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gan技術(shù)

第三代半導(dǎo)體GaN材料的應(yīng)用優(yōu)缺點(diǎn)

　　GaN功率電子器件具有較高的工作電壓、較高的開(kāi)關(guān)頻率、較低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，能夠以極低的成本和較高的技術(shù)成熟度兼容硅基半導(dǎo)體集成電路工藝，在新一代高...

2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子器件 GaN 2.4k 0

使用電源管理模塊有效控制GaN功率放大器的電源開(kāi)關(guān)

【導(dǎo)讀】眾所周知，因?yàn)?GaN PA 需要使用特定的偏置時(shí)序，所以在某些設(shè)計(jì)中，GaN 功率放大器的上電和下電可能會(huì)具有挑戰(zhàn)性。如果處理不當(dāng)，可能會(huì)導(dǎo)致...

2022-08-29 標(biāo)簽：功率放大器電源開(kāi)關(guān)GaN 2.3k 0

外置OTP及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特點(diǎn)有哪些

深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的U8733，是一款30W PD GAN帶OTP保護(hù)及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片，與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U...

2024-05-21 標(biāo)簽：OTP GaN VDD 2.3k 0

硅基氮化鎵未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析

GaN 技術(shù)持續(xù)為國(guó)防和電信市場(chǎng)提供性能和效率。目前射頻市場(chǎng)應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化...

2023-09-14 標(biāo)簽：射頻無(wú)線電氮化鎵 2.3k 0

基于GD32F303的高頻DC/DC變換器解決方案

車(chē)載充電器（OBC）是電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)的重要組成部分(HEV)。OBC通常由一個(gè)AC/DC(功率因數(shù)校正電路)和一個(gè)隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器。

2023-08-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)變換器 DC-DC 2.3k 0

半導(dǎo)體材料的發(fā)展階段

作為“二十世紀(jì)最重要的新四大發(fā)明”之一，半導(dǎo)體的重要性不言而喻。從電子產(chǎn)品到航空航天，從人工智能到生物醫(yī)學(xué)，半導(dǎo)體無(wú)處不在，深刻地塑造著我們生活的方方面面。

2023-09-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 SiC 2.3k 0

氮化鎵芯片優(yōu)點(diǎn)

作為第三代半導(dǎo)體的核心材料之一，GaN其主要有三個(gè)特性——開(kāi)關(guān)頻率高、禁帶寬度大、更低的導(dǎo)通電阻。它在充電器上的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在：體積小，重量輕；功率密度...

2023-02-12 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體 GaN 2.3k 0

65W高性能磁耦通訊GaN快充方案

隨著GaN功率器件的可靠性提升及成本逐漸接近常規(guī)MOS，相關(guān)中大功率快充方案?jìng)涫苁袌?chǎng)青睞。為了滿足市場(chǎng)新需求，晶豐明源通過(guò)不斷創(chuàng)新，推出了集成GaN磁耦...

2023-05-08 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器充電器寄存器 2.3k 0

正確使用并聯(lián)氮化鎵晶體管

電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)人員正在尋找提高效率同時(shí)增加系統(tǒng)功率密度的方法。寬帶隙 (WBG) 技術(shù)提供了答案。由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方...

2022-08-04 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 GaN 2.3k 0

簡(jiǎn)述開(kāi)關(guān)電源芯片U8608的工作原理

開(kāi)關(guān)電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電...

2024-08-21 標(biāo)簽：FET GaN 開(kāi)關(guān)電源芯片 2.3k 0

使用GaN設(shè)計(jì)高功率器件

從 70 年代下半葉開(kāi)始，電源管理應(yīng)用的主導(dǎo)技術(shù)是基于 MOSFET(金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件，在效率和成本降低方面不斷取得進(jìn)步和改進(jìn)。然而，隨著...

2022-08-09 標(biāo)簽：晶體管功率器件 GaN 2.3k 0

垂直氮化鎵器件的最新進(jìn)展和可靠性挑戰(zhàn)

過(guò)去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時(shí)，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣(mài)盤(pán)，這引發(fā)大家對(duì)垂直氮化鎵未來(lái)的擔(dān)憂。為此，在本文中，...

