本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。基于對(duì)市售GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀，重點(diǎn)闡述了各技術(shù)平臺(tái)的首選功率變換拓?fù)浼瓣P(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:57
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穩(wěn)壓管的結(jié)構(gòu)與特性
穩(wěn)壓管的伏安特性
2009-09-17 09:24:072817 引言 硅在歷史上一直是電子產(chǎn)品的主要材料，而光電子領(lǐng)域的工作幾乎完全依賴于GaAs和磷化銦等ⅲ-ⅴ族化合物材料。這種材料系統(tǒng)二分法的主要原因是硅的間接帶隙結(jié)構(gòu)使其發(fā)光不切實(shí)際。然而，在多孔硅中觀
2022-03-25 17:04:444123 
在多孔電極中，固相導(dǎo)電顆粒組成電子導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，分布在孔隙電解液構(gòu)成的液相離子傳輸網(wǎng)絡(luò)中，因此多孔電極中電子導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)和離子傳輸網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與電極性能密切相關(guān)。
2023-03-20 10:16:487266 半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
領(lǐng)域的熱點(diǎn)。
如圖1所示，GaN材料作為第三代半導(dǎo)體材料的核心技術(shù)之一，具有禁帶寬度高、擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、電子飽和速度高等優(yōu)勢(shì)。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開關(guān)速度快、寄生參數(shù)低等優(yōu)良特性
2023-06-25 15:59:21
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢(shì)。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動(dòng)態(tài)，對(duì)GaN 調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進(jìn)行了具體分析，并同其他微波器件進(jìn)行了比較，展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
了解光學(xué)無(wú)源器件特性
2019-06-20 15:57:20
哪位老師知道多孔USB的原理 有原理圖嗎?
2013-03-08 22:20:17
的多孔結(jié)構(gòu)的特性，在此情況下對(duì)于同樣的球形孔隙。2.吸附性能不同氣體或液體的分子直徑及熱運(yùn)動(dòng)自由度各不相同，因此，可利用同類多孔材料對(duì)不同氣體或液體吸附能力的差異特性，制備出用于凈化氣體或液體且可重復(fù)使用
2018-11-09 11:00:10
AFE4900光學(xué)結(jié)構(gòu)如何設(shè)計(jì)？
2024-11-28 07:47:21
場(chǎng)景提供高性價(jià)比的全國(guó)產(chǎn)解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破：
GaN（氮化鎵）作為寬禁帶半導(dǎo)體，電子遷移率（2000cm2/Vs）和飽和漂移速度（2.5×10?cm/s）遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基器件
2025-10-22 09:09:58
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
你好能說(shuō)一下 多孔USB原理圖嗎
2013-03-10 20:47:40
波導(dǎo)耦合器由于低插損，高功率，高定向性微波通信，測(cè)試測(cè)量等場(chǎng)合有大量的使用。同時(shí)波導(dǎo)耦合器由于是三維結(jié)構(gòu)，耦合方式多種多樣（寬邊/窄邊/多路/平行/交叉耦合），其中應(yīng)用非常廣泛的一種結(jié)構(gòu)是貝茲孔
2019-06-26 06:11:35
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測(cè)量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
