摘要 本文從晶體生長(zhǎng)科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點(diǎn)是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動(dòng)力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢(shì)壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數(shù)量級(jí)。對(duì)金剛石晶體結(jié)構(gòu)的分析表明，晶面是該
2022-01-25 13:51:11
2855 
硅的各向異性蝕刻是指定向依賴(lài)的蝕刻，通常通過(guò)堿性蝕刻劑如水溶液氫氧化鉀，TMAH和其他羥化物如氫氧化鈉。由于蝕刻速率對(duì)晶體取向、蝕刻劑濃度和溫度的強(qiáng)烈依賴(lài)性，可以以高度可控和可重復(fù)的方式制備多種硅
2022-03-08 14:07:252479 
的蝕刻溶液內(nèi)進(jìn)行蝕刻。（圖3、圖4） 在連接到陽(yáng)兢的半導(dǎo)體硅基板上，將連接到陰極的鉑線纏繞在夾子上的鉑電極對(duì)向，在夾子中放入氮?dú)馀菖?，通過(guò)該泡泡注入地素的半導(dǎo)體硅基板的蝕刻方法，一種半導(dǎo)體硅基板的蝕刻方法，使氮?dú)馀菽髋c
2022-03-24 16:47:484409 
在本研究中，我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)150mm晶片的濕蝕刻槽來(lái)防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒(méi)有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設(shè)計(jì)，作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:493096 
本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應(yīng)離子蝕刻法和金屬催化化學(xué)蝕刻法制備了黑硅，研究發(fā)現(xiàn)，在400~2200nm的波長(zhǎng)內(nèi)，光的吸收顯著增強(qiáng)，其中飛秒激光用六氟化硫蝕刻的黑硅在近紅外波段的吸收值最高。但這大
2022-04-06 14:31:353609 
濕式蝕刻過(guò)程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因?yàn)樗褂玫幕瘜W(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)溶液的選擇性大于100：1。液體化學(xué)必須滿(mǎn)足以下要求：掩模層不能
2022-04-07 14:16:343419 
在內(nèi)的綜合性能方面還留有課題。因此，與硅不同，沒(méi)有適當(dāng)?shù)娜コ庸p傷的蝕刻技術(shù)，擔(dān)心無(wú)法切實(shí)去除搭接后的殘留損傷。本方法以開(kāi)發(fā)適合于去除加工損傷的濕蝕刻技術(shù)為目的，以往的濕蝕刻是評(píng)價(jià)結(jié)晶缺陷的條件，使用加熱到500℃以上的KOH熔體的，溫度越高，安全性存在問(wèn)題，蝕刻速率高。
2022-04-15 14:54:492473 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量硅蝕刻速率的簡(jiǎn)單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過(guò)無(wú)損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對(duì)硅的選擇性蝕刻，通過(guò)原子精密的AFM可以檢測(cè)到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅蝕刻速率。
2022-04-22 14:06:011908 
引起的，濕法清洗和干法蝕刻清洗工藝被用于去除多晶硅蝕刻殘留物，這可能影響電特性和進(jìn)一步的器件工藝。XPS結(jié)果表明，濕法清洗適用于蝕刻殘留物的去除。
2022-05-06 15:49:501922 
本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴?b class="flag-6" style="color: red">硅微米和納米鰭的形成。通過(guò)濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來(lái)沉積二氧化硅，以產(chǎn)生硬掩模
2022-07-08 15:46:162154 
蝕刻機(jī)理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強(qiáng)含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因?yàn)椴煌娴腟i原子
2022-07-11 16:07:222920 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說(shuō)，它們?cè)谀承┓较蛏系?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:065995 
制備方法對(duì)Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦磁性能的影響采用濕化學(xué)法和固相反應(yīng)制備了Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦化合物，對(duì)比研究了制備方法對(duì)其磁性能尤其是磁卡效應(yīng)的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，濕化學(xué)法準(zhǔn)備的樣品具有
2009-05-26 00:22:45
濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過(guò)程，該過(guò)程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱(chēng)為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；最常見(jiàn)的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過(guò)程分為兩類(lèi)：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡(jiǎn)要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
太陽(yáng)光轉(zhuǎn)化為可用能源的效率達(dá)到了驚人的22.1%。這比之前的太陽(yáng)能電池最高效率還要高出4%。該項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)成熟，可以運(yùn)用投放到市場(chǎng)中，取代現(xiàn)行的太陽(yáng)能板。黑硅尤其適合收集低角度的太陽(yáng)光，低角度太陽(yáng)光多見(jiàn)于
2015-07-02 09:46:02
空間感知能力是什么意思？U1芯片到底能做什么？UWB超寬帶技術(shù)又是什么黑科技？UWB技術(shù)和我們現(xiàn)在常用的定位技術(shù)，又有什么不同呢？
2021-06-16 06:25:13
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號(hào)：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
氧化物）中的高質(zhì)量電介質(zhì)。此外，在加工過(guò)程中，熱生長(zhǎng)的氧化物可用作注入、擴(kuò)散和蝕刻掩模。硅作為微電子材料的優(yōu)勢(shì)可歸因于這種高質(zhì)量原生氧化物的存在以及由此產(chǎn)生的接近理想的硅/氧化物界面。濕法蝕刻包括
2021-07-06 09:32:40
各向異性（晶體）化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù)，其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是：（1）具有原子級(jí)光滑面的光學(xué)設(shè)備（波導(dǎo)、激光器）減少損失（2）MEMS，其中幾何形狀可以通過(guò)
2021-07-08 13:09:52
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN的晶體濕化學(xué)蝕刻[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
發(fā)射極感興趣，這可以避免AlGaAs 的氧化和深能級(jí)問(wèn)題。用于器件制造的關(guān)鍵技術(shù)操作之一是濕化學(xué)蝕刻。在我們之前的論文中，我們介紹了一組在 HC1:C H3COOH:H2O2（所謂的 KKI）溶液中
2021-07-09 10:23:37
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過(guò)程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
，干法蝕刻制備的氮化鎵（GaN）側(cè)壁通常具有較大的粗糙度和蝕刻損傷，這會(huì)導(dǎo)致由于表面非輻射復(fù)合導(dǎo)致的光學(xué)散射和載流子注入損失引起的鏡面損失。詳細(xì)研究了干法蝕刻形成的GaN側(cè)壁面的濕化學(xué)拋光工藝，以去除蝕刻
2021-07-09 10:21:36
鏡面硅結(jié)構(gòu)時(shí)，表面的平滑度和蝕刻速率是關(guān)鍵參數(shù)。我們展示了一種從單晶硅創(chuàng)建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側(cè)壁。該技術(shù)使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
印制電路板的蝕刻可采用以下方法: 1 )浸入蝕刻; 2) 滋泡蝕刻; 3) 潑濺蝕刻; 4) 噴灑蝕刻。 由于噴灑蝕刻的產(chǎn)量和細(xì)紋分辨率高，因此它是應(yīng)用最為廣泛的一項(xiàng)技術(shù)?！ ? 浸入
2018-09-11 15:27:47
本文將介紹和比較在硅光電子領(lǐng)域中使用的多種激光器技術(shù)，包括解理面、混合硅激光器和蝕刻面技術(shù)。我們還會(huì)深入探討用于各種技術(shù)的測(cè)試方法，研究測(cè)試如何在推動(dòng)成本下降和促進(jìn)硅光子技術(shù)廣泛普及的過(guò)程中發(fā)揮重要作用。
2021-05-08 08:14:10
晶片全面曝光的方法，使單一晶片上可以獲得更多的芯片(chip)。如此一來(lái)，雖然產(chǎn)率得以提高，但同時(shí)也制造一些工藝處理問(wèn)題。特別在對(duì)硅晶片蝕刻深凹槽(deeptrench)工藝方面?！ ∮捎?b class="flag-6" style="color: red">采用全面曝光
2018-03-16 11:53:10
物聯(lián)網(wǎng)黑科技：不耗電的新wifi技術(shù)
2021-05-24 06:38:24
一 前言 最早PCB生產(chǎn)過(guò)程的圖形轉(zhuǎn)移材料采用濕膜，隨著濕膜的不斷使用和PCB的技術(shù)要求提高，濕膜的缺點(diǎn)也顯露出來(lái)了，主要聚中在生產(chǎn)周期長(zhǎng)、涂膜厚度不均、涂膜后板面針眼和雜物太多、孔中顯影困難
2018-08-29 10:20:48
多晶硅材料的制備單晶硅材料的制備非晶硅材料的制備太陽(yáng)能電池的制備
2010-07-18 11:18:55
69 硅原料
原料分檢
原料腐蝕
單晶制備
2010-10-11 16:25:060 摘要:采用VHF-PECVD技術(shù)制備了不同功率系列的微晶硅薄膜和電池,測(cè)試結(jié)果表明:制備的適用于微晶硅電池的有源層材料的暗電導(dǎo)和光敏性都在電池要求的參數(shù)范圍內(nèi).低功率或高功率條
2010-11-23 21:36:4228 印制電路板的蝕刻設(shè)備和技術(shù)
印制電路板的蝕刻可采用以下方法:
1 )浸入蝕刻;
2) 滋泡蝕刻;
3)
2009-11-18 08:54:212815 硅濕敏電阻器的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)有哪些?
