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gan技術(shù)

用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的GaN器件

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今天,永磁電機(jī),也稱為直流無刷電機(jī),應(yīng)用廣泛,與其他電機(jī)相比,可提供更高的每立方英寸扭矩能力和更高的動(dòng)態(tài)性能。迄今為止,硅基功率器件一直在逆變器電子產(chǎn)品...

2022-08-03 標(biāo)簽:逆變器GaN直流無刷電機(jī) 3.1k 0

GaN和SiC功率器件的特性和應(yīng)用

GaN和SiC功率器件的特性和應(yīng)用

如今,圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn),第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高...

2024-10-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC氮化鎵 3.1k 0

氮化鎵是什么化合物類型

氮化鎵是一種無機(jī)化合物,化學(xué)式為GaN,它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學(xué)性質(zhì),使其在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。 氮化鎵是...

2024-01-10 標(biāo)簽:傳感器光電器件化合物 3.1k 0

無線設(shè)計(jì)LNA和PA的作用和要求及其主要特性

LNA 的作用是從天線獲取極其微弱的不確定信號(hào),這些信號(hào)通常是微伏數(shù)量級(jí)的信號(hào)或者低于-100 dBm,然后將該信號(hào)放大至一個(gè)更有用的水平,通常約為0....

2023-02-01 標(biāo)簽:無線LNAGaN 3.1k 0

SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率...

2024-04-29 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 3.1k 0

基于GaN單晶N極性HEMT器件

這是NEDO關(guān)于“加強(qiáng)后5G信息通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項(xiàng)目”的成果。2020年6月,NEDO發(fā)布了該決定,并計(jì)劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技...

2022-11-23 標(biāo)簽:GaN毫米波HEMT 3.1k 0

使用GaN設(shè)計(jì)高效的高密度電源解決方案

使用GaN設(shè)計(jì)高效的高密度電源解決方案

基于氮化鎵技術(shù) (GaN) 的功率開關(guān)器件現(xiàn)已量產(chǎn),并在實(shí)際功率應(yīng)用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術(shù)實(shí)施高功率解決方案,并提供應(yīng)...

2022-08-09 標(biāo)簽:電源德州儀器GaN 3.1k 0

用于1kW以上電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的集成電路GaN逆變器

用于1kW以上電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的集成電路GaN逆變器

自問世以來,氮化鎵技術(shù)開啟了電力電子領(lǐng)域的新紀(jì)元。GaN 技術(shù)的三個(gè)最重要的參數(shù)是更高的帶隙、臨界場(chǎng)和電子遷移率。當(dāng)這些參數(shù)結(jié)合起來時(shí),由于 GaN 晶...

2022-07-29 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN 3.1k 0

用于電機(jī)控制的GaN技術(shù)

用于電機(jī)控制的GaN技術(shù)

基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性,是高壓和高開關(guān)頻率電機(jī)控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效...

2022-07-27 標(biāo)簽:電源電機(jī)控制氮化鎵 3.1k 0

一種基于全HVPE生長(zhǎng)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管

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近日,由深圳大學(xué)和深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院組成的科研團(tuán)隊(duì),研發(fā)出了“基于全HVPE生長(zhǎng)、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘...

2023-06-13 標(biāo)簽:二極管功率器件GaN 3k 0

安森美半導(dǎo)體GaN晶體管——追求更快、更智能和更高能效

氮化鎵(GaN),作為時(shí)下新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù),提供超越硅的多種優(yōu)勢(shì)。與硅器件相比,GaN在電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度上實(shí)現(xiàn)了性能的飛躍,廣泛應(yīng)用于功率因數(shù)...

2016-06-28 標(biāo)簽:安森美氮化鎵GaN 3k 0

GaN(氮化鎵)將推動(dòng)電源解決方案的進(jìn)步

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實(shí)現(xiàn)更加高效的電力轉(zhuǎn)換是應(yīng)對(duì)當(dāng)前增長(zhǎng)的人口和能源需求的一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)目標(biāo)。能夠有效推動(dòng)這一目標(biāo)達(dá)成的重要?jiǎng)?chuàng)新就是在電源應(yīng)用中使用氮化鎵 (GaN)。

2015-04-08 標(biāo)簽:LED照明SMPSGaN 3k 0

GaN HEMT開關(guān)過程中振蕩機(jī)制與驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)考量

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增強(qiáng)型GaN HEMT具有開關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低、功率密度高等特點(diǎn),正廣泛應(yīng)用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換和射頻電路中。但由于其柵極電容小,柵極閾值電壓低(...

2025-08-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器GaNHEMT 3k 0

氮化鎵芯片應(yīng)用前景如何

隨著半導(dǎo)體化合物持續(xù)發(fā)展,相較第一代硅基半導(dǎo)體和第二代砷化鎵等半導(dǎo)體,第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高工作溫度等優(yōu)點(diǎn)。以SiC和G...

2023-02-05 標(biāo)簽:芯片氮化鎵GaN 3k 0

使用先進(jìn)的控制方法提高GaN-based PFC的功率密度

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High switching frequencies are among the biggest enablers for small size. To...

2024-04-18 標(biāo)簽:PFCGaN功率密度 3k 0

如何通過PaddleHub快速實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)視覺任務(wù)

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具體的說,就是讓機(jī)器去識(shí)別攝像機(jī)拍攝的圖片或視頻中的物體,檢測(cè)出物體所在的位置,并對(duì)目標(biāo)物體進(jìn)行跟蹤,從而理解并描述出圖片或視頻里的場(chǎng)景和故事,以此來模...

2023-10-30 標(biāo)簽:攝像機(jī)機(jī)器視覺GaN 3k 0

GaN和SiC基功率半導(dǎo)體的寬帶隙技術(shù)

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尋找硅替代物的研究始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年,當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn),這些材料顯示出替代射頻,發(fā)光,傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材...

2021-04-01 標(biāo)簽:二極管功率器件GaN 3k 0

電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

通過采用電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的增強(qiáng)型控制,此類驅(qū)動(dòng)器通常會(huì)產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動(dòng)器采用...

2021-04-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件氮化鎵 2.9k 0

大尺寸磊晶技術(shù)突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

近年來氮化鎵(GaN)系列化合物半導(dǎo)體材料已被證實(shí)極具潛力應(yīng)用于液晶顯示器(LCD)之背光模組、光學(xué)儲(chǔ)存系統(tǒng)、高頻與大功率之微波電子元件等商業(yè)用途。然而...

2013-06-06 標(biāo)簽:LCD氮化鎵GaN 2.9k 0

集成氮化鎵電機(jī)驅(qū)動(dòng)器分析

集成氮化鎵電機(jī)驅(qū)動(dòng)器分析

氮化鎵(GaN)是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體,其開關(guān)速度比硅元件快20倍,并且可以處理高達(dá)三倍的功率密度。如果在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的PFC和轉(zhuǎn)換器級(jí)中使用GaN開關(guān)...

2023-04-04 標(biāo)簽:氮化鎵GaN電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 2.9k 0

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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題

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adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識(shí)別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
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