各向異性（晶體）化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù)，其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是：（1）具有原子級(jí)光滑面的光學(xué)設(shè)備（波導(dǎo)、激光器）減少損失（2）MEMS，其中幾何形狀可以通過(guò)
2021-07-08 13:09:52
鎵(Ga) 是一種化學(xué)元素，原子序數(shù)為31。鎵在自然界中不存在游離態(tài)，而是鋅和鋁生產(chǎn)過(guò)程中的副產(chǎn)品。GaN 化合物由鎵原子和氮原子排列構(gòu)成，最常見(jiàn)的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)（如下圖所示）呈六
2019-08-01 07:24:28
板子內(nèi)部好多孔，槽，要一個(gè)一個(gè)選中轉(zhuǎn)化為板切 么？沒(méi)有便捷的方法么？
2019-08-01 23:49:42
（1200°C，2分鐘）對(duì)表面的損傷?！ D5. 在Algan/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中，ITO和硅注入?yún)^(qū)之間形成了良好的歐姆接觸?！ D6. 測(cè)得的直流性能，包括（a）帶有ITO源/漏（S/D）和柵電極的GaN晶體管的輸出（b）特性。
2020-11-27 16:30:52
什么是GaN？如何面對(duì)GaN在測(cè)試方面的挑戰(zhàn)？
2021-05-06 07:52:03
光纖連接器的基本結(jié)構(gòu)，有什么特性？
2021-05-26 06:24:01
【摘要】：將兩種分別具有正負(fù)雙折射特性的缺陷結(jié)構(gòu)相結(jié)合,在一定波長(zhǎng)范圍內(nèi),設(shè)計(jì)了一種拍長(zhǎng)對(duì)波長(zhǎng)變化不敏感的多孔雙折射光纖。設(shè)計(jì)方案從均勻分布圓形微孔的光纖端面出發(fā),將靠近中心的一對(duì)微孔的半徑增大
2010-04-24 10:12:19
的Littrow配置
我們?cè)谶@里提供了一個(gè)根據(jù)Littrow配置的光學(xué)裝置，而且通過(guò)一些編程，即使在波長(zhǎng)或光柵周期的變化下，也能保持光柵的最佳位置。
高效偏振無(wú)關(guān)傳輸光柵的分析與設(shè)計(jì)
我們演示了如何嚴(yán)格分析二元光柵的偏振相關(guān)特性，以及如何優(yōu)化二元光柵的結(jié)構(gòu)，以獲得與偏振無(wú)關(guān)的高衍射效率。
2025-01-11 13:19:56
)藍(lán)寶石制作圖形藍(lán)寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進(jìn)行MOCVD制作GaN基發(fā)光二極管(LED)外延片;最終,進(jìn)行芯片制造和測(cè)試。PSS的基本結(jié)構(gòu)為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm
2010-04-22 11:32:16
在過(guò)去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
混合SET/MOSFET 結(jié)構(gòu)與特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合結(jié)構(gòu)的傳輸特性去設(shè)計(jì)數(shù)值比較器？
2021-04-13 07:12:01
GaN PA 設(shè)計(jì)？）后，了解I-V 曲線（亦稱為電流-電壓特性曲線）是一個(gè)很好的起點(diǎn)。本篇文章探討I-V 曲線的重要性，及其在非線性GaN 模型（如Modelithics Qorvo GaN 庫(kù)里的模型）中的表示如何精確高效的完成GaN PA中的I-V曲線設(shè)計(jì)？
2019-07-31 06:44:26
Molex推出了新的FlexPlane光學(xué)柔性線路布線結(jié)構(gòu)，用于背板和交叉連接系統(tǒng)中高光纖數(shù)的互連。 作為密度最大和最通用的互連系統(tǒng)之一，Molex的FlexPlanet提供完全可定制的卡
2018-08-30 10:38:23
3至10倍，但需要優(yōu)化驅(qū)動(dòng)器和控制器拓?fù)?。圖騰柱AC/DC轉(zhuǎn)換器是一種不適用于硅片的拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)，可受益于GaN的低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)和低輸出電容，從而提供三倍高的功率密度。諸如零電壓和零電流開關(guān)這樣
