結(jié)構(gòu)。因此，<100>硅的各向異性蝕刻是普通基于MEMS的技術(shù)中實(shí)現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵過程。這些結(jié)構(gòu)包括晶體管的v形凹槽、噴墨的小孔和MEMS壓力傳感器的隔膜。實(shí)際的反應(yīng)機(jī)理尚不清楚，該過程
2022-03-08 14:07:25
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的蝕刻溶液內(nèi)進(jìn)行蝕刻。（圖3、圖4） 在連接到陽兢的半導(dǎo)體硅基板上，將連接到陰極的鉑線纏繞在夾子上的鉑電極對(duì)向，在夾子中放入氮?dú)馀菖?，通過該泡泡注入地素的半導(dǎo)體硅基板的蝕刻方法，一種半導(dǎo)體硅基板的蝕刻方法，使氮?dú)馀菽髋c
2022-03-24 16:47:484409 
察到的室溫可見光致發(fā)光1 (PL)已經(jīng)證明了用于光電應(yīng)用的實(shí)用、高效硅基發(fā)射器的潛力。 多孔硅層已經(jīng)由(100)取向的n型硅片制備。用掃描電鏡、紅外光譜和熒光光譜表征了多孔硅的形態(tài)和光學(xué)性質(zhì)。研究了陽極氧化溶液中不同蝕刻時(shí)間對(duì)多孔硅結(jié)
2022-03-25 17:04:444123 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對(duì)硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測(cè)到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅蝕刻速率。
2022-04-22 14:06:011908 
本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡單技術(shù)，通過使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽，與該技術(shù)一起使用的某些溶液的蝕刻各向異性大于600∶1
2022-05-05 10:59:151463 
引起的，濕法清洗和干法蝕刻清洗工藝被用于去除多晶硅蝕刻殘留物，這可能影響電特性和進(jìn)一步的器件工藝。XPS結(jié)果表明，濕法清洗適用于蝕刻殘留物的去除。
2022-05-06 15:49:501922 
接上回的實(shí)驗(yàn)演示 ? 實(shí)驗(yàn)演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設(shè)計(jì)和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移； 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑； 3.去除氧化物掩模并進(jìn)一步各向異性蝕刻以
2022-05-11 14:49:581342 
在硝酸和氫氟酸的混合溶液中，不同濃度的硝酸對(duì)硅片總厚度和重量損失、腐蝕速率、形貌和結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果表明，總厚度和失重率隨著硝酸濃度和腐蝕時(shí)間的增加而增加。硝酸濃度越高，蝕刻速度越快，蝕刻時(shí)間越長，蝕刻
2022-06-14 13:54:301646 
本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴?b class="flag-6" style="color: red">硅微米和納米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來沉積二氧化硅，以產(chǎn)生硬掩模
2022-07-08 15:46:162154 
蝕刻機(jī)理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強(qiáng)含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因?yàn)椴煌娴腟i原子
2022-07-11 16:07:222920 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們?cè)谀承┓较蛏系?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:065995 
在多孔電極中，固相導(dǎo)電顆粒組成電子導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，分布在孔隙電解液構(gòu)成的液相離子傳輸網(wǎng)絡(luò)中，因此多孔電極中電子導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)和離子傳輸網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與電極性能密切相關(guān)。
