：聯(lián)發(fā)科英特爾光刻機 1.2k 0

英特爾完成高數(shù)值孔徑EUV光刻機，將用于14A制程

半導(dǎo)體設(shè)備制造商阿斯麥（ASML）于去年底在社交媒體上發(fā)布照片，揭示已向英特爾提供第一套高數(shù)值孔徑EUV系統(tǒng)的關(guān)鍵部件。如今英特爾宣布已完成組裝，這無疑...

2024-04-19 標(biāo)簽：英特爾 EUV 半導(dǎo)體設(shè)備 1.3k 0

阿斯麥(ASML)公司首臺高數(shù)值孔徑EUV光刻機實現(xiàn)突破性成果

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，技術(shù)創(chuàng)新是推動整個行業(yè)向前發(fā)展的重要動力。近日，荷蘭阿斯麥(ASML)公司宣布，成功打造了首臺采用0.55數(shù)值孔徑(NA)投影光學(xué)系統(tǒng)的高...

2024-04-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻機 EUV 2k 0

臺積電營收強勢攀升，AI/HPC業(yè)務(wù)表現(xiàn)搶眼

從客戶構(gòu)成來看，臺積電在2023年的營收中，蘋果占據(jù)了25%的份額，穩(wěn)居第一。

2024-04-11 標(biāo)簽：臺積電蘋果 AI 1k 0

Intel 18A節(jié)點年底投產(chǎn)，14A節(jié)點預(yù)計2027年實現(xiàn)盈虧平衡

Intel表示，18A節(jié)點的生產(chǎn)預(yù)計將于年底前開始，14A節(jié)點的生產(chǎn)最早將于2027年實現(xiàn)盈虧平衡。

2024-04-10 標(biāo)簽：Xilinx intel 晶圓代工 1.7k 0

美國BIS更新出口管制新規(guī)，強化半導(dǎo)體出口監(jiān)管

首先，對EUV掩膜基板追加管制。特別是專供EUV光刻制程之用的掩膜基板現(xiàn)已正式納入出口控制范圍，相關(guān)出口皆需遵循嚴(yán)格的許可要求。

2024-04-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 EUV 掩膜 2.2k 0

英特爾芯片制造業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)用EUV工具，虧損加劇

該企業(yè)宣布其制造部門于2023年度產(chǎn)生70億美元的運營虧損，相比去年同期的52億美元有所擴大；另一方面，盡管該部門2023年呈現(xiàn)出189億美元的銷售收入...

2024-04-03 標(biāo)簽：英特爾制造業(yè)EUV 790 0

美國商務(wù)部更新半導(dǎo)體出口管制細(xì)則

實際上，浙商電子的研究報告指出，美方此次出口管制的核心轉(zhuǎn)變在于加強了對EUV掩模基板的管控，明晰了集成電路的性能關(guān)鍵參數(shù)定義及計算方法，強化了對集成電路...

2024-04-03 標(biāo)簽：芯片集成電路 EUV 2k 0

光刻膠技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)共性難題解決新方向

隨著半導(dǎo)體制造工藝節(jié)點不斷發(fā)展至100納米甚至更小的10納米級別，如何制作出尺寸精度高、表面特征優(yōu)秀、線邊緣粗糙度低的光刻圖形已逐漸成為整個行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)。

2024-04-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造 EUV 光刻膠 1.2k 0

ASML推出首款2nm低數(shù)值孔徑EUV設(shè)備Twinscan NXE：3800E

所謂低數(shù)值孔徑EUV，依然是行業(yè)絕對領(lǐng)先。

2024-03-15 標(biāo)簽：晶圓存儲芯片 EUV 2.4k 0

ASML 首臺新款 EUV 光刻機 Twinscan NXE:3800E 完成安裝

3 月 13 日消息，光刻機制造商 ASML 宣布其首臺新款 EUV 光刻機 Twinscan NXE:3800E 已完成安裝，新機型將帶來更高的生產(chǎn)效...