2018-11-20 10:56:25
結(jié)構(gòu)相同的出色開關(guān)特性。一般來(lái)說(shuō)，GaN晶體管的失效機(jī)理在過(guò)去十年中已經(jīng)得到了密切的研究，并在許多論文中進(jìn)行了討論。現(xiàn)在讓我們回顧松下X-GaN晶體管可靠性的最重要方面。 可靠性 為了保證
2023-02-27 15:53:50
GPIO基本結(jié)構(gòu)目錄文章目錄GPIO基本結(jié)構(gòu)目錄M4的IO口基本結(jié)構(gòu)特性輸入通道輸出通道4種輸入模式輸入浮空輸入上拉輸入下拉模擬模式4種輸出模式開漏輸出模式開漏復(fù)用輸出模式推挽輸出模式推挽復(fù)用輸出
2022-02-28 06:04:54
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
納米結(jié)構(gòu)的幾何形狀只要滿足特定條件，并匹配入射光的波長(zhǎng)，就能夠大幅提高光學(xué)傳感器的靈敏度。這是因?yàn)榫植考{米結(jié)構(gòu)可以極大地放大或減少光的電磁場(chǎng)。據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，由Christiane Becker
2018-10-30 11:00:20
特性：可以看到，GaN和Si的熱導(dǎo)率基本差異不大，但是GaN可以比Si能擁有更高的結(jié)溫。因此，同時(shí)良好的熱導(dǎo)率加上更高的熱耐受力共同提升了器件的使用壽命和可靠性。GaN器件優(yōu)越的性能也其器件結(jié)構(gòu)有極
2021-12-01 13:33:21
反復(fù)充放電數(shù)十萬(wàn)次。它具有充電時(shí)間短、使用壽命長(zhǎng)、溫度特性好、節(jié)約能源和綠色環(huán)保等特點(diǎn)。超級(jí)電容器用途廣泛，可以全部或部分替代傳統(tǒng)的蓄電池?！ 〕?jí)電容器結(jié)構(gòu) 超級(jí)電容器的結(jié)構(gòu)是由高比表面積的多孔
2020-12-17 16:42:12
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)是當(dāng)前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。過(guò)去，PA 設(shè)計(jì)以大致的起點(diǎn)開始并運(yùn)用大量
2018-08-04 14:55:07
采用溶膠－凝膠法和超臨界干燥工藝制備而成的氣凝膠是一種新型的多孔非晶固態(tài)材料，具有獨(dú)特的納米多孔網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)以及極低的密度、高比表面積和高孔隙率等特性，蘊(yùn)藏著廣
2009-04-26 22:26:34
56 通過(guò)對(duì)陽(yáng)極氧化多孔Al2O3 薄膜感濕材料的制備工藝及其電容濕敏特性進(jìn)行研究,將陽(yáng)極氧化參數(shù)對(duì)多孔Al2O3 薄膜的結(jié)構(gòu)和形態(tài)的影響與多孔Al2O3 薄膜作為濕度傳感器感濕材料的濕敏特
2009-06-22 11:24:5013 多孔硅在光電子和傳感器領(lǐng)域是一種具有重要應(yīng)用價(jià)值的材料, 多孔硅網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的形狀紋理直接影響其光學(xué)和熱學(xué)性能。運(yùn)用數(shù)字圖像處理分析方法對(duì)多孔硅結(jié)構(gòu)電子顯微鏡圖像(SEM)
2009-06-30 08:34:1015 研究了往復(fù)式多孔介質(zhì)燃燒器在冷態(tài)條件下氣流在其中的流動(dòng)特性規(guī)律。在多孔介質(zhì)的類型和運(yùn)行溫度不變的情況下，往復(fù)式多孔介質(zhì)燃燒器的壓降與空截面流速的平方成正比，與
2009-12-28 16:36:388 采用混合基表示的第一原理贗勢(shì)方法, 計(jì)算了閃鋅礦結(jié)構(gòu)的GaN (001) (1×1) 干凈表面的電子結(jié)構(gòu). 分析了得到的各原子分態(tài)密度、面電荷密度分布以及表面能帶結(jié)構(gòu)等性質(zhì), 比較了GaN (001)
2010-01-04 12:23:3211 金納米殼球體的光學(xué)特性及其應(yīng)用設(shè)計(jì)
金納米殼球體是一種球狀分層的納米復(fù)合物顆粒, 由薄的金殼和絕緣體核組成. 在納米殼球體的核-殼結(jié)構(gòu)中, 其等離激元
2010-02-26 16:45:1025 表面光源光學(xué)特性測(cè)試機(jī)
2010-02-27 09:09:3817 小功率LED光源封裝光學(xué)結(jié)構(gòu)的MonteCarlo模擬及實(shí)驗(yàn)分析