2023-03-20 10:16:487266 XNRGI這家初創(chuàng)公司希望打破這種局面，計(jì)劃以量產(chǎn)為目的推出“多孔”硅電池，它比傳統(tǒng)鋰離子電池有更好的能量密度和更低的制造成本，并且使用起來也更安全。
2019-07-21 17:55:454691 摘要 本文報(bào)道了鉑輔助化學(xué)化學(xué)蝕刻制備的多孔氮化鎵的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能。掃描電鏡圖像顯示，孔隙的密度隨著蝕刻時(shí)間的增加而增加，而蝕刻時(shí)間對(duì)孔隙的大小和形狀沒有顯著影響。原子力顯微鏡測(cè)量結(jié)果表明，表面
2022-04-27 16:55:321859 
超聲增強(qiáng)化學(xué)腐蝕被用來制作多孔硅層，通過使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層，發(fā)現(xiàn)超聲波改善了p型硅上多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用這種方法可以制作品質(zhì)因數(shù)高得多的多孔硅微腔，由超聲波蝕刻
2022-05-06 17:06:511776 
的沖擊韌性，應(yīng)用于汽車工業(yè)，將有效降低交通事故給乘客帶來的傷害。應(yīng)該將多孔結(jié)構(gòu)對(duì)機(jī)械性能的影響分成直接的與間接的兩種影響。例如加快（或減緩）擴(kuò)散過程，對(duì)相變的作用這類孔隙的間接影響在于會(huì)形成某些結(jié)構(gòu)。氣孔
2018-11-09 11:00:10
除了垂直，還向兩側(cè)蝕刻。隨著深度增加，兩側(cè)金屬面的蝕刻面積也在加大。開始的部分被蝕刻的時(shí)間長，向兩側(cè)蝕刻的深度也大，形成嚴(yán)重側(cè)蝕，底部蝕刻時(shí)間較短，側(cè)蝕相對(duì)輕微。側(cè)蝕能使凸面的線條或網(wǎng)點(diǎn)變細(xì)變小，反之
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
AFE4900光學(xué)結(jié)構(gòu)如何設(shè)計(jì)？
2024-11-28 07:47:21
簡述如下： 1 物理及化學(xué)方面 1）蝕刻液的濃度：應(yīng)根據(jù)金屬腐蝕原理和銅箔的結(jié)構(gòu)類型，通過試驗(yàn)方法確定蝕刻液的濃度，它應(yīng)有較大的選擇余地，也就是指工藝范圍較寬。 2）蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻
2018-09-11 15:19:38
波導(dǎo)耦合器由于低插損，高功率，高定向性微波通信，測(cè)試測(cè)量等場(chǎng)合有大量的使用。同時(shí)波導(dǎo)耦合器由于是三維結(jié)構(gòu)，耦合方式多種多樣（寬邊/窄邊/多路/平行/交叉耦合），其中應(yīng)用非常廣泛的一種結(jié)構(gòu)是貝茲孔
2019-06-26 06:11:35
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號(hào)：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
各向異性（晶體）化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù)，其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是：（1）具有原子級(jí)光滑面的光學(xué)設(shè)備（波導(dǎo)、激光器）減少損失（2）MEMS，其中幾何形狀可以通過
2021-07-08 13:09:52
還改變了濕蝕刻輪廓GaAs 與沒有表面處理的晶片相比，反應(yīng)限制蝕刻更具各向同性；簡介 光刻膠的附著力對(duì)濕蝕刻的結(jié)果以及隨后的電氣和光學(xué)器件的產(chǎn)量起著關(guān)鍵作用。有許多因素會(huì)影響光刻膠對(duì)半導(dǎo)體襯底的粘附
2021-07-06 09:39:22
損傷并平滑垂直側(cè)壁。圖中。 在 TMAH 溶液中化學(xué)拋光不同時(shí)間后的 GaN m 面和 a 面?zhèn)缺诘?SEM 圖像。(a) 六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的晶胞示意圖。(b) 鳥瞰圖（傾斜于20°) ICP 干法蝕刻
2021-07-09 10:21:36
腔體對(duì)齊的精確位置制造光學(xué)組件。硅微加工和 MEMS 加工技術(shù)都非常適合此類應(yīng)用，從而能夠創(chuàng)建可以塑造或引導(dǎo)光束的復(fù)雜微結(jié)構(gòu)。先前已經(jīng)開發(fā)出硅體微加工技術(shù)并且通常使用多種不同的蝕刻來進(jìn)行，其中
2021-07-19 11:03:23
