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#參考設計#用于工業(yè)應用的60W雙輸出反激式電源（使用InnoMux2-EP（1700V PowiGaN））

60 W反激式轉換器，具有兩個獨立調(diào)節(jié)的CV輸出，使用基于1700 V PowiGaN的InnoMux2-EP（IMX2353F-H415），用于具有高...

2024-11-19 標簽：反激式電源 GaN 工業(yè)電源 2k 0

用于碳化硅的Aehr測試系統(tǒng)的技術差距

Advantes和 Teradyne最知名的是自動化測試設備。許多其他事情中，ATE工具取出探針卡，將它們與晶圓上的芯片完美對齊，并與晶圓上的電路進行物...

2023-04-04 標簽：SiC GaN 半導體制造 2k 0

一種陽極連接P型埋層的AlGaN/GaN肖特基二極管

最近，AlGaN/GaN肖特基二極管（SBD）受到了越來越多的關注。該器件具有關斷速度快、擊穿電壓高導通電阻小等特點，因而被業(yè)界廣泛地認為是下一代功率器...

2023-02-13 標簽：二極管功率器件 GaN 2k 0

新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)

高比例新能源的技術挑戰(zhàn)在于抗擾性弱，暫態(tài)電壓失穩(wěn)，慣量缺失。新能源滲透率提高，電網(wǎng)強度下降，暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構網(wǎng)技術是解...

2023-12-06 標簽：電力系統(tǒng)IGBT 功率器件 2k 0

二維材料異質(zhì)外延GaN及其應用探索

傳統(tǒng)的GaN異質(zhì)外延主要在藍寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底，在剝離的過程中，如藍寶石就特別困難，會產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本，且剝離技術也有待進一步提高。

2024-03-28 標簽：功率器件石墨烯 GaN 2k 0

量產(chǎn)GaN晶圓的KABRA工藝流程

半導體制造設備廠商DISCO Corporation（總部：東京都大田區(qū)；總裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一種使用激光加工的晶錠切片...

2023-08-25 標簽：半導體晶圓功率器件 2k 0

什么是LiDAR？LiDAR技術的新時代前景廣闊未來可期

什么是LiDAR？ ? LiDAR 是Light Detection And Ranging（激光探測與測距）的縮寫，是使用近紅外光、可見光或紫外光照射...

2024-05-16 標簽：GaN Rohm 激光探測技術 2k 0

安森美垂直GaN技術賦能功率器件應用未來

在傳統(tǒng)橫向結構的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結構使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在...

2025-12-04 標簽：安森美功率器件 GaN 1.9k 0

如何用一個Hercules微控制器來驅(qū)動GaN功率級

今天的博文是一個動手操作項目：你將用一個氮化鎵（GaN）功率級、一個Hercules? 微控制器和一個滾輪來調(diào)節(jié)一盞燈的亮度。我將會談到其中的硬件和...

2022-02-06 標簽：微控制器硬件 GaN 1.9k 0

車規(guī)級氮化鎵（GaN）技術有何優(yōu)勢？

作為電力電子領域的核心技術之一，基于GaN的電能轉換技術在消費電子、數(shù)據(jù)中心等領域有廣泛應用，這對提高電能的高效利用及實現(xiàn)節(jié)能減排起著關鍵作用。

2023-06-29 標簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵 GaN 1.9k 0

電源管理芯片U8733產(chǎn)品概述

驅(qū)動電流分檔功能?是指通過配置不同的分壓電阻值來調(diào)節(jié)驅(qū)動電流的檔位，從而優(yōu)化系統(tǒng)的EMI性能和效率。這種功能通常集成在電源管理芯片中，如電源管理芯片U8...

2024-12-30 標簽：封裝 FET GaN 1.9k 0

GaN和SiC功率器件的最佳用例

碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下...

2022-07-29 標簽：充電器功率器件 SiC 1.9k 0

多孔GaN的結構和光學特性

摘要本文報道了鉑輔助化學化學蝕刻制備的多孔氮化鎵的結構和光學性能。掃描電鏡圖像顯示，孔隙的密度隨著蝕刻時間的增加而增加，而蝕刻時間對孔隙的大小和形狀沒...

2022-04-27 標簽：光學 GaN 1.9k 0

基于GAN先驗的退化感知特征插值人臉修復網(wǎng)絡

人臉修復是一種典型的ill-posed問題、可逆圖像修復問題，其解不唯一且必存在。高度退化和多退化的場景下，高質(zhì)量的人臉修復明顯更具有挑戰(zhàn)性。

2023-02-23 標簽：編碼器 GaN 圖像編碼 1.9k 0

GaN基耐輻射DC/DC變換器在衛(wèi)星應用中提高效率

在過去幾年中，航天市場通過采用以前在空間系統(tǒng)中看不到的新技術，朝著更高效的電源解決方案發(fā)展。空間硬件受到惡劣環(huán)境條件的影響，包括電離輻射，因此必須使用抗...

2023-05-25 標簽：轉換器變換器衛(wèi)星 1.9k 0

使用 GaN 器件可以減小外置醫(yī)用 AC/DC 電源的體積

作者：Bill Schweber 投稿人：DigiKey 北美編輯盡管電池技術和低功耗電路不斷取得進步，但對于許多應用來說，完全不依賴純電池設計可能是...

2024-02-13 標簽：電源 DC GaN 1.9k 0

氮化鎵E-HEMT器件在反激快充應用中的測試對比

隨著GaN器件在一線品牌（小米、OPPO、華為、VIVO、聯(lián)想等）大功率適配器等應用場景的優(yōu)勢展示和產(chǎn)品推出，推動了GaN器件在更廣泛的電源領域的使用，...

2023-02-02 標簽：適配器 GaN 電源系統(tǒng) 1.9k 0

氮化鎵晶體管的優(yōu)勢

當今市場上有許多晶體管選擇，它們將各種技術與不同的半導體材料相結合。因此，縮小哪一個最適合特定設計的范圍可能會令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但...

2023-05-24 標簽：晶體管氮化鎵 GaN 1.9k 0

利用缺陷信息數(shù)據(jù)庫探索界面工程，助力GaN基肖特基勢壘二極管的研究

在電力電子器件的外延生長和器件制備過程中，特別是對于具有凹槽結構的GaN基肖特基勢壘二極管（TMBS）而言，ICP刻蝕將不可避免地損傷材料的表面，產(chǎn)生大...

2022-10-08 標簽：二極管數(shù)據(jù)庫 GaN 1.9k 0

電源設計中的模擬GaN晶體管

GaN 晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 ...

2022-08-05 標簽：晶體管 GaN 1.9k 0

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