摘要：采用MonteCarlo方法對(duì)不同光學(xué)封裝結(jié)構(gòu)的LED進(jìn)行模擬，建立了小功率LED的仿真模型，應(yīng)用空間二次曲
2010-06-04 15:55:3518 LED電子顯示屏是利用化合物材料制成pn結(jié)的光電器件。它具備pn結(jié)結(jié)型器件的電學(xué)特性：I-V特性、C-V特性和光學(xué)特性：光譜響應(yīng)特性、發(fā)光光強(qiáng)指向特性、時(shí)間特性以及熱學(xué)特
2010-06-24 08:54:5258 光學(xué)冷加工行業(yè)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整的主要趨勢(shì)是：發(fā)達(dá)國(guó)家已基本退出冷加工，向現(xiàn)代光電技術(shù)和光學(xué)設(shè)計(jì)領(lǐng)域集中；中國(guó)成為繼臺(tái)灣之后全世界最大規(guī)模的光學(xué)冷加工產(chǎn)能承接地和
2010-12-28 17:16:220 摘要:開發(fā)了光學(xué)鏡頭結(jié)構(gòu)智能化設(shè)計(jì)系統(tǒng),以黑盒構(gòu)件技術(shù)為主導(dǎo)設(shè)計(jì)思想,采用VC + + 語(yǔ)言自主開發(fā)了光學(xué)設(shè)計(jì)軟件和機(jī)械設(shè)計(jì)軟件,利用AutoCAD/ Auto IS 系統(tǒng)提供的接口函數(shù),實(shí)現(xiàn)
2011-01-04 17:34:160 激光加工多孔端面機(jī)械密封
摘 要：介紹了激光加工多孔端面機(jī)械密封的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，闡述了激光加工多孔端面機(jī)械密封的工作原理，指出端面微孔
2009-05-15 22:36:201408 
粉末多孔電極
粉末多孔電極
1，粉末多孔電極的優(yōu)點(diǎn)：
①于粉末電極的多孔性，可大大增加電極的比表面，減小電極通過(guò)的真實(shí)電流密度，
2009-11-05 17:24:431928 氯化鋰濕敏電阻器的結(jié)構(gòu)及特性
氧化鋰濕敏電阻器屬電解質(zhì)類濕敏元件。氯化鈕( LiCl) 是一種吸濕鹽類，將它涂在有機(jī)絕緣基體上，或用多孔性合成樹脂漫透氯化鋰
2009-11-30 09:01:573414 摘 要 提出一種用于SO2監(jiān)測(cè)的多孔硅光學(xué)傳感方案,其原理是以光催化氫化硅烷化處理的多孔硅作為敏感材料,根據(jù)多孔硅光致發(fā)光峰猝滅程度與SO2濃度間定量關(guān)系,實(shí)現(xiàn)SO2傳感。實(shí)驗(yàn)采用電化學(xué)方法將n2型單晶硅腐蝕形成多孔硅并進(jìn)行氫化硅烷化處理,獲得敏感膜層;研
2011-02-16 22:11:1731 對(duì)多孔硅施加陽(yáng)極氧化表面處理技術(shù),可有效解決多孔硅干燥時(shí)出現(xiàn)龜裂及坍塌,破壞原有多孔硅的形貌和本質(zhì)的問(wèn)題.陽(yáng)極氧化表面處理技術(shù)就是使用少量的負(fù)離子作用于多孔硅表面,滿足
2011-06-24 16:28:380 該模型利用多孔固體中的蜂窩單元構(gòu)建柔性物體,將受表面壓力影響的三維空間細(xì)化為蜂窩形狀,基于結(jié)構(gòu)力學(xué)中的標(biāo)準(zhǔn)梁理論獲得蜂窩單元形變和作用力關(guān)系的解析表達(dá)式,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)基于
2012-03-22 17:06:5217 功率AlGaN_GaN肖特基二極管結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)_徐儒
2017-01-08 10:30:292 光學(xué)鼠標(biāo)的結(jié)構(gòu)和原理
2017-11-23 10:50:189 鎵(Ga)是一種化學(xué)元素，原子序數(shù)為31。鎵在自然界中不存在游離態(tài)，而是鋅和鋁生產(chǎn)過(guò)程中的副產(chǎn)品。 GaN 化合物由鎵原子和氮原子排列構(gòu)成，最常見(jiàn)的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。GaN-on-SiC在射頻應(yīng)用中
2017-11-22 10:41:029988 GaN是極穩(wěn)定的化合物，又是堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)約為1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大氣壓力下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。它在一個(gè)元胞中有4個(gè)原子，原子體積大約為GaAs的一半。因?yàn)槠溆捕雀?，又是一種良好的涂層保護(hù)材料。
