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半導(dǎo)體工藝制程在進(jìn)入32nm以下的節(jié)點(diǎn)后，每一步都?xì)v盡艱辛，傳統(tǒng)的工藝技術(shù)已經(jīng)無法滿足7nm以下的制程了。好在FinFET之后，又帶來了全新的GAA工藝；而5nm之后的時(shí)代，全新GAA技術(shù)有望延續(xù)現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)路線的壽命。

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IBM首發(fā)2nm芯片采用GAA技術(shù)

去年5月，IBM成功制造出世界上首顆2nm制程的半導(dǎo)體芯片。

2022-07-05 標(biāo)簽：芯片 IBM 2nm 1.8k 0

美國(guó)擬對(duì)中國(guó)實(shí)施尖端AI芯片技術(shù)出口限制

6月12日，國(guó)際科技界和商界再次因一則新聞而震動(dòng)。據(jù)國(guó)外權(quán)威媒體報(bào)道，美國(guó)政府正在考慮對(duì)中國(guó)實(shí)施新的出口限制措施，這一措施直指當(dāng)前人工智能（AI）領(lǐng)域的...

2024-06-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 AI 人工智能 1.8k 0

Intel foundry能否實(shí)現(xiàn)趕超？

自2021年2月Pat Gelsinger重返Intel以來，他在技術(shù)實(shí)現(xiàn)和財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)方面一直許愿不斷，卻無法達(dá)成目標(biāo)。如果Gelsinger不盡快取得實(shí)...

2023-10-12 標(biāo)簽：加速器晶體管 GAA 1.6k 0

三星為新客戶代工3nm服務(wù)器芯片：GAA結(jié)構(gòu)，SiP封裝

半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司ad technology于10月10日宣布，與海外客戶簽訂了利用gaa（全環(huán)繞柵極）結(jié)構(gòu)的3nm基礎(chǔ)2.5d服務(wù)器芯片設(shè)計(jì)合同，并委托三...

2023-10-17 標(biāo)簽：SiP 服務(wù)器 GAA 1.6k 0

三星 1.4 納米工藝細(xì)節(jié)浮出水面

增加每個(gè)晶體管的納米片數(shù)量可以增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流，從而提高性能。更多的納米片允許更多的電流流過晶體管，從而增強(qiáng)其開關(guān)能力和運(yùn)行速度。此外，更多的納米片可以更好...

2023-11-24 標(biāo)簽：cpu gpu 晶體管 1.5k 0

美國(guó)對(duì)EDA軟件實(shí)施新的出口管制

美國(guó)對(duì)EDA軟件實(shí)施新的出口管制昨天美國(guó)又啟動(dòng)了新一輪的EDA軟件出口管制，美國(guó)商務(wù)部對(duì)設(shè)計(jì)GAAFET（全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）結(jié)構(gòu)集成電路所必須的EDA...

2022-08-16 標(biāo)簽：eda EDA軟件 GAA 1.4k 0

三星芯片代工新掌門：先進(jìn)與成熟制程并重

據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子設(shè)備解決方案部新任foundry業(yè)務(wù)總裁兼總經(jīng)理韓真晚(Han Jinman)，在近期致員工的內(nèi)部信中明確提出了三星代工部門的發(fā)展策...

2024-12-10 標(biāo)簽：芯片制程 GAA 1.4k 0

三星與Arm攜手，運(yùn)用GAA工藝技術(shù)提升下一代Cortex-X CPU性能

三星繼續(xù)推進(jìn)工藝技術(shù)的進(jìn)步，近年來首次量產(chǎn)了基于2022年GAA技術(shù)的3nm MBCFET ? 。GAA技術(shù)不僅能夠大幅減小設(shè)備尺寸，降低供電電壓，增強(qiáng)...

2024-02-22 標(biāo)簽：AI芯片 GAA 三星 1.4k 0

三星電子開始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around工藝的片上系統(tǒng)

據(jù)外媒報(bào)道，三星電子已開始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around（GAA）工藝的片上系統(tǒng)（SoC），預(yù)計(jì)該芯片預(yù)計(jì)將用于Galaxy S25系列。

2024-05-08 標(biāo)簽：三星電子 SoC芯片 EDA軟件 1.4k 0

應(yīng)用材料CEO：關(guān)注中國(guó)廠商發(fā)展，看好先進(jìn)制程機(jī)遇

　加里表示：“半導(dǎo)體顧客的力量、性能、大小、費(fèi)用、上市時(shí)間等ppact為中心，展開了激烈的競(jìng)爭(zhēng)，因此應(yīng)用材料擁有多種產(chǎn)品組合，gaa和背部供電，和新的一...

2023-09-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體核心技術(shù)GAA 1.3k 0

3D時(shí)代值得關(guān)注的趨勢(shì)

2023-11-24 標(biāo)簽：DRAM 晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.1k 0

美國(guó)或?qū)⑦M(jìn)一步收緊技術(shù)對(duì)華出口

據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解，美國(guó)政府正考慮深化對(duì)華出口管制措施，旨在阻礙中國(guó)獲取先進(jìn)的全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAA）技術(shù)及高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)...

2024-06-12 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 HBM GAA 801 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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eMMC （Embedded Multi Media Card）是MMC協(xié)會(huì)訂立、主要針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動(dòng)通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級(jí)。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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