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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。

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近日，臺(tái)積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情，其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2！

2020-04-20 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶體管 FinFET 4.3k 0

半導(dǎo)體廠商產(chǎn)能布局 FinFET與FD-SOI工藝大PK

在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體廠商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。

2015-07-07 標(biāo)簽：晶圓廠 FD-SOI FinFET 4.3k 0

格芯退出7納米制程研發(fā)后晶圓代工市場(chǎng)格局將如何轉(zhuǎn)變

全球第二大半導(dǎo)體晶圓代工廠格芯宣布，將在7納米FinFET先進(jìn)制程發(fā)展無限期休兵。聯(lián)電之后半導(dǎo)體大廠先進(jìn)制程競(jìng)逐又少一家，外界擔(dān)憂將對(duì)全球代工晶圓產(chǎn)業(yè)造...

2018-08-31 標(biāo)簽：臺(tái)積電 FinFET 格芯 4.3k 0

中芯國(guó)際透露14納米制程取得重大進(jìn)展

近日，中芯國(guó)際發(fā)布了2018年中期業(yè)績(jī)報(bào)告，報(bào)告顯示，2018年上半年?duì)I收達(dá)17.22億美元，同比增長(zhǎng)11.5%。毛利為4.38億美元，同比增長(zhǎng)5.6%...

2018-08-31 標(biāo)簽：中芯國(guó)際 FinFET 4.3k 0

晶體管：后FinFET時(shí)代的技術(shù)演進(jìn)

? ? FinFET晶體管架構(gòu)是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)的主力軍。但是，隨著器件的持續(xù)微縮，短溝道效應(yīng)迫使業(yè)界引入新的晶體管架構(gòu)。在本文中，IMEC的3D混合微縮...

2020-12-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 FinFET 4.2k 0

SSD主控芯片除了做SSD還能有什么用途呢？

在固態(tài)硬盤量產(chǎn)測(cè)試和可靠性測(cè)試過程中，都是運(yùn)用測(cè)試機(jī)柜（SSD Tester）實(shí)現(xiàn)批量測(cè)試比如DapuStor 產(chǎn)品之一 MAT

2021-03-21 標(biāo)簽：SSD DPU FinFET 4.2k 0

ANSYS宣布14納米FinFET制程技術(shù)獲聯(lián)電認(rèn)證

ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯(lián)華電子（UMC）的先進(jìn)14納米FinFET制程技術(shù)認(rèn)證。ANSYS和聯(lián)電透過認(rèn)證...

2018-07-17 標(biāo)簽：聯(lián)電 ansys finfet 4.2k 0

要價(jià)25萬“天價(jià)芯片”進(jìn)入黑市，英偉達(dá)再為中國(guó)推“改良”芯片，皆非良策！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）今年10月17日，美政府更新了針對(duì)人工智能（AI）芯片的出口管制規(guī)定，包括限制向中國(guó)出口更先進(jìn)的人工智能芯片和半導(dǎo)體設(shè)備。...

2023-11-11 標(biāo)簽：FinFET 英偉達(dá)chiplet 4.1k 0

三星將在明年推5/4nmEUV工藝 2020年推3nmEUV工藝

隨著Globalfoundries以及聯(lián)電退出先進(jìn)半導(dǎo)體工藝研發(fā)、投資，全球有能力研發(fā)7nm及以下工藝的半導(dǎo)體公司就只剩下英特爾、臺(tái)積電及三星了，不過英...

2018-09-06 標(biāo)簽：三星電子 FinFET EUV 4.1k 0

FinFET技術(shù)未來有怎樣的發(fā)展的前景

FinFET技術(shù)是電子行業(yè)的下一代前沿技術(shù)，是一種全新的新型的多門3D晶體管。

2019-09-23 標(biāo)簽：嵌入式 FinFET 4.1k 0

14納米工藝節(jié)點(diǎn)會(huì)給設(shè)計(jì)帶來哪些挑戰(zhàn)？

據(jù)國(guó)際物理系統(tǒng)研討會(huì)（ISPD）上專家表示：實(shí)現(xiàn)14納米芯片生產(chǎn)可能會(huì)比原先想象的更困難；14納米節(jié)點(diǎn)給設(shè)計(jì)師帶來了許多挑戰(zhàn)。這些困難和挑戰(zhàn)何在？詳見本文...