2017-12-19 15:22:230 從硅碳復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)出發(fā)，可將目前研究的硅碳復(fù)合材料分為包覆結(jié)構(gòu)和嵌入結(jié)構(gòu)。其中，包覆結(jié)構(gòu)是在活性物質(zhì)硅表面包覆碳層，緩解硅的體積效應(yīng)，增強(qiáng)其導(dǎo)電性。根據(jù)包覆結(jié)構(gòu)和硅顆粒形貌，包覆結(jié)構(gòu)可分為核殼型、蛋黃-殼型以及多孔型。
2018-01-09 11:13:3110101 
針對(duì)多孔金屬纖維燒結(jié)板這一新型功能材料的多尺度形貌建模問(wèn)題，基于機(jī)械加工表面微觀形貌中存在的自仿射分形特性，拓展前期發(fā)展的三周期極小化曲面與Weierstrass-Mandelbrot分形幾何快速
2018-01-09 18:27:261 化學(xué)蝕刻法是利用酸、堿、氧化物等化學(xué)試劑對(duì)石墨烯片層進(jìn)行化學(xué)刻蝕使其產(chǎn)生面內(nèi)孔的方法。圖4a展示了采用多金屬氧酸鹽衍生的金屬氧化物刻蝕，可以得到面內(nèi)多孔石墨烯材料，石墨烯片層上的孔徑約為20–50
2020-04-02 14:39:2610586 
多孔材料通常用于噪音控制?？蒲腥藛T在不同多孔材料的吸聲特性方面已經(jīng)進(jìn)行了許多研究。根據(jù)孔的互連性，多孔材料通?？煞譃殚_孔結(jié)構(gòu)和閉孔結(jié)構(gòu)。對(duì)多孔材料聲學(xué)應(yīng)用的現(xiàn)有文獻(xiàn)表明，開孔結(jié)構(gòu)具有更好的吸聲性能
2020-08-19 10:37:551367 LED是利用化合物材料制成pn結(jié)的光電器件,具備光學(xué)和熱學(xué)特性。
2021-05-05 08:25:007141 為了設(shè)計(jì)符合工程設(shè)計(jì)參數(shù)要求的多孔結(jié)構(gòu)模型，提出一種孔隙表征參數(shù)驅(qū)動(dòng)的多孔結(jié)構(gòu)建模思路，并以增材制造制備成形。首先，針對(duì)三周期極小化曲面（TPMS）的4種常用類型（PDGI-WP），研究了TPMS
2021-04-29 15:11:184 引言 我們研究了四種硅在高頻水溶液中的陽(yáng)極電流-電勢(shì)特性。根據(jù)不同電位陽(yáng)極氧化的樣品的表面條件，電流-電位曲線上通常有三個(gè)區(qū)域：電流隨電位指數(shù)變化區(qū)域的多孔硅形成，恒流區(qū)域的硅的電泳拋光，以及
2021-12-28 16:40:161563 
硅在歷史上一直是電子產(chǎn)品的主要材料，而光電子領(lǐng)域的工作幾乎完全依賴于GaAs和磷化銦等ⅲ-ⅴ族化合物材料。這種材料系統(tǒng)二分法的主要原因是硅的間接帶隙結(jié)構(gòu)使其發(fā)光不切實(shí)際。然而，在多孔硅中觀察到的室溫可見(jiàn)光致發(fā)光1 (PL)已經(jīng)證明了用于光電應(yīng)用的實(shí)用、高效硅基發(fā)射器的潛力。
2022-04-08 14:49:041025 
與主流的復(fù)雜光學(xué)活細(xì)胞生物傳感技術(shù)（如 SPR 和 RWG）相比，基于GaN光學(xué)芯片的生物顯微傳感系統(tǒng)，極大地降低了生物傳感器的設(shè)計(jì)、制造和實(shí)際使用中的技術(shù)門檻。
2022-04-29 10:29:503459 
對(duì)于GaN開關(guān)，需要仔細(xì)設(shè)計(jì)其門極驅(qū)動(dòng)電路，以實(shí)現(xiàn)更高能效、功率密度及可靠性。此外，謹(jǐn)慎的布板，使用專用驅(qū)動(dòng)器如安森美半導(dǎo)體的NCP51820，及針對(duì)高低邊驅(qū)動(dòng)器的一系列特性，確保GaN器件以最佳性能工作。
2022-05-09 15:01:323749 
多孔材料具有多孔和高比表面積的特點(diǎn)，在電極載體方面有著重要的應(yīng)用。
2022-07-10 14:34:032145 多孔石墨烯是指在二維基面上具有納米級(jí)孔隙的碳材料，是近年來(lái)石墨烯缺陷功能化的研究熱點(diǎn)。多孔石墨烯不僅保留了石墨烯優(yōu)良的性質(zhì)，而且相比惰性的石墨烯表面，孔的存在促進(jìn)了物質(zhì)運(yùn)輸效率的提高，特別是原子級(jí)別的孔可以起到篩分不同尺寸的離子/分子的作用。
2022-11-06 21:50:503592 由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢(shì)在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:216119 
