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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。

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finfet技術(shù)

傳統(tǒng)過孔數(shù)顯著增加條狀過孔成大勢所趨

對于28納米及以下節(jié)點，各種新的設(shè)計要求使我們不得不調(diào)整傳統(tǒng)的數(shù)字電路板圖設(shè)計和驗證流程。尤其值得一提的是，過孔的使用受到了很大的影響。新的過孔類型已推...

2013-09-02 標(biāo)簽：PCB設(shè)計 FinFET 28nm 2k 0

金屬布線的工藝為半導(dǎo)體注入生命的連接

經(jīng)過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；

2023-04-28 標(biāo)簽：DRAM 晶圓晶體管 1.8k 0

FinFET布局和布線要經(jīng)受的重大考驗

隨著高級工藝的演進，電路設(shè)計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強。

2017-05-04 標(biāo)簽：布線 finfet 1.7k 0

FinFET技術(shù)在晶圓制造中的優(yōu)勢

本文通過介紹傳統(tǒng)平面晶體管的局限性，從而引入FinFET技術(shù)的原理、工藝和優(yōu)勢。

2025-04-14 標(biāo)簽：MOSFET 晶圓晶體管 1.7k 0

背面電力傳輸下一代邏輯的游戲規(guī)則改變者

背面電力傳輸打破了在硅晶圓正面處理信號和電力傳輸網(wǎng)絡(luò)的長期傳統(tǒng)。通過背面供電，整個配電網(wǎng)絡(luò)被移至晶圓的背面。硅通孔 (TSV) 將電源直接從背面?zhèn)魉偷秸?..

2023-08-30 標(biāo)簽：處理器晶體管電源完整性 1.7k 0

數(shù)字電路處理中仿照技術(shù)正在漸漸沒落

在這樣一個對數(shù)字電路處理有利的世界中，仿照技術(shù)更多地用來處理對它們晦氣的進程。但這個現(xiàn)象或許正在改動。

2020-04-06 標(biāo)簽：傳感器數(shù)字電路 FinFET 1.6k 0

為什么半導(dǎo)體行業(yè)試圖取代 FinFET？

納米片晶體管并不能拯救摩爾定律，也不能解決代工廠在最先進工藝節(jié)點上面臨的所有挑戰(zhàn)。為了克服這些問題，代工廠正在尋求各種創(chuàng)新，例如背面供電（BSPD），以...

2024-01-22 標(biāo)簽：sram eda 晶體管 1.5k 0

3D-IC中三個不同層次的3D是什么

隨著晶體管尺寸的逐步縮小，其特征尺寸也在不斷縮小，當(dāng)特征尺寸到了22nm，平面晶體管由于其柵極對于溝道的控制能力較弱而出現(xiàn)短溝道效應(yīng)，逐漸被一種新型的晶...

2024-04-02 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管場效應(yīng)晶體管 1.5k 0

引入 FinFET晶體后的多重圖案拆分布局和布線

隨著高級工藝的演進，電路設(shè)計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設(shè)計挑戰(zhàn)。多重圖案拆分給設(shè)計實施...

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3nm及以下的5D提取需求

有據(jù)可查的是，與平面晶體管相比，從16nm/14nm開始的FinFET技術(shù)大大增加了必須提取的寄生值的數(shù)量。這些類似3D架構(gòu)的鰭片會產(chǎn)生許多電容值，必須...

2023-05-25 標(biāo)簽：電容晶圓 FinFET 1k 0

車用SoC如何克服多重圖形與FinFET挑戰(zhàn)

有兩款車用系統(tǒng)單芯片（SoC）成為數(shù)位處理器議程中最有趣、最由聯(lián)發(fā)科（MediaTek）與AMD所發(fā)表的最新智能型手機與PC處理器內(nèi)含更多核心、采用更激...

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EDA探索之MOSFET的微縮-nanosheet era

主要的障礙在于n型和p型器件之間需要很大的空間余量，這使得有效納米片寬度在按比例的單元高度中變得困難，空間被功函數(shù)金屬的圖形化步驟所消耗。

2023-03-24 標(biāo)簽：CMOS MOSFET eda 940 0

合成是否仍然獨立于工藝

物理合成的好處是改進了基于合成中實際物理信息的時序相關(guān)性，包括粗略放置和平面圖。合成中的這種附加信息可實現(xiàn)準(zhǔn)確的時序估計，使優(yōu)化引擎能夠?qū)Ｗ⒂谡_的路徑...

2023-05-25 標(biāo)簽：布線編譯器 FinFET 897 0

影響SerDes架構(gòu)發(fā)展的三大關(guān)鍵趨勢

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)幾十年的發(fā)展歷程中，對更高性能、更低功耗與更緊湊設(shè)計的追求始終是驅(qū)動技術(shù)迭代的核心動力。如今，這些追求推動著制程工藝節(jié)點突破物理極限，正式邁...

2025-11-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 SerDes 637 0

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