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針對(duì)氧氣（O2）和三氯化硼（BCl3）等離子體進(jìn)行原子層蝕刻的研究

基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開關(guān)中。就器件制造而言，GaN的相關(guān)材料，如Al...

2023-12-13 標(biāo)簽：蝕刻 GaN 離子 2.9k 0

使用HRPWM的注意事項(xiàng)

隨著新能源領(lǐng)域的發(fā)展, 在數(shù)字電源控制系統(tǒng)中要求功率密度高且轉(zhuǎn)換效率高。其中,整機(jī)功率密度的提升，就需要提高開關(guān)頻率, 大部分現(xiàn)有產(chǎn)品的開關(guān)頻率在50k...

2023-03-14 標(biāo)簽：電源 SiC GaN 2.9k 0

RGB VCSEL光引擎有哪些應(yīng)用

基于多孔氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體材料的方法，研究人員已經(jīng)開發(fā)出藍(lán)光VCSEL。目前，ITRI和Ganvix正著眼于綠色波長(zhǎng)和VCSEL陣列的量產(chǎn)。

2022-11-01 標(biāo)簽：RGB VCSEL GaN 2.9k 0

芯片濾波器設(shè)計(jì)實(shí)戰(zhàn)指南

掌握基本的射頻微波理論知識(shí);熟練使用 HFSS、ADS、SONNET、Cadence(virtuoso，calibre)、EMX等電磁仿真以及射頻芯片設(shè)...

2023-04-15 標(biāo)簽：芯片濾波器波形 2.9k 0

氮化鎵工藝優(yōu)點(diǎn)是什么

氮化鎵是半導(dǎo)體與微電子產(chǎn)業(yè)的新星，其高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性。業(yè)界已經(jīng)公認(rèn)氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體器件產(chǎn)品將統(tǒng)治微波放大...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 2.9k 0

具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

北京工業(yè)大學(xué)和中國北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的性能

2024-02-19 標(biāo)簽：SBD SiC GaN 2.8k 0

TI LMG3410R050 GaN功率放大級(jí)解決方案

TI公司的LMG3410R050是具有過流保護(hù)的600-V 50-mΩGaN功率放大級(jí),比硅MOSFET具有固有的優(yōu)勢(shì)包括超低輸入和輸出電容,零反向恢復(fù)...

2019-04-18 標(biāo)簽：ti GaN 2.8k 0

基于系統(tǒng)的可靠性保證實(shí)現(xiàn)GaN射頻功率器件產(chǎn)品的高可靠性

氮化鎵射頻器件能夠突破硅基器件的理論極限，實(shí)現(xiàn)高頻率/寬頻帶、高功率、高電壓、高效率及高使用溫度的特性，而被逐漸廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信行業(yè)。移動(dòng)通訊基站要求...

2018-12-02 標(biāo)簽：射頻 gan 2.8k 0

基于板級(jí)封裝的異構(gòu)集成詳解

基于板級(jí)封裝的異構(gòu)集成作為彌合微電子與應(yīng)用差距的關(guān)鍵方法，結(jié)合“延續(xù)摩爾”與“超越摩爾”理念，通過SiP技術(shù)集成多材料（如Si、GaN、光子器件等）裸片...

2025-07-18 標(biāo)簽：晶圓封裝 GaN 2.8k 0

基于LTSpice的GaN開關(guān)損耗的仿真

2025-03-13 標(biāo)簽：仿真 GaN LTspice 2.8k 0

GaN、超級(jí)SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別

如果想要說明白GaN、超級(jí)SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別，首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性，然后再根據(jù)材料特性分析具體應(yīng)用。

2025-03-14 標(biāo)簽：SiC GaN MOS器件 2.8k 0

GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例

GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結(jié) 本文檔基于GaN HEMT的實(shí)測(cè)特性描述了當(dāng)前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配...

2025-03-11 標(biāo)簽：GaN LTspice Pspice模型 2.8k 0

高頻高頻QR GaN控制器在Flyback拓?fù)淇斐洚a(chǎn)品上的應(yīng)用

型號(hào)LP8843DCD提供一個(gè)耐壓高達(dá)200V的VccH管腳，以及一個(gè)耐壓35V的VccL管腳；可以很方便的用這兩個(gè)管腳組成雙繞組供電方式，以節(jié)約高壓輸...

2022-11-29 標(biāo)簽：控制器濾波電路 GaN 2.8k 0

GaN功率器件在工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域的應(yīng)用

GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復(fù)雜工業(yè)電機(jī)控制應(yīng)用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。

2022-08-12 標(biāo)簽：電機(jī)控制功率器件氮化鎵 2.8k 0

PI GaN產(chǎn)品InnoSwitch3-EP助力簡(jiǎn)化工業(yè)輔助電源設(shè)計(jì)

隨著技術(shù)的不斷成熟和成本的逐步下降，GaN正從消費(fèi)電子PD快充領(lǐng)域向更廣闊的工業(yè)、汽車、通信、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域滲透，憑借其高頻、高效、高功率密度的核心優(yōu)勢(shì)...

2026-03-09 標(biāo)簽：安富利 GaN 輔助電源 2.8k 0

開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)器及驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

電源常用的開關(guān)器件有MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN，這幾種器件均為電壓驅(qū)動(dòng)型器件，不同類型器件的驅(qū)動(dòng)電路也不完全相同

2023-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器變換器 2.8k 0

氮化鎵功率芯片功率曲線分析氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)

不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實(shí)...

2023-10-16 標(biāo)簽：電容器功率器件氮化鎵 2.8k 0

什么叫氮化鎵異質(zhì)外延片？

氮化鎵（GaN）是由氮和鎵組成的一種半導(dǎo)體材料，因?yàn)槠浣麕挾却笥?.2eV，又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍(lán)色光發(fā)光器...

2023-02-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵 GaN 2.7k 0

氮化鎵快充IC U8733L的工作原理

通常來講，充電器輸出功率的增加，充電器的體積也要相應(yīng)擴(kuò)大。因?yàn)閮?nèi)置GaN芯片的使用，快充充電器擁有小體積、高性能、協(xié)議多、節(jié)能高等特點(diǎn)，所以快充充電器比...

2025-07-15 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 GaN 2.7k 0

安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？粉末純度、SiC晶錠一致性

硅通常是半導(dǎo)體技術(shù)的基石。然而，硅也有局限性，尤其在電力電子領(lǐng)域，設(shè)計(jì)人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導(dǎo)體。本文為白皮...

2025-01-05 標(biāo)簽：安森美 SiC GaN 2.7k 0

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藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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無線收發(fā)模塊

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無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾。可在擁擠的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

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三星集團(tuán)是韓國最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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樂鑫

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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿足未來無線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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ZigBee3.0

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無線設(shè)備

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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
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超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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