硅濕敏電阻器是由硅粉摻人少量金屬氧化物燒結(jié)而成的，具有電阻值隨大氣相對(duì)溫
2009-11-30 09:31:431018 硅濕敏電阻器是由硅粉摻人少量金屬氧化物燒結(jié)而成的，具有電阻值隨大氣相對(duì)溫度變化而變化的特性。
2010-11-27 11:30:031432 多晶硅制備詳細(xì)流程及
2011-01-10 16:18:1866 低壓化學(xué)氣相沉積、固相晶化、準(zhǔn)分子激光晶化、快速熱退火、金屬誘導(dǎo)晶化、等離子體增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)氣相沉積等是目前用于制備多晶硅薄膜的幾種主要方法。它們具有各自不同的制備
2011-10-18 12:04:043493 鋰電池硅基負(fù)極極片該如何制備呢？KarkarZ等人研究了硅電極的制備工藝。
2018-08-07 15:52:145521 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體材料與集成電路基礎(chǔ)教程之單晶硅生長(zhǎng)及硅片制備技術(shù)。
2018-11-19 08:00:0021 蝕刻（etching）是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻（wet etching）和干蝕刻（dry etching）兩類(lèi)。它可通過(guò)曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-24 15:52:5732937 24張PPT解讀半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)及硅片制備技術(shù)
2019-07-26 18:03:448751 一、蝕刻的目的 蝕刻的目的即是將前工序所做出有圖形的線路板上的未受保護(hù)的非導(dǎo)體部分銅蝕刻去，形成線路。 蝕刻有內(nèi)層蝕刻和外層蝕刻，內(nèi)層采用酸性蝕刻，濕膜或干膜為抗蝕劑；外層采用堿性蝕刻，錫鉛為抗蝕劑
2020-12-11 11:40:5811216 蝕刻機(jī)的基礎(chǔ)原理一、蝕刻的目的蝕刻的目的即是將前工序所做出有圖形的線路板上的未受保護(hù)的非導(dǎo)體部分銅蝕刻去，形成線路。蝕刻有內(nèi)層蝕刻和外層蝕刻，內(nèi)層采用酸性蝕刻，濕膜或干膜為抗蝕劑；外層采用堿性蝕刻，錫鉛為抗蝕劑
2020-12-24 12:59:389982 單晶硅的各向異性蝕刻是硅器件和微結(jié)構(gòu)加工中經(jīng)常使用的技術(shù)。已經(jīng)制造的三角形和矩形凹槽、棱錐體、薄膜和微孔，它們?cè)谄骷杏泻艽蟮膽?yīng)用。
2021-12-17 15:26:071452 
低損耗硅波導(dǎo)和有效的光柵耦合器來(lái)將光耦合到其中。通過(guò)使用各向異性濕法蝕刻技術(shù)，我們將側(cè)壁粗糙度降低到1.2納米。波導(dǎo)沿[112]方向在絕緣體上硅襯底上形成圖案。
2021-12-22 10:17:211405 分析化學(xué)小型化的一個(gè)方便的起點(diǎn)是使用單c：晶體硅作為起始材料，微加工作為使技術(shù)，濕化學(xué)蝕刻作為關(guān)鍵的微加工工具。在本文中，我們回顧了硅微加工，并描述了形成可能用于化學(xué)分析應(yīng)用的通道、柱和其他幾何圖案
2021-12-22 17:29:021906 
引言 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長(zhǎng)寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:351043 
引言 通過(guò)在含有H2O2的HF溶液中蝕刻，在兩步工藝中對(duì)商用硅太陽(yáng)能電池進(jìn)行紋理化。銀納米粒子作為催化位點(diǎn)，有助于蝕刻過(guò)程。確定了在表面制備納米孔的蝕刻時(shí)間。利用光譜儀測(cè)量了硅太陽(yáng)能電池表面納米結(jié)構(gòu)
2022-01-04 17:15:351141 
引言 濕化學(xué)蝕刻是制造硅太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵工藝步驟。為了蝕刻單晶硅，氫氧化鉀溶液被廣泛使用，因?yàn)樗鼈兛梢孕纬删哂须S機(jī)金字塔的表面紋理，從而增強(qiáng)單晶硅晶片的光吸收。對(duì)于多晶硅晶片，表面紋理化通常通過(guò)在含