到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結(jié)構(gòu)，它們分別為纖鋅礦（Wurtzite）、閃鋅礦（Zincblende）和巖鹽礦（Rocksalt）。通常的情況下纖鋅礦是最穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。目前學(xué)術(shù)上在薄膜的外延
2023-04-29 16:41:0033369 
? 任何一種光學(xué)儀器的用途和使用條件必然會(huì)對(duì)它的光學(xué)系統(tǒng)提出一定的要求，因此，在我們進(jìn)行光學(xué)設(shè)計(jì)之前一定要了解對(duì)光學(xué)系統(tǒng)的要求。這些要求概括起來(lái)有以下幾個(gè)方面。 一、光學(xué)系統(tǒng)的基本特性 光學(xué)
2023-06-14 10:17:442635 GaN開始為人所知是在光電LED市場(chǎng)，廣為人知?jiǎng)t是在功率半導(dǎo)體的消費(fèi)電子快充市場(chǎng)。但實(shí)際上，GaN最初在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的目標(biāo)據(jù)說(shuō)是新能源汽車市場(chǎng)，而非消費(fèi)電子市場(chǎng)。
2023-06-29 11:43:491084 
摘要 ：變形光學(xué)系統(tǒng)具有雙平面對(duì)稱性，其在兩個(gè)對(duì)稱面內(nèi)的焦距不同。利用變形光學(xué)系統(tǒng)能夠在使用常規(guī)尺寸傳感器的情況下獲得更寬的視場(chǎng)。本文根據(jù)變形光學(xué)系統(tǒng)的一階像差特性，提出了一種設(shè)計(jì)折反式變形光學(xué)
2023-07-31 15:15:381913 
該傳感器的主要結(jié)構(gòu)為頂部柔性背光層，中間是半透明多孔橡膠制成的壓敏層，底部是薄膜柔性成像器。當(dāng)施加壓力時(shí)，多孔橡膠的變形將導(dǎo)致橡膠間隙和發(fā)光位置的改變。
2023-09-20 14:57:151362 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來(lái)降低功率并簡(jiǎn)化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進(jìn)的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:111555 
近日，中科院上海光機(jī)所高功率激光元件技術(shù)與工程部吳衛(wèi)平研究員團(tuán)隊(duì)采用飛秒激光結(jié)合模板法，構(gòu)筑了內(nèi)部孔隙精準(zhǔn)可控且獨(dú)立支撐的多孔石墨烯薄膜，在自支撐多孔碳薄膜表面構(gòu)筑三維陣列化石墨烯微結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了光譜
2023-12-12 11:32:391246 
多孔超級(jí)石墨烯在學(xué)術(shù)界通常被稱為多孔石墨烯（hG），它已經(jīng)過(guò)完善，可以滿足高科技領(lǐng)域的要求，有望加速進(jìn)步并推動(dòng)進(jìn)步。
2023-12-12 13:59:581577 報(bào)告內(nèi)容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)
GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
2023-12-14 11:06:58897 
光學(xué)諧振器是一種光學(xué)元件，其結(jié)構(gòu)通常由兩個(gè)反射鏡構(gòu)成。這兩個(gè)反射鏡之間形成一個(gè)光學(xué)腔，光學(xué)腔內(nèi)的光波會(huì)來(lái)回在兩個(gè)反射鏡之間反射，從而形成光學(xué)諧振。光學(xué)諧振器的作用是通過(guò)增強(qiáng)特定波長(zhǎng)的光信號(hào)，從而在光學(xué)器件中實(shí)現(xiàn)濾波、放大或產(chǎn)生激光等功能。
2023-12-26 18:06:561643 光學(xué)諧振器的結(jié)構(gòu)和作用 光學(xué)諧振器是一種用于控制和加強(qiáng)光信號(hào)的設(shè)備。它通過(guò)在內(nèi)部產(chǎn)生共振現(xiàn)象來(lái)增加光的傳輸效率和增益，并且可以選擇性地傳輸或反射特定波長(zhǎng)的光。光學(xué)諧振器在許多應(yīng)用中起著重要的作用