2013-04-08 標(biāo)簽：3D FinFET EUV 4.1k 0

臺(tái)積電宣布其7納米制程進(jìn)入量產(chǎn) 并透露了5納米節(jié)點(diǎn)的首個(gè)時(shí)間表

持續(xù)同時(shí)朝多面向快速進(jìn)展的晶圓代工大廠臺(tái)積電（TSMC），于美國(guó)硅谷舉行的年度技術(shù)研討會(huì)上宣布其7納米制程進(jìn)入量產(chǎn)，并將有一個(gè)采用極紫外光微影（EUV）...

2018-05-11 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓 finfet 4.1k 0

3nm相較于7nm FinFET功耗減半性能增加30%

三星日前簡(jiǎn)要介紹了GAAFET中核心技術(shù)MCBFET（多橋溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管），基于它打造的3nm芯片，相較于7nm FinFET,可以減少50%的能耗，...

2020-04-15 標(biāo)簽：三星電子 FinFET 4k 0

芯片制造：14納米技術(shù)路線如何演進(jìn)？

據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道，ARM與臺(tái)積電宣布簽署一項(xiàng)長(zhǎng)期合作協(xié)議，兩家公司將以ARMv8微處理器為研發(fā)對(duì)象，探索用FinFET工藝制程技術(shù)來研發(fā)ARMv8的生產(chǎn)工...

2012-07-27 標(biāo)簽：finfet fdsoi UTB-SOI 4k 0

臺(tái)積電3nm FinFET工藝

最小 Lg 是溝道柵極控制的函數(shù)，例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉(zhuǎn)移到具有 3 個(gè)柵極圍繞薄溝道的 FinFET，從而實(shí)現(xiàn)更短的 Lg。F...

2023-01-04 標(biāo)簽：臺(tái)積電單柵極 FinFET 4k 0

三星宣布已完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)

4月16日，三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)，現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。

2019-04-16 標(biāo)簽：三星電子 FinFET EUV 4k 0

鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET提高芯片的驅(qū)動(dòng)能力

鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）是立體多柵器件的一種，其主要特征是由魚鰭形（Fin）的薄層硅構(gòu)成折疊的導(dǎo)電通道，并由雙面或三面折疊包圍的柵極控制。

2022-09-09 標(biāo)簽：集成電路場(chǎng)效應(yīng)晶體管 FinFET 3.9k 1

價(jià)值4億美金的專利方案竟是三星搶來的？

三星這兩年把半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)作為重點(diǎn)來抓，今年率先推出了7nm EUV工藝，搶在了臺(tái)積電、GlobalFoundries及英特爾前面。

2018-06-29 標(biāo)簽：三星電子 FinFET 3.9k 0

中芯國(guó)際Q2財(cái)報(bào)：第二季度營(yíng)收、凈利雙豐收

8月9日，中芯國(guó)際發(fā)布其2018年第二季度報(bào)。公告顯示，中芯國(guó)際第二季度不僅營(yíng)收、凈利雙增長(zhǎng)，14納米制程更是獲得重大進(jìn)展！

2018-08-12 標(biāo)簽：中芯國(guó)際 FinFET 3.9k 0

臺(tái)積電將繼續(xù)采用FinFET晶體管技術(shù)，有信心保持良好水平

臺(tái)積電3納米將繼續(xù)采取目前的FinFET晶體管技術(shù)，這意味著臺(tái)積電確認(rèn)了3納米工藝并非FinFET技術(shù)的瓶頸，甚至還非常有自信能夠在相同的FinFET技...

2020-06-12 標(biāo)簽：臺(tái)積電 FinFET LED微縮技術(shù) 3.8k 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
超級(jí)本

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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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