的波長窗口獲得穩(wěn)定的拍長,且拍長值也可以根據(jù)實(shí)際需求設(shè)計(jì)調(diào)整。通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù),在1310 nm波長窗口得到了帶寬大于180 nm的平坦拍長曲線。【關(guān)鍵詞】：光纖光學(xué);;多孔光纖;;波束傳播法;;雙折射
2010-04-24 10:12:19
有人做用電化學(xué)腐蝕多孔硅的工藝嗎？本人剛開始做，想一起交流一下相關(guān)經(jīng)驗(yàn)。
2011-03-21 13:30:18
silicon photonic circuits“?；阪N離子注入的硅波導(dǎo)工藝和激光退火工藝，他們實(shí)現(xiàn)了可擦除的定向耦合器，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了可編程的硅基集成光路，也就是所謂的光學(xué)FPGA。
2019-10-21 08:04:48
，為避免上述情形發(fā)生，現(xiàn)有的解決方法大多由去除硅晶片正面邊緣上的劍山著手，使硅晶片正面能呈現(xiàn)待蝕刻結(jié)構(gòu)。如此一來，當(dāng)夾持臂夾持晶片邊緣時(shí)，所接觸到的晶片正面邊緣便是平坦?fàn)?，不?huì)發(fā)生夾斷晶片正面邊緣上的劍
2018-03-16 11:53:10
是半導(dǎo)體制造，微機(jī)械和微流控設(shè)備中的重要過程，需要微尺度的特征來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài)，這在宏觀上幾乎是不可能獲得的。由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時(shí)間來輕松控制z軸蝕刻，因此常用于分層應(yīng)用。缺點(diǎn)包括許多化學(xué)廢物，其中許多是高酸性和多步過程。
2021-01-08 10:15:01
1995年希臘科學(xué)家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外線照相技術(shù),各向異性的反應(yīng)離子刻蝕和高溫氧化的后處理工藝,首次在硅平面上刻劃了尺寸小于20nm的硅柱和 硅線的表面結(jié)構(gòu),觀察到了類似于多孔硅的光激發(fā)光現(xiàn)象。
2019-09-26 09:10:15
納米結(jié)構(gòu)的幾何形狀只要滿足特定條件，并匹配入射光的波長，就能夠大幅提高光學(xué)傳感器的靈敏度。這是因?yàn)榫植考{米結(jié)構(gòu)可以極大地放大或減少光的電磁場(chǎng)。據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，由Christiane Becker
2018-10-30 11:00:20
多孔硅在光電子和傳感器領(lǐng)域是一種具有重要應(yīng)用價(jià)值的材料, 多孔硅網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的形狀紋理直接影響其光學(xué)和熱學(xué)性能。運(yùn)用數(shù)字圖像處理分析方法對(duì)多孔硅結(jié)構(gòu)電子顯微鏡圖像(SEM)
2009-06-30 08:34:10
15 本文介紹了有著蝕刻結(jié)構(gòu)的光纖傳感器在應(yīng)變測(cè)量以及薄結(jié)構(gòu)振動(dòng)測(cè)量中的應(yīng)用和檢測(cè)機(jī)理. 并且在非對(duì)稱蝕刻結(jié)構(gòu)的光纖曲率傳感器的基礎(chǔ)上提出了分布式光纖模態(tài)曲率傳感器研究
2009-07-03 09:13:1310 一種新型陽極氧化多孔硅技術(shù):在適當(dāng)條件下氧化多孔硅是提高多孔硅發(fā)光強(qiáng)度的良好途徑,提出了一種新型陽極氧化方法,并探討了該方法所涉及的陽極氧化條件。采用含CH3CSNH2 的HF
2009-12-29 23:38:4713 激光加工多孔端面機(jī)械密封
摘 要：介紹了激光加工多孔端面機(jī)械密封的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，闡述了激光加工多孔端面機(jī)械密封的工作原理，指出端面微孔
2009-05-15 22:36:201408 
可控硅,可控硅的符號(hào),可控硅性能和參數(shù)
可控硅的概念和結(jié)構(gòu)？
2010-03-02 16:57:273297 摘 要 提出一種用于SO2監(jiān)測(cè)的多孔硅光學(xué)傳感方案,其原理是以光催化氫化硅烷化處理的多孔硅作為敏感材料,根據(jù)多孔硅光致發(fā)光峰猝滅程度與SO2濃度間定量關(guān)系,實(shí)現(xiàn)SO2傳感。實(shí)驗(yàn)采用電化學(xué)方法將n2型單晶硅腐蝕形成多孔硅并進(jìn)行氫化硅烷化處理,獲得敏感膜層;研