2024-02-02 11:34:453015 和更低的導(dǎo)通電阻，因此在高頻、高功率和高溫應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)。 GaN MOSFET器件結(jié)構(gòu) GaN MOSFET的基本結(jié)構(gòu)包括以下幾個(gè)部分： 1.1 襯底：GaN MOSFET通常采用硅或碳化硅作為襯底
2024-07-14 11:39:364189 GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來(lái)在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì)，融合了多種材料和工藝，以實(shí)現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:063440 膨體聚四氟乙烯膜，簡(jiǎn)稱ePTFE膜，作為一種獨(dú)特的微多孔材料，在現(xiàn)代科技和工業(yè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了其非凡的特性和廣泛的應(yīng)用前景。這種材料以其卓越的性能，在醫(yī)療、消費(fèi)電子電器、農(nóng)業(yè)包裝、新能源電動(dòng)汽車等多個(gè)
2024-08-30 12:08:302037 
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2024-09-12 10:01:200 LED光源的光學(xué)特性解析照明技術(shù)經(jīng)歷了從早期的白熾燈、熒光燈、金鹵燈的演變，到現(xiàn)在LED技術(shù)的蓬勃發(fā)展，照明行業(yè)一直在不斷突破新的高度。LED光源以其出色的能源效率、可靠性、長(zhǎng)久的使用壽命和環(huán)保優(yōu)勢(shì)
2024-11-04 12:54:152152 
一、引言
隨著觸控顯示技術(shù)的發(fā)展，內(nèi)藏式觸控高分子分散液晶結(jié)構(gòu)的光學(xué)復(fù)合結(jié)構(gòu)憑借其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，在智能終端等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，在生產(chǎn)與使用過(guò)程中，液晶線路易出現(xiàn)故障，研究其修復(fù)技術(shù)對(duì)提升產(chǎn)品
2025-04-30 14:44:55556 
多孔碳材料通過(guò)微觀結(jié)構(gòu)優(yōu)化提升超級(jí)電容器性能，結(jié)合創(chuàng)新制備工藝和器件設(shè)計(jì)，推動(dòng)能源存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展，但仍面臨產(chǎn)業(yè)化挑戰(zhàn)。
2025-08-04 09:18:00666 
在鋰離子電池能量密度與功率特性的迭代升級(jí)中，多孔電極的電化學(xué)性能已成為核心制約因素。多孔電極的三維孔隙結(jié)構(gòu)通過(guò)調(diào)控離子傳輸路徑、反應(yīng)界面面積等參數(shù)，直接決定電池的充放電效率與循環(huán)壽命。光子灣科技依托
2025-08-05 17:47:39963 
，如何最大化利用納米光學(xué)結(jié)構(gòu)的等離子共振效應(yīng)，使得低濃度、低樣本量目標(biāo)分子在生物免疫實(shí)驗(yàn)中達(dá)到更高的檢測(cè)信號(hào)強(qiáng)度是技術(shù)創(chuàng)新的關(guān)鍵。本項(xiàng)研究通過(guò)三維納米級(jí)制造方法，批量化制造具有宏觀陣列結(jié)構(gòu)與納米級(jí)金屬孔徑的納米多孔金柱
2025-09-10 17:37:191285 
GaN-MOSFET 的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案，分別適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景，核心差異體現(xiàn)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、性能特點(diǎn)和適用范圍上。
2025-10-14 15:28:15676 
光學(xué)像差是光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)與應(yīng)用中的核心概念，指光線在通過(guò)透鏡或鏡面時(shí)偏離理想成像路徑，導(dǎo)致圖像質(zhì)量下降的現(xiàn)象。這些像差源于光學(xué)元件的幾何形狀、材料特性以及光線傳播規(guī)律的物理極限。本文從基本原理
2025-12-05 17:12:41394 
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