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gan技術(shù)

GaN功率放大器熱設(shè)計(jì)中金剛石的應(yīng)用解析

為了降低芯片的工作結(jié)溫,基本理念是提高芯片有源區(qū)近端封裝體的熱導(dǎo)率,通過熱傳導(dǎo)的方式將熱量迅速傳輸出去,避免熱累積效應(yīng)引起的局部溫度升高。

2022-09-07 標(biāo)簽:功率放大器衛(wèi)星通信GaN 1.9k 0

納芯微高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N產(chǎn)品介紹

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納芯微發(fā)布專為增強(qiáng)型GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N,該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路,支持自舉供電,具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動能力,可以顯著...

2025-06-09 標(biāo)簽:驅(qū)動電路氮化鎵GaN 1.9k 0

芯干線科技GaN功率器件及應(yīng)用

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第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為代表,它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的發(fā)展,第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵(GaAs)和銻化銦(InSb...

2024-08-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件GaN 1.9k 0

納芯微GaN HEMT驅(qū)動芯片NSD2017在激光雷達(dá)中的優(yōu)勢

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自動駕駛是新能源汽車智能化的重要發(fā)展方向,而具備強(qiáng)感知能力的激光雷達(dá)則是L2+及以上級別自動駕駛不可或缺的硬件設(shè)備。納芯微的單通道高速柵極驅(qū)動芯片NSD...

2024-07-01 標(biāo)簽:GaN驅(qū)動芯片激光雷達(dá) 1.9k 0

廈門大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果

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近日,廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發(fā)射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新進(jìn)展,相關(guān)成果以“Green Vertical-C...

2023-11-10 標(biāo)簽:激光器氮化鎵VCSEL 1.9k 0

航空航天領(lǐng)域中的GaN功率器件(下)

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由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰(zhàn),GaN功率器件的全面應(yīng)用至今尚未達(dá)成。但是,隨著GaN功率器件輻照強(qiáng)化及驅(qū)動方式的創(chuàng)新改良,宇航電源將會得到更大...

2024-01-05 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體GaN 1.8k 0

氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

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NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器,能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵(以下簡稱“GaN”)功率開關(guān)。之前...

2023-05-17 標(biāo)簽:柵極驅(qū)動電路氮化鎵 1.8k 0

UCG28826 中文數(shù)據(jù)手冊 具有集成式 GaN (65W) 的自偏置高頻 QR 反激式轉(zhuǎn)換器

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UCG28826 是一款高頻準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器,內(nèi)置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管(HEMT),可將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,適用于高達(dá) 65W的電...

2025-01-21 標(biāo)簽:反激式轉(zhuǎn)換器GaN 1.8k 0

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針對寬輸出電壓應(yīng)用場合,為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...

2024-09-06 標(biāo)簽:芯片氮化鎵GaN 1.8k 0

基于GaN交錯(cuò)式臨界導(dǎo)通模式圖騰柱功率因數(shù)校正的新型數(shù)字控制策略

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2025-04-23 標(biāo)簽:功率因數(shù)數(shù)字控制GaN 1.8k 0

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高壓啟動是電源芯片在工作中啟動的一種方式,通常是在電源芯片啟動時(shí)加入一個(gè)高壓信號,使其能夠快速地進(jìn)入正常工作狀態(tài)。45W電源芯片U8765集成了高壓啟動...

2024-12-12 標(biāo)簽:驅(qū)動電路GaN電源芯片 1.8k 0

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最新的隔離式調(diào)制器通過優(yōu)化內(nèi)部模擬設(shè)計(jì)和使用最新斬波技術(shù)來改善失調(diào)和增益誤差相關(guān)的性能,這極大地簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并減少了校準(zhǔn)時(shí)間。最新ADuM770x器件...

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2022-12-30 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體電容 1.8k 0

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F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,旨在提高電力電子器件的效率,包括但不限于:...

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ICLR 2023 Spotlight:2D圖像轉(zhuǎn)換3D

本文提出的人體 NeRF 基于參數(shù)化人體模型 SMPL,它提供了方便的人體姿勢以及形狀的控制。進(jìn)行 NeRF 建模時(shí),如下圖所示,本文將人體分為 16 ...

2023-02-22 標(biāo)簽:算法圖像GaN 1.8k 0

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擴(kuò)散模型和 GAN 的混合模型最早是英偉達(dá)的研究團(tuán)隊(duì)在 ICLR 2022 上提出的 DDGAN(《Tackling the Generative Le...

2023-11-21 標(biāo)簽:GaN生成器圖像生成 1.8k 0

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氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢...

2024-10-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 1.8k 0

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氮化鎵場效應(yīng)晶體管是當(dāng)今電力電子領(lǐng)域的明星,它正在提高功率轉(zhuǎn)換效率、電機(jī)控制和功率密度,有效滿足當(dāng)前的市場需求和趨勢。

2024-07-05 標(biāo)簽:逆變器GaN瑞薩電子 1.8k 0

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GaN Systems提供RC熱阻模型,使客戶能夠使用SPICE進(jìn)行詳細(xì)的熱模擬。 模型基于有限元分析(FEA)熱模擬創(chuàng)建,并已由GaN Systems...

2025-03-11 標(biāo)簽:RCGaN熱仿真 1.8k 0

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合成金剛石因其在多種應(yīng)用中提供極致性能的卓越能力,被譽(yù)為"超級材料"。其獨(dú)特屬性可深刻改變工藝流程和終端產(chǎn)品性能,適用于半導(dǎo)體、傳感...

2025-04-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN金剛石 1.8k 0

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    樂鑫
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     hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”,中文名為“合寶堂”。什么是 HBT(heterojunction bipolar transistor)一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構(gòu)成的雙極晶體管。
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