2011-02-16 22:11:1731 對(duì)多孔硅施加陽極氧化表面處理技術(shù),可有效解決多孔硅干燥時(shí)出現(xiàn)龜裂及坍塌,破壞原有多孔硅的形貌和本質(zhì)的問題.陽極氧化表面處理技術(shù)就是使用少量的負(fù)離子作用于多孔硅表面,滿足
2011-06-24 16:28:380 為了提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率和降低成本！采用光陷阱是一種很有效的方法！如多孔硅可使入射光的反射率減小到5%左右，對(duì)實(shí)驗(yàn)室和國外幾種實(shí)用性很強(qiáng)的光陷阱結(jié)構(gòu)！如金字塔絨面多孔硅壓花法溶膠3凝膠等及其制作方法進(jìn)行了綜述。
2017-09-30 10:04:075 從硅碳復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)出發(fā)，可將目前研究的硅碳復(fù)合材料分為包覆結(jié)構(gòu)和嵌入結(jié)構(gòu)。其中，包覆結(jié)構(gòu)是在活性物質(zhì)硅表面包覆碳層，緩解硅的體積效應(yīng)，增強(qiáng)其導(dǎo)電性。根據(jù)包覆結(jié)構(gòu)和硅顆粒形貌，包覆結(jié)構(gòu)可分為核殼型、蛋黃-殼型以及多孔型。
2018-01-09 11:13:3110101 
）芯片。與傳統(tǒng)的硅光、液晶等OPA技術(shù)相比，該芯片創(chuàng)新性地將新型光柵結(jié)構(gòu)與硅基MEMS技術(shù)相結(jié)合，具有更經(jīng)濟(jì)、更高速、更高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。此外，該MEMS OPA的光學(xué)調(diào)制在自由空間完成，可實(shí)現(xiàn)無插損的光學(xué)
2019-08-31 08:19:002548 化學(xué)蝕刻法是利用酸、堿、氧化物等化學(xué)試劑對(duì)石墨烯片層進(jìn)行化學(xué)刻蝕使其產(chǎn)生面內(nèi)孔的方法。圖4a展示了采用多金屬氧酸鹽衍生的金屬氧化物刻蝕，可以得到面內(nèi)多孔石墨烯材料，石墨烯片層上的孔徑約為20–50
2020-04-02 14:39:2610586 
多孔材料通常用于噪音控制?？蒲腥藛T在不同多孔材料的吸聲特性方面已經(jīng)進(jìn)行了許多研究。根據(jù)孔的互連性，多孔材料通常可分為開孔結(jié)構(gòu)和閉孔結(jié)構(gòu)。對(duì)多孔材料聲學(xué)應(yīng)用的現(xiàn)有文獻(xiàn)表明，開孔結(jié)構(gòu)具有更好的吸聲性能
2020-08-19 10:37:551367 為了設(shè)計(jì)符合工程設(shè)計(jì)參數(shù)要求的多孔結(jié)構(gòu)模型，提出一種孔隙表征參數(shù)驅(qū)動(dòng)的多孔結(jié)構(gòu)建模思路，并以增材制造制備成形。首先，針對(duì)三周期極小化曲面（TPMS）的4種常用類型（PDGI-WP），研究了TPMS
2021-04-29 15:11:184 單晶硅的各向異性蝕刻是硅器件和微結(jié)構(gòu)加工中經(jīng)常使用的技術(shù)。已經(jīng)制造的三角形和矩形凹槽、棱錐體、薄膜和微孔，它們?cè)谄骷杏泻艽蟮膽?yīng)用。
2021-12-17 15:26:071452 
)、(TMAH)、NaOH等，但KOH與TMAH相比，平整度更好，并且只對(duì)硅的 100 表面做出反應(yīng)，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向異性蝕刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向異性濕式蝕刻在壓力傳感器、加速度計(jì)、光學(xué)傳感器等整體MEMS裝置結(jié)構(gòu)形成等中使用。 實(shí)驗(yàn) KOH硅濕法蝕刻工藝 工藝
2021-12-23 09:55:351043 
引言 我們研究了四種硅在高頻水溶液中的陽極電流-電勢(shì)特性。根據(jù)不同電位陽極氧化的樣品的表面條件，電流-電位曲線上通常有三個(gè)區(qū)域：電流隨電位指數(shù)變化區(qū)域的多孔硅形成，恒流區(qū)域的硅的電泳拋光，以及
2021-12-28 16:40:161563 
引言 我們根據(jù)實(shí)驗(yàn)，研究了多孔硅層(PSL)的形成機(jī)理。PSL是由只發(fā)生在孔隙底部的硅的局部溶解而形成的。在陽極化過程中，PSL孔隙中電解質(zhì)的HF濃度保持恒定，孔隙中的陽極反應(yīng)沿厚度方向均勻進(jìn)行。硅
2021-12-30 14:20:271142 
引言 通過在含有H2O2的HF溶液中蝕刻，在兩步工藝中對(duì)商用硅太陽能電池進(jìn)行紋理化。銀納米粒子作為催化位點(diǎn)，有助于蝕刻過程。確定了在表面制備納米孔的蝕刻時(shí)間。利用光譜儀測(cè)量了硅太陽能電池表面納米結(jié)構(gòu)
2022-01-04 17:15:351141 