2022-01-13 14:47:191346 
性濺射制備的A1N的晶體質(zhì)量，隨著退火溫度的增加，材料的濕蝕刻率降低。在1100°C退火后，在80°C蝕刻溫度下，蝕刻速率降低了約一個(gè)數(shù)量級(jí)。用金屬有機(jī)分子束外延生長(zhǎng)的In019A1081N在硅上的蝕刻速率大約是在砷化鎵上的三倍。這與在砷化鎵上生長(zhǎng)的材料的優(yōu)越
2022-01-17 16:21:48754 
介紹 本文通過(guò)詳細(xì)的動(dòng)力學(xué)研究，闡明了在富含HF的高頻/HNO3混合物中對(duì)硅的濕式化學(xué)蝕刻的機(jī)理。蝕刻實(shí)驗(yàn)后，我們進(jìn)行進(jìn)行了化學(xué)分析并研究了蝕刻速率與溫度、蝕刻劑的硅含量利用率和攪拌速度的函數(shù)關(guān)系
2022-01-24 15:41:132458 
我們?nèi)A林科納使用K2S2O8作為氧化劑來(lái)表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術(shù)。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率，并產(chǎn)生了光滑的高質(zhì)量蝕刻表面，同時(shí)通過(guò)原子力顯微鏡測(cè)量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:551186 
輻照和氫氟酸刻蝕工藝，在幾個(gè)小時(shí)內(nèi)制備出直徑小于100微米的大面積密排矩形和六邊形凹面多層膜。所制備的多層膜顯示出優(yōu)異的表面質(zhì)量和均勻性。與傳統(tǒng)的熱回流工藝相比，本方法是一種無(wú)掩模工藝，通過(guò)調(diào)整脈沖能量、噴射次數(shù)和蝕刻時(shí)間等參數(shù)，可以靈活控制多層膜的尺寸、形狀和填充圖案。
2022-02-18 15:28:232534 
的抗激光損傷能力。這種比較是在高損傷閾值拋光熔融石英光學(xué)器件上設(shè)計(jì)的劃痕上進(jìn)行的。我們證明氫氧化鉀和氫氟酸/硝酸溶液都能有效鈍化劃痕，從而提高其損傷閾值，達(dá)到拋光表面的水平。還研究了這些濕蝕刻對(duì)表面粗糙度和外觀的影響。我們表明，在
2022-02-24 16:26:034173 
在 KOH 水溶液中進(jìn)行濕法化學(xué)蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對(duì)蝕刻速率已通過(guò)光學(xué)干涉測(cè)量法使用掩膜樣品進(jìn)行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0.07 μm/h 且與 60 時(shí) 1–5 M
2022-03-04 15:07:091824 
摘要 微機(jī)電系統(tǒng)中任意三維硅結(jié)構(gòu)的微加工可以用灰度光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)以及干各向異性蝕刻。 在本研究中，我們研究了深反應(yīng)離子蝕刻（DRIE）的使用和蝕刻的裁剪精密制造的選擇性。 對(duì)硅負(fù)載、O2階躍的引入、晶
2022-03-08 14:42:571476 
在本文中，我們首次報(bào)道了實(shí)現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過(guò)使用六氟硅酸(也稱(chēng)為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學(xué)組成，隨后是使用電子和光學(xué)顯微鏡獲得的結(jié)果。蝕刻的機(jī)理，雖然沒(méi)有完全理解，將在下面的章節(jié)中討論。
2022-03-09 14:35:421073 
本文研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過(guò)在1100°C下快速熱退火，提高了反應(yīng)性濺射制備
2022-03-09 14:37:47815 
通過(guò)使用各向同性和各向異性工藝，可以高精度地創(chuàng)建由硅濕法蝕刻產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)。各向同性蝕刻速度更快，但可能會(huì)在掩模下蝕刻以形成圓形?？梢愿_地控制各向異性蝕刻，并且可以產(chǎn)生具有精確尺寸的直邊。在每種