2024-03-14 標(biāo)簽：光刻機 EUV ASML 1.8k 0

Intel揭示全新工藝路線圖：14A技術(shù)有望2026年問世

根據(jù)英特爾的新規(guī)劃，Intel 14A工藝有望在2026年與我們見面，而更先進(jìn)的Intel 14A-E工藝則預(yù)計將在2027年問世。

2024-03-12 標(biāo)簽：英特爾臺積電晶圓代工 2.3k 0

三星清空ASML股份，11年盈利超16倍

根據(jù)資料顯示，在2012年，為了支持ASML EUV光刻機的研發(fā)與商用，并獲得EUV光刻機的優(yōu)先供應(yīng)，在2012年，英特爾、臺積電、三星均斥資入股了AS...

2024-02-23 標(biāo)簽：光刻機 EUV ASML 1.7k 0

探究ASML驚人崛起的背后原因

SEMI于2023年12月12日宣布，預(yù)計2023年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場將較2022年創(chuàng)紀(jì)錄的1074億美元下降6.1%。然而，有些設(shè)備制造商不顧這種...

2024-02-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造 EUV ASML 1.2k 0

佳能推出5nm芯片制造設(shè)備，納米壓印技術(shù)重塑半導(dǎo)體競爭格局?

佳能近日表示，計劃年內(nèi)或明年上市使用納米壓印技術(shù)的光刻設(shè)備FPA-1200NZ2C。對比已商業(yè)化的EUV光刻技術(shù)，雖然納米壓印的制造速度較傳統(tǒng)方式緩慢，...

2024-01-31 標(biāo)簽：佳能 EUV 納米壓印 2.2k 0

半導(dǎo)體行業(yè)能否走出低谷，中國影響幾何？

英特爾和臺積電都在技術(shù)上投入資金。三星和其他內(nèi)存制造商必須跟上技術(shù)節(jié)點的轉(zhuǎn)變，即使同時保持產(chǎn)能遠(yuǎn)離市場。他們需要跟上技術(shù)的步伐，以在摩爾定律的基礎(chǔ)上保持...

2024-01-29 標(biāo)簽：英特爾臺積電光刻機 1.5k 0

臺積電在2nm制程技術(shù)上展開防守策略

臺積電的2nm技術(shù)是3nm技術(shù)的延續(xù)。一直以來，臺積電堅定地遵循著每一步一個工藝節(jié)點的演進(jìn)策略，穩(wěn)扎穩(wěn)打，不斷突破。

2024-01-25 標(biāo)簽：晶圓代工芯片制造 EUV 1.2k 0

ASML第四季度銷售額超預(yù)期，中國市場份額下滑

得益于極致紫外線（EUV）設(shè)備搶手，ASML第四季度訂單預(yù)估額高達(dá)91.9億歐元（折合99.8億美元），比第三季度的26.02億歐元足足翻了近三番。根據(jù)...

2024-01-25 標(biāo)簽：紫外線 EUV ASML 1.2k 0

那個晶圓廠，真的會建嗎？

在2023年12月舉辦的“Semicon Japan”演講中，SEMI演講者預(yù)計2025年相關(guān)投資額將達(dá)到1,250億美元。

2024-01-18 標(biāo)簽：晶圓電力設(shè)備晶圓代工 872 0

ASML為什么能在EUV領(lǐng)域獲勝？

在討論ASML以及為何復(fù)制其技術(shù)如此具有挑戰(zhàn)性時，分析通常集中在EUV機器的極端復(fù)雜性上，這歸因于競爭對手復(fù)制它的難度。

2024-01-17 標(biāo)簽：硅晶圓光刻機 EUV 1.2k 0

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3D打?。?DP）即快速成型技術(shù)的一種，它是一種以數(shù)字模型文件為基礎(chǔ)，運用粉末狀金屬或塑料等可粘合材料，通過逐層打印的方式來構(gòu)造物體的技術(shù)。
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