引言 本文介紹了表面紋理對(duì)硅晶圓光學(xué)和光捕獲特性影響。表面紋理由氫氧化鉀(KOH)和異丙醇(IPA)溶液的各向異性蝕刻來控制。（001）晶硅晶片的各向異性蝕刻導(dǎo)致晶片表面形成金字塔面。利用輪廓測(cè)量法
2022-01-11 14:41:581824 
介紹 在本文中，我們首次報(bào)道了實(shí)現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究
2022-01-20 16:46:481197 
在 KOH 水溶液中進(jìn)行濕法化學(xué)蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對(duì)蝕刻速率已通過光學(xué)干涉測(cè)量法使用掩膜樣品進(jìn)行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0.07 μm/h 且與 60 時(shí) 1–5 M
2022-03-04 15:07:091824 
摘要 微機(jī)電系統(tǒng)中任意三維硅結(jié)構(gòu)的微加工可以用灰度光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)以及干各向異性蝕刻。 在本研究中，我們研究了深反應(yīng)離子蝕刻（DRIE）的使用和蝕刻的裁剪精密制造的選擇性。 對(duì)硅負(fù)載、O2階躍的引入、晶
2022-03-08 14:42:571476 
在本文中，我們首次報(bào)道了實(shí)現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學(xué)組成，隨后是使用電子和光學(xué)顯微鏡獲得的結(jié)果。蝕刻的機(jī)理，雖然沒有完全理解，將在下面的章節(jié)中討論。
2022-03-09 14:35:421074 
通過使用各向同性和各向異性工藝，可以高精度地創(chuàng)建由硅濕法蝕刻產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)。各向同性蝕刻速度更快，但可能會(huì)在掩模下蝕刻以形成圓形。可以更精確地控制各向異性蝕刻，并且可以產(chǎn)生具有精確尺寸的直邊。在每種
2022-03-09 16:48:343460 
了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43852 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮硅。因此，可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對(duì)硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測(cè)到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅的蝕刻速率。
2022-03-18 15:39:18954 
質(zhì)的影響。蝕刻率由深度蝕刻隨時(shí)間的變化來確定。結(jié)果表明，隨著蝕刻時(shí)間的延長，硅的厚度減重增加。在高分辨率光學(xué)顯微鏡下，可以觀察到蝕刻的硅片表面的粗糙表面。XRD分析表明，蝕刻后硅的晶體峰強(qiáng)度變?nèi)酰f明在硅襯底上
2022-03-18 16:43:111211 
本研究為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對(duì)硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中金屬雜質(zhì)的方法。
2022-03-21 16:15:07739 
利用作為掩模的陽極多孔氧化鋁的模式轉(zhuǎn)移，制備了具有100nm周期性自有序結(jié)構(gòu)的孔和柱陣列納米結(jié)構(gòu)，納米圖案的轉(zhuǎn)移是通過一個(gè)涉及硅的局部陽極化和隨后的化學(xué)蝕刻的組合過程來實(shí)現(xiàn)的。利用這一方法，可以通過改變蝕刻條件來制造負(fù)圖案和正圖案。
2022-03-23 11:05:54840 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度，用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:344201 
和水熱蝕刻制備黑硅具有更大的優(yōu)勢(shì)。它為制備黑硅可見光和近紅外光電子器件提供了一種合適而經(jīng)濟(jì)的方法。本文采用濕式蝕刻法制備了微結(jié)構(gòu)硅，并對(duì)其微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征，并對(duì)其光學(xué)性能進(jìn)行了測(cè)試。
2022-03-29 16:02:591360 
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