2022-03-09 16:48:343460 
在半導(dǎo)體器件制造中，蝕刻是指選擇性地從襯底上的薄膜去除材料并通過(guò)這種去除在襯底上創(chuàng)建該材料的圖案的技術(shù)。該圖案由一個(gè)能夠抵抗蝕刻過(guò)程的掩模定義，其創(chuàng)建過(guò)程在光刻中有詳細(xì)描述。一旦掩模就位，就可以通過(guò)濕化學(xué)或“干”物理方法蝕刻不受掩模保護(hù)的材料。圖1顯示了該過(guò)程的示意圖。
2022-03-10 13:47:365517 
近十年來(lái)，濕化學(xué)法制備超薄二氧化硅/硅和超薄二氧化硅/硅結(jié)構(gòu)的技術(shù)和研究取得了迅速發(fā)展。這種結(jié)構(gòu)最重要是與大尺寸硅晶片上氧化物層的均勻生長(zhǎng)有關(guān)。
2022-03-11 13:57:221375 
了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長(zhǎng)寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43852 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量硅蝕刻速率的簡(jiǎn)單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過(guò)無(wú)損摩擦化學(xué)去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮硅。因此，可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對(duì)硅的選擇性蝕刻，通過(guò)原子精密的AFM可以檢測(cè)到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅的蝕刻速率。
2022-03-18 15:39:18954 
使用酸性或氟化物溶液對(duì)硅表面進(jìn)行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產(chǎn)微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對(duì)浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散、減重、蝕刻速率、表面形貌和結(jié)晶性
2022-03-18 16:43:111211 
利用作為掩模的陽(yáng)極多孔氧化鋁的模式轉(zhuǎn)移，制備了具有100nm周期性自有序結(jié)構(gòu)的孔和柱陣列納米結(jié)構(gòu)，納米圖案的轉(zhuǎn)移是通過(guò)一個(gè)涉及硅的局部陽(yáng)極化和隨后的化學(xué)蝕刻的組合過(guò)程來(lái)實(shí)現(xiàn)的。利用這一方法，可以通過(guò)改變蝕刻條件來(lái)制造負(fù)圖案和正圖案。
2022-03-23 11:05:54840 
硅是微電子學(xué)和微細(xì)力學(xué)中最常用的襯底材料。它不僅可用作無(wú)源襯底，也可用作電子或機(jī)械元件的有源材料。如本章所述，所需的圖案也可以通過(guò)濕化學(xué)蝕刻方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。
2022-03-23 14:17:163097 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴(lài)于蝕刻劑溫度和濃度，用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:344201 
本研究對(duì)黑硅的形成進(jìn)行了兩步短濕蝕刻處理,所建議的結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)步驟。第一步：濕酸性蝕刻凹坑狀形態(tài)，具有降低紋理化溫度的新解決方案；第二步：通過(guò)金屬輔助蝕刻(MAE)獲得的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。由于紋理制作
2022-03-29 15:07:501520 
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