2025-02-17 標(biāo)簽：晶體管功率器件氮化鎵 2.3k 0

深度學(xué)習(xí)是如何工作的？如何使用圖像處理來(lái)檢測(cè)圖像中的缺陷

制造業(yè)中任何公司的主要目標(biāo)都是為客戶(hù)生產(chǎn)無(wú)缺陷產(chǎn)品。如果在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中出現(xiàn)任何內(nèi)部孔、凹坑、磨損或劃痕（由于多種原因，從生產(chǎn)設(shè)備故障到惡劣的工作條件）...

2023-02-10 標(biāo)簽：編碼器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN 2.3k 0

瞻芯電子全新升級(jí)雙通道驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2504介紹

近日，瞻芯電子推出了一款全新升級(jí)的雙通道驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2504，它延續(xù)了經(jīng)典的IVCR240x系列芯片的高速、安全、緊湊的特點(diǎn)，并將拉灌電流峰值由4A...

2023-11-03 標(biāo)簽：CMOS MOSFET 功率器件 2.3k 0

TMS320F28P550SJ 實(shí)時(shí)微控制器技術(shù)手冊(cè)

TMS320F28P55x （F28P55x）是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件旨在提高電力電子器件的效率，包括但不...

2025-04-14 標(biāo)簽：微控制器 AI SiC 2.3k 0

影響電源效率提升的主要損耗

效率一直以來(lái)都是電源領(lǐng)域的研究重點(diǎn)，尤其在一些小體積高功率密度的電源系統(tǒng)中尤為重要。比如，適配器電源、模塊電源、服務(wù)器用電源等。近年來(lái)，第三代GaN半導(dǎo)...

2023-06-23 標(biāo)簽：MOSFET 服務(wù)器 GaN 2.2k 0

GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計(jì)算（上）

DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半導(dǎo)體缺陷和雜質(zhì)性質(zhì)的第一性原理計(jì)算模擬...

2023-05-25 標(biāo)簽：GaN DASP HSE 2.2k 1

48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用

對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻和高效設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于...

2022-07-26 標(biāo)簽：FET GaN 電源系統(tǒng) 2.2k 0

改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時(shí)間

在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時(shí)間 (SCWT)。

2024-05-09 標(biāo)簽：功率器件 GaN HEMT 2.2k 0

QR-Lock控制技術(shù)的65W GaN高集成快充套片

本期，芯朋微技術(shù)團(tuán)隊(duì)為各位fans分享原副邊全集成的65W快充方案，該方案由PN8783、PN8307P套片組成，PN8783具有卓越的環(huán)路穩(wěn)定性、高功...

2022-11-03 標(biāo)簽：MOSFET GaN 快充 2.2k 0

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藍(lán)牙5

藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣龋h(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱(chēng)，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類(lèi)也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī)開(kāi)始大行其道。
智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛(ài)的家庭生活方式。
智能工業(yè)

智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類(lèi)終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
Keysight

Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過(guò)在無(wú)線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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nRF52832

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無(wú)線收發(fā)模塊

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無(wú)線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

三星公司

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三星集團(tuán)是韓國(guó)最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國(guó)家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬(wàn)人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
Elektron

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樂(lè)鑫

樂(lè)鑫

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樂(lè)鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專(zhuān)業(yè)的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
WiGig

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WiGig（Wireless Gigabit，無(wú)線千兆比特）是一種更快的短距離無(wú)線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
lorawan

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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來(lái)說(shuō)LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
KeyStone

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5G毫米波

5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿足未來(lái)無(wú)線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
802.11ax

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JN5168

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ZigBee3.0

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貼片天線

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射頻元件

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無(wú)線設(shè)備

無(wú)線設(shè)備

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無(wú)線設(shè)備一般指無(wú)線電通信設(shè)備艦艇上利用無(wú)線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱(chēng)為遠(yuǎn)距離無(wú)線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
LTE-Advanced

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超外差接收機(jī)

超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無(wú)中心、無(wú)路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷(xiāo)售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱(chēng)。英文全稱(chēng)為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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