中芯國際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝

中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松透露，中芯國際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并藉此進(jìn)入AI...

2018-05-14 標(biāo)簽：中芯國際finfet 6.1k 0

專訪格羅方德Subramani Kengeri：28nm量產(chǎn)致勝關(guān)鍵在于HKMG

本文主要講述了28nm量產(chǎn)致勝關(guān)鍵在于HKMG。HKMG：high-k絕緣層+金屬柵極。HKMG的優(yōu)勢(shì)：不管使用Gate-first和Gate-last...

2012-07-15 標(biāo)簽：SoCHKMGFinFET 6k 0

基于三星11LPP的物理IP平臺(tái)概述

在去年的三星代工廠論壇上，Arm 與三星代工廠成功建立 14nm FinFET 合作伙伴關(guān)系，當(dāng)時(shí)，基于三星代工廠 14nm 節(jié)點(diǎn)技術(shù)平臺(tái)的 Artis...

2018-06-21 標(biāo)簽：Arm三星電子FinFET 5.9k 0

英特爾公布詳細(xì)的制程技術(shù)路線圖

英特爾上個(gè)月月底公布了公司有史以來最詳細(xì)的制程技術(shù)路線圖之一，展示了從現(xiàn)在到2025年乃至更遠(yuǎn)的未來，驅(qū)動(dòng)新產(chǎn)品開發(fā)的突破性技術(shù)。本資料介紹了實(shí)現(xiàn)此路線...

2021-08-09 標(biāo)簽：英特爾晶體管FinFET 5.8k 0

2nm意味著什么？2nm何時(shí)到來？它與3nm有何不同？

3nm工藝剛量產(chǎn)，業(yè)界就已經(jīng)在討論2nm了，并且在調(diào)整相關(guān)的時(shí)間表。2nm工藝不僅對(duì)晶圓廠來說是一個(gè)重大挑戰(zhàn)，同樣也考驗(yàn)著EDA公司，以及在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)...

2023-12-06 標(biāo)簽：智能手機(jī)EDA工具晶體管 5.8k 0

中國強(qiáng)攻22納米IC關(guān)鍵技術(shù) 讓國產(chǎn)芯片“站”起來

中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心的科研團(tuán)隊(duì)艱苦攻關(guān)，成功開展22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺(tái)建設(shè)，在我國首先開展該技術(shù)攻關(guān)。

2013-05-21 標(biāo)簽：集成電路22nmFinFET 5.7k 10

全民聚焦FinFET，下一代晶體管技術(shù)何去何從

在近期內(nèi)，從先進(jìn)的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會(huì)基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FD SOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮小到10nm節(jié)點(diǎn)。但...

2014-02-25 標(biāo)簽：FinFET半導(dǎo)體工藝 5.7k 2

三星計(jì)劃2021年量產(chǎn)GAA電晶體

三星電子(Samsung Electronics)計(jì)劃于2021年量產(chǎn)FinFET電晶體架構(gòu)的后繼產(chǎn)品——采用3nm制程節(jié)點(diǎn)的環(huán)繞式閘極(gate-al...

2018-05-30 標(biāo)簽：三星電子FinFET 5.5k 0

驍龍820和天璣1100哪個(gè)好

驍龍820和天璣1100哪個(gè)好 在現(xiàn)今智能手機(jī)市場(chǎng)中，處理器成為了手機(jī)消費(fèi)者選擇一部手機(jī)時(shí)重要的參數(shù)之一。處理器不僅能夠影響手機(jī)的性能還直接關(guān)系到手機(jī)的...

2023-08-17 標(biāo)簽：處理器半導(dǎo)體技術(shù)FinFET 4.9k 0

中芯國際14nm量產(chǎn)大規(guī)模出貨 國產(chǎn)化取得階段性勝利

近日,芯片代工廠商——中芯國際發(fā)布了2019年財(cái)報(bào)。這是中芯國際14納米產(chǎn)品貢獻(xiàn)營收后的首份年報(bào)。

2020-04-20 標(biāo)簽：中芯國際FinFET 4.7k 0

中芯國際再獲技術(shù)重大突破

中芯國際14納米FinFET技術(shù)獲得重大進(jìn)展 8月9日，中芯國際公布了在14納米FinFET技術(shù)開發(fā)上獲得的重大進(jìn)展。第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客...

2018-08-18 標(biāo)簽：中芯國際FinFET 4.7k 0

三星被判侵犯FinFET工藝專利 須賠償4億美元

根據(jù)美國德克薩斯州聯(lián)邦法院的裁決，三星電子侵犯了一家韓國大學(xué)關(guān)于雙柵極FinFET半導(dǎo)體工藝的技術(shù)專利，必須賠償4億美元。

2018-06-22 標(biāo)簽：三星電子FinFET 4.6k 0

下一代高性能晶體管——納米線能否繼任FinFET

據(jù)IEEE報(bào)道，來自IMEC的Hans Mertens研究小組，使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統(tǒng)硅表面上成功制作了環(huán)柵式晶體管，未來經(jīng)過技術(shù)改進(jìn)有可...

2016-11-23 標(biāo)簽：SiGe晶體管FinFET 4.6k 0

格芯擱置7納米FinFET項(xiàng)目!是技術(shù)的羈絆，還是成本的考量？

此外，為了更好地施展格芯在ASIC設(shè)計(jì)和IP方面的強(qiáng)大背景和重大投資，公司正在建立獨(dú)立于晶圓代工業(yè)務(wù)外的ASIC業(yè)務(wù)全資子公司。相關(guān)的ASIC業(yè)務(wù)需要持...

2018-08-31 標(biāo)簽：納米FinFET 4.6k 0

中芯國際與一線陣營代差巨大 如何擺脫“空芯”之痛？

中國最大的晶圓代工廠中芯國際目前最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段，其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%。距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不...

2018-06-25 標(biāo)簽：中芯國際臺(tái)積電FinFET 4.5k 0

胡正明表示,集成電路能耗方面依然有1000倍的降低空間

2018年三星、臺(tái)積電將量產(chǎn)7nm工藝，未來的5nm甚至3nm工藝也露出了曙光，預(yù)計(jì)在2020年之后開始量產(chǎn)。多年來業(yè)界一直在追求半導(dǎo)體工藝不斷降低線寬...

2018-06-02 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體finfet 4.4k 0

3納米量產(chǎn)在即 如何實(shí)現(xiàn)2納米芯片？

據(jù)悉，臺(tái)積電在本次技術(shù)論壇上主要透露以下三點(diǎn)信息：一是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正發(fā)生三大改變;二是低端芯片短缺成為供應(yīng)鏈瓶頸;三是3納米量產(chǎn)在即，2納米2025年量產(chǎn)。

2022-09-06 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電納米芯片 4.3k 0

中芯國際發(fā)布2019年二季度財(cái)報(bào) 14nm進(jìn)入客戶風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)

中芯國際8月8日晚發(fā)布2019年二季度財(cái)報(bào)，二季度公司實(shí)現(xiàn)營收7.909億美元，環(huán)比增長18.2%，同比減少11.2%；實(shí)現(xiàn)凈利潤1853.9萬美元，環(huán)...

2019-08-09 標(biāo)簽：中芯國際FinFET 4.3k 0